專利名稱：顯示裝置和電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及優(yōu)選用于有機(jī)電致發(fā)光(EL)顯示裝置和液晶顯示裝置的顯示裝置，并涉及包括該顯示裝置的電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
在有源驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置或有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置中，薄膜晶體管被用作驅(qū)動(dòng)元件，且電容保持元件保持與用于寫入視頻圖像的信號(hào)電壓相對(duì)應(yīng)的電荷。如果在薄膜晶體管的柵電極與其源或漏電極的交叉區(qū)域中寄生電容增加，則可發(fā)生信號(hào)電壓的變化，導(dǎo)致圖像質(zhì)量劣化。特別地，有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置需要具有用于大寄生電容的大保持電容，導(dǎo)致像素布局中配線占據(jù)率的増加。這導(dǎo)致配線間短路等的概率增加，并導(dǎo)致成品率降低。 在過去，人們試圖對(duì)于包括諸如氧化鋅(ZnO)或氧化銦鎵鋅(IGZO)的氧化物半導(dǎo)體作為溝道的薄膜晶體管減小寄生電容，該寄生電容在柵電極與源或漏電極的交叉區(qū)域中形成。例如，日本未審查專利申請公開第2007-220817號(hào)和J. Park等人的“Self-Aligned Top-Gate Amorphous Gallium Indium Zinc Oxide Thin FilmTransistors，，，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，2008，93，053501描述了自對(duì)準(zhǔn)頂柵薄膜晶體管，其中，柵電極和柵極絕緣膜以相同的形狀在氧化物半導(dǎo)體薄膜層的溝道區(qū)域上形成，然后氧化物半導(dǎo)體薄膜層的沒有被柵電極和柵極絕緣膜覆蓋的區(qū)域的電阻減小，以使得該區(qū)域形成為源/漏區(qū)。R. Hayashi等人的“ImpiOvedAmorphous In-Ga-Zn-OTFTs”，SID 08DIGEST, 2008,42. 1，ρρ· 621-624 描述了自對(duì)準(zhǔn)底柵薄膜晶體管，其中，源極和漏極區(qū)通過以柵電極作為掩膜的背面曝光而在氧化物半導(dǎo)體膜中形成。

發(fā)明內(nèi)容
如上所述與包括氧化物半導(dǎo)體的晶體管一起設(shè)置在基板上的電容保持元件旨在保持抑制圖像質(zhì)量劣化所需的電容。期望提供能夠抑制圖像質(zhì)量劣化的顯示裝置以及包括該顯示裝置的電子設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的一種顯示裝置包括基板，并且包括顯示元件、作為顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件的晶體管、以及保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷的保持電容。顯示元件、晶體管和電容保持元件設(shè)置在基板上。電容保持元件包括包含氧化物半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電膜、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電膜之間的第一絕緣膜、以及通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的ー種電子設(shè)備包括顯示裝置，該顯示裝置包括基板，并且包括在基板上的顯示元件、作為顯示元件驅(qū)動(dòng)元件的晶體管、以及保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷的保持電容。電容保持元件包括包含氧化物半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電膜、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電膜之間的第一絕緣膜、以及通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置和電子設(shè)備中，與顯示元件和晶體管一起設(shè)置在基板上的電容保持元件具有在包含氧化物半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電膜，其間介有第一絕緣膜，并且具有通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。氧易于通過凹槽從第一半導(dǎo)體層的氧化物半導(dǎo)體脫離。這可抑制電容保持元件的依賴于所施加的電壓的電容變化。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的顯示裝置和電子設(shè)備，與顯示元件和晶體管一起設(shè)置在基板上的電容保持元件具有在包含氧化物半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電膜，其間介有第一絕緣膜，并具有通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。這可抑制電容保持元件的依賴于所施加的電壓的電容變化，從而保持電容元件可保持所需電容。結(jié)果，可抑制圖像質(zhì)量下降。
應(yīng)該理解前面的概述和下面的詳細(xì)說明是示例性的，且g在提供對(duì)所要求保護(hù)技術(shù)的進(jìn)ー步解釋。


所包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)ー步理解，并包含在本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分。附圖示出了實(shí)施方式并和說明書一起用來解釋本技術(shù)的原理。圖I示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)。圖2以放大方式示出了圖I中表示的電容保持元件的截面結(jié)構(gòu)。圖3A和圖3B是圖I中示出的電容保持元件的示意性平面圖。圖4示出了圖I中所示的有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置及其外圍電路的整體結(jié)構(gòu)。圖5示出了圖4中所示的像素的電路結(jié)構(gòu)。圖6A和圖6B示出了圖I中所示有機(jī)電致發(fā)光顯示裝置的制造處理的順序步驟。圖7A和圖7B示出了圖6B中的步驟之后的步驟。圖8A和圖8B示出了圖7B中的步驟之后的步驟。圖9A和圖9B示出了圖8B中的步驟之后的步驟。圖10是示出了根據(jù)比較例I的電容保持元件的截面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖IlA和圖IlB是示出了根據(jù)比較例2的電容保持元件的截面結(jié)構(gòu)和平面結(jié)構(gòu)的示意圖。圖12是示出了比較例中電容對(duì)電壓的變化的特性圖。圖13是示出了實(shí)施方式中電容對(duì)電壓的變化的特性圖。圖14是示出了凹槽間距離和閾值電壓之間關(guān)系的特性圖。圖15示出了根據(jù)修改例的液晶顯示裝置的截面結(jié)構(gòu)。圖16是示出了具有顯示裝置的模塊的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。圖17是示出了應(yīng)用例的I外觀的透視圖。圖18A是示出了從前側(cè)觀看的應(yīng)用例2的外觀的透視圖，并且圖18B是示出了從后側(cè)觀看的應(yīng)用例2的外觀的透視圖。圖19是示出了應(yīng)用例3的外觀的透視圖。圖20是示出應(yīng)用例4的外觀的透視圖。圖21A是應(yīng)用例5處于打開狀態(tài)的前視圖，圖21B是其側(cè)視圖，圖21C是其處于閉合狀態(tài)的前視圖，圖21D是其左側(cè)視圖，圖21E是其右側(cè)視圖，圖21F是其頂視圖，以及圖2IG是其底視圖。圖22k和圖22B示出根據(jù)其他實(shí)例的電容保持元件的截面結(jié)構(gòu)。
具體實(shí)施例方式下面將參考

本發(fā)明的實(shí)施方式。說明是按以下順序進(jìn)行的。
I.實(shí)施方式(具有利用氧化物半導(dǎo)體的電容保持元件的有機(jī)EL顯示裝置的實(shí)例)。2.修改例(具有利用氧化物半導(dǎo)體的電容保持元件的液晶顯示裝置的實(shí)例)。3.應(yīng)用例(模塊和電子設(shè)備的實(shí)例)[實(shí)施方式][結(jié)構(gòu)]圖I示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置I)的截面結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL顯示裝置I包括例如以有源矩陣驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的多個(gè)像素(有機(jī)EL元件10A)。應(yīng)注意，圖I僅示出對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素(子像素)的區(qū)域。在有機(jī)EL顯示裝置I中，例如，晶體管IOB和電容保持元件IOC設(shè)置在基板10上，且有機(jī)EL元件IOA設(shè)置在這些部件上。有機(jī)EL元件IOA是通過例如保護(hù)層22密封的，且密封基板23附著到保護(hù)層22上，其間介有未示出的粘接層。發(fā)光型的有機(jī)EL顯示裝置I可以是所謂的頂發(fā)光型或底發(fā)光型。有機(jī)EL元件10A、晶體管IOB和電容保持元件IOC中姆ー個(gè)的結(jié)構(gòu)在下面具體說明。[有機(jī)EL 元件 10A]有機(jī)EL元件IOA在第一電極18上具有像素隔離膜19，該像素隔離膜具有用于各個(gè)像素的開ロ，并在像素隔離膜19的開口中具有有機(jī)層20。第二電極21設(shè)置在有機(jī)層20上。例如，為每個(gè)像素設(shè)置用作陽極的第一電極18。在底發(fā)光型中，第一電極18由透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，例如包括氧化銦錫(Ι )、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦鋅(InZnO)中的ー種的單層膜或包括其中兩種以上的堆疊膜。在頂發(fā)光型中，第一電極18由包括包含鋁(Al)、鎂(Mg)、鈣(Ca)和鈉(Na)中的ー種以上的金屬單質(zhì)的單層膜，或包含ー種以上金屬的合金的單層膜，或包含兩個(gè)以上單層膜的堆疊體的多層膜而構(gòu)成。像素隔離膜19限定每個(gè)像素的發(fā)光區(qū)域，并包括例如光敏樹脂，如聚酰亞胺樹月旨、丙烯酸樹脂或酚醛樹脂。有機(jī)層20包括有機(jī)電致發(fā)光層(有機(jī)EL層)，并響應(yīng)于驅(qū)動(dòng)電流的施加而發(fā)光。有機(jī)層20例如以靠近基板10的順序包括例如空穴注入層、空穴傳輸層、有機(jī)EL層和電子傳輸層，上述所有均未被不出。在有機(jī)EL層中，響應(yīng)于電場的施加，電子和空穴復(fù)合以導(dǎo)致發(fā)光。有機(jī)EL層的材料通常可包括低分子或高分子有機(jī)材料而不受任何限制。例如，可通過涂覆為每個(gè)像素単獨(dú)設(shè)置紅色、緑色和藍(lán)色的彩色發(fā)光層?？蛇x地，白色發(fā)光層(例如，紅色、緑色和藍(lán)色的堆疊彩色發(fā)光層)可設(shè)置在基板的整個(gè)表面上?？昭ㄗ⑷雽痈纳瓶昭ㄗ⑷胄剩⒎乐孤╇?。空穴傳輸層改善對(duì)有機(jī)EL層的空穴傳輸效率。根據(jù)需要，可設(shè)置有機(jī)EL層以外的這些層。用作陰極的第二電極21由金屬導(dǎo)電膜構(gòu)成。在底發(fā)光型中，第二電極21由包括包含鋁、鎂、鈣和鈉中的ー種以上的金屬單質(zhì)，或包括包含ー種以上金屬的合金的單層膜，或作為兩個(gè)以上單層膜的堆疊體的多層膜而構(gòu)成。在頂發(fā)光型中，第二電極21包括包含ITO或IZO的透明導(dǎo)電膜。第二電極21與第一電極18絕緣并對(duì)于所有像素公共地設(shè)置有機(jī)層20上。保護(hù)層22可由絕緣材料或?qū)щ姴牧蠘?gòu)成。絕緣材料例如包括非晶硅(a-Si)、非晶碳化娃(a-SiC)、非晶氮化娃(B-Si1^xNx)和非晶碳(a_C)?；?0和密封基板23包括例如包括石英、玻璃、硅和塑料的片材。廉價(jià)的塑料膜可用于基板，因?yàn)榘雽?dǎo)體層11是通過下述濺射處理沉積的而無需加熱基板10。塑料材料 例如包括聚對(duì)苯ニ甲酸こニ醇酯(PET)和聚萘ニ甲酸こニ醇酯(PEN)?？蛇x地，根據(jù)目的可使用包括不銹鋼(SUS)的金屬基板。在頂發(fā)光型中，密封基板23由包括玻璃或塑料的透明基板構(gòu)成，并可能在其上具有未示出的濾色片或遮光膜。在底發(fā)光型中，基板10由透明基板構(gòu)成。[晶體管10B]晶體管IOB對(duì)應(yīng)于下述像素驅(qū)動(dòng)電路50a中的采樣晶體管Trl或驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2，并且是具有錯(cuò)層結(jié)構(gòu)(staggered structure)的薄膜晶體管，或所謂的頂柵薄膜晶體管。晶體管IOB具有在基板10上的半導(dǎo)體基板11，并具有在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中的柵電極13A，其間介有柵極絕緣膜12A。層間絕緣膜15設(shè)置為覆蓋半導(dǎo)體層11、柵極絕緣膜12A和柵電極13A。層間絕緣膜15具有被配置為與半導(dǎo)體層11相対的接觸孔H2，且源/漏電極層16設(shè)置在層間絕緣膜15上，以填充接觸孔H2。因此，源/漏電極層16設(shè)置為與半導(dǎo)體層11的預(yù)定區(qū)域(下述源/漏區(qū)11SD)電連接。晶體管IOB的柵電極13A對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中“第二導(dǎo)電膜”的具體實(shí)例，且柵極絕緣膜12A對(duì)應(yīng)干“第二絕緣膜”的具體實(shí)例。在該實(shí)施方式中，半導(dǎo)體層11被設(shè)置為從晶體管IOB到電容保持元件10C。具體地，半導(dǎo)體層11的對(duì)應(yīng)于晶體管IOB的部分對(duì)應(yīng)于“第ニ半導(dǎo)體層”，其對(duì)應(yīng)于電容保持元件IOC的部分對(duì)應(yīng)干“第一半導(dǎo)體層”。半導(dǎo)體層11對(duì)應(yīng)于“第一半導(dǎo)體層”和“第二半導(dǎo)體層” 一體設(shè)置的結(jié)構(gòu)的具體實(shí)例。半導(dǎo)體層11響應(yīng)柵極電壓的施加形成溝道，并包括例如包含銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、硅(Si)和錫(Sn)中的ー種以上的氧化物半導(dǎo)體。這樣的氧化物半導(dǎo)體例如包括非晶氧化物半導(dǎo)體，如銦鎵鋅氧化物(IGZ0，InGaZnO)。晶體氧化物半導(dǎo)體包括氧化鋅(ZnO)JB鋅氧化物(IZO)、銦鎵氧化物(IGO)、ITO和氧化銦(InO)。半導(dǎo)體層11具有源/漏區(qū)IlSD作為要連接至與柵電極13A相対的區(qū)域(溝道區(qū)11A)鄰近的源/漏電極層16的區(qū)域。半導(dǎo)體層11的厚度是例如約50nm。從頂部以深度方向設(shè)置在半導(dǎo)體層11的一部分中的源/漏區(qū)IlSD是電阻比溝道區(qū)IlA低的低電阻區(qū)。源/漏區(qū)IlSD的這樣的低電阻是通過下述制造處理過程中通過金屬的反應(yīng)在氧化物半導(dǎo)體中擴(kuò)散諸如鋁的金屬而實(shí)現(xiàn)的。結(jié)果，使得晶體管IOB具有所謂的自對(duì)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)并具有穩(wěn)定的特性。
柵極絕緣膜12A例如包括包括氧化硅(SiOx)膜、氮化硅(SiNx)膜、氧氮化硅(SiON)膜和氧化鋁(AlOx)膜中之一的單層膜，或包括兩個(gè)以上單層膜的堆疊膜。其中，氧化硅膜或氧化鋁膜是優(yōu)選的，因?yàn)槠鋷缀醪粫?huì)使氧化物半導(dǎo)體脫氧。柵極絕緣膜12A的厚度例如是約300nm。在該實(shí)施方式中，因?yàn)殡娙荼３衷蘒OC的柵極絕緣膜12A和絕緣膜12B由相同材料在同一步驟中形成，柵極絕緣膜12A的厚度基本與絕緣膜12B的厚度相同。因?yàn)殡娙荼３衷蘒OC的電容取決于絕緣膜12B的厚度，所以柵極絕緣膜12A的厚度是考慮這種電容對(duì)厚度的依賴性而設(shè)定的。柵電極13A對(duì)晶體管IOB施加?xùn)艠O電壓(Vg)從而控制半導(dǎo)體層11中的載流子密度，并用作提供電位的配線。柵電極13A包括例如包含鑰(Mo)、鈦(Ti)、招、銀、釹(Nd)和銅(Cu)中的ー種的金屬單質(zhì)或它們的合金，或包含其中兩種以上的堆疊膜。特別地，柵電極13A包括諸如鋁或銀的低電阻金屬被鑰或鈦所夾持的堆疊結(jié)構(gòu)，并包括鋁和釹的合金(AlNd合金)?？蛇x地，柵電極13A可由諸如ITO的透明導(dǎo)電膜構(gòu)成。柵電極13A的厚度例如為約IOnm到500nm,包括IOnm和500nm。層間絕緣膜15例如具有約2 μ m的厚度，并例如包括包含氧化硅膜、氮化硅膜、氧 氮化硅膜和氧化鋁膜中的ー種的單層膜、或包括其中兩種以上的堆疊膜?？蛇x地，層間絕緣膜15可包括包含丙烯酸或聚酰亞胺樹脂的有機(jī)絕緣膜。特別地，使用氧化硅膜和氧化鋁膜的堆疊膜來抑制水滲入或擴(kuò)散到半導(dǎo)體層11中，使得能夠改善晶體管IOB的電特性和可靠性。源/漏電極層16用作晶體管IOB的源電極或漏電極。源/漏電極層16例如具有約200nm的厚度，且包括類似于所列出的用于柵電極13A或透明導(dǎo)電膜的金屬。優(yōu)選地，源/漏電極層16由諸如鋁或銅的低電阻金屬構(gòu)成，更優(yōu)選地由這樣的低電阻金屬被包括鈦或鑰的阻擋層所夾持的堆疊膜構(gòu)成。使用這類堆疊膜能夠減少驅(qū)動(dòng)中的配線延遲。所期望的是，源/漏電極層16設(shè)置在柵電極12A的正上方的部分之外的區(qū)域中，以防止在柵電極12A和源/漏電極層16的交叉區(qū)域中形成寄生電容。平坦化膜17被設(shè)置為覆蓋層間絕緣膜15和源/漏電極層16。平坦化膜17例如包括聚酰亞胺或丙烯酸類樹脂，并設(shè)置在整個(gè)顯示區(qū)域上。然而，平坦化膜17具有將晶體管IOB的源/漏電極層16電連接至有機(jī)EL元件IOA的第一電極18的接觸孔H3。第一電極18設(shè)置在平坦化膜17上以填充接觸孔H3。[電容保持元件10C]電容保持元件IOC保持對(duì)應(yīng)于下述像素驅(qū)動(dòng)電路50a中的視頻信號(hào)的電荷。在該實(shí)施方式中，電容保持元件IOC以靠近基板10的順序具有半導(dǎo)體層11、絕緣膜12B和導(dǎo)電膜13B的堆疊結(jié)構(gòu)。在電容保持元件IOC中，半導(dǎo)體層11從晶體管IOB (—體地)延伸，且絕緣膜12B和導(dǎo)電膜13B設(shè)置在與晶體管IOB分離的選擇性區(qū)域中。這樣的包括半導(dǎo)體層11、絕緣膜12B和導(dǎo)電膜13B的堆疊結(jié)構(gòu)形成電容。具體地，電容保持元件IOC利用用于形成晶體管IOB中的溝道的半導(dǎo)體層11的一部分來形成電容。電容保持元件IOC的導(dǎo)電膜13B對(duì)應(yīng)于本發(fā)明中“第一導(dǎo)電膜”的具體實(shí)例，且絕緣膜12B對(duì)應(yīng)干“第一絕緣膜”的具體實(shí)例。例如，絕緣膜12B由與晶體管IOB的柵極絕緣層12A相同的材料形成，并可以與柵極絕緣膜12A—起在同一步驟中形成。類似地，例如，導(dǎo)電膜13B由與柵電極13A相同的材料形成，并可以與柵電極13A—起在同一步驟中形成。在該實(shí)施方式中，通過絕緣膜12B和導(dǎo)電膜13B設(shè)置預(yù)定的凹槽。圖2以放大方式示出了電容保持元件IOC的截面結(jié)構(gòu)。如圖所示，電容保持元件IOC在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中具有凹槽(開ロ)H1，該凹槽是通過在厚度方向上去除導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B而形成的。半導(dǎo)體層11的表面在對(duì)應(yīng)于凹槽Hl的區(qū)域中從導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B露出?？梢詢H設(shè)置一個(gè)凹槽Hl或設(shè)置多個(gè)凹槽H1。此外，凹槽Hl的開ロ形狀不受限制。圖3A和圖3B示出了凹槽的示例性開ロ形狀。圖3A和圖3B是從導(dǎo)電膜13B側(cè)觀看的電容保持元件的平面圖。如圖3A所示，多個(gè)(這里為四個(gè))凹槽Hl可以預(yù)定間距d(凹槽之間的距離)整體配置為點(diǎn)陣圖案?？蛇x地，如圖3B所示，多個(gè)(這里為兩個(gè))凹槽Hl可以預(yù)定間距d整體平行配置為條狀圖案。應(yīng)注意，圖2對(duì)應(yīng)于沿圖3A的IA-IA線或圖3B的IB-IB線的截面箭頭示圖。[高電阻膜14]
高電阻膜14被設(shè)置為覆蓋電容保持元件10C、晶體管IOB的柵極絕緣膜12A和柵電極13A、半導(dǎo)體層11上的不與柵電極13A和電容保持元件IOC中的每ー個(gè)相対的區(qū)域。具體地，高電阻膜14被設(shè)置為覆蓋保持電容元件IOC中的凹槽Hl的內(nèi)側(cè)。高電阻膜14的與源/漏電極層16相対的一部分被選擇性地去除。高電阻膜14是從金屬膜變化得到的氧化物膜，其用作下述制造處理過程中擴(kuò)散到半導(dǎo)體層11的低電阻區(qū)(例如，源/漏區(qū)11SD)中的金屬的供應(yīng)源。這樣的高電阻膜14例如包括氧化鈦、氧化鋁、氧化銦和氧化錫。高電阻膜14具有對(duì)外部氣氛的高阻擋性能，因此具有減小氧和水的影響的功能，這樣，除了上述制造處理中的功能，還可改變晶體管IOB的半導(dǎo)體層11的電特性。高電阻膜14穩(wěn)定晶體管IOB和電容保持元件IOC中的每ー個(gè)的電特性，從而能夠增強(qiáng)層間絕緣膜15的效果。高電阻膜14的厚度例如為20nm以下。[外圍電路和像素電路的結(jié)構(gòu)]現(xiàn)在將說明上述有機(jī)EL顯示裝置I的外圍電路和像素電路的結(jié)構(gòu)。圖4示出了有機(jī)EL顯示裝置I及其外圍電路的整體結(jié)構(gòu)。例如，如圖所示，包括有機(jī)EL元件IOA的多個(gè)像素PXLC以矩陣形式配置的顯示區(qū)域50設(shè)置在基板10上，并且作為信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的水平選擇器(HSEL)51、作為掃描線驅(qū)動(dòng)電路的寫入掃描器(WSCN) 52、こ級(jí)作為電源線驅(qū)動(dòng)電路的電源掃描器(DSCN) 53設(shè)置在顯示區(qū)域50的外國。在顯示區(qū)域50中，多個(gè)(整數(shù)η)信號(hào)線DTLl至DTLn沿列方向配置，且多個(gè)(整數(shù)m)掃描線WSLl至WSLm和多個(gè)(整數(shù)m)電源線DSLl至DSLm沿行方向配置。每個(gè)像素PXLC(對(duì)應(yīng)于R、G和B的像素中的ー個(gè))設(shè)置在各信號(hào)線DTL和各掃描線WSL的交叉部。每個(gè)信號(hào)線DTL連接到將視頻信號(hào)提供到每個(gè)掃描線DTL的水平選擇器51。每個(gè)掃描線WSL連接到將掃描信號(hào)(選擇脈沖)提供到每個(gè)掃描線WSL的寫入掃描器52。每個(gè)電源線DSL連接到將電源信號(hào)(控制脈沖)提供到每個(gè)電源線DSL的電源掃描器53。圖5具體示出了像素PXLC的示例性電路結(jié)構(gòu)。姆個(gè)PXLC具有包括有機(jī)EL元件IOA的像素電路50a。像素電路50a是有源驅(qū)動(dòng)電路，其包括采樣晶體管Trl、驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2、電容保持元件IOC和有機(jī)EL元件10A。采樣晶體管Trl (或驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2)對(duì)應(yīng)于上述實(shí)施方式等中的晶體管10B。采樣晶體管Trl的柵極連接到相應(yīng)的掃描線WSL，其源極和漏極中的一個(gè)連接到相應(yīng)的信號(hào)線DTL，而另ー個(gè)連接到驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的柵極。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的漏極連接到相應(yīng)的電源線DSL，且其源極連接到有機(jī)EL元件IOA的陽極。有機(jī)EL元件IOA的陰極連接到地線5H。應(yīng)注意，地線5H公共地配線至所有像素PXLC。電容保持元件IOC設(shè)置在驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2的源極和柵極之間。采樣晶體管Trl響應(yīng)于從掃描線WSL提供的掃描信號(hào)(選擇脈沖)而導(dǎo)通，因而對(duì)從信號(hào)線DTL提供的視頻信號(hào)的信號(hào)電位進(jìn)行采樣，并保持電容保持元件IOC中的信號(hào)電位。驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2從設(shè)定為預(yù)定的第一電位(未示出)的電源線DSL接收電流，井根據(jù)保持在電容保持元件IOC中的信號(hào)電位將驅(qū)動(dòng)電流提供到有機(jī)EL元件10A。有機(jī)EL元件IOA響應(yīng)于從動(dòng)晶體管Tr2提供的驅(qū)動(dòng)電流以根據(jù)視頻信號(hào)的信號(hào)電位的亮度發(fā)光。在這種電路結(jié)構(gòu)中，采樣晶體管Trl響應(yīng)于從掃描線WSL提供的掃描信號(hào)(選擇脈沖)導(dǎo)通，因此對(duì)從信號(hào)線DTL提供的視頻信號(hào)的信號(hào)電位進(jìn)行采樣并保持在電容保持元件IOC中。將電流從設(shè)定為第一電位的電源線DSL提供到驅(qū)動(dòng)晶體管Tr2，并根據(jù)保持在電容保持元件IOC中信號(hào)電位將驅(qū)動(dòng)電流提供給有機(jī)EL元件IOA (紅色、緑色和藍(lán)色有機(jī) EL元件中的每ー個(gè))。每個(gè)有機(jī)EL元件IOA響應(yīng)于所提供的驅(qū)動(dòng)電流、以基于視頻信號(hào)的信號(hào)電位的亮度發(fā)光。因此，顯示裝置基于視頻信號(hào)顯示視頻圖像。[制造方法]上述有機(jī)EL顯示裝置I允許例如以下列方式制造。首先，在基板10上形成晶體管IOB和電容保持元件10C。具體地，首先，包括上述氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層11是通過例如濺射處理沉積在基板10的整個(gè)表面上，如圖6A所示。在這樣的沉積中，具有與目標(biāo)氧化物半導(dǎo)體相同成分的陶瓷用作靶材。因?yàn)檠趸锇雽?dǎo)體中的載體濃度顯著依賴于濺射過程中的氧分壓，所以控制氧分壓以實(shí)現(xiàn)所需的晶體管特征。然后，沉積的半導(dǎo)體層11通過例如光刻和蝕刻圖案化為預(yù)定形狀。在圖案化時(shí)，半導(dǎo)體層優(yōu)選利用磷酸、硝酸和こ酸混合溶液通過濕蝕刻來處理。磷酸、硝酸和こ酸混合溶液使得顯著增加半導(dǎo)體層相對(duì)于基板的蝕刻選擇性，以使得半導(dǎo)體層較易于處理。然后，例如通過等離子體化學(xué)氣相沉積(CVD)處理在基板10的整個(gè)表面上沉積包括例如氧化硅膜的絕緣膜12(柵極絕緣膜12A和絕緣膜12B)，如圖6B所示?？蛇x地，氧化硅膜可通過反應(yīng)濺射處理形成。氧化鋁膜不僅可以通過反應(yīng)濺射處理或CVD處理而且可以通過原子層沉積處理來沉積。然后，例如包括堆疊膜的導(dǎo)電膜13 (柵電極13A和導(dǎo)電膜13B)通過例如濺射處理在絕緣膜12的整個(gè)表面上沉積，如圖6B所示，其中，堆疊膜包括鑰或鈦以及鋁。然后，導(dǎo)電膜13例如是通過光刻和蝕刻而圖案化的，從而在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中形成柵電極13A和導(dǎo)電膜13B，如圖7A所示。這里，開ロ HlA(構(gòu)成凹槽Hl的一部分的開ロ)在導(dǎo)電膜13B的選擇性區(qū)域中形成。然后用柵電極13A和導(dǎo)電膜13作為掩膜來蝕刻絕緣膜12，如圖7B所示。在半導(dǎo)體層11由諸如ZnO、IZOJP IGO的晶體材料形成的情況下，可用氫氟酸等來保持顯著大的蝕刻選擇性，以使得半導(dǎo)體層11易于處理。因此，柵極絕緣膜12A被圖案化為與柵電極13A相同的形狀，且凹槽Hl通過導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B而形成。這樣，形成了柵電極13A設(shè)置在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中且柵極絕緣膜12A介于其間的堆疊結(jié)構(gòu)，同時(shí)形成了電容保持元件10C。然后,如圖8A所示，通過例如濺射處理在基板10的整個(gè)表面上沉積金屬膜14a，厚度為例如5nm到IOnm,包括5nm和IOnm,該金屬膜包括在較低溫度與氧反應(yīng)的金屬，如鈦、鋁和銦。然后，通過在例如約300°C的溫度熱處理對(duì)金屬膜14a進(jìn)行氧化，以形成包括金屬氧化物膜的高電阻膜14。同時(shí)，在不與柵電極12A和電容保持元件IOC相対的區(qū)域中形成低電阻區(qū)(包括源/漏區(qū)11SD)。因?yàn)榘谘趸锇雽?dǎo)體中的部分氧用于金屬膜14a的氧化反應(yīng)，所以半導(dǎo)體層11中的氧濃度從其與金屬膜14a接觸的表面起隨著金屬膜14a氧化而逐漸減小。此外，諸如鋁的金屬從金屬膜14a擴(kuò)散到半導(dǎo)體層11中。金屬元素用作減小與半導(dǎo)體層11頂側(cè)上的金屬膜14a接觸的半導(dǎo)體層11的區(qū)域的電阻的雜質(zhì)。這導(dǎo)致形成了具有低電阻的源/漏區(qū)域11SD。優(yōu)選金屬膜14a在例如約300°C的溫度通過退火進(jìn)行熱處理。這里，金屬膜14a在含氧等的氧化氣氛中退火，這抑制了低電阻區(qū)的氧濃度的過度減小，并使得能夠供應(yīng)充分 的氧給半導(dǎo)體層11。這使得能夠省略后面的退火步驟，導(dǎo)致處理簡化?？蛇x地，高電阻膜14可以下面的方式形成。例如，在圖8A中所示的步驟中，可沉積金屬膜14a，同時(shí)基板10保持約200°C的較高溫度。這能夠減小半導(dǎo)體層11的預(yù)定區(qū)域的電阻，而無需圖8B中所示的熱處理。在這類情況下，使半導(dǎo)體層11中的載流子濃度減小到晶體管所需的水平。優(yōu)選金屬膜14a沉積厚度為例如IOnm以下。這是因?yàn)槿绻饘倌?4a的厚度為IOnm以下,貝U金屬膜14a可通過熱處理而完全氧化(可形成高電阻膜14)。如果金屬膜14a沒有完全氧化，則這種未氧化的金屬膜14a需要在額外的蝕刻步驟中去除。這是因?yàn)榻饘倌?4a也沉積在柵電極13A上，所以如果金屬膜沒有充分氧化，則可能發(fā)生漏電流。如果金屬膜14a完全氧化且因此形成高電阻膜14，則這樣的去除步驟是不需要的，從而簡化制造處理。即，無需利用蝕刻的去除步驟就可防止漏電流。應(yīng)注意，在金屬膜14a沉積厚度為IOnm以下的情況下，熱處理后高電阻膜14的厚度約為20nm以下。除了上述熱處理，金屬膜14a的氧化方法還可包括通過蒸汽氣氛中的氧化或等離子體氧化加速金屬膜14a氧化的處理。特別地，等離子體氧化具有下列優(yōu)點(diǎn)。具體地，在金屬膜14a受到等離子體氧化形成高電阻膜14后使層間絕緣膜15通過等離子體CVD處理連續(xù)(不斷地)形成。結(jié)果，步驟得到簡化。在等離子體氧化中，例如，期望金屬膜14a在基板10的溫度約為200°C到400°C (包括200°C和400°C )時(shí)受到等離子體的作用，該等離子體在諸如氧和ー氧化ニ氮(dinitroxide)的混合氣體的含氧的氣氛中產(chǎn)生。這是因?yàn)橥ㄟ^這樣的等離子體氧化形成的高電阻膜14可如上所述具有對(duì)于外部氣氛的高阻擋性能。此外，除通過金屬膜14a和半導(dǎo)體層11的反應(yīng)來減小電阻的方法之外，減小半導(dǎo)體層11的預(yù)定區(qū)域的電阻的方法還可包括通過等離子體處理減小電阻的方法，以及通過從等離子體CVD處理沉積的氮化硅膜擴(kuò)散氫而減小電阻的方法。然后如圖9A所示形成層間絕緣膜15。具體地，層間絕緣膜15包括上述包含丙烯酸樹脂的有機(jī)膜、包含氧化硅膜或氧化鋁膜的無機(jī)膜、或這些有機(jī)膜和無機(jī)膜的堆疊膜，并在高電阻膜14的整個(gè)表面上沉積上述厚度。期望諸如氧化硅膜的無機(jī)膜通過等離子體CVD處理沉積，且期望氧化鋁膜通過使用鋁靶與DC或AC電源的反應(yīng)濺射處理沉積。這是因?yàn)橥ㄟ^該處理使無機(jī)膜高速沉積。有機(jī)膜是通過涂覆沉積的，例如通過旋轉(zhuǎn)涂覆或狹縫涂覆。然后，例如通過在與半導(dǎo)體層11的源/漏區(qū)IlSD相対的區(qū)域的一部分中光刻和蝕刻，貫通層間絕緣膜15和高電阻膜14形成接觸孔H2，。然后，如圖9B所示，通過濺射處理在層間絕緣膜15上沉積包括上述材料的源/漏電極層16，以填充接觸孔H2，然后利用光刻和蝕刻處理將源/漏電極層16圖案化為預(yù)定形狀。因此，源/漏電極層16形成為與半導(dǎo)體層11的源/漏區(qū)IlSD電連接。如上所述，在基板10上形成晶體管IOB和保持電容源極10C。然后，例如通過旋轉(zhuǎn)涂覆或狹縫涂覆沉積的包括上述材料的平坦化膜17覆蓋層間絕緣膜15和源/漏電極層16，且在與源/漏電極層16相対的區(qū)域的一部分中形成接觸孔H3。然后，在平坦化膜17上形成有機(jī)EL元件IOA0具體地，包括上述材料的第一電極 18通過例如濺射處理在平坦化膜17上形成，以填充接觸孔H3，然后通過光刻和蝕刻圖案化第一電極18。然后，在第一電極18上形成具有開ロ的像素隔離膜19，且通過例如真空蒸發(fā)處理沉積有機(jī)層20。然后，通過濺射處理在有機(jī)層20上沉積包括上述材料的第二電極21。然后，通過例如CVD處理在第二電極21上沉積保護(hù)層22，然后將密封基板23附著到保護(hù)層22上。圖I中所示有機(jī)EL顯示裝置I的制造處理至此結(jié)束。[操作和效果]在實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置I中，例如，當(dāng)對(duì)應(yīng)于每種色彩的視頻信號(hào)的驅(qū)動(dòng)電流施加到對(duì)應(yīng)于R、G和B之一的每個(gè)像素時(shí)，電子和空穴通過第一和第二電極18和21注入到有機(jī)層20中。電子和空穴在有機(jī)層20的有機(jī)EL層中復(fù)合，導(dǎo)致發(fā)光。以該方式，有機(jī)EL顯示裝置I例如執(zhí)行R、G和B的全色視頻顯示。在有機(jī)EL顯示裝置I中，對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電位在上述視頻顯示操作過程中施加到電容保持元件IOC的一端，以使得對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷累積在電容保持元件IOC中。在該實(shí)施方式中，如上所述，電容保持元件IOC具有堆疊結(jié)構(gòu)，其中絕緣膜12B夾在包含氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層11和導(dǎo)電膜13B之間。具體地，電容保持元件IOC是利用半導(dǎo)體層11的一部分形成的。圖10示出了根據(jù)實(shí)施方式的比較例(比較例I)的電容保持元件100的堆疊結(jié)構(gòu)。在比較例I中，例如，利用基板101上晶體管的柵極絕緣膜的一部分設(shè)置絕緣膜102，且在絕緣膜102上(在與晶體管的柵電極相同的層中)設(shè)置導(dǎo)電膜103。在導(dǎo)電膜103上設(shè)置具有大厚度的層間絕緣膜104，且在層間絕緣膜104上在與源/漏電極層相同的層中設(shè)置導(dǎo)電膜105。以該方式，比較例I的電容保持元件100具有以下結(jié)構(gòu)，其中層間絕緣膜104夾在導(dǎo)電膜103和105之間，導(dǎo)電膜103和105分別設(shè)置在與晶體管的柵電極和源/漏電極相同的層中。電容也允許通過這樣的堆疊結(jié)構(gòu)形成。然而，在這樣的電容保持元件100中，層間絕緣膜104的厚度較大(微米級(jí)尺寸)，且因此電容小，導(dǎo)致對(duì)寄生電容的靈敏度較高。另ー方面，在該實(shí)施方式中，利用半導(dǎo)體層11的一部分設(shè)置電容保持元件10C，因此夾在半導(dǎo)體層11和導(dǎo)電膜13B之間的絕緣膜12B可用作柵極絕緣膜。即，柵極絕緣膜的厚度與柵極絕緣膜12A的厚度相同(小于層間絕緣膜15的厚度)。結(jié)果，與比較例I相比，使得該實(shí)施方式中確保大電容。圖IlA是示出了根據(jù)實(shí)施方式的另ー比較例(比較例2)的電容保持元件100A的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖。圖IlB是示出了從導(dǎo)電膜103側(cè)觀看的堆疊結(jié)構(gòu)的截面圖。在電容保持元件100A中，將導(dǎo)電膜103設(shè)置在半導(dǎo)體層101上，其間介有利用柵極絕緣膜形成的絕緣膜102。電容通過這樣的堆疊結(jié)構(gòu)形成。在電容保持元件100A中，雖然如同實(shí)施方式中那樣使得確保較大的電容，但電容可由于半導(dǎo)體層101和導(dǎo)電膜103之間施加的電壓而變化。如果電容變化，則可能無法根據(jù)像素電路的驅(qū)動(dòng)條件而設(shè)置足夠的電容，這導(dǎo)致圖像質(zhì)量降低。相反，該實(shí)施方式的電容保持元件IOC在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中具有凹槽H1，該凹槽Hl是通過去除導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B形成的。因此，由于凹槽Hl在半導(dǎo)體層11上不具有導(dǎo)電膜13B或絕緣膜12B，氧易于通過凹槽Hl從氧化物半導(dǎo)體脫離。結(jié)果，使得氧化物半導(dǎo)體膜中的載流子濃度增加。換句話說，TFT特性中的閾值電壓移至負(fù)側(cè)。圖12示出了根據(jù)比較例2的電容保持元件中施加的電壓和電容之間的關(guān)系。圖13示出了實(shí)施方式的電容保持元件IOC中施加的電壓和電容之間的關(guān)系。這樣，與比較例相比，實(shí)施方式中電壓特性移至負(fù)側(cè)，因此電容相對(duì)于電壓變化小(例如，OV附近區(qū)域)的范圍是可用的。這導(dǎo)致電容對(duì)電壓的依賴性減小。
圖14示出了凹槽間距離d (包括導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B的部分的寬度)和電容保持元件IOC的閾值電壓(Vth)之間的關(guān)系。如圖所示，較小的凹槽間距離d對(duì)于像素電路的操作是理想的，因?yàn)槠涮峁┹^大的電容。特別地，在8μπι以下的凹槽間距離d的范圍內(nèi)，隨著凹槽間距離d的減小，Vth移至負(fù)側(cè)。這表明電容保持元件IOC理想的凹槽間距離d為8 μ m以下。如上所述，在該實(shí)施方式中，與有機(jī)EL元件IOA和晶體管IOB —起設(shè)置在基板10上的電容保持元件IOC具有堆疊結(jié)構(gòu)，在該堆疊結(jié)構(gòu)中導(dǎo)電膜13B (與柵電極13A在同一層中)設(shè)置在包括氧化物半導(dǎo)體的半導(dǎo)體層11上，其間介有絕緣膜12B(與柵極絕緣膜12A在同一層中)。凹槽Hl是在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中通過去除導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B而設(shè)置的。這可抑制電容保持元件IOC的電容根據(jù)施加的電壓而變化，從而保持所需的電容。結(jié)果，允許抑制圖像質(zhì)量的降低。此外，這使得有源驅(qū)動(dòng)顯示器顯示高質(zhì)量圖像，導(dǎo)致大畫面、高分辨率和高幀率。此外，由于實(shí)現(xiàn)了較大的電容，所以可減小像素布局中的配線占據(jù)率，因此能夠以高產(chǎn)率制造具有較少缺陷的面板。[修改例]下面將描述根據(jù)該實(shí)施方式的修改例的顯示裝置(液晶顯示裝置2)。圖15示出了液晶顯示裝置2的截面結(jié)構(gòu)。如上述實(shí)施方式中的有機(jī)EL顯示裝置中那樣，液晶顯示裝置2包括基板10上的顯示元件、晶體管IOB和電容保持元件10C,但顯示元件是液晶顯示元件20A而非有機(jī)EL元件。具體地，液晶顯示裝置2中，晶體管IOB和電容保持元件IOC設(shè)置在基板10上，且液晶顯示元件20A設(shè)置在這些部件上。背光27設(shè)置在基板10的下方，且偏光板28a和28b附著到基板10的背光27側(cè)并附著到密封基板23上。與該實(shí)施方式中相同的部件以相同符號(hào)表示，并適當(dāng)省略其說明。在液晶顯示元件20A中，例如，液晶層25A被封閉在像素電極29和對(duì)向電極26之間，且對(duì)準(zhǔn)膜24a和24b設(shè)置在像素電極29和對(duì)向電極26的液晶層25側(cè)的各個(gè)表面上。例如，為每個(gè)像素設(shè)置像素電極29，并且像素電極29電連接至晶體管IOB的源/漏電極層16。例如，對(duì)向電極26對(duì)于多個(gè)像素公共地設(shè)置，并保持在公共電位。液晶層25包括例如以垂直對(duì)準(zhǔn)(VA)模式、扭轉(zhuǎn)向列(TN)模式或面內(nèi)切換(IPS)模式驅(qū)動(dòng)的液晶。背光27是將光發(fā)射到液晶層25的光源，并例如包括例如多個(gè)發(fā)光二極管(LED)或冷陰極熒光燈(CCFL)。背光27由未示出的背光驅(qū)動(dòng)部件控制開或關(guān)。偏光板28a和28b (偏光鏡和分析儀)例如以交叉尼科爾(crossed-Nicol)方式設(shè)置，從而在未施加電壓時(shí)阻擋來自背光27的照明光(“關(guān)閉”狀態(tài))，并在施加電壓時(shí)使其透過(“打開”狀態(tài))。在這樣的液晶顯示裝置2中，如實(shí)施方式的有機(jī)EL顯示裝置I中那樣，電容保持元件IOC利用晶體管IOB中半導(dǎo)體層11的一部分而設(shè)置，且凹槽Hl是在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中通過去除導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B而設(shè)置。因此，修改例的電容保持元件IOC也具有較大的保持電容，且實(shí)現(xiàn)電容對(duì)電壓依賴性的減小。特別地，本發(fā)明的顯示裝置不僅可應(yīng)用到上述有機(jī)EL顯示裝置I，而且可應(yīng)用到液晶顯示裝置2。 [應(yīng)用例]以下，將說明上述顯示裝置(有機(jī)EL顯示裝置I和液晶顯示裝置2)應(yīng)用到電子設(shè)備的實(shí)例。電子設(shè)備例如包括電視設(shè)備、數(shù)碼相機(jī)、筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)、如移動(dòng)電話的移動(dòng)終端裝置以及視頻攝像機(jī)。換句話說，上述顯示裝置可應(yīng)用于不同領(lǐng)域的電子設(shè)備，以將外部接收或內(nèi)部生成的視頻信號(hào)顯示為靜態(tài)或視頻圖像。[模塊]顯示裝置例如作為圖16中所示的模塊內(nèi)置在諸如下述應(yīng)用例I到5的各種電子設(shè)備中。在模塊中，例如，基板10的ー側(cè)具有從密封基板23暴露的區(qū)域210，并且通過延伸水平選擇器51、寫入掃描器52和電源掃描器53的配線，將外部連接端子(未示出)設(shè)置在暴露區(qū)域210上。外部連接端子可以附有柔性印刷電路(FPC) 220，以用于輸入/輸出信號(hào)。[應(yīng)用例I]圖17示出了電視設(shè)備的外觀。電視設(shè)備例如具有包括前面板310和濾光玻璃320的圖像顯示畫面部300,且圖像顯示畫面部300對(duì)應(yīng)于上述顯示裝置。[應(yīng)用例2]圖18A和18B示出了數(shù)碼相機(jī)的外觀。數(shù)碼相機(jī)例如具有用于閃光的發(fā)光部410、顯示部420、菜單開關(guān)430和快門按鈕440，且顯示部420對(duì)應(yīng)于上述顯示裝置。[應(yīng)用例3]圖19示出了筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)的外觀。筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)例如具有主體510、用于字母等的輸入操作的鍵盤520和用于顯示圖像的顯示部530，且顯示部530對(duì)應(yīng)于上述顯
示裝置。[應(yīng)用例4]圖20示出了視頻攝像機(jī)的外觀。視頻攝像機(jī)例如具有主體部610、設(shè)置在主體部610的前表面上的物體拍攝鏡頭620、用于拍攝的啟動(dòng)/停止開關(guān)630和顯示部640。顯示部640對(duì)應(yīng)于上述顯示裝置。[應(yīng)用例5]圖21A至圖21G示出了移動(dòng)電話的外觀。例如，移動(dòng)電話由通過鉸鏈部730彼此連接的上殼體710和下殼體720構(gòu)成，并具有顯示器740、副顯示器750、畫面燈760和攝像頭770。顯示器740或副顯示器750對(duì)應(yīng)于上述顯示裝置。雖然上文參考實(shí)施方式及修改例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了描述，但本發(fā)明不限于這些實(shí)施方式等，并可做出各種修改或變化。例如，雖然該實(shí)施方式已經(jīng)通過以下這種結(jié)構(gòu)作為本發(fā)明的凹槽的實(shí)例來例示，即在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中通過整體地去除導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B而設(shè)置開ロ(開ロ從導(dǎo)電膜13B的表面貫通至半導(dǎo)體層11的表面而設(shè)置)，但是導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B可不整體去除。具體地，導(dǎo)電膜13B和絕緣膜12B可在半導(dǎo)體層11上的選擇性區(qū)域中在其厚度(深度)方向上部分去除(開ロ可以不是從導(dǎo)電膜13B的表面貫通至半導(dǎo)體層11的表面而設(shè)置)。例如，凹槽Hl可以通過在厚度方向上僅選擇性地去除導(dǎo)電膜13B(或?qū)щ娔?3B的一部分)而設(shè)置，如圖22A所示?？蛇x地，凹槽Hl可通過在頂側(cè)去除所有導(dǎo)電膜13B和一部分絕緣膜12B而設(shè)置，如圖22B所示。然而，由于氧從半導(dǎo)體層11脫離，所以如實(shí)施方式中那樣凹槽Hl延伸到半導(dǎo)體層11的表面的結(jié)構(gòu)，更有效地提供了減小電壓依賴性的效 果，并使得制造處理簡化。此外，雖然實(shí)施方式等中示出了電容保持元件IOC的絕緣膜12B與晶體管IOB的柵極絕緣膜12A分開圖案化的結(jié)構(gòu)，但柵極絕緣膜12A和絕緣膜12B可不必分開，并可從晶體管IOB到電容保持元件IOC連續(xù)形成。此外，雖然示例的半導(dǎo)體層11是從晶體管IOB到電容保持元件IOC—體(連續(xù))形成的，但半導(dǎo)體層11可分開設(shè)置在晶體管IOB和電容保持元件IOC的姆ー個(gè)中。而且，雖然已經(jīng)以具有高電阻膜14的示例性結(jié)構(gòu)對(duì)實(shí)施方式等進(jìn)行了描述，但也可以不設(shè)置高電阻膜14。然而，具有高電阻膜14的結(jié)構(gòu)是理想的，因?yàn)槿缟纤?，其有助于穩(wěn)定地保持晶體管IOB和電容保持元件IOC的電特性。此外，雖然實(shí)施方式等中半導(dǎo)體層11的預(yù)定區(qū)域的電阻是通過金屬膜14a和半導(dǎo)體層11的反應(yīng)而減小的，但也可使用其他方法，例如，通過等離子體處理減小電阻的方法，以及通過從等離子體CVD處理等沉積的氮化硅膜擴(kuò)散氫來減小電阻的方法等。此外，雖然從頂部觀察，設(shè)置在電容保持元件IOC中的凹槽Hl被示例為具有正方形(圖3A)或矩形(圖3B)的形狀(開ロ形狀)，但凹槽的開ロ形狀不限于這些，并可包括不同的其他形狀(例如，圓形和多邊形)。通過上述示例性實(shí)施方式和本發(fā)明的修改例，至少可以實(shí)現(xiàn)以下結(jié)構(gòu)(I)至(9)。(I) 一種顯示裝置,包括基板；顯示元件；晶體管,作為顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件；以及電容保持元件，保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷，其中，顯示元件、晶體管以及電容保持元件設(shè)置在基板上，并且電容保持元件包括第一半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體，第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上，第一絕緣膜，設(shè)置在第一半導(dǎo)體層和第一導(dǎo)電膜之間，以及凹槽，通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成。(2)根據(jù)(I)的顯示裝置，其中，晶體管以靠近基板的順序包括第二半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體，第二絕緣膜，作為設(shè)置在第二半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中的柵極絕緣膜，第二導(dǎo)電膜，作為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第二絕緣膜的區(qū)域中的柵電極，以及源/漏電極層，設(shè)置為與第一半導(dǎo)體層電連接。
(3)根據(jù)(2)的顯示裝置，其中，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層由相同材料形成，第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜由相同材料形成，以及第一絕緣膜和第二絕緣膜由相同材料形成。(4)根據(jù)(2)或(3)的顯示裝置，其中，第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層一體化設(shè)置。(5)根據(jù)(2)至(4)中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中，第一半導(dǎo)體層和第二半導(dǎo)體層在不與第一導(dǎo)電膜和電容保持元件中的每ー個(gè)相対的區(qū)域中具有電阻比其他區(qū)域的電阻低的低電阻區(qū)。(6)根據(jù)(5)的顯示裝置，其中，源/漏電極層電連接到第二半導(dǎo)體層的低電阻區(qū)。(7)根據(jù)(I)至出)中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中，電容保持元件被高電阻膜覆蓋。(8)根據(jù)(I)至(7)中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中，顯示元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
(9)根據(jù)(I)至(7)中任一項(xiàng)的顯示裝置，其中，顯示元件是液晶顯示元件。本發(fā)明包含于2011年3月29日向日本專利局提交的日本在先專利申請JP2011-071487中所公開的主題，其全部內(nèi)容結(jié)合于此作為參考。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以進(jìn)行各種修改、組合、子組合和變形，只要它們在所附權(quán)利要求或其等同物的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括 基板； 顯示元件； 晶體管，作為所述顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件；以及 電容保持元件，保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷， 其中，所述顯示元件、所述晶體管以及所述電容保持元件設(shè)置在所述基板上，并且 所述電容保持元件包括 第一半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體， 第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上，第一絕緣膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電膜之間，以及凹槽，通過在所述第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除所述第一導(dǎo)電膜和所述第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置， 其中，所述晶體管以靠近所述基板的順序包括 第二半導(dǎo)體層，包含氧化物半導(dǎo)體， 第二絕緣膜，作為設(shè)置在所述第二半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中的柵極絕緣膜， 第二導(dǎo)電膜，作為設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述第二絕緣膜的區(qū)域中的柵電極，以及 源/漏電極層，設(shè)置為與所述第一半導(dǎo)體層電連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置， 其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層由相同材料形成， 所述第一導(dǎo)電膜和所述第二導(dǎo)電膜由相同材料形成，以及 所述第一絕緣膜和所述第二絕緣膜由相同材料形成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層一體化設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其中，所述第一半導(dǎo)體層和所述第二半導(dǎo)體層在不與所述第一導(dǎo)電膜和所述電容保持元件中的每一個(gè)相對(duì)的區(qū)域中具有電阻比其他區(qū)域的電阻低的低電阻區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置，其中，所述源/漏電極層電連接到所述第二半導(dǎo)體層的低電阻區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述電容保持元件被高電阻膜覆蓋。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件是有機(jī)電致發(fā)光元件。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述顯示元件是液晶顯示元件。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的顯示裝置，其中，所述電容保持元件利用用于形成所述晶體管中的溝道的所述第一半導(dǎo)體層的一部分來形成電容。
11.一種電子設(shè)備，其包括 顯示裝置，其包括 基板，并且所述顯示裝置在所述基板上包括 顯示元件， 晶體管，作為所述顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件，以及電容保持元件，保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷， 其中，所述電容保持元件包括 第一半導(dǎo)體層，包括氧化物半導(dǎo)體， 第一導(dǎo)電膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上， 第一絕緣膜，設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層和所述第一導(dǎo)電膜之間，以及凹槽，通過在所述第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域內(nèi)去除所述第一導(dǎo)電膜和所述第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示裝置和電子設(shè)備，其中，該顯示裝置其包括基板、顯示元件、作為顯示元件的驅(qū)動(dòng)元件的晶體管、以及保持對(duì)應(yīng)于視頻信號(hào)的電荷的電容保持元件。顯示元件、晶體管和電容保持元件設(shè)置在基板上。該電容保持元件包括包含氧化物半導(dǎo)體的第一半導(dǎo)體層、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第一導(dǎo)電膜、設(shè)置在第一半導(dǎo)體層與第一導(dǎo)電膜之間的第一絕緣膜、以及通過在第一半導(dǎo)體層上的選擇性區(qū)域中去除第一導(dǎo)電膜和第一絕緣膜的厚度的一部分或全部而形成的凹槽。
文檔編號(hào)H01L27/32GK102738145SQ20121007867
公開日2012年10月17日 申請日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者諸沢成浩 申請人:索尼公司