專利名稱：半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片、其制造方法及其質(zhì)量控制方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及ー種半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，更具體地，涉及ー種允許跟蹤并控制基于晶片的エ藝記錄的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片、其制造方法以及用該半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片進(jìn)行質(zhì)量控制的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體發(fā)光二極管(下文稱其為‘LED’)是ー種將電能轉(zhuǎn)換成光能的半導(dǎo)體器件，并且可由根據(jù)能帶隙發(fā)出具體特定波長(zhǎng)的光的化合物半導(dǎo)體形成，而且其應(yīng)用已從諸如移動(dòng)光通信顯示器、計(jì)算機(jī)監(jiān)視器等的顯示器以及用于LCD的背光単元(BLU)擴(kuò)展至照明設(shè)備的各種領(lǐng)域。通常，在基于晶片的エ藝中已采用外延生長(zhǎng)エ藝和電極形成エ藝。然后，在將晶片切成各個(gè)芯片之后，可對(duì)芯片進(jìn)行處理以使其具有封裝結(jié)構(gòu)，以在應(yīng)用于上述應(yīng)用領(lǐng)域時(shí)確保散熱以及便干與外部電路連接。在制造過程中，由于芯片自身缺陷以及封裝級(jí)エ藝中在LED封裝件中出現(xiàn)的電性或外部缺陷，使得最終LED產(chǎn)品的缺點(diǎn)可能會(huì)表現(xiàn)出趨向復(fù)雜性。具體地，由于LED產(chǎn)品可能要經(jīng)過諸如基于晶片的エ藝、封裝級(jí)エ藝、剪切(trimming)和分類エ藝、模塊組裝制造エ藝等的各種エ藝，所以分析造成最終產(chǎn)品中具有缺陷的原因可能很困難。因此，對(duì)與從基于晶片的エ藝和芯片制造エ藝級(jí)到封裝和模塊組裝級(jí)的制造エ藝有關(guān)的記錄進(jìn)行精確的控制，可以允許對(duì)芯片特性與封裝件特性間的相關(guān)性進(jìn)行推斷，以及對(duì)缺陷原因的精確分析，從而基于該推斷可極大地提高期望產(chǎn)品的產(chǎn)率。具體地，在LED產(chǎn)品的情況下，在用于制造封裝件的基于引線框架的エ藝過程中或在完成封裝之后，可通過使用激光標(biāo)記在封裝件外部或引線框架上記錄產(chǎn)品信息以讀取該信息，來跟蹤并控制制造記錄。然而，由于諸如極小型的芯片、亮度效果等的限制，使得無法關(guān)于基于晶片的エ藝記錄來控制各個(gè)產(chǎn)品記錄信息。因此，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，在將晶片分割成各個(gè)芯片之后，各個(gè)芯片經(jīng)過探測(cè)處理，并基于諸如發(fā)光波長(zhǎng)等的發(fā)光特性而被歸類為多個(gè)等級(jí)，使得在出現(xiàn)LED次品吋，影響芯片或后續(xù)エ藝中的封裝件和模塊產(chǎn)品的質(zhì)量的基于晶片的エ藝記錄所產(chǎn)生的影響無法被驗(yàn)證。因此，存在對(duì)LED缺陷的原因進(jìn)行精確分析的限制。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的ー個(gè)方面提供了ー種具有可識(shí)別信息以允許跟蹤并控制基于晶片的エ藝記錄信息的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片。
本發(fā)明的ー個(gè)方面還提供了一種制造具有不同可識(shí)別信息的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的方法。本發(fā)明的ー個(gè)方面還提供了 ー種用于對(duì)半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片進(jìn)行質(zhì)量控制的方法，該方法通過跟蹤并控制缺陷的原因能夠診斷基于晶片的エ藝中的缺陷。根據(jù)本發(fā)明的ー個(gè)方面，提供了ー種半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，包括基板；發(fā)光二極管，其包括形成在基板的ー個(gè)區(qū)域中并包括第一化合物半導(dǎo)體層和第二化合物半導(dǎo)體層以及形成在第一化合物半導(dǎo)體層與第二化合物半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光層壓體、以及分別電連接至第一化合物半導(dǎo)體層和第二化合物半導(dǎo)體層的第一電極和第二電極；以及至少ー個(gè)熔絲簽名電路(fuse signature circuit)，該至少ー個(gè)熔絲簽名電路在基板的其它區(qū)域中形成為與發(fā)光二極管電絕緣，并且包括具有與基于晶片的エ藝信息相對(duì)應(yīng)的特有(unique)電氣特性值的電路單元，以及連接至電路單元以測(cè)量電氣特性值的多個(gè)電極墊。電路單元可包括多個(gè)半導(dǎo)體元件和連接至多個(gè)半導(dǎo)體元件的多個(gè)熔絲，并且可通 過選擇性地切斷多個(gè)熔絲來確定電路單元的電氣特性值。至少ー個(gè)熔絲簽名電路可包括多個(gè)熔絲簽名電路，并且多個(gè)熔絲簽名電路分別形成在不同的區(qū)域中。多個(gè)半導(dǎo)體元件可包括與所述發(fā)光層壓體中所包含的半導(dǎo)體層一同生長(zhǎng)的至少一個(gè)半導(dǎo)體層?；诰磨ㄋ囆畔⒖砂ㄟx自由晶片批號(hào)、批中的晶片編號(hào)、相應(yīng)芯片在晶片內(nèi)的位置以及エ藝線標(biāo)記(process line marking)組成的組中的至少ー個(gè)。相應(yīng)芯片的位置可包括相應(yīng)標(biāo)線內(nèi)的標(biāo)線劃分坐標(biāo)和位置坐標(biāo)?？汕袛喽鄠€(gè)熔絲中的至少ー個(gè)，以表示特定的基于晶片的エ藝信息。多個(gè)半導(dǎo)體元件可包括在基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體的至少ー個(gè)層ー同生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層。多個(gè)半導(dǎo)體元件可包括半導(dǎo)體ニ極管。在該情況下，半導(dǎo)體ニ極管可包括在基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體中的每ー層一同生長(zhǎng)的發(fā)光層壓體。多個(gè)半導(dǎo)體元件可串聯(lián)連接，并且多個(gè)熔絲中的每ー個(gè)與多個(gè)半導(dǎo)體元件中的至少ー個(gè)并聯(lián)連接?；宓钠渌鼌^(qū)域可進(jìn)ー步包括與所述發(fā)光層壓體的每ー層一同生長(zhǎng)的附加半導(dǎo)體層壓體，并且熔絲簽名電路的電極墊可形成在附加半導(dǎo)體層壓體上。在另ー實(shí)施方式中，多個(gè)半導(dǎo)體元件可包括晶體管。該晶體管可具有無摻雜的第一半導(dǎo)體層；無摻雜的第二半導(dǎo)體層，該無摻雜的第二半導(dǎo)體層作為溝道層形成在無摻雜的第一半導(dǎo)體層上并且具有設(shè)置在無摻雜的第一半導(dǎo)體層和無摻雜的第二半導(dǎo)體層之間的界面上的ニ維電氣層；以及形成在無摻雜的第二半導(dǎo)體層上的源極、漏極和柵扱。晶體管可形成在基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體中的每ー層一同生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層壓體上。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了ー種半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，包括半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片；其上裝配有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的封裝體；第一外部端子和第二外部端子，分別連接至半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的第一電極和第二電極；以及多個(gè)簽名端子，分別連接至熔絲簽名電路的多個(gè)電極端子。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的方法，該方法包括制備其上形成有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的晶片；基于芯片的基于晶片的エ藝信息，選擇性地切斷多個(gè)熔絲中的至少ー個(gè)，以使得電路單元具有預(yù)定的電氣特性值；以及切割晶片以獲得各芯片單兀。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于控制半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的質(zhì)量的方法，該方法包括制備其上形成有半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的晶片；在半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片級(jí)和具有所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的封裝件制造過程中以及完成所述封裝件制造過程之后的任意時(shí)間點(diǎn)，測(cè)量芯片和封裝件的特性；以及基于測(cè)出的特性與芯片的熔絲簽名電路的電氣特性值跟蹤的基于晶片的エ藝信息之間的相關(guān)性，分析與由相應(yīng)的基于晶片的エ藝條件產(chǎn)生的測(cè)出特性相關(guān)的效應(yīng)，其中芯片的熔絲簽名電路的電氣特性值與測(cè)出的特性相關(guān)聯(lián)。測(cè)量芯片或封裝件的特性包括測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓、驅(qū)動(dòng)電流、正向電壓、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光波長(zhǎng)以及隨著相應(yīng)芯片的溫度波長(zhǎng)的變化中的至少ー個(gè)。測(cè)量芯片或封裝件的特性包括測(cè)量封裝件的光量、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光波長(zhǎng)、色坐標(biāo)和 色溫中的至少ー個(gè)。分析關(guān)于測(cè)出的特性的效應(yīng)包括將在測(cè)出特性中期望范圍外的缺陷芯片映射到虛擬晶片的坐標(biāo)中；以及分析虛擬晶片的坐標(biāo)中一區(qū)域比另一區(qū)域具有更多的缺陷芯片的原因。


從以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述中，本發(fā)明的上述以及其他方面、特征和其他優(yōu)點(diǎn)將能夠被更清晰地理解，附圖中圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的示例的示意性透視圖；圖2是示出了沿著圖I的線I-Γ截取的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的截面圖；圖3是示出了沿著圖I的線ΙΙ-ΙΓ截取的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的截面圖；圖4是示出了沿著圖I的線III-III'截取的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的截面圖；圖5A和圖5B分別是示出了圖I所示的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的熔絲簽名電路(fuse signature circuit)的不意性構(gòu)造圖和電路圖；圖6A和圖6B是示出了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的各種示例的示意性透視圖； 圖7是示出了本發(fā)明第二實(shí)施方式中可采用的晶體管結(jié)構(gòu)的示例的截面圖；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件的示例的截面圖；圖9是示出了在作為根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件的示例的照明設(shè)備中可使用的發(fā)光模塊的示意性透視圖；圖IOA和圖IOB示出了作為根據(jù)本發(fā)明另ー實(shí)施方式的照明設(shè)備的示例的燈泡式燈；圖IlA和圖IlB是用于描述指示半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片在晶片內(nèi)的位置的方法的晶片和標(biāo)線的不意圖12是用于描述跟蹤半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件的整個(gè)制造過程中的基于晶片的エ藝信息的過程的處理流程圖；圖13是示出了在封裝級(jí)中測(cè)出的色坐標(biāo)的示圖；以及圖14示出了基于圖13的結(jié)果指示色坐標(biāo)缺陷區(qū)域中存在的芯片的位置的虛擬晶片。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施方式。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式來實(shí)施，并且不應(yīng)當(dāng)被解釋為局限于本文中所闡述的這些實(shí)施方式。盡管本領(lǐng)域技術(shù)人員可容易地設(shè)想到通過元件的添加、修改或刪除結(jié)合于本發(fā)明的教導(dǎo)中的許多其他的變形實(shí)施方式，但這些實(shí)施方式會(huì)落在本發(fā)明的范圍內(nèi)。
圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的示例的示意性透視圖。圖2至圖4是示出了沿著圖I所示的線Ι-Γ、ΙΙ-ΙΓ和ΙΙΙ-ΙΙΓ截取的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的截面圖。參照?qǐng)DI以及圖2，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片10可包括基板11 ;發(fā)光二極管LD;形成于基板11的ー個(gè)區(qū)域中；以及多個(gè)熔絲簽名電路S1-S5，形成于基板11的其他區(qū)域中。圖2示出了基板11在其外延生長(zhǎng)表面上具有凹凸形狀；然而，本發(fā)明不限于此。發(fā)光二極管LD可包括發(fā)光層壓體12，其包括第一化合物半導(dǎo)體層12a和第二化合物半導(dǎo)體層12b以及形成于第一化合物半導(dǎo)體層12a和第二化合物半導(dǎo)體層12b之間的有源層12c ;以及第ー電極13和第二電極14，分別電連接至第一化合物半導(dǎo)體層12a和第二化合物半導(dǎo)體層12b。如圖2所示，本發(fā)明實(shí)施方式中所采用的發(fā)光層壓體12可具有臺(tái)面結(jié)構(gòu)。S卩，第一化合物半導(dǎo)體層12a的暴露上表面區(qū)域可通過臺(tái)面刻蝕而至少部分去除第二化合物半導(dǎo)體層12b和有源層12c來獲得。本發(fā)明實(shí)施方式中所采用的第一電極13和第二電極14可包括焊盤13A和14A ；以及從焊盤13A和14A伸出的以在發(fā)光二極管LD的整個(gè)可發(fā)光區(qū)域中均勻分布電流的電極指13B和14B。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片10可包括多個(gè)(五個(gè))熔絲簽名電路S1-S5。熔絲簽名電路S1-S5可與形成于基板11的ー個(gè)區(qū)域中的發(fā)光二極管LD電絕緣。如圖3所示，發(fā)光二極管LD與熔絲簽名電路S1-S5之間的電絕緣可通過被形成為到達(dá)基板的部分區(qū)域內(nèi)的溝槽部分G并在溝槽部分G中填充絕緣材料層18來實(shí)現(xiàn)。本發(fā)明實(shí)施方式中所采用的熔絲簽名電路S1-S5可包括多個(gè)半導(dǎo)體元件15 ;連接半導(dǎo)體元件15的電路單元16 ;以及連接至電路單元16的電極墊17。此外，電路單元16可包括能夠被選擇性切斷的多個(gè)熔絲16a(參照?qǐng)D5A)。在電極墊17中測(cè)出的電氣特性值可通過選擇性切斷熔絲來改變，而且通過利用電氣特性值的變化，可在熔絲簽名電路S1-S5上記錄識(shí)別信息。關(guān)于此，將參照?qǐng)D5A和圖5B對(duì)其詳細(xì)描述進(jìn)行說明。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，圖I示出了位于發(fā)光二極管LD兩側(cè)端部的熔絲簽名電路S1-S3可分別包括五個(gè)半導(dǎo)體元件15，并且位于發(fā)光二極管LD的上側(cè)和下側(cè)的熔絲簽名電路S4和S5可包括四個(gè)半導(dǎo)體元件15。多個(gè)半導(dǎo)體元件15可包括與發(fā)光層壓體12中所包含的半導(dǎo)體層一同生長(zhǎng)的至少ー個(gè)半導(dǎo)體層，該至少ー個(gè)半導(dǎo)體層并不是通過不同于發(fā)光層壓體12的形成エ藝的另ーエ藝所形成的。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，如圖4所示，半導(dǎo)體元件15可以是表現(xiàn)出特有電阻值(或電壓)的半導(dǎo)體ニ極管D1-D5，而且可包括與發(fā)光層壓體12的各層一同生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層壓體。如圖4所示，半導(dǎo)體ニ極管D1-D5中所包含的半導(dǎo)體層壓體可通過被形成為到達(dá)基板11的部分區(qū)域內(nèi)的溝槽G而彼此分開。在該實(shí)施方式中，用于分開元件的溝槽G可填充有絕緣材料18。
層一同生長(zhǎng)的附加半導(dǎo)體層壓體BD上。在該結(jié)構(gòu)中，由于溝槽G中填充有絕緣材料，電極墊17可被形成為具有與連接半導(dǎo)體ニ極管D1-D5的電路線16b基本相同的高度。圖5A詳細(xì)示出了該實(shí)施方式中可采用的熔絲簽名電路S1-S5。圖5A中所示的熔絲簽名電路S1-S5可包括多個(gè)半導(dǎo)體元件15和連接半導(dǎo)體元件15的電路單元16。電路單元16可包括多個(gè)熔絲16a。可通過使用對(duì)其施加激光束或過電流的方法來選擇性切斷多個(gè)熔絲16a。電路單元16的構(gòu)造可通過選擇性切斷熔絲16a而被改變，從而引起電極墊17中測(cè)出的電氣特性值的變化。通過選擇性切斷熔絲16a所確定的特有電氣特性值可對(duì)待為識(shí)別信息，并可用作表示基于晶片的エ藝信息的值。通過電路單元16連接的多個(gè)半導(dǎo)體元件15可具有特有的“電氣特性值”。可在電極墊17中測(cè)量電氣特性值。本說明書中所使用的“電氣特性值”可以是通過使用現(xiàn)有電氣測(cè)量裝置測(cè)出的定量值，而且可以涉及例如電壓值、電流值或電阻值。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體元件15可以是具有特定電阻值的半導(dǎo)體ニ極管。另外，電路單元16可包括串聯(lián)連接半導(dǎo)體元件15的電路線16b和與電路線16b并聯(lián)連接的多個(gè)熔絲16a。這里，各熔絲16a可與不同數(shù)目的半導(dǎo)體元件并聯(lián)連接，如圖5A所示。在圖5A所示的電路連接中，熔絲簽名電路的電氣特性值可通過選擇性切斷熔絲16b (例如，如“ C”所示)而被改變。S卩，如圖5A所示，在切斷C部分之前，電流流過具有相對(duì)低電阻的熔絲線，從而可測(cè)得OV電壓。同時(shí)，在切斷C部分的情況下，電流流過最右端半導(dǎo)體ニ極管，從而在電極墊17中可測(cè)得被増大到等于相應(yīng)半導(dǎo)體ニ極管15的電阻的程度的電壓。以此方式，由于熔絲簽名電路的電氣特性值可根據(jù)選擇性切斷熔絲來選擇，所以可通過使所選特性值與半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片10的基于晶片的エ藝信息相匹配，來在熔絲簽名電路S1-S5上記錄期望的基于晶片的エ藝信息。更具體地，可參照以下表格以及圖5B的等效電路，來說明根據(jù)圖5A所示的熔絲簽名電路中熔絲的選擇性切斷所產(chǎn)生的電壓變化。以下表格示出了各ニ極管具有3V電壓?！癤”表示切斷狀態(tài)，而“O”表示未切斷狀態(tài)。
[表]
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，包括 基板； 發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括形成在所述基板的一個(gè)區(qū)域中并且包括第一化合物半導(dǎo)體層和第二化合物半導(dǎo)體層以及形成在所述第一化合物半導(dǎo)體層與所述第二化合物半導(dǎo)體層之間的有源層的發(fā)光層壓體；以及第一電極和第二電極，分別電連接至所述第一化合物半導(dǎo)體層和所述第二化合物半導(dǎo)體層；以及 至少一個(gè)熔絲簽名電路，所述至少一個(gè)熔絲簽名電路在所述基板的其它區(qū)域中形成為與所述發(fā)光二極管電絕緣，并且所述至少一個(gè)熔絲簽名電路包括具有與基于晶片的工藝信息相對(duì)應(yīng)的特有電氣特性值的電路單元；以及連接至所述電路單元以測(cè)量所述電氣特性值的多個(gè)電極墊； 其中，所述電路單元包括多個(gè)半導(dǎo)體元件和連接至所述多個(gè)半導(dǎo)體元件的多個(gè)熔絲，并且通過選擇性地切斷所述多個(gè)熔絲來確定所述電路單元的電氣特性值。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述至少一個(gè)熔絲簽名電路包括多個(gè)熔絲簽名電路，并且所述多個(gè)熔絲簽名電路分別形成在不同的區(qū)域中。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件包括與所述發(fā)光層壓體中所包含的所述半導(dǎo)體層一同生長(zhǎng)的至少一個(gè)半導(dǎo)體層。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述基于晶片的工藝信息包括選自由晶片批號(hào)、批中的晶片編號(hào)、相應(yīng)芯片在晶片內(nèi)的位置以及工藝線標(biāo)記組成的組中的至少一個(gè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述相應(yīng)芯片的位置包括相應(yīng)標(biāo)線內(nèi)的標(biāo)線劃分坐標(biāo)和位置坐標(biāo)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)熔絲中的至少一個(gè)被切斷。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件包括在所述基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體的至少一個(gè)層一同生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件包括半導(dǎo)體二極管。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述半導(dǎo)體二極管包括在所述基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體中的每一層一同生長(zhǎng)的發(fā)光層壓體。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件串聯(lián)連接，并且所述多個(gè)熔絲中的每一個(gè)與所述多個(gè)半導(dǎo)體元件中的至少一個(gè)并聯(lián)連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述基板的其它區(qū)域進(jìn)一步包括與所述發(fā)光層壓體的每一層一同生長(zhǎng)的附加半導(dǎo)體層壓體，并且所述熔絲簽名電路的所述電極墊形成在所述附加半導(dǎo)體層壓體上。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述多個(gè)半導(dǎo)體元件包括晶體管。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，其中，所述晶體管具有無摻雜的第一半導(dǎo)體層；無摻雜的第二半導(dǎo)體層，所述無摻雜的第二半導(dǎo)體層作為溝道層形成在所述無摻雜的第一半導(dǎo)體層上并且具有設(shè)置在所述無摻雜的第一半導(dǎo)體層和所述無摻雜的第二半導(dǎo)體層之間的界面上的二維電氣層；以及形成在所述無摻雜的第二半導(dǎo)體層上的源極、漏極和柵極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片，所述晶體管形成在所述基板的其它區(qū)域中與所述發(fā)光層壓體中的每一層一同生長(zhǎng)的半導(dǎo)體層壓體上。
15.一種半導(dǎo)體發(fā)光二極管封裝件，包括 根據(jù)權(quán)利要求I至14中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片； 封裝體，所述封裝體上裝配有所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片； 第一外部端子和第二外部端子，分別連接至所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的第一電極和第二電極；以及 多個(gè)簽名端子，分別連接至熔絲簽名電路的多個(gè)電極端子。
16.一種制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的方法，所述方法包括 制備晶片，所述晶片上形成有根據(jù)權(quán)利要求I至14中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片； 基于所述芯片的基于晶片的工藝信息，選擇性地切斷多個(gè)熔絲中的至少一個(gè)，以使得電路單元具有預(yù)定的電氣特性值；以及 切割所述晶片以獲得各個(gè)芯片單元。
17.一種用于控制半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的質(zhì)量的方法，所述方法包括 制備晶片，所述晶片上形成有根據(jù)權(quán)利要求I至14中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片； 在半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片級(jí)和具有所述半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的封裝件制造過程中以及完成所述封裝件制造過程之后的任意時(shí)間點(diǎn)，測(cè)量所述芯片和所述封裝件的特性；以及 基于測(cè)出的特性與所述芯片的熔絲簽名電路的電氣特性值跟蹤的基于晶片的工藝信息之間的相關(guān)性，分析與由相應(yīng)的基于晶片的工藝條件產(chǎn)生的測(cè)出的特性相關(guān)的效應(yīng)，其中所述芯片的熔絲簽名電路的電氣特性值與測(cè)出的特性相關(guān)聯(lián)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，測(cè)量所述芯片或所述封裝件的特性包括測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓、驅(qū)動(dòng)電流、正向電壓、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光波長(zhǎng)以及隨著所述相應(yīng)芯片的溫度波長(zhǎng)的變化中的至少一個(gè)。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中測(cè)量所述芯片或所述封裝件的特性包括測(cè)量所述封裝件的光量、發(fā)光強(qiáng)度、發(fā)光波長(zhǎng)、色坐標(biāo)和色溫中的至少一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求18或19所述的方法，其中，分析關(guān)于測(cè)出的特性的效應(yīng)包括 將在測(cè)出的特性中期望范圍外的缺陷芯片映射到虛擬晶片的坐標(biāo)中；以及 分析所述虛擬晶片的坐標(biāo)中一區(qū)域比另一區(qū)域具有更多的缺陷芯片的原因。
全文摘要
本發(fā)明提供了半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片、制造半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片的方法以及使用該半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片進(jìn)行質(zhì)量控制的方法。半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片包括基板；形成在基板的一個(gè)區(qū)域中的發(fā)光二極管；以及在基板的其它區(qū)域中被形成為與發(fā)光二級(jí)管電絕緣的至少一個(gè)熔絲簽名電路。熔絲簽名電路包括具有與基于晶片的工藝信息相對(duì)應(yīng)的特有的電氣特性值的電路單元；以及連接至電路單元的多個(gè)電極墊。半導(dǎo)體發(fā)光二極管芯片可包括表示信息的芯片信息標(biāo)記。
文檔編號(hào)H01L23/58GK102683326SQ20121007163
公開日2012年9月19日 申請(qǐng)日期2012年3月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月16日
發(fā)明者宋永僖, 洪性在, 黃圣德 申請(qǐng)人:三星Led株式會(huì)社