專利名稱：半導(dǎo)體晶片及具備該半導(dǎo)體晶片的疊層構(gòu)造體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體晶片及具備該半導(dǎo)體晶片的疊層構(gòu)造體。
背景技術(shù)：
近年來，作為得到三維多層構(gòu)造的半導(dǎo)體模塊的方法，雖然研究過將單片化了的半導(dǎo)體芯片接合進行疊層的手法，但是從疊層成本降低的觀點來看，正研究著在成為半導(dǎo)體芯片之前預(yù)先將多個半導(dǎo)體晶片接合之后進行單片化。而且，作為接合半導(dǎo)體晶片的方法，例舉了使用羥基結(jié)合、等離子體活性化等手法的常溫下的直接接合法，借助了樹脂材料的樹脂接合法等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施方式提供半導(dǎo)體晶片及具備該半導(dǎo)體晶片的疊層構(gòu)造體，可以增加能夠由疊層的半導(dǎo)體晶片制造的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量，而且，可以降低加工費用。在一個實施方式中，半導(dǎo)體晶片具備半導(dǎo)體基板和形成在上述半導(dǎo)體基板上的布線層。上述半導(dǎo)體基板具備位于上述半導(dǎo)體基板的外周部、而且未被上述布線層覆蓋的第I區(qū)域，上述布線層具備上述布線層的上表面大致平坦的第2區(qū)域，在上述第I區(qū)域形成了第I絕緣膜，上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第I絕緣膜的上表面大致為同一面。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，可以提供增加能夠由疊層的半導(dǎo)體晶片制造的半導(dǎo)體芯片的數(shù)量、而且可以降低加工費用的半導(dǎo)體晶片及具備該半導(dǎo)體晶片的疊層構(gòu)造體。


圖I至圖6是用于說明實施方式涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。圖7是用于說明實施方式涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法的第I變化例的圖。圖8是用于說明實施方式涉及的半導(dǎo)體器件的制造方法的第2變化例的圖。圖9是用于說明對比例的半導(dǎo)體器件的制造方法的圖。
具體實施例方式以下，參照附圖來說明實施方式。但是，本發(fā)明不限于該實施方式。并且，對于全部附圖的共同的部分附加共同的符號，并省略重復(fù)的說明。而且，附圖是用于說明發(fā)明和促進其理解的示意圖，其形狀、尺寸、比例等存在與實際裝置不同的地方，這些都可以斟酌以下的說明和公知技術(shù)適當?shù)剡M行設(shè)計變更。
首先，說明半導(dǎo)體晶片I。詳細而言，對于在半導(dǎo)體晶片I上形成布線層11、且與被接合半導(dǎo)體晶片2貼合之前的半導(dǎo)體晶片I上的各區(qū)域，使用示出了半導(dǎo)體晶片I的一例的圖I進行說明。圖1(a)是示出半導(dǎo)體晶片I的外周部側(cè)的部分的剖面圖，圖1(b)是半導(dǎo)體晶片I的上表面圖。如圖1(a)的剖面圖所示，有關(guān)半導(dǎo)體晶片1，從半導(dǎo)體晶片I的中心到外周部51附近為止的中央部50處的其上表面Ia大致平坦，其高度大致相同。在此，所謂“大致相同”，不僅意味著從半導(dǎo)體晶片I的背面進行測定而在數(shù)學(xué)上為相同高度的情況，而且還意味著包括在半導(dǎo)體晶片I的制造工序中存在工業(yè)上允許程度的高度的差異的情況。再者，半導(dǎo)體晶片I的外周部51處的上表面la，平坦的區(qū)域結(jié)束，從圖中所示的A點向半導(dǎo)體晶片I的外側(cè)而帶著圓形，且其高度徐徐變低，連接向半導(dǎo)體晶片I的側(cè)面lb。再者，在半導(dǎo)體晶片I的中央部50的一部分的上表面Ia上，形成了由金屬和絕緣 體構(gòu)成的布線層11。詳細而言，該布線層11包括絕緣膜和該絕緣膜之中形成的布線。以下，將形成了布線層11的半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia的部分稱為第4區(qū)域60，將未形成布線層11的半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia的部分稱為第I區(qū)域61。并且，雖然存在于第I區(qū)域61形成了布線層11的情況，但是在該部分形成的布線層11是不完全的，所以在以下的說明中，在第I區(qū)域61形成的布線層11不視為布線層11，認為在第I區(qū)域61沒有布線層11來處理。而且，在上表面la，在半導(dǎo)體晶片I的外周部51和中央部50之中的外周部51側(cè)的部分，存在不能形成半導(dǎo)體元件或者未形成半導(dǎo)體元件的區(qū)域，在以下的說明中，將該區(qū)域稱作邊緣切除區(qū)域31。詳細而言，在布線層11的蝕刻工序中形成將布線層11覆蓋的蝕刻劑膜之時，為了防止蝕刻劑膜回流進入半導(dǎo)體晶片I的側(cè)面Ib和背面lc，而施以將蝕刻劑膜的外周部去除的邊緣切除処理。因此，在半導(dǎo)體晶片I的外周部51和中央部50之中的外周部51側(cè)的部分的布線層11上沒有覆蓋蝕刻劑膜，由此在該半導(dǎo)體晶片I的外周部51和中央部50之中的外周部51側(cè)的部分之上形成的布線層11被蝕刻。因此，在該區(qū)域，存在不能形成半導(dǎo)體元件或者未形成半導(dǎo)體元件的邊緣切除區(qū)域31。半導(dǎo)體晶片I上的布線層11的厚度，在半導(dǎo)體晶片I的中央部50的中心部處大致一定，換而言之，半導(dǎo)體晶片I上的布線層11的上表面Ila的高度，在半導(dǎo)體晶片I的中央部50的中心部處大致相同。在此，所謂“大致相同”與之前說明的同樣，不僅意味著從半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia進行測定而在數(shù)學(xué)上為相同高度的情況，而且還意味著包括在半導(dǎo)體晶片I的制造工序中存在工業(yè)上允許程度的高度的差異的情況。在以下的說明中，該布線層11的厚度大致一定，而且，將大致平坦的區(qū)域稱作布線層厚一定區(qū)域(第2區(qū)域)33。而且，在布線層厚一定區(qū)域33和邊緣切除區(qū)域31之間，存在如下區(qū)域從布線層厚一定區(qū)域33向邊緣切除區(qū)域31 (從布線層厚一定區(qū)域33向半導(dǎo)體晶片I的周邊部)，布線層11的厚度徐徐降低的區(qū)域；換而言之，存在布線層11的上表面Ua的高度徐徐降低的區(qū)域。在以下的說明中，將該區(qū)域稱作布線層厚暫減區(qū)域(第3區(qū)域)32。作為形成該布線層厚暫減區(qū)域32的理由，是緣于在半導(dǎo)體晶片I上形成布線層11的工序中，進行被稱作CMP(Chemical Mechanical Polishing)的對布線層11的上表面Ila進行研磨的研磨工序，但在進行該CMP之時，發(fā)生研磨傾斜(在研磨后的表面存在傾斜等)。即，從布線厚一定區(qū)域33向邊緣切除區(qū)域31，布線層11的厚度因研磨傾斜而暫減。但是，該暫減的程度小到納米級，所以在該布線層厚暫減區(qū)域32形成半導(dǎo)體元件、布線是可能的。再者，如圖1(b)所示，大致圓形的半導(dǎo)體晶片I具有凹槽40 (在圖1(b)中位于半導(dǎo)體晶片I的下端的切口)，再者，大致圓形的布線層11以與凹槽40的一部分重疊的方式，除了半導(dǎo)體晶片I的中央部50的外周側(cè)以外，被形成在中央部50上。而且，邊緣切除區(qū)域31形成為包括凹槽40的最內(nèi)側(cè)的部分(在以下的說明中，將該切口的前端稱作凹槽40的前端41)。在此，以制造三維疊層半導(dǎo)體模塊時進行的、基于直接接合法的半導(dǎo)體晶片的接合為例進行說明，但本發(fā)明不限于以下的實施方式。圖I至圖6是示出本實施方式的制造方法的圖。詳細而言，圖I至圖4的各(a)是半導(dǎo)體晶片I的外周部側(cè)的部分的剖面圖，圖I至圖4的各(b)是半導(dǎo)體晶片I的上表 面圖。而且，圖5及圖6是半導(dǎo)體晶片I的外周部側(cè)的部分的剖面圖。首先，如圖1(a)及(b)所示，準備形成了之前說明過的布線層11的半導(dǎo)體晶片I。該布線層11大致為圓形，除半導(dǎo)體晶片I的中央部50的外周側(cè)以外，形成在中央部50上。接著，如圖2 (a)及(b)所示，在半導(dǎo)體晶片I上，形成對從布線層11到半導(dǎo)體晶片I的外周部51為止進行覆蓋的硅氧化物等氧化物、硅氮化物等氮化物構(gòu)成的絕緣膜12。作為形成該絕緣膜12的方法，可以使用S0G(Spin On Glass)等塗布法、CVD (Chemical VaporDeposition)等蒸鍍法、濺射法等公知的方法，不特別限定形成方法。此時，圖2(a)中的邊緣切除區(qū)域31和布線層厚暫減區(qū)域32處的布線層11和絕緣膜12的厚度的合計，優(yōu)選大于等于布線層厚一定區(qū)域33的布線層11的厚度，關(guān)于從半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia看到的絕緣膜12的上表面12a的高度，還優(yōu)選位于布線層厚暫減區(qū)域32及邊緣切除區(qū)域31處的部分的高度比位于布線層厚一定區(qū)域33處的部分的高度高。這是因為此后雖然使用CMP使絕緣膜12的上表面12a平坦化為大致一定的高度，但由于CMP具有沿著表面的形狀進行研磨的傾向，所以如上所述地形成絕緣膜12，更易于使絕緣膜12的上表面12a平坦化。如圖2(b)所示,到凹槽40的前端41的外側(cè)為止形成絕緣膜12。然后，使用CMP等研磨法來研磨該絕緣膜12的上表面12a，如圖3 (a)及(b)所示，使絕緣膜12的上表面12a平坦化。由此，除了邊緣切除區(qū)域31的外周部附近的一部分以夕卜，在位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a、和位于布線層厚暫減區(qū)域32及布線層一定區(qū)域33處的絕緣膜12的上表面12a或者布線層11的上表面11a，成為連續(xù)的一個平坦的面，而且，該面的高度跨整體大致相同。在此，所謂“大致相同”，不僅意味著跨整個面從半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia開始進行測定而在數(shù)學(xué)上為相同的高度的情況，還意味著包括在考慮了研磨時的稍許傾斜的基礎(chǔ)上，存在此后的制造工序及制品所允許的數(shù)rim程度的高度的差異的情況。而且，如圖3(a)所示，有關(guān)在邊緣切除區(qū)域31的最外周形成的絕緣膜12的部分的上表面12a的高度，不為大致相同也可。而且，詳細而言，如圖3(a)的剖面圖所示，絕緣膜12的上表面12a大致平坦的區(qū)域的端部B，位于比半導(dǎo)體晶片I的上表面Ia大致平坦的區(qū)域結(jié)束且?guī)е鴪A形的位置A還靠近半導(dǎo)體晶片I的外側(cè)。在圖3(b)中，用距離半導(dǎo)體晶片I的外周最近的點劃線來表示該端部B的位置。而且，如圖3(b)所示，絕緣膜12的上表面12a大致平坦的區(qū)域，比凹槽40的前端41還靠近半導(dǎo)體晶片I的外側(cè)形成，但不限于此，也可以在凹槽40的前端41的內(nèi)側(cè)(半導(dǎo)體晶片I的中心部側(cè))，使絕緣膜12的上表面12a大致平坦的區(qū)域結(jié)束。這樣，與示出形成絕緣膜12之前的狀態(tài)的圖1(a)相比較，在圖3(a)中，設(shè)有絕緣膜12，從而，使位于布線層厚暫減 區(qū)域32最上面的面即最上表面(絕緣膜12的上表面12a或者布線層11的上表面Ila)大致為平坦，除了邊緣切除區(qū)域31的最外周附近的一部分以夕卜，位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a也大致平坦。因此，除了邊緣切除區(qū)域31的外周部附近的一部分以外，位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a、和位于布線層厚暫減區(qū)域32及布線層一定區(qū)域33處的絕緣膜12的上表面12a或者布線層11的上表面11a，為連續(xù)的一個平坦的面，而且，該面的高度跨全體大致相同。并且，在圖3(a)及(b)中，位于布線層一定區(qū)域33的絕緣膜12通過研磨而被除去，絕緣膜12覆蓋邊緣切除區(qū)域31和布線層厚暫減區(qū)域32的一部分或者全體。換而言之，絕緣膜12對形成了布線層11的第4區(qū)域60的外周部和未形成布線層11的第I區(qū)域61進行覆蓋。但是，不限于此，也可以如示出本實施方式的第I變化例的圖7(a)及(b)那樣，殘余位于布線層一定區(qū)域33的絕緣膜12，絕緣膜12覆蓋半導(dǎo)體晶片I的全體。S卩，也可以與之前說明過的實施方式一樣，除了邊緣切除區(qū)域31的外周部附近的一部分以外，位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a和位于布線層厚暫減區(qū)域32及布線層一定區(qū)域33處的絕緣膜12的上表面12a，為連續(xù)的一個平坦的面，而且，該面的高度跨整體大致相同。在此，所謂“大致相同”，如之前說明的那樣，不僅意味著數(shù)學(xué)上相同的高度的情況，還意味著這包括存在制造工序及制品所允許的數(shù)nm程度的高度的差異的情況。而且，如圖7(a)所示，有關(guān)在邊緣切除區(qū)域31的最外周形成的絕緣膜12的部分的上表面12a的高度，不為大致相同也可。接著，如圖4(a)及(b)所示，通過研磨、基于切削機的切斷、蝕刻等，對半導(dǎo)體晶片I的外周部51的最外周部分進行階差加工，形成階差加工區(qū)域34。如圖4(b)所示，階差加工形成于比凹槽40的前端41還靠內(nèi)側(cè)。關(guān)于階差加工的詳細情況，以后進行說明。然后，如圖5所示，將半導(dǎo)體晶片I和被接合半導(dǎo)體晶片2直接接合，形成疊層構(gòu)造。詳細而言，被接合半導(dǎo)體晶片2被疊層在半導(dǎo)體基板I的布線層11之上。作為將半導(dǎo)體晶片I接合于被接合半導(dǎo)體晶片2時的接合方法，使用利用了羥基結(jié)合、等離子體活性化等手法的常溫下的直接接合法。作為其它接合方法，例舉了例如借助了樹脂材料的樹脂接合法等，但樹脂材料在耐熱性方面存在問題，而從耐熱性、接合位置精度的觀點來看不優(yōu)選，所以使用直接接合法。接著，使接合的半導(dǎo)體晶片I和被接合半導(dǎo)體晶片2的疊層構(gòu)造的厚度變薄。詳細而言，如圖6所示，對半導(dǎo)體晶片I的背面Ic進行研削及研磨。在此，例舉出對比例，來說明形成階差加工區(qū)域34的理由。該對比例是本發(fā)明人利用以前使用的直接接合法進行的半導(dǎo)體晶片的接合方法。首先，使用圖9來說明第I對比例。該圖9是半導(dǎo)體晶片I的外周部側(cè)的部分的剖面圖。在對比例中，如圖9(a)所示，由于在半導(dǎo)體晶片I上不形成絕緣膜12，所以如之前所說明的那樣，布線層11的上表面Ila的高度不一定，詳細而言，布線層厚一定區(qū)域33處的布線層11的上表面Ila的高度、與邊緣切除區(qū)域31和布線層厚暫減區(qū)域32處的布線層11的上表面Ila的高度不同。在此后的工序中，如圖9(b)所示，若將對比例的半導(dǎo)體晶片I和被接合半導(dǎo)體晶片2直接接合，則在布線層厚暫減區(qū)域32及邊緣切除區(qū)域31，形成半導(dǎo)體晶片I和被接合半導(dǎo)體晶片2不直接接觸的非接合區(qū)域35。此后，在對比例中，如圖9(c)所示，雖然對半導(dǎo)體晶片I的背面Ic進行研削及研磨，但由于該非接合區(qū)域35形成得較寬，所以在研削及研磨時，容易發(fā)生半導(dǎo)體晶片I斷裂這樣的問題。因此，為了回避半導(dǎo)體晶片I的斷裂，而對半導(dǎo)體晶片I的外周部進行階差加工。在對比例中，如圖9(d)所示，通過研磨、基于切削機的切斷、蝕刻等，對半導(dǎo)體晶片I的外周部進行階差加工，形成階差加工區(qū)域34。即，在對比例的相當于非接合區(qū)域35 的區(qū)域(參照圖9(b))，進行階差加工。在此后的工序中，如圖9(e)所示，若將對比例的半導(dǎo)體晶片I和被接合半導(dǎo)體晶片2直接接合，則因為形成階差加工區(qū)域34，而在半導(dǎo)體晶片I的外周部不發(fā)生非接合區(qū)域35。接著，在對比例中，如圖9(f)所示，雖然對半導(dǎo)體晶片I的背面Ic進行研削及研磨，但由于在半導(dǎo)體晶片I的外周部不發(fā)生非接合區(qū)域35，所以可以防止半導(dǎo)體晶片I的外周部處的斷裂。 并且，在對比例中，該階差加工區(qū)域34需要到比布線層厚暫減區(qū)域32還靠近半導(dǎo)體晶片I的內(nèi)側(cè)(半導(dǎo)體晶片的中心部側(cè))為止進行，所以實際上必要的階差加工區(qū)域34的寬度為例如數(shù)毫米左右。再者，在該階差加工區(qū)域34，作為制品不能形成有効的半導(dǎo)體元件。在本實施方式中，為了防止半導(dǎo)體晶片I的外周部處的斷裂，而在半導(dǎo)體晶片I的外周部進行階差加工。但是，在本實施方式中，通過設(shè)置絕緣膜12，從而在除了邊緣切除區(qū)域31的外周部附近的一部分以外，位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a和位于布線層厚暫減區(qū)域32及布線層一定區(qū)域33處的絕緣膜12的上表面12a或者布線層11的上表面11a，為連續(xù)的一個平坦的面，而且，該面的高度跨全體而大致相同，所以如圖4(a)及(b)所示，與對比例相比較，能夠使階差加工的加工寬度變小(參照圖9(d))。根據(jù)本實施方式，即使在具有布線層11的半導(dǎo)體晶片1，位于邊緣切除區(qū)域31和布線層厚暫減區(qū)域32處的布線層11變薄，但由于形成絕緣膜12以補足其厚度，所以能夠使除了邊緣切除區(qū)域31的外周部附近的一部分以外，位于邊緣切除區(qū)域31的一部分處的絕緣膜12的上表面12a和位于布線層厚暫減區(qū)域32及布線層一定區(qū)域33處的絕緣膜12的上表面12a或者布線層11的上表面11a，為連續(xù)的一個平坦的面，而且，該面的高度跨全體大致相同。因此，沒有在直接接合半導(dǎo)體晶片I時產(chǎn)生的非接合區(qū)域35，能夠使必要的階差加工區(qū)域34的寬度變小。其結(jié)果，可以減少階差加工有關(guān)的成本。再者，在本實施方式中，由于布線層厚暫減區(qū)域32也能夠作為半導(dǎo)體元件的形成區(qū)域來使用，所以可以增加作為制品的有効的半導(dǎo)體芯片的獲取數(shù)量。而且，在本實施方式中，接合的半導(dǎo)體晶片I不限于2片，也可以接合多個半導(dǎo)體晶片I。以前，在疊層多個半導(dǎo)體晶片I時，為了防止半導(dǎo)體晶片I的外周部處的斷裂，而越是在上疊層的半導(dǎo)體晶片1，越是有必要以更大的寬度來形成階差加工區(qū)域34，但在本實施方式中，沒有這樣的必要，因此，可以避免減少作為制品的有効的半導(dǎo)體芯片的獲取數(shù)量。并且，在本實施方式中，雖然將半導(dǎo)體晶片I接合于被接合晶片2，但接合了半導(dǎo)體晶片I的晶片不特別限定，也可以如圖8那樣，將使用本實施方式同樣加工的半導(dǎo)體晶片I彼此接合。 雖然說明了本發(fā)明的幾個實施方式，但這些實施方式，是作為例子而提示的，沒有限定發(fā)明范圍的意圖。那些新的實施方式，以其它各種方式被實施是可能的，在不脫離發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可以進行各種省略、置換、變更。這些實施方式及其變化，被包含在發(fā)明的范圍和要旨內(nèi)，而且包含在權(quán)利要求書的范圍所記載的發(fā)明及等同的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體晶片，具備半導(dǎo)體基板和形成在上述半導(dǎo)體基板上的布線層，其中， 上述半導(dǎo)體基板具備位于上述半導(dǎo)體基板的外周部、且未被上述布線層覆蓋的第I區(qū)域， 上述布線層具備上述布線層的上表面大致平坦的第2區(qū)域， 在上述第I區(qū)域形成了第I絕緣膜， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第I絕緣膜的上表面大致為同一面。
2.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第I絕緣膜的上表面的高度大致相同。
3.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I絕緣膜的上表面大致平坦。
4.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I區(qū)域還具備在上述第I區(qū)域的形成了上述第I絕緣膜的面上形成了階差的階差加工區(qū)域。
5.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述半導(dǎo)體基板具備凹槽，上述第I絕緣膜形成于比上述凹槽的前端還靠近上述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)。
6.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述布線層還具備位于上述第I區(qū)域和上述第2區(qū)域之間、且上述布線層的上表面的高度從上述第2區(qū)域向上述第I區(qū)域減小的第3區(qū)域， 在上述第3區(qū)域的上述布線層上形成了第2絕緣膜， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第3區(qū)域的上述第2絕緣膜的上表面大致為同一面。
7.如權(quán)利要求6所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第3區(qū)域的上述第2絕緣膜的上表面的高度大致相同。
8.如權(quán)利要求6所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第2絕緣膜的上表面大致平坦。
9.如權(quán)利要求6所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I區(qū)域還具備在上述第I區(qū)域的形成了上述第I絕緣膜的面上形成了階差的階差加工區(qū)域。
10.如權(quán)利要求I所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述半導(dǎo)體基板具備凹槽，上述第I絕緣膜的上表面大致平坦的區(qū)域形成于比上述凹槽的前端還靠近上述半導(dǎo)體基板的中心側(cè)。
11.一種半導(dǎo)體晶片，具備半導(dǎo)體基板和形成在上述半導(dǎo)體基板上的布線層， 上述半導(dǎo)體基板具備位于上述半導(dǎo)體基板的外周部、且未被上述布線層覆蓋的第I區(qū)域， 上述布線層具備上述布線層的上表面大致平坦的第2區(qū)域，以及位于上述第I區(qū)域和上述第2區(qū)域之間、且上述布線層的上表面的高度從上述第2區(qū)域向上述第I區(qū)域減小的第3區(qū)域，在上述第2區(qū)域和上述第3區(qū)域，形成第3絕緣膜， 上述第3絕緣膜的上表面大致平坦。
12.如權(quán)利要求11所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 在上述第I區(qū)域形成第I絕緣膜，上述第I絕緣膜的上表面和上述第3絕緣膜的上表面大致為同一面。
13.如權(quán)利要求12所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I絕緣膜的上表面和上述第3絕緣膜的上表面的高度大致相同 。
14.如權(quán)利要求12所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I絕緣膜的上表面大致平坦。
15.如權(quán)利要求12所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述第I區(qū)域還具備在上述第I區(qū)域的形成了上述第I絕緣膜的面上形成了階差的階差加工區(qū)域。
16.如權(quán)利要求12所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述半導(dǎo)體基板具備凹槽，上述第I絕緣膜形成于比上述凹槽的前端還靠近上述半導(dǎo)體基板的外周側(cè)。
17.如權(quán)利要求12所記載的半導(dǎo)體晶片，其中， 上述半導(dǎo)體基板具備凹槽，上述第I絕緣膜的上表面大致平坦的區(qū)域形成于比上述凹槽的前端還靠近上述半導(dǎo)體基板的中心側(cè)。
18.一種疊層構(gòu)造體，具備半導(dǎo)體晶片和被接合半導(dǎo)體晶片， 上述半導(dǎo)體晶片具備半導(dǎo)體基板和形成在上述半導(dǎo)體基板上的布線層， 上述半導(dǎo)體基板具備位于上述半導(dǎo)體基板的外周部、且未被上述布線層覆蓋的第I區(qū)域， 上述布線層具備上述布線層的上表面大致平坦的第2區(qū)域， 在上述第I區(qū)域形成了第I絕緣膜， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第I絕緣膜的上表面大致為同一面，上述被接合半導(dǎo)體晶片被接合于在上述半導(dǎo)體晶片中大致為同一面的上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第I絕緣膜的上表面。
19.如權(quán)利要求18所記載的疊層構(gòu)造體，其中， 上述布線層還具備位于上述第I區(qū)域和上述第2區(qū)域之間、且上述布線層的上表面的高度從上述第2區(qū)域向上述第I區(qū)域減小的第3區(qū)域， 在上述第3區(qū)域的上述布線層上形成了第2絕緣膜， 上述第2區(qū)域的上述布線層的上表面和上述第3區(qū)域的上述第2絕緣膜的上表面大致為同一面。
20.如權(quán)利要求18所記載的疊層構(gòu)造體，其中， 上述第I區(qū)域還具備在上述第I區(qū)域的形成了上述第I絕緣膜的面上形成了階差的階差加工區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明提供半導(dǎo)體晶片及具備該半導(dǎo)體晶片的疊層構(gòu)造體。根據(jù)一個實施方式，半導(dǎo)體晶片具備半導(dǎo)體基板和形成在半導(dǎo)體基板上的布線層。在該半導(dǎo)體晶片中，半導(dǎo)體基板具備位于半導(dǎo)體基板的外周部、且未被布線層覆蓋的第1區(qū)域，布線層具備布線層的上表面大致平坦的第2區(qū)域，在第1區(qū)域形成了第1絕緣膜，第2區(qū)域的布線層的上表面和第1絕緣膜的上表面大致為同一面。
文檔編號H01L29/06GK102969336SQ20121005541
公開日2013年3月13日 申請日期2012年3月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月31日
發(fā)明者遠藤光芳 申請人:株式會社東芝