專利名稱：發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的實施例涉及一種發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝。
背景技術(shù)：
一般而言，發(fā)光二極管(在下文中，稱為“LED”)為一種利用電子和空穴之間的復(fù)合(其為化合物半導(dǎo)體的特性之一)將電信號轉(zhuǎn)換成紅外光、可見光或其它形式的光以發(fā)送和接收信號的半導(dǎo)體器件。 一般而言，LED被用于家用電器、遠程控制器、電子公告牌、指示器、各種自動化器具、光學(xué)通信等。LED可被分類為紅外發(fā)光二極管(IRED)或可見發(fā)光二極管(VLED)。從LED發(fā)出的光的頻率(或波長)為半導(dǎo)體材料的帶隙的函數(shù)。如果使用具有窄帶隙的半導(dǎo)體材料，則生成具有低能量和長波長的光子。另一方面，如果使用具有寬帶隙的半導(dǎo)體材料，則生成具有短波長的光子。因此，基于待發(fā)出的光的種類來選擇器件的半導(dǎo)體材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供了具有提高的反射系數(shù)以及光提取效率的發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝。在一個實施例中，一種發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；隧道結(jié)層(tunneljunction layer),包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)(PNjunctioned);第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及第二電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極的一部分穿過所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。第二電極可包括第一接觸部，與所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的上表面以及所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的貫穿部分(through portion)歐姆接觸；以及第二接觸部，與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的一部分可位于所述第二接觸部與所述有源層之間。所述隧道結(jié)層可具有至少一個凹陷，所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層通過所述至少一個凹陷被暴露，并且所述第二電極可布置在所述至少一個凹陷的上表面和側(cè)表面上。
所述第二電極的一個部分可與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。所述第二電極的一個部分可與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層歐姆接觸。所述第二接觸部與所述第二電極可在垂直方向上交疊(overlap)。所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層可包括多個第一導(dǎo)電類型覆層，所述多個第一導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層可包括多個第二導(dǎo)電類型覆層，所述多個第二導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。所述有源層可發(fā)出具有250nm到340nm的波長的光。所述第一電極和所述第二電極可為包括Al、Al/Ti或Al合金的反射電極。在另一個實施例中，一種發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；隧道結(jié)層，包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化 物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)；第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；至少一個凹陷，形成在所述隧道結(jié)層中，并且通過所述至少一個凹陷暴露所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層；透光介電層，填充在所述至少一個凹陷中；以及第二電極，布置在所述透光介電層與所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上。所述透光介電層可與所述第二電極在垂直方向上交疊。所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層可包括多個第一導(dǎo)電類型覆層，所述多個第一導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層可包括多個第二導(dǎo)電類型覆層，所述多個第二導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。在又一個實施例中，一種發(fā)光器件封裝包括基臺；第一金屬層和第二金屬層，布置在所述基臺上；發(fā)光器件，布置在所述基臺上；第一緩沖單元，將所述發(fā)光器件與所述第一金屬層電互連；以及第二緩沖單元，將所述發(fā)光器件與所述第二金屬層電互連，其中所述發(fā)光器件為根據(jù)實施例的發(fā)光器件之一。


參見如下的附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的設(shè)置和實施例，附圖中類似的附圖標(biāo)記指代類似的元件，其中圖I為示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖2為示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖3為示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖4為示出根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖5為示出鋁、金以及銀基于光的波長的反射系數(shù)的視圖；圖6為示出根據(jù)第五實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖7為示出根據(jù)第六實施例的發(fā)光器件的剖視圖；圖8為示出根據(jù)一實施例的發(fā)光器件封裝的剖視圖；圖9為示出用于倒裝芯片的一般的深紫外(DUV)發(fā)光器件的視圖；圖IO為示出根據(jù)一實施例的照明設(shè)備的分解透視圖IlA為示出根據(jù)一實施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的視圖；以及圖IlB為示出圖IlA所示的顯示設(shè)備的光源的剖視圖。
具體實施例方式在下文中，將參見附圖描述實施例。將理解，當(dāng)元件被稱為位于另一元件“上”或“下”時，其可以直接位于該元件上/下，并且也可存在一個或多個插入元件。當(dāng)元件被稱為位于“上”或“下”時，可基于元件來包括“位于元件下”以及“位于元件上”。在附圖中，為了描述的方便和清楚起見，各個層的尺寸可被夸大、省略或示意性的示出。此外，各個元件的尺寸不表示其實際尺寸。此外，盡可能在全部附圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同或類似的部件。在下文中，將參見附圖描述根據(jù)實施例的發(fā)光器件、發(fā)光器件封裝、照明設(shè)備以及顯示設(shè)備。圖I為示出根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件100的剖視圖。參見圖1，發(fā)光器件100包括襯底(substrate) 110、緩沖層112、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115、有源層120、隧道結(jié)層 125、第一導(dǎo)電類型第一電極152以及第一導(dǎo)電類型第二電極154。襯底110可為透光襯底。例如，襯底110可擇自包括藍寶石襯底(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、Si、GaP、InP、Ga2O3以及GaAs的群組?？稍谝r底110的上表面處形成不規(guī)則圖案。緩沖層112布置在襯底110與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115之間。緩沖層112可減輕由于襯底110與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115之間的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的差所引起的應(yīng)力。由于通過緩沖層112減輕了應(yīng)力，從而防止在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115、布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115上的有源層120、以及隧道結(jié)層125中生成由于應(yīng)力所引起的裂縫。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115布置在緩沖層112與有源層120之間。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115可為氮化物半導(dǎo)體層。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115可為具有分子式InxAlyGa1^yN(O彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)且摻雜有η型摻雜物(例如Si、Ge或Sn)的半導(dǎo)體層。例如，第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115可擇自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN以及InN，并且可摻雜有η型摻雜物(例如Si、Ge或Sn)。有源層120布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115上。有源層120可由III-V族元素化合物半導(dǎo)體材料形成。有源層120可被配置為具有擇自量子線結(jié)構(gòu)、量子點結(jié)構(gòu)、單量子阱(SQW)結(jié)構(gòu)以及多量子阱(MQW)結(jié)構(gòu)的至少之一。如果有源層120被配置為具有量子阱結(jié)構(gòu)，則有源層120可包括具有分子式InxAlyGa1IyN (O ^ x ^ I, O ^ y ^ I, O ^ x+y彡I)的講層以及具有分子式InaAlbGa1^bN(O彡a彡1，O彡b彡1，O彡a+b彡I)的阻擋層。阱層的能帶隙可低于阻擋層的能帶隙。圖I所示的有源層120可發(fā)出具有25011111到34011111波長的光，即深紫外(DUV)光。隧道結(jié)層125包括第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可以以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可具有分子式InxAlyGanyN(O彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)并摻雜有第二導(dǎo)電類型摻雜物(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。
例如，第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可擇自InAlGaN、GaN、AlGaN、InGaN, AlN以及InN，并可摻雜有P型摻雜物(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可包括單層或多層。例如，第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可包括多個第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136。第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136可具有不同濃度和/或成分的第二導(dǎo)電類型摻雜物。例如，距離有源層120更遠的第二導(dǎo)電類型覆層可具有更高濃度的第二導(dǎo)電類型慘雜物。例如，第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可包括p-AlGaN層132、p-GaN層134以及p+GaN層136。此處，p+可比P具有更高的摻雜物濃度。第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可具有分子式InxAlyGa^N (O≤x≤I，O≤y ≤I，O ^ x+y ^ I)并摻雜有第一導(dǎo)電類型摻雜物。例如，第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可摻雜有η型摻雜物(例如Si、Ge或Sn)作為第一導(dǎo)電類型摻雜物。第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可包括單層或多層。例如，第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可包括多個第一導(dǎo)電類型覆層142和144。第一導(dǎo)電類型覆層142和144可具有不同濃度和/或成分的第一導(dǎo)電類型摻雜物。例如，距離有源層120較近的第一導(dǎo)電類型覆層可具有較高的摻雜物濃度。例如，第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可包括n+GaN層142和η-GaN層144。此處，η+可比η具有更高的摻雜物濃度。第一導(dǎo)電類型第一電極152可布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115上。例如，隧道結(jié)層125、有源層120以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115可被蝕刻以暴露部分的第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115。第一導(dǎo)電類型第一電極152可布置在第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115的暴露部分上。第一導(dǎo)電類型第二電極154可布置在隧道結(jié)層125上。第一導(dǎo)電類型第一電極152可與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115歐姆接觸。第一導(dǎo)電類型第二電極154可與隧道結(jié)層125的第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140歐姆接觸。第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154可為由能夠與η型氮化物半導(dǎo)體層具有歐姆接觸的反射材料所形成的反射電極。第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154可與η型氮化物半導(dǎo)體層歐姆接觸，并且可與P型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。例如，第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154可由A1、A1/Ti或Al合金(例如Ti/Al合金)形成。由于可在相同工藝中使用相同材料形成第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154，從而可降低用于形成電極的沉積工藝的數(shù)目。如果反向偏置通過第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154被施加到隧道結(jié)層125，則第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130的價帶中的電子隧穿(tunnel)到第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140。結(jié)果是，在第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130中生成空穴，并且空穴通過反向偏置被注入到有源層120中。有源層120可以將從第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130注入的空穴與從第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140注入的電子復(fù)合，以生成光。圖9為示出一般的水平DUV發(fā)光器件I的視圖。參見圖9，發(fā)光器件I包括襯底10、緩沖層15、η型半導(dǎo)體(例如η-GaN)層20、有源層30、p型半導(dǎo)體(例如ρ-GaN)層40和50、第一電極62以及第二電極64。在水平DUV發(fā)光器件I中，P型半導(dǎo)體層40和50與第二電極64歐姆接觸。第二電極64 (其用作反射層)由Ni/Au或Ag形成。然而，p-GaN相對于具有360nm或更低的波長的光表現(xiàn)出高吸收率，并且銀(Ag)或金(Au)相對于具有360nm或更低的波長的光表現(xiàn)出低反射系數(shù)。圖5為示出鋁(Al)、金(Au)以及銀(Ag)基于光的波長的反射系數(shù)的視圖。參見圖5，Au相對于具有360nm或更低波長的光表現(xiàn)出40%或更低的反射系數(shù)，并且Ag相對于具有360nm或更低波長的光表現(xiàn)出30%或更低的反射系數(shù)。另一方面，Al相對于具有360nm或更低波長的光表現(xiàn)出90%或更高的反射系數(shù)。鋁(Al)容易與第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體(例如，η-GaN)層歐姆接觸，但是不容易與第二導(dǎo)電類型半導(dǎo)體(例如，P-GaN)層歐姆接觸。
實施例使用相對于DUV光表現(xiàn)出高反射系數(shù)的鋁(Al)或鋁合金作為構(gòu)成電極152和154的材料。實施例包括具有隧道結(jié)層125的結(jié)構(gòu)，以容易地實現(xiàn)電極152和154的歐姆接觸。因此，在實施例中，能夠提高反射系數(shù)和光提取效率。圖2為示出根據(jù)第二實施例的發(fā)光器件200的剖視圖。由相同的附圖標(biāo)記表示第二實施例與圖I所示的第一實施例的部件相同的部件，并且將不對其給出重復(fù)描述。參見圖2，發(fā)光器件200包括襯底110、緩沖層112、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115、有源層120、隧道結(jié)層125、第一導(dǎo)電類型第一電極152以及第一導(dǎo)電類型第二電極210。隧道結(jié)層125包括第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140可以以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)。第一導(dǎo)電類型第二電極210可布置在第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140上。第一導(dǎo)電類型第二電極210的一部分可通過第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130肖特基接觸。第一導(dǎo)電類型第二電極210可包括第一接觸部201和位于第一接觸部201下方的第二接觸部203。第一接觸部201可為這樣一個部分，其與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140的上表面和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140的貫穿部分(through portion)歐姆接觸。第二接觸部203可為這樣一個部分，其穿過第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130肖特基接觸。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130的一部分位于第二接觸部203與有源層120之間。第二接觸部203和有源層120彼此間隔開，從而使得第二接觸部203和有源層120彼此不接觸。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130可包括位于第二接觸部203與有源層120之間的至少一個第二導(dǎo)電類型覆層(例如132)。隧道結(jié)層125可具有至少一個凹陷220，通過該凹陷220暴露出第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130。例如，隧道結(jié)層125可暴露第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136中的至少一個。第一導(dǎo)電類型第二電極210的一部分布置在凹陷220中，從而使得第一導(dǎo)電類型第二電極210可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140通過凹陷220暴露的部分歐姆接觸，并且可與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130通過凹陷220暴露的部分肖特基接觸。電流不會流到第一導(dǎo)電類型第二電極210與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130之間的肖特基接觸界面212。因此，肖特基接觸界面212可用作電流阻擋層以防止電流聚集。在第二實施例中，電流聚集被肖特基接觸界面212所抑制，從而提高了發(fā)光器件200的發(fā)光效率。圖3為示出根據(jù)第三實施例的發(fā)光器件300的剖視圖。由相同的附圖標(biāo)記表示第三實施例與圖I所示的第一實施例的部件相同的部件，并且將不對其給出重復(fù)描述。參見圖3，發(fā)光器件300包括襯底110、緩沖層112、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115、有源層120、隧道結(jié)層125、第一導(dǎo)電類型第一電極152以及第一導(dǎo)電類型第二電極315。隧道結(jié)層125可具有至少一個凹陷302，通過該凹陷302暴露出第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130。例如，可通過凹陷302暴露第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136中的至少一個。 第一導(dǎo)電類型第二電極315布置在凹陷302的側(cè)表面和下表面上，并且布置在第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140上。第一導(dǎo)電類型第二電極315可與導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130的暴露部分肖特基接觸。第一導(dǎo)電類型第二電極315可包括第一接觸部311和第二接觸部312。第一接觸部311可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140的上表面和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140通過凹陷302暴露的部分歐姆接觸。第二接觸部312可與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130通過凹陷302暴露的部分肖特基接觸。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130的一部分位于第二接觸部312與有源層120之間。第二接觸部312和有源層120彼此間隔開，從而第二接觸部312和有源層120彼此不接觸。例如，第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136中的至少一個可位于第二接觸部312與有源層120之間。電流不會順利地流到第一導(dǎo)電類型第二電極315與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130之間的肖特基接觸界面212。因此，肖特基接觸界面212可用作電流阻擋層以防止電流聚集。因此，在第三實施例中，電流聚集被肖特基接觸界面212所抑制，從而提高了發(fā)光器件300的發(fā)光效率。此外，在第二和第三實施例中，具有凹陷220和302的隧道結(jié)層125的厚度比其它部分的厚度薄。因此，光吸收率低，并且第一導(dǎo)電類型第二電極210和315的反射系數(shù)提高，從而提聞了光提取效率。因此，在第二和第三實施例中，發(fā)光效率和反射系數(shù)相比于第一實施例有所提高。圖4為示出根據(jù)第四實施例的發(fā)光器件400的剖視圖。由相同的附圖標(biāo)記表示第四實施例與圖I所示的第一實施例的部件相同的部件，并且將不對其給出重復(fù)描述。參見圖4，發(fā)光器件400包括襯底110、緩沖層112、第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115、有源層120、隧道結(jié)層125、介電層410、第一導(dǎo)電類型第一電極152以及第一導(dǎo)電類型第二電極 420。隧道結(jié)層125可具有至少一個凹陷401。通過凹陷401可暴露出第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130。例如，可通過凹陷401暴露第二導(dǎo)電類型覆層132、134以及136中的至少一個。
至少一個第二導(dǎo)電類型覆層(例如132)可位于凹陷401的下表面與有源層120之間?？商娲兀谝粚?dǎo)電類型覆層142和144及第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130中的至少一個可位于凹陷401的下表面與有源層120之間。凹陷401填充有介電層410。介電層410可為透光絕緣材料，包括擇自Si02、SiNx、TiO2, Ta2O3> SiON以及SiCN中的至少一種。第一導(dǎo)電類型第二電極420布置在隧道結(jié)層125和介電層410上。例如,第一導(dǎo)電類型第二電極420可布置在第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140和介電層410上。第一導(dǎo)電類型第二電極420的至少一個部分可在垂直方向上與介電層410交疊。垂直方向可為從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115到隧道結(jié)層125的方向。第一導(dǎo)電類型第二電極420可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140具有歐姆接觸。電流不會流經(jīng)第一導(dǎo)電類型第二電極420下方的介電層410。因此，介電層410可用作電流阻擋層以防止電流聚集。因此，在第四實施例中，電流聚集被介電層410所抑制，從而提高了發(fā)光器件400的發(fā)光效率。 圖6為示出根據(jù)第五實施例的發(fā)光器件500-1的剖視圖。參見圖6，發(fā)光器件500-1包括第二電極層310、保護層320、發(fā)光結(jié)構(gòu)340、鈍化層350以及第一電極360。第二電極層310可支撐發(fā)光結(jié)構(gòu)340并且可將第一電源(例如負(fù)電源)供應(yīng)到發(fā)光結(jié)構(gòu)340。第二電極層310可包括支撐層301和反射層305。支撐層301可為包括擇自銅(Cu)、鎢(W)以及鑰(Mo)的至少之一的金屬層。可替代地，支撐層301可包括擇自Si、Ge、GaAs、ZnO以及SiC的至少之一。反射層305可布置在支撐層301與發(fā)光結(jié)構(gòu)340之間。反射層305可由包括擇自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au以及Hf的至少之一的金屬或金屬合金形成。接合層(未示出)布置在支撐層301與反射層305之間。接合層可用于防止金屬離子從支撐層301擴散，并用于接合支撐層301與反射層305。例如，接合層可包括擇自Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag 以及 Ta 的至少之一。保護層320布置在第二電極層310的邊緣上。例如，保護層320可布置在支撐層301的邊緣上。可替代地，保護層320可布置在反射層305的邊緣上。保護層320在用于單元芯片分割的發(fā)光結(jié)構(gòu)340的隔離蝕刻期間，防止發(fā)光結(jié)構(gòu)340和第二電極層310在其間的界面處彼此分離，從而防止發(fā)光器件500-1的可靠性變差。保護層 320 可由電絕緣材料(electrically dielectric material)形成,例如 ZnO、Si02、Si3N4、Ti0x(x 為正實數(shù))或 A1203。發(fā)光結(jié)構(gòu)340布置在第二電極層310上。在用于單元芯片分割的發(fā)光結(jié)構(gòu)340的隔離蝕刻期間，發(fā)光結(jié)構(gòu)340的側(cè)表面可以是傾斜的。發(fā)光結(jié)構(gòu)340包括隧道結(jié)層330、有源層344以及第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層346。隧道結(jié)層330包括第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334。第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)。此處，第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332可與圖I所示的第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層140相同，并且第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可與圖I所示的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層130相同。因此，盡管圖6中并未示出，然而第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332可包括多個第一導(dǎo)電類型覆層，例如n+GaN層與η-GaN層。此外，第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可包括多個第二導(dǎo)電類型覆層，例如ρ-AlGaN層、p_GaN層以及p+GaN層。第二電極層310可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332歐姆接觸。例如，反射層305可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332歐姆接觸。第二電極層310的一部分可穿過第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334肖特基接觸。例如，反射層305的一部分可穿過第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334肖特基接觸。第二電極層310可包括第一接觸部362與第二接觸部364。例如，反射層305可包括第一接觸部362與第二接觸部364。
第一接觸部362可為這樣一個部分，其與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332的一個表面和第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332的貫穿部分歐姆接觸。第二接觸部364可為這樣一個部分，其穿過第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334肖特基接觸。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可位于第二接觸部364與有源層344之間。第二接觸部364和有源層344彼此不接觸。即，至少一個第二導(dǎo)電類型覆層可位于第二接觸部364與有源層344之間。第二接觸部364可在垂直方向上與第一電極360交疊。垂直方向可為從第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層346到隧道結(jié)層330的方向。電流不會流到第二電極層310與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334之間的肖特基接觸界面。因此，第二接觸部364可用作電流阻擋層以防止電流聚集。在第五實施例中，電流聚集被第二接觸部364所抑制，從而提高了發(fā)光器件500-1的發(fā)光效率。鈍化層350裹覆(wrap)發(fā)光結(jié)構(gòu)340的側(cè)邊，以對發(fā)光結(jié)構(gòu)340進行電防護。鈍化層350可接觸保護層320。鈍化層350可由透光介電材料形成，例如Si02、SiOx, SiOxNy>Si3N4 或 A1203。有源層344和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層346可與圖I中所示的有源層和第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層相同。第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層346的表面可具有粗糙部370以提高光提取效率。圖7為示出根據(jù)第六實施例的發(fā)光器件500-2的剖視圖。由相同的附圖標(biāo)記表示第六實施例與圖6所示的第五實施例的部件相同的部件，并且將不對其給出重復(fù)描述。參見圖7，發(fā)光器件500-2包括第二電極層310-1、保護層320、介電層430、發(fā)光結(jié)構(gòu)340、鈍化層350以及第一電極360。第二電極層310-1包括支撐層301和反射層305_1。支撐層301可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332歐姆接觸。例如，反射層305-1可與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層332歐姆接觸。隧道結(jié)層330可具有至少一個凹陷405。第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可通過凹陷405被暴露?？商娲?至少一個第一導(dǎo)電類型覆層可通過凹陷405被暴露。至少一個第二導(dǎo)電類型覆層可位于凹陷405與有源層344之間?？商娲?，至少一個第一導(dǎo)電類型覆層和第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334可位于凹陷405與有源層344之間。
凹陷405填充有介電層430。介電層430可包括擇自Si02、SiNx、Ti02、Ta203、Si0N以及SiCN中的至少一種。介電層430的至少一個部分可在垂直方向上與第一電極360交疊。介電層430位于第二電極層310-1與第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層334之間。電流不流經(jīng)介電層430。因此，介電層430可用作電流阻擋層以防止電流聚集。因此，在第六實施例中，電流聚集被介電層430所抑制，從而提高了發(fā)光器件500-2的發(fā)光效率。圖8為示出根據(jù)一實施例的發(fā)光器件封裝600的剖視圖。由相同的附圖標(biāo)記表示本實施例與圖I所示的第一實施例的部件相同的部件，并且將不對其給出重復(fù)描述。參見圖8,發(fā)光器件封裝600包括基臺(submount) 610、發(fā)光器件501、第一金屬層222、第二金屬層224、第一緩沖單元(bump unit) 230以及第二緩沖單元240。設(shè)置基臺610以在其上安裝發(fā)光器件501。可使用封裝體或印刷電路板來實現(xiàn)基 臺610。可以以發(fā)光器件501能夠倒裝芯片接合至基臺610的各種形式來配置該基臺610。發(fā)光器件501安裝在基臺610上。發(fā)光器件501可經(jīng)由第一緩沖單元230和第二緩沖單元240電連接到基臺610。圖8所不的發(fā)光器件501可為根據(jù)第一實施例的發(fā)光器件。然而,發(fā)光器件501不限于此。發(fā)光器件501可為根據(jù)第二到第四實施例的發(fā)光器件之一。在圖8中，圖I所示的發(fā)光器件以翻轉(zhuǎn)狀態(tài)示出。基臺610布置在第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154下方。即，第一導(dǎo)電類型第一電極152和第一導(dǎo)電類型第二電極154可被布置為面對基臺610?；_610可包括樹脂，例如聚鄰苯二甲酰胺(PPA)、液晶聚合物(LCP)、聚酰胺9T(PA9T)、金屬、感光玻璃、藍寶石、陶瓷或印刷電路板。然而，根據(jù)本實施例的基臺610不限于此。第一金屬層222和第二金屬層224布置在基臺610的上表面處,使得第一金屬層222和第二金屬層224可彼此電氣分離。此處,基臺610的上表面可為與發(fā)光器件501相對的表面。第一金屬層222和第一導(dǎo)電類型第一電極152可沿垂直方向排列(align),并且第二金屬層224和第一導(dǎo)電類型第二電極154可沿垂直方向排列。此處,垂直方向可為從基臺610到發(fā)光器件501的方向。第一緩沖單元230和第二緩沖單元240可布置在基臺610上，從而使得第一緩沖單元230和第二緩沖單元240可彼此電氣分離。第一緩沖單元230可布置在第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一金屬層222之間，以使第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一金屬層222電互連。第二緩沖單元240可布置在第一導(dǎo)電類型第二電極154、210、310或420與第二金屬層224之間，以使第一導(dǎo)電類型第二電極154、210、310或420與第二金屬層224電互連。第一緩沖單元230可包括第一防擴散接合層232、第一緩沖器236以及第二防擴散接合層234。第一緩沖器236可布置在第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一金屬層222之間，以使第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一金屬層222電互連。第一防擴散接合層232可布置在第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一緩沖器236之間，以接合第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一緩沖器236。第一防擴散接合層232可提高第一緩沖器236與第一導(dǎo)電類型第一電極152之間的接合力，并防止在第一緩沖器236中包含的離子經(jīng)過第一導(dǎo)電類型第一電極152滲透或擴散到第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層115中。第二防擴散接合層234可布置在第一緩沖器236與第一金屬層222之間，以接合第一緩沖器236與第一金屬層222。第二防擴散接合層234可提高第一緩沖器236與第一金屬層222之間的接合力，并防止在第一緩沖器236中包含的離子經(jīng)過第一金屬層222滲透或擴散到基臺610中。第二緩沖單元240可包括第三防擴散接合層242、第二緩沖器246以及第四防擴散接合層244。第二緩沖器246可布置在第一導(dǎo)電類型第二電極154與第二金屬層224之間，以使第一導(dǎo)電類型第二電極154與第二金屬層224電互連。第三防擴散接合層242可布置在第一導(dǎo)電類型第二電極154與第二緩沖器246之間，以接合第一導(dǎo)電類型第二電極154與第二緩沖器246。第三防擴散接合層242可提高第 二緩沖器246與第一導(dǎo)電類型第二電極154之間的接合力，并防止在第二緩沖器246中包含的離子經(jīng)過第一導(dǎo)電類型第二電極154滲透或擴散到隧道結(jié)層125中。第四防擴散接合層244可布置在第二緩沖器246與第二金屬層224之間，以接合第二緩沖器246與第二金屬層224。第四防擴散接合層244可提高第二緩沖器246與第二金屬層224之間的接合力，并防止在第二緩沖器246中包含的離子經(jīng)過第二金屬層224滲透或擴散到基臺610中。第一到第四防擴散接合層232、234、242以及244可由擇自Pt、Ti、W/Ti以及Au或它們的合金中的至少之一所形成。第一緩沖器236和第二緩沖器246可包括擇自鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、金(Au)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、鉬(Pt)以及錫(Sn)的至少之一。發(fā)光器件封裝600包括發(fā)光器件501,該發(fā)光器件501包含有第一導(dǎo)電類型第一電極152以及第一導(dǎo)電類型第二電極154，其由相對于DUV光表現(xiàn)出高反射系數(shù)的鋁或鋁合金形成。發(fā)光器件501包括具有PN結(jié)的隧道結(jié)層125，以在第一導(dǎo)電類型第一電極152與第一導(dǎo)電類型第二電極154之間容易地實現(xiàn)歐姆接觸。因此，在發(fā)光器件封裝600中，提高了對于具有250nm到340nm的波長的光的反射系數(shù)，并且提高了光提取效率?？稍诎迳喜贾枚鄠€發(fā)光器件封裝600 (圖8不出了其中一個發(fā)光器件封裝600)。光學(xué)組件(如導(dǎo)光板、棱鏡片或漫射片(diffusion sheet))可布置在發(fā)光器件封裝600的光學(xué)路徑上。發(fā)光器件封裝、襯底以及光學(xué)組件可用作背光單元。在其它實施例中，可實現(xiàn)包括根據(jù)前述實施例之一的發(fā)光器件或發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備、指示設(shè)備以及照明系統(tǒng)。例如，照明系統(tǒng)可包括燈和街燈。圖10為示出根據(jù)一實施例的照明設(shè)備的分解透視圖。參見圖10，照明設(shè)備包括光源750、其中安裝有光源750的殼體700、用于從光源750散熱的吸熱件(heat sink) 740、以及將光源750和吸熱件740耦接到殼體700的支撐件(holder)760。殼體700包括耦接到電插座(未示出)的插座耦接部710、以及連接到插座耦接部710的主體部730 (其中安裝有光源750)。主體部730可具有氣流孔720。可替代地，多個氣流孔720可形成在殼體700的主體部730中。即，可設(shè)置一個或多個氣流孔720。多個氣流孔720可以以放射狀的方式或以各種其它方式布置在主體部730處。光源750包括設(shè)置在板754上的多個發(fā)光器件封裝752。板754可以形成為能夠插入到殼體700的開口內(nèi)的形狀。如下文所述，板754可由表現(xiàn)出高導(dǎo)熱性以將熱傳送到吸熱件740的材料形成。每個發(fā)光器件封裝可為前述實施例之一。支撐件760設(shè)置在光源750下方。支撐件760可具有框架和另一氣流孔。此外，盡管未示出，然而光學(xué)組件可被設(shè)置在光源750下方，以漫射、散射或會聚從光源750的發(fā)光器件封裝752發(fā)出的光。圖IlA為示出根據(jù)一實施例的包括發(fā)光器件封裝的顯示設(shè)備的視圖；以及圖IlB為示出圖IlA所示的顯示設(shè)備的光源的剖視圖。參見圖IlA和圖11B,顯示設(shè)備包括背光單元、液晶顯示面板860、頂蓋870以及固定組件850。背光單兀包括底蓋810、設(shè)置在底蓋810中并處于底蓋810 —側(cè)的發(fā)光模塊880、布置在底蓋810前方的反射板820、布置在反射板820前方以將從發(fā)光模塊880發(fā)出的光導(dǎo)向顯示設(shè)備前部的導(dǎo)光板830、以及布置在導(dǎo)光板830前方的光學(xué)組件840。液晶顯示面 板860布置在光學(xué)組件840的前方。頂蓋870設(shè)置在液晶顯示面板860的前方。固定組件850布置在底蓋810與頂蓋870之間以固定底蓋810和頂蓋870。導(dǎo)光板830用于導(dǎo)引從發(fā)光模塊880發(fā)出的光,從而使光能夠以表面發(fā)射方式被發(fā)射。布置在導(dǎo)光板830后方的反射板820用于將從發(fā)光模塊880發(fā)出的光向?qū)Ч獍?30反射，從而提高光效。盡管在附圖中顯示反射板820被設(shè)置為分離部件，然而導(dǎo)光板830的后部或底蓋810的前部可涂覆有表現(xiàn)出高反射系數(shù)的材料以形成反射板820。反射板820可由表現(xiàn)出高反射系數(shù)的材料形成，并且可以形成為非常薄的形狀。例如，反射板820可由聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)形成。導(dǎo)光板830對從發(fā)光模塊880發(fā)出的光進行散射,從而使光可被均勻地分布在液晶顯示面板上。為此目的，導(dǎo)光板830由表現(xiàn)出高的折射率及透射率的材料形成。例如，導(dǎo)光板830可由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)形成。光學(xué)組件840設(shè)置在導(dǎo)光板830上從而以預(yù)定角度漫射從導(dǎo)光板830發(fā)出的光。由導(dǎo)光板830引導(dǎo)的光通過光學(xué)組件840被均勻地照射到液晶顯示面板860。光學(xué)片(例如漫射片、棱鏡片或保護片)可被選擇性地堆疊以構(gòu)成光學(xué)組件840。可替代地，可使用微透鏡陣列?？墒褂枚鄠€光學(xué)片。光學(xué)片可由透明樹脂(例如丙烯酸樹脂、聚亞安酯樹脂或娃樹脂)形成。在棱鏡片中可包含滅光片。液晶顯示面板860可設(shè)置在光學(xué)組件840的前方。除了液晶顯示面板860之外，也可設(shè)置需要光源的其它種類的顯示設(shè)備。反射板820布置在底蓋810上，導(dǎo)光板830布置在反射板820上。結(jié)果是，反射板820可與吸熱件(未示出)直接接觸。發(fā)光模塊880包括發(fā)光器件封裝881與印刷電路板882。發(fā)光器件封裝881安裝在印刷電路板882上。圖8所示的發(fā)光器件封裝可被用作發(fā)光器件封裝881。印刷電路板882可接合到支架812。支架812固定發(fā)光器件封裝881。支架812可由表現(xiàn)出高導(dǎo)熱性的材料形成以散發(fā)熱量。盡管未示出，然而可在支架812與發(fā)光器件封裝881之間設(shè)置熱墊(heat pad)以容易地實現(xiàn)熱傳遞。如附圖所示，支架812形成為L形，從而使得水平部分812a可被底蓋810支撐，并且垂直部分812b可固定印刷電路板882。如同在上述描述中顯而易見的，實施例提供了具有提高的反射系數(shù)以及光提取效率的一種發(fā)光器件以及一種發(fā)光器件封裝。
雖然以上參考本發(fā)明的多個示例性實施例而對實施例進行了描述，但應(yīng)理解的是，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以設(shè)計出落在此公開原理的精神和范圍內(nèi)的大量的其它變化和實施例。更具體地，可以在此公開、附圖以及所附權(quán)利要求書的范圍內(nèi)對組件和/或主要組合排列中的設(shè)置進行各種改變 與變化。除了組件和/或設(shè)置的改變與變化之外，替代性的應(yīng)用對本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言也是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括 第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層； 有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上； 隧道結(jié)層，包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)； 第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及 第二電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極的一部分穿過所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極包括 第一接觸部，與所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的上表面以及所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的貫穿部分歐姆接觸；以及 第二接觸部，與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層的一部分位于所述第二接觸部與所述有源層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中 所述隧道結(jié)層具有至少一個凹陷，所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層通過所述至少一個凹陷被暴露；以及 所述第二電極布置在所述至少一個凹陷的上表面和側(cè)表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極的一個部分與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極的一個部分與通過所述至少一個凹陷被暴露的所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層歐姆接觸。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其中所述第二接觸部與所述第二電極在垂直方向上交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層包括多個第一導(dǎo)電類型覆層，所述多個第一導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層包括多個第二導(dǎo)電類型覆層，所述多個第二導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中所述有源層發(fā)出具有250nm到340nm的波長的光。
11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極和所述第二電極為包括A1、A1/Ti或Al合金的反射電極。
12.一種發(fā)光器件，包括 第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層； 有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上； 隧道結(jié)層，包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)； 第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上； 至少一個凹陷，形成在所述隧道結(jié)層中，并且通過所述至少一個凹陷暴露所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層； 透光介電層，填充在所述至少一個凹陷中；以及 第二電極，布置在所述透光介電層與所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的發(fā)光器件，其中所述透光介電層與所述第二電極在垂直方向上交疊。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的發(fā)光器件，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層包括多個第一導(dǎo)電類型覆層，所述多個第一導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第一摻雜物。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光器件，其中所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層包括多個第二導(dǎo)電類型覆層，所述多個第二導(dǎo)電類型覆層具有不同濃度和/或成分的第二摻雜物。
16.根據(jù)權(quán)利要求12到15中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中所述有源層發(fā)出具有250nm到340nm的波長的光。
17.根據(jù)權(quán)利要求12到16中任一權(quán)利要求所述的發(fā)光器件，其中所述第一電極和所述第二電極為包括A1、A1/Ti或Al合金的反射電極。
18.一種發(fā)光器件封裝，包括 基臺; 第一金屬層和第二金屬層，布置在所述基臺上； 發(fā)光器件，布置在所述基臺上； 第一緩沖單元，將所述發(fā)光器件與所述第一金屬層電互連；以及 第二緩沖單元，將所述發(fā)光器件與所述第二金屬層電互連，其中所述發(fā)光器件包括 透光襯底； 第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層，布置在所述透光襯底上； 有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上； 隧道結(jié)層，包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)； 第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及 第二電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極的一部分穿過所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光器件封裝，其中所述發(fā)光器件的有源層發(fā)出具有250nm到340nm的波長的光。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的發(fā)光器件封裝，其中所述第一電極和所述第二電極為包括A1、A1/Ti或Al合金的反射電極。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光器件以及發(fā)光器件封裝。該發(fā)光器件包括第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層；有源層，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；隧道結(jié)層，包括布置在所述有源層上的第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層，其中所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層以PN結(jié)的方式聯(lián)結(jié)；第一電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型半導(dǎo)體層上；以及第二電極，布置在所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層上，其中所述第二電極的一部分穿過所述第一導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層與所述第二導(dǎo)電類型氮化物半導(dǎo)體層肖特基接觸。利用本發(fā)明的發(fā)光器件及發(fā)光器件封裝，能夠提高反射系數(shù)以及光提取效率。
文檔編號H01L33/38GK102810615SQ20121006865
公開日2012年12月5日 申請日期2012年3月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月2日
發(fā)明者金載焄 申請人:Lg伊諾特有限公司