專利名稱：用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備，更具體地涉及用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備的改進(jìn)，所述層壓主體包括膜狀基材和通過真空沉積聚合沉積在膜狀基材上的至少ー個蒸汽沉積聚合膜。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，出于多種目的使用包括諸如樹脂膜的膜狀基材和通過真空沉積聚合形成在膜狀基材上的蒸汽沉積聚合膜的層壓主體。例如，層壓主體用作氣體屏障膜，以便防止氧氣或者水蒸汽的滲透，或者用作有機電致發(fā)光単元。此外，近來考慮到使用包括金屬化膜和 金屬化膜上的蒸汽沉積聚合膜的堆疊膜作為薄膜電容器元件。具有多種類型的設(shè)備作為用于生產(chǎn)這種層壓主體的設(shè)備，其中一個例子例如顯示在JP-A-2001-261867中。JP-A-2001-261867中公開的設(shè)備在其真空室中包括轉(zhuǎn)動鼓(其中稱為冷卻和涂覆輥)、將膜狀基材(其中稱為基材膜)供應(yīng)到轉(zhuǎn)動鼓的外周表面上的供給輥、以及ー對各自加熱和蒸發(fā)不同種類材料単體的蒸發(fā)源。該設(shè)備被布置成通過以下方式在膜狀基材上形成蒸汽沉積聚合膜，即，使用兩個蒸發(fā)源蒸發(fā)材料單體并使兩種蒸汽單體聚合在膜狀基材上，同時從供給輥展開并被發(fā)送到轉(zhuǎn)動鼓外周表面的膜狀基材隨同轉(zhuǎn)動鼓的轉(zhuǎn)動而在轉(zhuǎn)動鼓的周向方向行進(jìn)。這種用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備能夠以連續(xù)エ藝批量生產(chǎn)想要的層壓主體。但是，在上面描述的傳統(tǒng)設(shè)備中，整個真空室構(gòu)成沉積室。此外，只有ー對均包含不同種類材料単體的蒸發(fā)源設(shè)置在真空室中，兩種單體蒸汽只通過該對蒸發(fā)源供應(yīng)到膜狀基材上。因此，真空室中壓カ的改變(真空度的改變)以及由相應(yīng)蒸發(fā)源中剩余的材料單體量和加熱溫度的改變造成的材料単體的蒸發(fā)速度(単體蒸汽的蒸汽壓力)的改變直接影響蒸汽沉積聚合膜的成分和沉積速度(蒸汽沉積聚合膜的形成速度)。結(jié)果，生產(chǎn)的層壓主體的蒸汽沉積聚合膜具有變化的成分和變化的厚度。在通過使用傳統(tǒng)設(shè)備在膜狀基材上形成厚的蒸汽沉積聚合膜時，每個蒸發(fā)源中的材料単體的蒸發(fā)速度必須增加。然而，在這種情況下，很難控制蒸發(fā)源中的材料単體的加熱溫度。此外，隨著單體蒸汽的蒸汽壓カ變高，蒸發(fā)源的部件的耐壓性必須增加，從而導(dǎo)致成本增加的問題。此外，在通過上面描述的傳統(tǒng)設(shè)備在膜狀基材上形成多種蒸汽沉積聚合膜時，必須使蒸汽沉積聚合操作重復(fù)與蒸汽沉積聚合膜的種類數(shù)相同的次數(shù)，非常麻煩。JP-A-2008-287996公開了ー種用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備，其包括兩組蒸發(fā)源，每組都包含不同種類的材料単體。但是，由于兩組蒸發(fā)源之間的相互干擾，該設(shè)備在保持兩組蒸發(fā)源生成的每種單體蒸汽的希望蒸汽壓カ方面具有困難。

發(fā)明內(nèi)容
考慮到上面的情況做出本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種設(shè)備，其能夠穩(wěn)定地生產(chǎn)包括在膜狀基材上具有預(yù)定成分和厚度的蒸汽沉積聚合膜的層壓主體，并且能夠進(jìn)ー步容易有效地生產(chǎn)包括厚蒸汽沉積聚合膜或多種蒸汽沉積聚合膜的層壓主體。為了實現(xiàn)上述目的，或者為了解決通過本說明書和附圖的描述理解的問題，本發(fā)明可優(yōu)選根據(jù)下文描述的多個方面實施。下面描述的每個方面可以任何組合采用。應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的方面和技術(shù)特征不局限于下面描述的那些，而是可根據(jù)整個說明書和附圖公開的發(fā)明構(gòu)思認(rèn)識。(I) 一種用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備，所述層壓主體包括膜狀基材和通過真空沉積聚合沉積在所述膜狀基材上的至少ー個蒸汽沉積聚合膜，所述設(shè)備包括(a)真空室；(b)排放裝置，其將空氣從所述真空室排放以使真空室形成真空狀態(tài)；(C)轉(zhuǎn)動鼓，其可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述真空室中，所述轉(zhuǎn)動鼓具有外周表面，該外周表面上設(shè)置與其接觸的所述膜狀 基材，由此允許所述膜狀基材隨著所述轉(zhuǎn)動鼓的轉(zhuǎn)動而在周向方向上行迸；(d)膜狀基材供應(yīng)裝置，其將所述膜狀基材供應(yīng)到所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面上；(e)多個吹出構(gòu)件，其圍繞所述轉(zhuǎn)動鼓定位以在所述周向方向上彼此排列，所述多個吹出構(gòu)件的每個包括在所述真空室內(nèi)側(cè)開放至所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面的蒸汽出口和通過覆蓋壁限定的內(nèi)部空間；(f)多個沉積室，所述多個沉積室均由所述多個吹出構(gòu)件的每個的內(nèi)部空間的部分構(gòu)成并定位在所述真空室內(nèi)側(cè)；和(g)至少ー個単體蒸汽供應(yīng)裝置，其包括通過加熱和蒸發(fā)多種材料単體生成多種單體蒸汽的多個蒸發(fā)源；和與所述多個沉積室的每個連通的多個連通通道，所述至少一個單體蒸汽供應(yīng)裝置布置成通過所述多個連通通道向所述多個沉積室的每個中供應(yīng)在所述多個蒸發(fā)源中生成的所述多種単體蒸汽，由此所述多種單體蒸汽從所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口吹出。(2)根據(jù)上面的方面(I)所述的設(shè)備，其中，通過使用所述多個吹出構(gòu)件的至少兩個形成一個蒸汽沉積聚合膜。(3)根據(jù)上面的方面(I)或(2)所述的設(shè)備，其中，所述多個吹出構(gòu)件的每個包括用于部分屏蔽所述膜狀基材的屏蔽構(gòu)件，所述屏蔽構(gòu)件設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口處以在所述轉(zhuǎn)動鼓的周向上跨過所述蒸汽出口延伸，由此防止從所述蒸汽出口吹出的所述多種単體蒸汽附著到膜狀基材的通過所述屏蔽構(gòu)件屏蔽的部分。(4)根據(jù)上面的方面(I)至(3)的任一項所述的設(shè)備，還包括對所述膜狀基材充電的充電裝置，所述充電裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最上游側(cè)處的一個吹出構(gòu)件的上游側(cè)。(5)根據(jù)上面的方面(4)所述的設(shè)備，還包括對由所述充電裝置充電的膜狀基材進(jìn)行中和的中和裝置，所述中和裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最下游側(cè)處的ー個吹出構(gòu)件的下游側(cè)。(6)根據(jù)上面的方面(I)至(5)的任一項所述的設(shè)備，還包括對形成在所述膜狀基材上的蒸汽沉積聚合膜進(jìn)行硬化的硬化裝置，所述硬化裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最下游側(cè)處的一個吹出構(gòu)件的下游側(cè)。(7)根據(jù)上面的方面(I)至出)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材的厚度為5μηι或更小。(8)根據(jù)上面的方面(I)至(7)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口和所述轉(zhuǎn)動鼓的外周表面之間的距離為5_或更小。(9)根據(jù)上面的方面(I)至(8)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述至少ー個蒸汽沉積聚合膜的厚度為 ο μ m或更小。(10)根據(jù)上面的方面(I)至(9)的任一項所述的設(shè)備，還包括金屬蒸汽供應(yīng)裝置，該金屬蒸汽供應(yīng)裝置包括通過加熱和蒸發(fā)金屬沉積材料生成金屬蒸汽的蒸發(fā)源和與所述沉積室連通的連通通道，所述金屬蒸汽供應(yīng)裝置布置成通過所述連通通道向所述沉積室供應(yīng)蒸發(fā)源中生成的金屬蒸汽，由此所述金屬蒸汽從所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口吹出。(11)根據(jù)上面的方面(I)至(10)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材包括 金屬化膜，該金屬化膜包括聚丙烯基雙軸向拉伸膜和形成在所述聚丙烯基雙軸向拉伸膜的至少ー個表面上的金屬沉積膜。 (12)根據(jù)上面的方面(I)至(10)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材包括金屬化膜，該金屬化膜包括聚對苯ニ甲酸こニ醇酯基雙軸向拉伸膜和形成在所述聚對苯ニ甲酸こニ醇酯基雙軸向拉伸膜的至少ー個表面上的金屬沉積膜。(13)根據(jù)上面的方面(I)至(11)的任一項所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材供應(yīng)裝置包括供給裝置，該供給裝置布置成通過將膜狀基材從所述膜狀基材的卷筒展開而將膜狀基材供應(yīng)到轉(zhuǎn)動鼓的外周表面上。(14)根據(jù)上面的方面(12)所述的設(shè)備，其中，至少ー個分隔壁設(shè)置在所述真空室中，使得所述真空室被分成其中設(shè)置所述供給裝置的第一部分和其中設(shè)置所述多個吹出構(gòu)件的第二部分，由此允許獨立地改變每個所述部分的內(nèi)部壓力。(15)根據(jù)上面的方面(I)至(10)的任一項所述的設(shè)備，其中，至少ー個単體蒸汽供應(yīng)裝置包括多個單體蒸汽供應(yīng)裝置且所述膜狀基材供應(yīng)裝置包括所述多個単體蒸汽供應(yīng)裝置的至少ー個，從所述多個単體蒸汽供應(yīng)裝置的至少ー個供應(yīng)到所述多個沉積室的至少ー個中并從所述蒸汽出口吹出的所述多種単體蒸汽聚合在所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面上，由此在所述轉(zhuǎn)動鼓的外周表面上形成包括蒸汽沉積聚合膜基材的膜狀基材。根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備可穩(wěn)定地生產(chǎn)包括在膜狀基材上具有均勻成分和厚度的蒸汽沉積聚合膜的層壓主體。此外，可以簡單有效地以最低可能成本生產(chǎn)包括厚蒸汽沉積聚合膜或者多種蒸汽沉積聚合膜的層壓主體。


通過結(jié)合附圖閱讀對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式的以下詳細(xì)描述，將更好地理解本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點以及技術(shù)和エ業(yè)意義，其中圖I是說明通過根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備生產(chǎn)的層壓主體的ー種實施方式的軸向截面圖；圖2是示意性顯示本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備的一種實施方式的視圖；圖3是說明圖2所示的吹出構(gòu)件的內(nèi)部空間的軸向截面圖；圖4是從圖3的箭頭IV方向看的說明圖；以及
圖5是與圖2對應(yīng)且顯示本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備的另ー實施方式的視圖。
具體實施例方式為了進(jìn)ー步闡述本發(fā)明，將參照附圖描述本發(fā)明的詳細(xì)實施方式。首先，圖I以軸向截面圖顯示了用作構(gòu)成薄膜電容器的薄膜電容器元件的層壓主體，作為通過本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備生產(chǎn)的層壓主體的ー個例子。從圖I很清楚，層壓主體10包括作為膜狀基材的金屬化膜15。金屬化膜15包括樹脂膜12、形成在樹脂膜12的ー個表面上的金屬沉積膜14a、以及形成在樹脂膜12的另ー個表面上的金屬沉積膜14b。此外，蒸汽沉積聚合膜16在與樹脂膜12 —側(cè)相對的ー側(cè)處形成在形成于樹脂膜12的ー個表面上的金屬沉積膜14a的表面上。具體地，這里，樹脂膜12由通過聚丙烯制成的雙軸向拉伸膜形成并具有大約I至 IOym的厚度。樹脂膜12構(gòu)成使用層壓主體10生產(chǎn)的薄膜電容器的電介質(zhì)。樹脂膜12可以是能夠構(gòu)成傳統(tǒng)薄膜電容器的電介質(zhì)的任何樹脂膜。例如，樹脂膜12可以是由聚對苯ニ甲酸こニ醇酯制成的雙軸向拉伸膜、諸如聚こ烯硫化基雙軸向拉伸樹脂膜和聚こ烯萘基雙軸向拉伸樹脂膜的聚こ烯基雙軸向拉伸膜、以及聚偏ニ氟こ烯樹脂膜。此外，可以理解，根據(jù)層壓主體10的應(yīng)用，樹脂膜12可以是單軸向拉伸樹脂膜或者非拉伸樹脂膜。這里，金屬沉積膜14a、14b由鋁制成。均構(gòu)成使用層壓主體10生產(chǎn)的薄膜電容器的內(nèi)部電極的金屬沉積膜14a、14b形成在樹脂膜12的各自表面上。具體地，金屬沉積膜14a、14b通過傳統(tǒng)上已知的與PVD和CVD相同類別的真空沉積エ藝使用形成薄膜電容器的內(nèi)部電極的傳統(tǒng)上已知的金屬材料(例如鋁和鋅)作為沉積材料形成在樹脂膜12的相應(yīng)表面上。金屬沉積膜14a、14b的膜電阻被調(diào)節(jié)為大約I至50 ロ /cm2且根據(jù)例如膜電阻適當(dāng)?shù)卮_定其厚度?？梢岳斫?，根據(jù)層壓主體10的應(yīng)用，可以使用除了鋁和鋅之外的金屬材料作為金屬沉積膜14a、14b的形成材料。這里，樹脂膜12的每個表面包括一區(qū)域，在該區(qū)域，金屬沉積膜14a、14b不在樹脂膜12的寬度方向(圖I中的右和左方向)上的每個端部處形成在樹脂膜12的整個長度上。此外，樹脂膜12的上面形成有金屬沉積膜14b的表面被形成為包括一區(qū)域，在該區(qū)域，金屬沉積膜14b不在樹脂膜12的寬度方向上的中間區(qū)域形成在樹脂膜的整個長度上。樹脂膜12的沒有形成金屬沉積膜的所述區(qū)域均被稱為第一留白部18。蒸汽沉積聚合膜16構(gòu)成薄膜電容器的電介質(zhì)，其通過使用具有樹脂膜12的層壓主體10生產(chǎn)并通過已知的真空沉積聚合形成在金屬沉積膜14a上。通過已知的真空沉積聚合形成的蒸汽沉積聚合膜16具有比樹脂膜12充分小的厚度和更高的介電常數(shù)。結(jié)果，層壓主體10的整個厚度可以有利地被制得更小，并且通過使用層壓主體10生產(chǎn)的薄膜電容器可具有較小的尺寸和增加的容量。盡管蒸汽沉積聚合膜16的厚度沒有特別限制，但優(yōu)選的是其厚度為大約O. 001至IOum0形成厚度小于O. 001 μ m的蒸汽沉積聚合膜16非常困難。因此，實際上蒸汽沉積聚合膜16的厚度為O. 001 μ m或以上。此外，如果蒸汽沉積聚合膜16的厚度大于10 μ m，難以使包括蒸汽沉積聚合膜16作為電介質(zhì)的薄膜電容器具有較小的尺寸和増加的容量。蒸汽沉積聚合膜16的種類沒有特別限制，只要它是可以通過真空沉積エ藝形成的樹脂膜即可。構(gòu)成蒸汽沉積聚合膜16的樹脂膜的例子包括聚脲樹脂膜、聚酰胺樹脂膜、聚酰亞胺樹脂膜、聚酰胺酰亞胺樹脂膜、聚酯樹脂膜、聚甲亞胺樹脂薄膜以及聚氨酯樹脂膜。在上面列出的樹脂膜中，有利地采用介電常數(shù)比樹脂膜12高的樹脂膜。薄膜電容器的電容可通過使用這種樹脂膜形成蒸汽沉積聚合膜16有效地增加。在上面列出的樹脂膜中，聚脲樹脂膜有利地用來形成蒸汽沉積聚合膜16。這是因為聚脲樹脂具有比樹脂膜12高的介電常數(shù)并且在単體(ニ異氰酸酯和ニ胺)的聚合中不需要加熱處理。此外，聚脲樹脂在不需要消除水、酒精等的加聚反應(yīng)中形成。因此，不需要用于單體聚合的加熱處理的設(shè)備(設(shè)施)，可以降低成本。此外，可以有效地避免由于加熱處理過程中生成的熱造成樹脂膜12變形。而且，不需要從進(jìn)行聚合反應(yīng)的真空室去除在聚合反應(yīng)過程中消除的水、酒精等。因此，不需要用于去除消除的水或酒精的設(shè)備，這也導(dǎo)致成本降低。另外，聚脲樹脂具有良好的耐熱性。結(jié)果，可以穩(wěn)定地獲得高耐壓蒸汽沉積聚合膜16。
在樹脂膜12的寬度方向上的中間區(qū)域處，蒸汽沉積聚合膜16不形成在樹脂膜12的整個長度上。樹脂膜12的沒有形成蒸汽沉積聚合膜16的區(qū)域被稱為第二留白部20，在該處暴露金屬沉積膜14a的寬度方向上的中間區(qū)域。此外，蒸汽沉積聚合膜16的寬度大于金屬沉積膜14a的寬度。結(jié)果，金屬沉積膜14a的寬度方向上的每個側(cè)表面通過蒸汽沉積聚合膜16的寬度方向上的每個端部部分覆蓋。在使用具有上述結(jié)構(gòu)的層壓主體10生產(chǎn)薄膜電容器元件時，最初，沿著均在縱向方向上延伸的切割平面K1、K2切割層壓主體10的寬度方向上的每個端部部分。結(jié)果，樹脂膜12的寬度方向上的端部部分和金屬沉積膜14b的寬度方向上的端部部分被切除。此外，在寬度方向(圖I中左右方向)上的中間處沿著在縱向方向(垂直于圖I的紙面的方向)上延伸的切割平面K3切割層壓主體10，使其分成兩半。接著，堆疊通過將層壓主體10分成兩半并且切除層壓主體10的寬度方向上的端部部分獲得的兩個層壓主體10、10，使得金屬沉積膜14b和蒸汽沉積聚合膜16在兩個層壓主體10、10中的ー個(例如定位在圖I中的切割平面K3的左側(cè)的ー個)水平反轉(zhuǎn)后彼此重疊。相應(yīng)地，獲得堆疊式薄膜電容器元件。隨后，通過已知エ藝在薄膜電容器元件的寬度方向的每個端表面上形成外部電極(盡管在圖中沒有顯示)。薄膜電容器元件的寬度方向上的ー個端表面(定位在圖I中的切割平面K3 —側(cè)的端表面)上的外部電極附著到金屬沉積膜14a在第二留白部20 —側(cè)(在圖I中的切割平面K3 —側(cè))處的端表面。此外，薄膜電容器元件的寬度方向上的另ー個端表面(定位在圖I中的切割平面Kl 一側(cè)的端表面)上的外部電極附著到金屬沉積膜14b在與第一留白部18相対的ー側(cè)(在圖I中的切割平面Kl側(cè))的端表面。接著，根據(jù)需要，將外部終端連接到每個外部電極，并將由此獲得的薄膜電容器元件密封在預(yù)定的殼體中以獲得堆疊式薄膜電容器。在生產(chǎn)這種堆疊式薄膜電容器元件或者薄膜電容器時，可以堆疊被分成兩半的三個或更多上述的層壓主體10。此外，還可以獲得通過卷繞單個分開的層壓主體10或者彼此堆疊的多個分開的層壓主體10獲得卷繞薄膜電容器元件。通過傳統(tǒng)エ藝在卷繞薄膜電容器元件的寬度方向上的每個表面上形成外部電極，接著在根據(jù)需要將外部終端連接到每個外部電極后將卷繞薄膜電容器元件容納在預(yù)定的殼體內(nèi)，由此獲得卷繞薄膜電容器。上述的層壓主體10通過例如圖2所示的本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備22生產(chǎn)。以下將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的第一實施方式的層壓主體的生產(chǎn)設(shè)備22。從圖2可清楚，根據(jù)本發(fā)明的生產(chǎn)設(shè)備22包括具有預(yù)定尺寸的真空室24。真空室24包括主要室26和輔助室28。主要室26通過第一周壁30包圍。輔助室28通過第一周壁30的部分和第二周壁32包圍。主要室26和輔助室28通過窗ロ 34彼此連通，窗ロ 34形成在第一周壁30的與第二周壁32 —起包圍輔助室28的部分處。在主要室26的中心處,可轉(zhuǎn)動地設(shè)置罐子棍(can roller) 35作為轉(zhuǎn)動鼓。此外，在主要室26中，兩個分隔壁36、36設(shè)置成從第一周壁30的內(nèi)表面延伸到罐子輥35。因此，環(huán)繞罐子輥35的主要室26的內(nèi)部空間通過兩個分隔壁36、36分成兩個。結(jié)果，第一真空部分38和第二真空部分40圍繞罐子輥35限定在主要室26中。此外，排放管42、42、42各自連接到主要室26的第一真空部分38和第二真空部分40以及輔助室28。每個真空泵44、44、44連接到每個排放管42、42、42。通過操作真空泵44、44、44，第一真空部分38、第二真空部分40和輔助室28的每個的內(nèi)部被形成真空狀態(tài)。這里，真空泵44、44、44被構(gòu)造成單獨控制。因此，第一真空部分38的真空度可被控制成低 于第二真空部分40和輔助室28的真空度。由此可清楚，在本實施方式中，排放管42、42、42和真空泵44、44、44構(gòu)成排放裝置。在輔助室28中，作為供給裝置的供給輥46和作為采集(take up)裝置的采集輥48之間設(shè)置有預(yù)定距離，以圍繞其平行于罐子輥35的轉(zhuǎn)動軸線的轉(zhuǎn)動軸線轉(zhuǎn)動。在供給輥46上裝配包括樹脂膜12和形成在樹脂膜12的每個表面上的金屬沉積膜14a、14b的上述金屬化膜15的膜卷筒50，并且膜卷筒50通過供給輥46的轉(zhuǎn)動展開。在采集輥48上以可移除方式卷繞通過供給輥46從膜卷筒50展開的金屬化膜15的末端部分。采集輥48例如通過電動馬達(dá)(未顯示)轉(zhuǎn)動地驅(qū)動。通過這種布置，在蒸汽沉積聚合膜16形成在金屬化膜15上以獲得層壓主體10后，從膜卷筒50展開的金屬化膜15利用采集輥48的轉(zhuǎn)動驅(qū)動由采集輥48采集，如稍后描述的。主要室26中的罐子輥35由通過例如鐵的金屬制成的筒體形成并定位在第一真空部分38和第二真空部分40中。具體地，罐子輥35設(shè)置在主要室26中，使得罐子輥35的外周表面的很大部分暴露于第二真空部分40且其其他部分暴露于第一真空部分38。罐子輥35例如通過電動馬達(dá)(未顯示)在ー個方向(由圖2中的箭頭A指示的方向)上轉(zhuǎn)動地驅(qū)動。這里，罐子輥35的外周表面的表面粗糙度(Rz)被布置成優(yōu)選在大約O. 6至2. O μ m的范圍。結(jié)果，最大程度地防止卷繞在罐子輥35上的金屬化膜15在隨罐子輥35的轉(zhuǎn)動而驅(qū)動的過程中具有褶皺。罐子輥35通過傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)處于電絕緣狀態(tài)。在罐子輥35的內(nèi)部，設(shè)置冷卻機構(gòu)54。冷卻機構(gòu)54具有例如用于通過循環(huán)冷卻介質(zhì)冷卻罐子輥35的外周表面的已知結(jié)構(gòu)。接著,通過窗ロ 34將從裝配在供給棍46上的膜卷筒50展開的金屬化膜15從輔助室28送往主要室26 (第一真空部分38)，并且卷繞到罐子輥35上。然后，通過窗ロ 34將卷繞在罐子輥35上的金屬化膜15的末端部分從主要室26 (第一真空部分38)送回輔助室28并且卷繞在采集輥48上。因此，從膜卷筒50展開的金屬化膜15隨著罐子輥35和采集輥48的轉(zhuǎn)動驅(qū)動在罐子輥35的轉(zhuǎn)動方向(由圖2中的箭頭A指示的方向)上進(jìn)行，同時與罐子輥35的外周表面接觸。此外，卷繞在罐子輥35上的金屬化膜15通過與由冷卻機構(gòu)54冷卻的罐子輥35的外周表面接觸冷卻。這里，通過罐子輥35的轉(zhuǎn)動驅(qū)動引起的金屬化膜15的行進(jìn)速度和通過采集輥48的轉(zhuǎn)動驅(qū)動引起的金屬化膜15的采集速度可被控制為相同。由此清楚的是，在本實施方式中，供給輥46和采集輥48構(gòu)成膜狀基材供應(yīng)裝置。在構(gòu)成主要室26的第一真空部分38的第一周壁30的部分處，單獨設(shè)置用于充電的電子束槍58和用于硬化的電子束槍60。用于充電的電子束槍58設(shè)置成使得其電子輻射部分面向罐子輥35的外周表面的暴露于第一真空部分38且定位在金屬化膜15的行進(jìn)方向的上游側(cè)處的部分。通過這種布置，從用于充電的電子束槍58發(fā)射的電子束輻射到從膜卷筒50展開并卷繞到罐子輥35的金屬化膜15上。因此，金屬化膜15在進(jìn)入第二真空部分40之前被負(fù)充電。結(jié)果，卷繞到罐子棍35上的金屬化膜15由于金屬化膜15和罐子棍35之間的電勢差而與罐子棍35的外周表面緊密接觸。另ー方面，用于硬化的電子束槍60被定位成使其電子輻射部分面向罐子輥35的 外周表面的暴露于第一真空部分38且定位在金屬化膜15的行進(jìn)方向上的下游側(cè)處的部分。通過這種布置，在金屬化膜15由采集輥48采集之前，從用于硬化的電子束槍60發(fā)射的電子束被輻射到在罐子輥35的ー個方向上行進(jìn)的金屬化膜15(層壓主體10)上。接著，通過蒸汽沉積聚合操作形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16通過輻射電子束快速硬化，稍后將對此進(jìn)行描述。在連通主要室26和輔助室28的窗ロ 34處，設(shè)置作為中和裝置的離子轟擊處理裝置62。離子轟擊處理裝置62被布置成使金屬化膜15 (層壓主體10)能夠在被采集輥48采集之前從其經(jīng)過。通過已知結(jié)構(gòu)，使得等離子化氬氣與經(jīng)過其的金屬化膜15碰撞。因此，通過用于充電的電子束槍58充電的金屬化膜15得以中和。在主要室26的第二真空部分40中，圍繞罐子輥35定位多個吹出構(gòu)件64(這里為5個)以沿著其周向排列。如圖3和圖4所示，吹出構(gòu)件64由開ロ朝下(圖3中向下)且在ー側(cè)具有底部的筒體形成。朝下的開ロ被稱為蒸汽出口 66。吹出構(gòu)件64包括上筒部分68和下筒部分70。上筒部分68具有橫截面朝著下側(cè)逐漸増加的四角金字塔形，下筒部分70具有水平方向長的立方體形狀。上筒部分68和下筒部分70構(gòu)成吹出構(gòu)件的覆蓋壁。下筒部分70具有在下筒部分70的寬度方向(垂直于圖3的紙面的方向和圖4中的上下方向)上延伸的兩個第一側(cè)壁71、71和在下筒部分70的縱向方向(圖3和圖4中的右和左方向)延伸的兩個第二側(cè)壁72、72。每個第一側(cè)壁71、71具有平的下端表面，每個第二側(cè)壁72、72具有向上突出的弧形下表面73。使第二側(cè)壁72的弧形表面73的直徑略大于罐子輥35的外周表面(通過圖3中的雙點劃線表示)的直徑。因此，吹出構(gòu)件64的下筒部分70的下表面和罐子輥35的外周表面之間的距離被形成為在下筒部分70的整個周向長度上基本恒定。具體地，形成在蒸汽出ロ 66和罐子輥35的外周表面之間的間隙75在蒸汽出口 66的整個周向長度上具有基本上恒定的尺寸。這里，蒸汽出ロ 66和罐子輥35的外周表面之間的間隙75的尺寸，即包括下筒部分70的弧形下表面73、73的下表面和罐子棍35的外周表面(由圖3中的D表不的直徑)之間的距離優(yōu)選不大于5mm。因此，蒸汽出ロ 66和罐子輥35的外周表面35之間的間隙75制得充分小。在下筒部分70的上端側(cè)處，設(shè)置介入壁74以將吹出構(gòu)件64的內(nèi)部空間分成上部空間和下部空間。通過介入壁74，定位在介入壁74以上的內(nèi)部空間部分被形成為混合室76，定位在介入壁74以下的內(nèi)部空間部分被形成為沉積室78。此外，在介入壁74的中間部分，連通孔80設(shè)置成從其穿過。結(jié)果，混合室76和沉積室78通過連通孔80彼此連通。此外，在吹出構(gòu)件64的蒸汽出口 66處，設(shè)置屏蔽條82作為屏蔽構(gòu)件。屏蔽條82由內(nèi)部直徑基本等于下筒部分70的弧形下表面73的直徑且弦基本等于兩個第一側(cè)壁71、71的相對表面之間的距離的彎曲板形成。接著，屏蔽條82定位在下筒部分70的寬度方向上的中間處以在縱向方向上延伸并且固定在兩個第一側(cè)壁71、71的相對表面的下端部分處。如稍后描述的，屏蔽條82設(shè)置成形成通過蒸汽沉積聚合操作形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16上的第二留白部20。因此，這里，屏蔽條82的寬度(由圖4中的W表示的尺寸)被制成大體大約I至20mm，以對應(yīng)于第二留白部20的寬度。接著，如圖2和圖3所示，具有上述結(jié)構(gòu)的定位在主要室26的第二真空部分40中 以沿著罐子輥35的周向方向排列的多個吹出構(gòu)件64固定在第一周壁30或者類似結(jié)構(gòu)中，同時蒸汽出ロ 66通向罐子輥35的外周表面且下筒部分70的弧形下表面73、73沿著罐子輥35的外周表面延伸。通過這種布置，設(shè)置在相應(yīng)吹出構(gòu)件64處的屏蔽條82定位成使得屏蔽條82在罐子輥35的周向上跨過蒸汽出口 66延伸。在真空室24的外部，設(shè)置與吹出構(gòu)件64數(shù)量相同(這里為5個)的多個單體蒸汽供應(yīng)器84作為單體蒸汽供應(yīng)裝置。所有的単體蒸汽供應(yīng)器84具有相同的結(jié)構(gòu)并包括第一蒸發(fā)源86a和第二蒸發(fā)源86b。第一蒸發(fā)源86a包括容納形成蒸汽沉積聚合膜16的液體形式的兩種材料單體中的ー種的第一單體壺88a和用于加熱和蒸發(fā)第一單體壺88a中的材料單體的第一加熱器90a。第二蒸發(fā)源86b包括容納液體形式的兩種材料單體中的另ー種的第二單體壺88b和用于加熱和蒸發(fā)第二單體壺88b中的材料單體的第二加熱器90b。在本實施方式中，由于蒸汽沉積聚合膜16由聚脲樹脂膜形成，第一單體壺88a中容納預(yù)定量的ニ異氰酸酷，第二單體壺88b中容納預(yù)定量的ニ胺。此外，第一加熱器90a、和第二加熱器90b均由電加熱器構(gòu)成。在蒸汽沉積聚合膜16由聚脲樹脂膜之外的樹脂膜形成的情況下，根據(jù)構(gòu)成蒸汽沉積聚合膜16的樹脂膜類型，在各個第一單體壺88a和第二單體壺88b中容納ニ異氰酸酯和ニ胺之外的材料単體。第一加熱器90a和第二加熱器90b可由電加熱器之外的已知加熱器構(gòu)成，例如由紅外加熱器或電子輻射加熱器構(gòu)成。此外，當(dāng)構(gòu)成蒸汽沉積聚合膜16的樹脂膜通過三種或更多種材料單體聚合形成或者當(dāng)蒸汽沉積聚合膜16由通過使用包括一種或多種ニ異氰酸酯和ニ胺的材料單體獲得的聚脲樹脂膜構(gòu)成時，可使用三種或更多種蒸發(fā)源。第一單體蒸汽供應(yīng)管92a作為連通通道連接到第一蒸發(fā)源86a的第一單體壺88a的一端以彼此連通。此外，第二単體蒸汽供應(yīng)管92b作為連通通道連接到第二蒸發(fā)源86b的第二單體壺88b的一端以彼此連通。從圖2至圖4可清楚，第一単體蒸汽供應(yīng)管92a和第二單體蒸汽供應(yīng)管92b在其另一端連接到吹出構(gòu)件64以與吹出構(gòu)件64的混合室76連通。因此，相應(yīng)的單體蒸汽供應(yīng)器84和相應(yīng)的吹出構(gòu)件64彼此連接，使得第一單體壺88a和第二單體壺88b的內(nèi)部空間與混合室76彼此連通。容納在單體蒸汽供應(yīng)器84的第一單體壺88a和第二單體壺88b中的ニ異氰酸酯和ニ胺的姆個通過第一加熱器90a和第二加熱器90b的姆個加熱并蒸發(fā)成單體蒸汽。接著，単體蒸汽通過第一単體蒸汽供應(yīng)管92a和第二単體蒸汽供應(yīng)管92b供應(yīng)到相應(yīng)吹出構(gòu)件64的混合室。在ニ異氰酸酯和ニ胺蒸汽在混合室76中均勻混合后,通過介入壁74的通孔80將混合氣體引入到沉積室78。接著，ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的混合氣體從蒸汽出口 66吹送到第二真空部分40中的罐子輥35的外周表面上。
相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84的第一加熱器90a和第二加熱器90b的加熱溫度可獨立地控制。因此，可針對每個吹出構(gòu)件64(每個單體蒸汽供應(yīng)器84)控制從連接到相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84的相應(yīng)吹出構(gòu)件64的蒸汽出ロ 66吹出的單體蒸汽的蒸汽壓力。在利用具有上述結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)設(shè)備22生產(chǎn)圖I所示的層壓主體時，例如進(jìn)行以下エ序。最初，如圖2所示，將膜卷筒50外部地裝配到供給輥46上。接著，從膜卷筒50展開金屬化膜15并使其卷繞在罐子輥35上，并且將金屬化膜15的末端部分卷繞到采集輥48上。發(fā)自罐子輥35的金屬化膜15被布置成在被采集輥48采集之前經(jīng)過離子轟擊處理裝置62。優(yōu)選地，構(gòu)成膜卷筒50的金屬化膜15具有5 μ m或更小的厚度。具體地，優(yōu)選使樹脂膜12和形成在樹脂膜12的每個表面上的金屬沉積膜14a、14b的總厚度為5μπι或更小。由于這樣的厚度，獲得的層壓主體10的厚度可以充分小，具體為大約10 μ m或更小。在將金屬化膜15卷繞到罐子輥35上的同時或者在該操作之前或之后，啟動構(gòu)建在罐子輥35中的冷卻機構(gòu)54以冷卻罐子輥35的外周表面，由此冷卻卷繞在罐子輥35上的金屬化膜15。只要能在金屬化膜15上穩(wěn)定地進(jìn)行蒸汽沉積聚合操作(稍后描述)，通過冷卻機構(gòu)54冷卻的金屬化膜15的溫度沒有特別限制。通常來說，該溫度為大約-15至40°C。在金屬化膜15卷繞到罐子輥35上后，啟動三個真空泵44、44、44來降低主要室26的第一真空部分38和第二真空部分40以及輔助室28中的壓力，使其處于真空狀態(tài)。將第ニ真空部分40和輔助室28中的壓カ調(diào)節(jié)為大約10-4至lOOPa。此外，將第一真空部分38中的壓カ調(diào)節(jié)為比第二真空部分40和輔助室28低的壓力，例如大約10-4至10Pa。接著,轉(zhuǎn)動地驅(qū)動電動馬達(dá)以在圖2中的箭頭A所示的方向上轉(zhuǎn)動罐子棍35。同時，轉(zhuǎn)動地驅(qū)動采集輥48。結(jié)果，從罐子輥35發(fā)送的金屬化膜15可被采集輥48采集，同時金屬化膜15從輔助室28中的膜卷筒50發(fā)送到主要室26并在箭頭A指示的方向上行迸。在罐子輥35開始轉(zhuǎn)動的同時，啟動用于充電的電子束槍58以將電子束輻射到卷繞在罐子棍35上的金屬化膜15上。結(jié)果,金屬化膜15的表面被負(fù)充電。因此，隨罐子棍35的轉(zhuǎn)動行進(jìn)的金屬化膜15與罐子輥35的外周表面緊密接觸。這里，由于第一真空部分38的壓カ被調(diào)節(jié)成低于第二真空部分40中的壓力，金屬化膜15的表面通過用于充電的電子束槍58的電子束輻射有效地充電。然而，第二真空部分40中的壓カ可能低于第一真空部分38。在這種情況下，在后文描述的真空蒸汽沉積聚合操作過程中，防止材料單體從第二真空部分40進(jìn)入第一真空部分38。結(jié)果，防止了材料單體或者蒸汽沉積聚合膜16對第一真空部分38的內(nèi)表面的附著。因此，不需要從第一真空部分38去除材料単體或者蒸汽沉積聚合膜16。在金屬化膜15被如上充電的情況下，金屬化膜15上積累的電荷并不通過罐子輥35逃逸，因為罐子輥35處于電絕緣狀態(tài)。此外，因為第一真空部分38內(nèi)部的真空度充分地低，金屬化膜15的表面可通過電子束輻射有效和穩(wěn)妥地充電。此外，通過分隔壁36，第一真空部分38與第二真空部分40分開，在該第二真空部分40設(shè)置有均包括蒸汽出ロ 66的吹出構(gòu)件64。因此，可有利地防止在蒸汽沉積聚合操作中第一真空部分38的內(nèi)部壓カ由于第ニ真空部分40的內(nèi)部壓カ因為不可避免地從蒸汽出ロ 66和罐子輥35的外周表面之間的間隙泄漏的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的混合氣體的増加而增加，如后文描述的。結(jié)果，充分地保持第一真空部分38內(nèi)部的低真空度，使得金屬化膜15在第一真空部分38中更加穩(wěn)妥和穩(wěn)定地通過電子束輻射充電。接著，在金屬化膜15行進(jìn)時,利用第一加熱器90a加熱單體蒸汽供應(yīng)器84的第一蒸發(fā)源86a的第一單體壺88a中的ニ異氰酸酷,使其蒸發(fā)以生成ニ異氰酸酯蒸汽。此外，同時，利用第二加熱器90b加熱第二蒸發(fā)源86b的第二單體壺88b中的ニ胺，使其蒸發(fā)以生成
ニ胺蒸汽?？刂泼總€第一加熱器90a使得單體蒸汽供應(yīng)器84的每個第一單體壺88a中的ニ異氰酸酯被加熱到相同溫度。此外，控制每個第二加熱器90b使得単體蒸汽供應(yīng)器84的每個第二單體壺88b中的ニ胺被加熱到相同溫度。因此，単體蒸汽供應(yīng)器84的每個第一蒸發(fā) 源86a中生成的ニ異氰酸酯蒸汽的蒸汽壓カ被控制為相等。此外，単體蒸汽供應(yīng)器84的每個第二蒸發(fā)源86b中生成的ニ胺蒸汽的蒸汽壓カ被控制為相等。另外，通過上述控制，単體蒸汽供應(yīng)器84的每個第一蒸發(fā)源86a中的ニ異氰酸酯的蒸發(fā)速度被控制為相等。此外，單體蒸汽供應(yīng)器84的每個第二蒸發(fā)源86b中的ニ胺的蒸發(fā)速度被控制為相等。単體蒸汽供應(yīng)器84的第一蒸發(fā)源86a和第二蒸發(fā)源86b中生成的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽均通過第一単體蒸汽供應(yīng)管92a和第二単體蒸汽供應(yīng)管92b引導(dǎo)到吹出構(gòu)件64的相應(yīng)混合室76。ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽在其中均勻混合并被引導(dǎo)到沉積室78。接著，通過蒸汽出ロ 66將ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的混合氣體吹出到在罐子輥35的外周表面上行進(jìn)同時與其緊密接觸的金屬化膜15上。從吹出構(gòu)件64的每個蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽沉積在金屬化膜15上并在上面聚合。結(jié)果，由聚脲樹脂膜形成的蒸汽沉積聚合膜16同時形成在金屬化膜15的外周表面的多個部分上。因此，獲得層壓主體10。層壓主體10的蒸汽沉積聚合膜16由通過從吹出構(gòu)件64的蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的聚合獲得的聚合產(chǎn)品(聚脲樹脂膜)的層壓件構(gòu)成。在吹出構(gòu)件64的寬度方向上彼此相対的兩個第二側(cè)壁72、72之間的距離(與罐子輥35的外周表面的寬度方向?qū)?yīng)的尺寸)比形成在樹脂膜12上的金屬沉積膜14a的寬度大預(yù)定尺寸。因此，使通過蒸汽沉積聚合操作形成的蒸汽沉積聚合膜16的寬度大于金屬沉積膜14a的寬度，由此通過蒸汽沉積聚合膜16的寬度方向上的兩個端部部分覆蓋金屬沉積膜14a的寬度方向上的兩個端面。此外，在金屬化膜15與罐子輥35的外周表面緊密接觸地卷繞到罐子輥35上的狀態(tài)中，布置成跨過吹出構(gòu)件64的蒸汽出口 66在罐子輥35的周向上延伸的屏蔽條82定位成與金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域相対，兩者之間具有間隙75。換句話說，屏蔽條82被定位成覆蓋金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域，并且兩者之間具有小的距離。通過屏蔽條82，防止從相應(yīng)吹出構(gòu)件64的蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽沉積在金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域上。因此，在金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域上很難引起ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的聚合反應(yīng)。結(jié)果，在金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域上，不形成包括聚脲樹脂膜的蒸汽沉積聚合膜16。因此，在金屬化膜15的寬度方向的中間區(qū)域上形成第二留白部20，此處沒有形成蒸汽沉積聚合膜16。這里，如上所述，每個吹出構(gòu)件64的蒸汽出ロ 66和罐子輥35的外周表面之間的間隙75的尺寸D在蒸汽出口 66的整個周向長度上為5mm或更小。因此，最大可能程度地防止ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的混合氣體通過間隙75從相應(yīng)吹出構(gòu)件64的沉積室78逃逸到外部(進(jìn)入第二真空部分)。因此，有效防止ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽沉積在罐子輥35的金屬化膜15之外的外周表面的其他部分上，使得在蒸汽沉積聚合操作中有效使用ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽。因此，有利地提高了蒸汽沉積聚合膜16的沉積率。如上所述，ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽沉積聚合同時在多個吹出構(gòu)件64的每個的蒸汽出口 66向著其開放的金屬化膜15的外周表面的多個部分上進(jìn)行。具體地，通過吹出構(gòu)件64的每個沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽沉積聚合同時形成蒸汽沉積聚合膜16。每個沉積室78由下筒部分70和介入壁74包圍并且與第二真空部分40分開。 因此，在處于真空狀態(tài)的第二真空部分40中，可以通過供應(yīng)ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽獨立于第二真空部分40改變每個沉積室78的內(nèi)部壓力。此外，可有效地消除或抑制相應(yīng)沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽壓カ由于第二真空部分40的壓カ的改變而改變。相應(yīng)地，可以最大可能程度地防止與相應(yīng)沉積室78連通的第一蒸發(fā)源86a和第二蒸發(fā)源86b中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度由于第二真空部分40中的壓カ變化而改變。也就是說，可有效防止相應(yīng)沉積室78中的沉積速度和形成在金屬化膜15的多個部分上的蒸汽沉積聚合膜16的成分由于第二真空部分40中的壓カ變化而改變。此外，吹出構(gòu)件64的沉積室78彼此不直接連通。沉積室78通過第二真空部分40彼此間接連通，但第二真空部分40通過操作真空泵始終總是處于真空狀態(tài)。因此，可以互不干擾地獨立改變每個沉積室78的內(nèi)部壓力。任何一個沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽壓カ的改變將不影響任何另ー個沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽壓力。相應(yīng)地，即使改變?nèi)魏我粋€單體蒸汽供應(yīng)器84的第一蒸發(fā)源86a和第二蒸發(fā)源86b中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度并且改變其沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽壓力，也可有效防止即刻改變?nèi)魏瘟愆`個単體蒸汽供應(yīng)器84的沉積室78中的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽壓力，并防止改變第一蒸發(fā)源86a和第二蒸發(fā)源86b的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度。另外，針對每個單體蒸汽供應(yīng)器84控制相應(yīng)蒸汽供應(yīng)器84的第一加熱器90a和第二加熱器90b。因此，整個生產(chǎn)設(shè)備22中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度得以密切控制。在使用根據(jù)第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備的情況下，不同于僅包括一個單體蒸汽供應(yīng)器的傳統(tǒng)生產(chǎn)設(shè)備，即使改變?nèi)魏我粋€單體蒸汽供應(yīng)器84中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度，也不會改變在生產(chǎn)設(shè)備22中形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16的沉積速度或成分。接著，隨罐子輥35的轉(zhuǎn)動將包括通過上述蒸汽沉積聚合操作形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16的層壓主體10從第二真空部分40發(fā)送到第一真空部分38。之后，通過用于硬化的電子束槍60將電子束輻射到卷繞在罐子輥35上的層壓主體10上。因此，構(gòu)成層壓主體10的蒸汽沉積聚合膜16的聚脲樹脂被穩(wěn)妥地硬化。如上所述，第一真空部分38的內(nèi)部處于充分低的真空度。結(jié)果，蒸汽沉積聚合膜16通過用于硬化的電子束槍60被穩(wěn)妥和穩(wěn)定地硬化。此外，由用于硬化的電子束槍60輻射的電子束使得沉積在金屬化膜15上的ニ異氰酸酯和ニ胺加速聚合。結(jié)果，蒸汽沉積聚合膜16的品質(zhì)得到提聞。接著，從罐子輥35發(fā)送的層壓主體10經(jīng)過離子轟擊處理裝置62。在經(jīng)過離子轟擊處理裝置62的過程中，層壓主體10得以中和。之后，層壓主體10被發(fā)送到輔助室28并被采集輥48采集。結(jié)果，獲得包括具有圖I所示的結(jié)構(gòu)的卷繞層壓主體10的膜卷筒94。相應(yīng)地，在根據(jù)本發(fā)明的用于生產(chǎn)層壓主體10的生產(chǎn)設(shè)備22中，即使第二真空部分40中的壓カ或者任何一個單體蒸汽供應(yīng)器84中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度以一定程度變化，也可有利地防止金屬化膜15上形成的蒸汽沉積聚合膜16的沉積速度或成分由 于這種變化而立即改變。根據(jù)第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22能夠穩(wěn)定生產(chǎn)其中具有均勻成分和厚度的蒸汽沉積聚合膜16形成在金屬化膜15上的層壓主體10。此外，由于根據(jù)第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22有效消除了蒸汽沉積聚合膜16的成分或厚度的變化，不需要在真空室24中設(shè)置成本高昂的裝置以在蒸汽沉積聚合操作過程中檢查蒸汽沉積聚合膜16的成分或厚度。另外，在生產(chǎn)想要的層壓主體10后，不需要隨后的操作，例如去除沉積在裝置上的蒸汽沉積聚合膜16。此外，在根據(jù)第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22中，金屬化膜15通過利用用于充電的電子束槍58進(jìn)行的電子束輻射與罐子輥35緊密接觸。因此，有效防止金屬化膜15在隨罐子輥35轉(zhuǎn)動而行進(jìn)過程中起褶皺。在真空環(huán)境下，因為金屬化膜15與罐子輥35緊密接觸，金屬化膜15通過由冷卻機構(gòu)54冷卻的罐子輥35穩(wěn)妥地冷卻。因此，金屬化膜15不會由于具有高溫的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽變形。此外，可有效地減小附著到金屬化膜15的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的解吸頻率，由此可更有效地進(jìn)行ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽沉積聚合。另外，可通過輻射到金屬化膜15上的電子束提供的能量有效輔助ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽的蒸汽沉積聚合。作為上述的結(jié)果，有效地改善了蒸汽沉積聚合膜16的沉積速度。沉積速度的改善進(jìn)ー步通過結(jié)合金屬化膜15的上述有效冷卻效果、通過用于充電的電子束槍58輻射到金屬化膜15上的電子束獲得的效果、以及通過蒸汽出口 66和罐子輥35之間的小間隙75獲得的上述效果來增強。具體地，例如，在厚度為3 μ m的蒸汽沉積聚合膜16形成在寬度650nm的金屬化膜15的情況下，以150m/min的速度形成想要的層壓主體10。在根據(jù)第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22中，層壓主體10通過離子轟擊處理裝置62中和并被采集以形成膜卷筒94。因此，可在隨后的過程中平滑地從膜卷筒94展開層壓主體10。接著，圖5顯示根據(jù)本實施方式的用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備的第二實施方式。第ニ實施方式的生產(chǎn)設(shè)備96具有不使用金屬化膜15生產(chǎn)層壓主體10的結(jié)構(gòu)。參照圖1，通過生產(chǎn)設(shè)備96生產(chǎn)的層壓主體10包括代替樹脂膜的第一蒸汽沉積聚合膜16、形成在第一蒸汽沉積聚合膜16的每個表面上的金屬化膜14a、14b以及在與第一蒸汽沉積膜16 —側(cè)相對的ー側(cè)處形成在金屬化膜14a上的第二蒸汽沉積聚合膜16。以下解釋根據(jù)本實施方式的生產(chǎn)設(shè)備96的結(jié)構(gòu)。參照圖5所示的實施方式，與圖2中所用的相同的附圖標(biāo)記用于與圖2所示的第一實施方式的具有相同結(jié)構(gòu)的構(gòu)件和部分，并且省略對其的詳細(xì)解釋。具體地，如從圖5清楚的，在根據(jù)第二實施方式的生產(chǎn)設(shè)備96中，真空室24只具有主要室26。真空室24可通過與ー個排放管42的端部連接的真空泵44處于真空狀態(tài)。在真空室24中可轉(zhuǎn)動地設(shè)置包括冷卻機構(gòu)54的罐子輥35。圍繞罐子輥35，六個吹出構(gòu)件64a、64b、64c、64d、64e、64f設(shè)置成在罐子輥35的周向上排列。盡管在圖中沒有顯不，六個吹出構(gòu)件64a、64b、64c、64d、64e、64f具有與第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22中設(shè)置的吹出構(gòu)件64相同的結(jié)構(gòu)，即，混合室76和沉積室78設(shè)置在各個吹出構(gòu)件64中。然而，每個吹出構(gòu)件64b、64c、64d的蒸汽出ロ 66沒有設(shè)置屏蔽條82。
在真空室24的外側(cè)，設(shè)置4個單體蒸汽供應(yīng)器84、84、84、84和作為金屬蒸汽供應(yīng)裝置的第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b。4個單體蒸汽供應(yīng)器84、84、84,84具有與第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22中設(shè)置的那些相同的結(jié)構(gòu)。第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b具有相同的結(jié)構(gòu)并分別設(shè)置有蒸發(fā)源100a、100b。第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b的蒸發(fā)源100a、IOOb分別包括蒸發(fā)材料容器102a、102b和加熱器104a、104b，蒸發(fā)材料容器102a、102b容納作為預(yù)期層壓主體10的金屬沉積膜14a、14b的形成材料的包括鋁的蒸發(fā)材料，加熱器104a、104b用于加熱和蒸發(fā)蒸發(fā)材料容器102a、102b中的蒸發(fā)材料。蒸發(fā)源的材料可根據(jù)金屬沉積膜14a、14b的材料適當(dāng)?shù)馗淖?。此外，例如電加熱器、紅外加熱器或者電子輻射加熱器可適當(dāng)?shù)刈鳛榧訜崞?04a、104b使用。分別構(gòu)成第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b的蒸發(fā)源100a、IOOb的蒸發(fā)材料容器102a、102b連接到真空室24中的相應(yīng)吹出構(gòu)件64a、64d以通過作為連通通道的相應(yīng)金屬蒸汽供應(yīng)管106a、106b彼此連通。連接到第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a的吹出構(gòu)件64a和連接到第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b的吹出構(gòu)件64d被定位成兩者之間在罐子輥35的周向的ー側(cè)處具有兩個吹出構(gòu)件64b、64c，而在罐子輥35的周向的另ー側(cè)處具有兩個吹出構(gòu)件64e、64f。容納在第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b的蒸發(fā)材料容器102a、102b中的蒸發(fā)材料通過加熱器104a、104b加熱并被蒸發(fā)成金屬蒸汽,并且金屬蒸汽通過金屬蒸汽供應(yīng)管106&、10613供應(yīng)到吹出構(gòu)件64&、6413。此外，供應(yīng)到吹出構(gòu)件64a、64b的金屬蒸汽從蒸汽出ロ 66、66吹出到罐子輥35的外周表面上。在通過上述設(shè)備96生產(chǎn)預(yù)期層壓主體時，例如進(jìn)行以下エ序。最初，啟動構(gòu)建在罐子輥35中的冷卻機構(gòu)54以冷卻罐子輥35的外周表面。同時，啟動真空泵44以降低第一真空部分38中的壓力。罐子輥35的外周表面的冷卻溫度被調(diào)節(jié)成與通過使用第一實施方式的生產(chǎn)設(shè)備22獲得層壓主體10的情況下相同的溫度。另夕卜，第一真空部分38的壓カ被控制為大約10_4至lOOPa。接著，在圖5中的fif頭A指不的方向上轉(zhuǎn)動iip子棍35。之后，將_■異氛Ife酷蒸汽和ニ胺蒸汽從四個單體蒸汽供應(yīng)器84、84、84、84供應(yīng)到4個吹出構(gòu)件64b、64c、64e、64f并通過吹出構(gòu)件64b、64c、64e、64f的相應(yīng)蒸汽出ロ 66將其吹送到罐子輥35的外周表面上。同時，將金屬蒸汽從第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a和第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b供應(yīng)到兩個吹出構(gòu)件64a、64d并通過吹出構(gòu)件64a、64d的相應(yīng)蒸汽出ロ 66將其吹送到罐子輥35的外周表面上。結(jié)果，隨著罐子輥35的轉(zhuǎn)動，金屬沉積膜14b、蒸汽沉積聚合膜16、金屬沉積膜14a和蒸汽沉積聚合膜16以描述的次序順序形成在罐子輥35的外周表面上。具體地，從與第一金屬蒸汽供應(yīng)器98a連接的吹出構(gòu)件64a的蒸汽出口 66吹出的金屬蒸汽沉積在罐子輥35的外周表面上。因此，金屬沉積膜14b直接形成在罐子輥35的外周表面上。這時，由于屏蔽條82設(shè)置在吹出構(gòu)件64a的蒸汽出ロ 66處，金屬蒸汽并不沉積在罐子輥35的寬度方向上的中間區(qū)域上。此外，與 罐子輥35的外周表面的寬度方向?qū)?yīng)的吹出構(gòu)件64a的蒸汽出口 66的尺寸比罐子輥35的外周表面 的寬度小預(yù)定尺寸。因此，金屬蒸汽也不會沉積在罐子輥35的外周表面的寬度方向上的兩個端部部分上。此外，在罐子輥35的寬度方向上的中間區(qū)域和兩個端部部分處，例如在形成金屬沉積膜14b之前，通過油留白部形成設(shè)備(沒有顯示)形成油留白部。結(jié)果，可以防止在金屬沉積膜14b上形成第一蒸汽沉積聚合膜16時，第一蒸汽沉積聚合膜16直接形成在罐子輥35的寬度方向上的中間區(qū)域和兩個端部部分上，并且每個第一留白部18填充有第一蒸汽沉積聚合膜16。接著，從兩個吹出構(gòu)件64b、64c的每個的蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽聚合在金屬沉積膜14b上。因此，代替樹脂膜(12)，第一蒸汽沉積聚合膜16形成在金屬沉積膜14b上。換句話說，在第二實施方式中，膜狀基材由第一蒸汽沉積聚合膜16構(gòu)成。此外，兩個單體蒸汽供應(yīng)器84、84和兩個吹出構(gòu)件64b、64c構(gòu)成膜狀基材供應(yīng)裝置。接著，從與第二金屬蒸汽供應(yīng)器98b連接的吹出構(gòu)件64d的蒸汽出ロ 66吹出的金屬蒸汽沉積在第一蒸汽沉積聚合膜16上。結(jié)果，金屬沉積膜14a形成在蒸汽沉積聚合膜16上。接著，從兩個吹出構(gòu)件64e、64f的每個的蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽聚合在金屬沉積膜14a上。因此，第二蒸汽沉積聚合膜16形成在金屬沉積膜14a上。由于屏蔽條82設(shè)置在相應(yīng)吹出構(gòu)件64e、64f的蒸汽出ロ 66處，ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽并不沉積在金屬沉積膜14a的寬度方向上的中間區(qū)域上。因此，第二留白部20形成在金屬沉積膜14a的寬度方向上的中間區(qū)域上。此外，這里，與罐子輥35的外周表面的寬度方向?qū)?yīng)的吹出構(gòu)件64e、64f以及用于吹出金屬蒸汽的吹出構(gòu)件64d的蒸汽出口 66的尺寸比罐子輥35的外周表面的寬度小預(yù)定尺寸。因此，第一留白部18形成在蒸汽沉積聚合膜16的寬度方向上的兩個側(cè)部上。因此，獲得按順序包括金屬沉積膜14b、第一蒸汽沉積聚合膜16、金屬沉積膜14a和第二蒸汽沉積聚合膜16的層壓主體10。接著，將獲得的層壓主體10從定位在在罐子輥35的周向上彼此相鄰的兩個吹出構(gòu)件64a、64f之間的罐子輥35的外周表面部分取出，由此連續(xù)獲得預(yù)期的層壓主體10。如上所述，第二實施方式的生產(chǎn)設(shè)備96能夠簡單有效地生產(chǎn)預(yù)期的層壓主體10，不需要提前準(zhǔn)備金屬化膜15。在生產(chǎn)設(shè)備96中，要從設(shè)置在真空室24中的相應(yīng)吹出構(gòu)件64的蒸汽出ロ 66吹出的ニ異氰酸酯蒸汽和ニ胺蒸汽在相應(yīng)吹出構(gòu)件64的沉積室78中聚合以形成蒸汽沉積聚合膜16。相應(yīng)地，第二實施方式可具有基本與第一實施方式相同的優(yōu)點。
需要理解，盡管在該實施方式中金屬沉積膜14b形成在罐子輥35的外周表面上，但也可以省略金屬沉積膜14b。在這種情況下，第一蒸汽沉積聚合膜16可直接形成在轉(zhuǎn)動鼓35的外周表面上。此外，在第二實施方式的生產(chǎn)設(shè)備96中，用于硬化的電子束槍(60)可設(shè)置在吹出構(gòu)件64c和吹出構(gòu)件64d之間的位置和/或挨著吹出構(gòu)件64f與吹出構(gòu)件64e —側(cè)相對的位置。第一和第二蒸汽沉積聚合膜16、16可通過從用于硬化的電子束槍60幅射的電子束硬化。盡管已經(jīng)只出于說明目的詳細(xì)描述了本發(fā)明的實施方式，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并不局限于所說明的實施方式的細(xì)節(jié)。例如，在第一和第二實施方式中，相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84的第一蒸發(fā)源86a和第ニ蒸發(fā)源86b中的ニ異氰酸酯和ニ胺的加熱溫度可被控制為相同。然而，相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84可具有ニ異氰酸酯和ニ胺的各自目標(biāo)加熱溫度。在這種情況下，相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng) 器84中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度可略微變化。結(jié)果，在罐子輥35的ー個轉(zhuǎn)動過程中，形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16的厚度可逐漸和有效地變大。因此，不用增加真空室24的耐壓性，可以較低成本簡單有效地生產(chǎn)包括厚蒸汽沉積聚合膜16的層壓主體10。此外，在使得相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84中的ニ異氰酸酯和ニ胺的蒸發(fā)速度相等的情況下，在罐子輥35的ー個轉(zhuǎn)動過程中，可使得形成在金屬化膜15上的蒸汽沉積聚合膜16的厚度可逐漸有效地變大。從相應(yīng)單體蒸汽供應(yīng)器84供應(yīng)的單體蒸汽的種類可變化。由此，在罐子輥35的ー個轉(zhuǎn)動過程中，不同種類的蒸汽沉積聚合膜16可形成在金屬化膜15上。因此，可以較低成本簡單有效地生產(chǎn)包括不同種類蒸汽沉積聚合膜16的層壓主體10。吹出構(gòu)件64的數(shù)量不限于第一或第二實施方式中舉例的數(shù)量。為了形成ー個蒸汽沉積聚合膜16，只需要具有至少兩個吹出構(gòu)件64。在第一和第二實施方式中，作為單體蒸汽供應(yīng)裝置的一個單體蒸汽供應(yīng)器84連接到ー個吹出構(gòu)件64。但是，也可以將ー個單體蒸汽供應(yīng)器84連接到多個吹出構(gòu)件64。即，只需要具有至少ー個単體蒸汽供應(yīng)器84。在形成蒸汽沉積聚合膜16之前，作為膜狀基材的金屬化膜15不必被充電。但是，在金屬化膜15被充電的情況下，代替舉例的用于充電的電子束槍58，可使用接觸并為金屬化膜15充電的接觸式設(shè)備、例如與外部電源連接的導(dǎo)電輥。此外，在使用這種用于充電的設(shè)備的情況下，需要中和設(shè)備。代替離子轟擊處理裝置62，可適當(dāng)?shù)厥褂镁哂幸阎Y(jié)構(gòu)的任何傳統(tǒng)中和設(shè)備。使得蒸汽沉積聚合膜16硬化的用于硬化的電子束槍60不是必需的，而是可以根據(jù)需要使用。代替用于硬化的電子束槍60，例如可以使用紅外輻射設(shè)備或UV輻射設(shè)備作為用于使蒸汽沉積聚合膜16硬化的設(shè)備。作為屏蔽構(gòu)件的屏蔽條82的位置可根據(jù)蒸汽沉積聚合膜16的第二留白部20的位置適當(dāng)?shù)馗淖?。屏蔽條82可形成在任何位置，只要其在作為轉(zhuǎn)動鼓的罐子輥35的周向上跨過蒸汽出口 66延伸。如果可能，屏蔽條82可固定設(shè)置在吹出構(gòu)件64之外的構(gòu)件處。另外，盡管在第一和第二實施方式中，顯示了本發(fā)明適用于用于生產(chǎn)構(gòu)成薄膜電容器元件的層壓主體的設(shè)備的具體例子，但應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明可有利地適用于用于生產(chǎn)其中至少ー個蒸汽沉積聚合膜通過真空蒸汽沉積聚合過程形成在膜狀基材上的層壓結(jié)構(gòu)的任何設(shè)備。盡管這里沒有描述進(jìn)一歩的細(xì)節(jié)，但可以理解本發(fā)明可利用本領(lǐng)域技術(shù) 人員想到的各種其他改變和變型實施，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備，所述層壓主體包括膜狀基材和通過真空沉積聚合沉積在所述膜狀基材上的至少ー個蒸汽沉積聚合膜，所述設(shè)備包括 真空室； 排放裝置，其將空氣從所述真空室排放以使所述真空室形成真空狀態(tài)； 轉(zhuǎn)動鼓，其可轉(zhuǎn)動地設(shè)置在所述真空室中，所述轉(zhuǎn)動鼓具有外周表面，該外周表面上設(shè)置與其接觸的所述膜狀基材，由此允許所述膜狀基材隨著所述轉(zhuǎn)動鼓的轉(zhuǎn)動而在周向方向上行迸； 膜狀基材供應(yīng)裝置，其將所述膜狀基材供應(yīng)到所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面上； 多個吹出構(gòu)件，其圍繞所述轉(zhuǎn)動鼓定位以在所述周向方向上彼此排列，所述多個吹出構(gòu)件的每個包括在所述真空室內(nèi)側(cè)開放至所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面的蒸汽出口和通過覆蓋壁限定的內(nèi)部空間； 多個沉積室，所述多個沉積室均由所述多個吹出構(gòu)件的每個的內(nèi)部空間的部分構(gòu)成并定位在所述真空室內(nèi)側(cè)；和 至少ー個単體蒸汽供應(yīng)裝置，其包括通過加熱和蒸發(fā)多種材料単體生成多種單體蒸汽的多個蒸發(fā)源；和與所述多個沉積室的每個連通的多個連通通道，所述至少一個單體蒸汽供應(yīng)裝置布置成通過所述多個連通通道向所述多個沉積室的每個中供應(yīng)在所述多個蒸發(fā)源中生成的所述多種単體蒸汽，由此所述多種單體蒸汽從所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口吹出。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，通過使用所述多個吹出構(gòu)件的至少兩個形成一個蒸汽沉積聚合膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述多個吹出構(gòu)件的每個包括用于部分屏蔽所述膜狀基材的屏蔽構(gòu)件，所述屏蔽構(gòu)件設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口處以在所述轉(zhuǎn)動鼓的周向上跨過所述蒸汽出口延伸，由此防止從所述蒸汽出口吹出的所述多種單體蒸汽附著到所述膜狀基材的通過所述屏蔽構(gòu)件屏蔽的部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括對所述膜狀基材充電的充電裝置，所述充電裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最上游側(cè)處的ー個吹出構(gòu)件的上游側(cè)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的設(shè)備，還包括對由所述充電裝置充電的膜狀基材進(jìn)行中和的中和裝置，所述中和裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最下游側(cè)處的ー個吹出構(gòu)件的下游側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括對形成在所述膜狀基材上的蒸汽沉積聚合膜進(jìn)行硬化的硬化裝置，所述硬化裝置設(shè)置在所述多個吹出構(gòu)件的定位在所述轉(zhuǎn)動鼓上的膜狀基材的驅(qū)動方向上的最下游側(cè)處的ー個吹出構(gòu)件的下游側(cè)。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材的厚度為5μπι或更小。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口和所述轉(zhuǎn)動鼓的外周表面之間的距離為5mm或更小。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述至少一個蒸汽沉積聚合膜的厚度為ΙΟμπι或更小。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，還包括金屬蒸汽供應(yīng)裝置，該金屬蒸汽供應(yīng)裝置包括通過加熱和蒸發(fā)金屬沉積材料生成金屬蒸汽的蒸發(fā)源和與所述沉積室連通的連通通道，所述金屬蒸汽供應(yīng)裝置布置成通過所述連通通道向所述沉積室供應(yīng)所述蒸發(fā)源中生成的金屬蒸汽，由此所述金屬蒸汽從所述多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口吹出。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材包括金屬化膜，該金屬化膜包括聚丙烯基雙軸向拉伸膜和形成在所述聚丙烯基雙軸向拉伸膜的至少ー個表面上的金屬沉積膜。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材包括金屬化膜，該金屬化膜包括聚對苯ニ甲酸こニ醇酯基雙軸向拉伸膜和形成在所述聚對苯ニ甲酸こニ醇酯基雙軸向拉伸膜的至少ー個表面上的金屬沉積膜。
13.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，所述膜狀基材供應(yīng)裝置包括供給裝置，該供給裝置布置成通過將所述膜狀基材從所述膜狀基材的卷筒展開而將所述膜狀基材供應(yīng)到所述轉(zhuǎn)動鼓的外周表面上。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的設(shè)備，其中，至少ー個分隔壁設(shè)置在所述真空室中，使得所述真空室被分成其中設(shè)置所述供給裝置的第一部分和其中設(shè)置所述多個吹出構(gòu)件的第二部分，由此允許獨立地改變每個所述部分的內(nèi)部壓力。
15.根據(jù)權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其中，至少ー個単體蒸汽供應(yīng)裝置包括多個單體蒸汽供應(yīng)裝置且所述膜狀基材供應(yīng)裝置包括所述多個単體蒸汽供應(yīng)裝置的至少ー個，從所述多個單體蒸汽供應(yīng)裝置的至少ー個供應(yīng)到所述多個沉積室的至少ー個中并從所述蒸汽出口吹出的所述多種単體蒸汽聚合在所述轉(zhuǎn)動鼓的所述外周表面上，由此在所述轉(zhuǎn)動鼓的外周表面上形成包括蒸汽沉積聚合膜基材的膜狀基材。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于生產(chǎn)層壓主體的設(shè)備。具體地，本發(fā)明提供一種可穩(wěn)定地生產(chǎn)包括在膜狀基材上具有預(yù)定成分和厚度的蒸汽沉積聚合膜的層壓主體的設(shè)備。該設(shè)備包括膜狀基材供應(yīng)裝置(46)，其將膜狀基材(15)供應(yīng)到真空室(24)中的轉(zhuǎn)動鼓(35)的外周表面上；多個吹出構(gòu)件(64)，其圍繞轉(zhuǎn)動鼓(35)定位，多個吹出構(gòu)件的每個包括在真空室(24)內(nèi)側(cè)開放至轉(zhuǎn)動鼓(35)的所述外周表面的蒸汽出口(66)和構(gòu)成沉積室的內(nèi)部空間；以及至少一個單體蒸汽供應(yīng)裝置(48)，其布置成將多種單體蒸汽供應(yīng)到沉積室中并將多種單體蒸汽從多個吹出構(gòu)件的每個的蒸汽出口吹出。
文檔編號H01G13/00GK102693847SQ201210083679
公開日2012年9月26日 申請日期2012年3月22日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月23日
發(fā)明者伊藤薰, 早川宗孝, 高橋康彥 申請人:小島沖壓工業(yè)株式會社