專利名稱：含具有反射結(jié)構(gòu)的電極的有機發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機發(fā)光顯示裝置及有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。尤其涉及包括具有反射結(jié)構(gòu)的電極的有機發(fā)光顯示裝置及包括具有反射結(jié)構(gòu)的電極的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
通常，在平板顯示裝置中，有機發(fā)光顯示裝置(OLED)具有響應(yīng)速度塊、功耗低的優(yōu)點，而且根據(jù)自身發(fā)光方式其具有視角相對較寬的優(yōu)點，因此近年來適用于多種電器及電子設(shè)備?，F(xiàn)有的有機發(fā)光顯示裝置具有如下的結(jié)構(gòu)在用于覆蓋提供在基板上的薄膜晶體管的絕緣膜上依次設(shè)置有陽極和陰極，在這種陽極和陰極之間設(shè)置有有機發(fā)光層。然而對于現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示裝置而言，從所述有機層發(fā)射的光在所述有機層和所述電極之間會被部分地或全部地反射，因此會降低在外部獲取光的效率。即，現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示裝置僅向外部釋放生成于所述有機發(fā)光層的光的約17%左右，即其具有較低的光效率。為了改善這種缺點，提出了下述的顯示裝置，即在像素區(qū)域之間形成具有傾斜的側(cè)壁的堤岸(bank)或者突出部以在顯示區(qū)域增加有機發(fā)光層面積的有機發(fā)光顯示裝置。但是，即使是具有傾斜的堤岸或者突出部的有機發(fā)光顯示裝置也會存在由向非顯示區(qū)域傳播的光而引起的光損失從而導(dǎo)致限制增加光效率的缺陷，以及在所述堤岸或者突出部的傾斜的側(cè)壁上難以均勻地形成有機發(fā)光層或者電極的缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一目的在于提供可以通過包括具有如凹陷結(jié)構(gòu)或者突出結(jié)構(gòu)等反射結(jié)構(gòu)的電極以提高光效率的有機發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的另一目的在于提供可以通過包括具有如凹陷結(jié)構(gòu)或者突出結(jié)構(gòu)等反射結(jié)構(gòu)的電極以提高光效率的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題并不限于上述的技術(shù)問題，在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想及范圍的前提下還可以有其它多種技術(shù)問題。為了達到上述的本發(fā)明的一目的，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置可以包括基板、第一電極、像素限定膜、有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物、第二電極等。所述基板上可以提供有開關(guān)器件。所述第一電極可以與所述開關(guān)器件電連接，并且可以包括反射結(jié)構(gòu)。所述像素限定膜可以設(shè)置在所述第一電極上，并且可以限定所述有機發(fā)光顯示裝置的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物可以設(shè)置在所述像素限定膜上，所述第二電極可以設(shè)置在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上。所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)可以向顯示區(qū)域反射從所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物發(fā)射并向所述非顯示區(qū)域傳播的光。根據(jù)示例性的實施例，所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)可以包括凹陷結(jié)構(gòu)，所述像素限定膜可以包括使所述顯示區(qū)域的所述第一電極露出的開口。在這種情況下，所述像素限定膜的開口的上部側(cè)壁基本上可以具有弧形形狀，所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物沿著所述像素限定膜的開口形狀可以設(shè)置在露出的所述第一電極上。在示例性的實施例中，所述第一電極可以包括第一電極膜圖案、第二電極膜圖案、所述凹陷結(jié)構(gòu)以及第三電極膜圖案。所述第一電極膜圖案可以與所述開關(guān)器件電連接，所述第二電極膜圖案可以設(shè)置在所述第一電極膜圖案上。并且，所述凹陷結(jié)構(gòu)可以形成在所述顯示區(qū)域的所述第二電極膜圖案上，所述第三電極膜圖案可以設(shè)置在所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)。例如，所述第一電極膜圖案和所述第三電極膜圖案分別可以包含透明導(dǎo)電性物質(zhì)，所述第二電極膜圖案可以包含反射性物。在這種情況下，所述第二電極可以包含與所述第一電極膜圖案或者所述第三電極膜圖案基本上相同的物質(zhì)。根據(jù)示例性的實施例，所述反射結(jié)構(gòu)的側(cè)壁可以相對基本上平行于所述基板的軸 線呈第一傾斜角，所述像素限定膜的開口的下部側(cè)壁可以相對平行于所述基板的軸線呈基本上大于所述第一傾斜角的第二傾斜角。例如，所述第一傾斜角與所述第二傾斜角之間的比率可以為約O. 3 I. O至約I. O 4. O左右。并且，在所述非顯示區(qū)域中，所述第一電極的厚度與所述像素限定膜的厚度之間的比率可以約在1.0以下。在另一示例性實施例中，所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)可以包括突出結(jié)構(gòu)。在這種情況下，所述第一電極可以包括與所述開關(guān)器件電連接的第一電極膜圖案；以及具有從所述第一電極膜圖案突出的所述突出結(jié)構(gòu)的第二電極膜圖案。例如，所述第一電極膜圖案可以包含透明導(dǎo)電性物質(zhì)，所述第二電極膜圖案可以包含具有反射性的物質(zhì)。并且，所述第二電極可以包含與所述第二電極膜圖案基本上相同的物質(zhì)。根據(jù)另一示例性實施例，所述像素限定膜可以包括在所述顯示區(qū)域中圍繞所述第二電極膜圖案的第一部分；以及在所述非顯示區(qū)域中設(shè)置在所述第一電極膜圖案上的第二部分。例如，所述像素限定膜的第一部分可以具有基本上弧形形狀。在這種情況下，所述像素限定膜的第一部分的寬度與厚度之間的比率可以約為1.0以上。并且，所述像素限定膜的第二部分的厚度與所述第二電極膜圖案的厚度之間的比率可以約為1.0以下。為了達到上述本發(fā)明的另一目的，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法可以在基板上形成開關(guān)器件之后，在所述基板上形成基本上覆蓋所述開關(guān)器件的絕緣層。在所述絕緣層上可以形成可以與所述開關(guān)器件電連接并可以包括凹陷結(jié)構(gòu)的第一電極。在所述絕緣層上可以形成使所述第一電極的一部分露出的像素限定膜。在露出的所述第一電極和所述像素限定膜上形成有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物之后，可以在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上形成第二電極。在形成根據(jù)示例性實施例的所述第一電極的過程中，在所述絕緣層上形成第一電極膜之后，可以在所述第一電極膜上形成第二電極膜?？梢詧D案化所述第二電極膜和所述第一電極膜來在所述絕緣層上形成第一電極膜圖案和第二電極膜圖案。在所述第二電極膜圖案上形成所述凹陷結(jié)構(gòu)之后，可以在所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)形成第三電極膜圖案。例如，可以采用干法蝕刻工序形成所述凹陷結(jié)構(gòu)。并且，可以同時形成所述第一電極膜圖案、第二電極膜圖案以及所述凹陷結(jié)構(gòu)。另一方面，可以將所述像素限定膜的開口形成為使所述第二電極膜圖案露出。為了達到上述本發(fā)明的另一目的，根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法可以在基板上形成開關(guān)器件之后，在所述基板上形成覆蓋所述開關(guān)器件的絕緣層?？梢栽谒鼋^緣層上形成與所述開關(guān)器件電連接并包括突出結(jié)構(gòu)的第一電極。在所述絕緣層和所述第一電極上形成像素限定膜，在所述像素限定膜上形成有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物之后，可以在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上形成第二電極。在形成根據(jù)另一示例性實施例的所述第一電極的過程中，在所述絕緣層上形成第一電極膜之后，可以在所述第一電極膜上形成第二電極膜。蝕刻所述第二電極膜的一部分以在所述第一電極膜上形成具有所述突出結(jié)構(gòu)的第二電極膜圖案之后，圖案化所述第一電極膜，從而可以 在所述絕緣層上形成第一電極膜圖案。其中，可以同時形成所述第二電極膜圖案和所述第一電極膜圖案。并且，可以將所述像素限定膜形成為圍繞所述第二電極膜圖案并形成在所述第一電極膜圖案上。根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置可以包括作為反射結(jié)構(gòu)的、具有凹陷結(jié)構(gòu)或者突出結(jié)構(gòu)的電極，因此與現(xiàn)有的有機發(fā)光顯示裝置相比，可以確保增加約50%左右的光效率。并且，所述有機發(fā)光顯示裝置可以包括基本上為弧形形狀的像素限定膜，因此可以通過包括基本上均勻的有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物和第二電極等以提高像素的均勻性。


圖I至圖7是用于說明根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖；圖8至圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖；圖13是用于說明根據(jù)本發(fā)明再一示例性的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。附圖標(biāo)記說明
100、200:基板；105、205:緩沖層；
110:半導(dǎo)體圖案115、215:柵絕緣膜；
120、220:柵電極；125、225:源區(qū)域；
130、230:漏區(qū)域；135、235:溝道區(qū)域；
140、240:第一絕緣層；145、245:源電極；
150、250:漏電極；155、255:保護膜；
160、260:第二絕緣層；161、261:接觸孔；
162、262:第一電極膜圖案；164、264:第二電極膜圖案；
166:第三電極膜圖案；170、270、300:第一電極；
175、305:凹陷結(jié)構(gòu)；180、280、310:像素限定膜；
185、331:開口；
190、290、315:有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物；
195、295、320:第二電極；275:突出結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式以下，將參考附圖詳細地說明根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的包括具有反射結(jié)構(gòu)的電極的有機發(fā)光顯示裝置和這種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，但是本發(fā)明并不限于下述實施例，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的技術(shù)思想的范圍的前提下，能夠以多種形態(tài)實施本發(fā)明。 就本發(fā)明的說明書，特定的結(jié)構(gòu)性說明或功能性說明僅以示例性地說明本發(fā)明的實施例為目的，本發(fā)明能夠以多種形式實施，不能解釋為僅限于在本文中說明的實施例，應(yīng)理解為包括本發(fā)明的思想以及技術(shù)范圍的所有變更、等同物以及代替物。某種組成要素與其它的組成要素“連接”或“接觸”，則表示其與其它的組成要素直接連接或接觸，也應(yīng)理解為中間還可以存在其它組成要素。相反，某種組成要素與其它組成要素“直接連接”或“直接接觸”，則應(yīng)理解為中間不存在其它組成要素。就描述組成要素之間關(guān)系的其他表述方式，即“…之間”、“就在…之間”或者“與…相鄰”和“…直接相鄰”也應(yīng)進行相同的解釋。在本說明書中所使用的用語僅用于說明示例性的實施例，并不用于限定本發(fā)明。對于單數(shù)用語，在文字上沒有沖突的解釋的前提下，則應(yīng)當(dāng)包括多個的含義。在本說明書中，“包括”、“具備”或“具有”等用語僅用于說明可以存在實施本發(fā)明的特征、數(shù)字、步驟、動作、結(jié)構(gòu)要素、部件或者它們的組合，并且不應(yīng)理解為預(yù)先排除了增加特征、數(shù)字、步驟、動作、結(jié)構(gòu)要素、部件或者它們的組合的可能性。沒有其他定義的前提下，包括技術(shù)術(shù)語或科學(xué)術(shù)語在內(nèi)的、在本申請中使用的所有術(shù)語的含義與本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。針對與在通常使用的詞典中所定義的術(shù)語相同的術(shù)語，應(yīng)理解為與根據(jù)相關(guān)技術(shù)內(nèi)容的上下文所能理解的含義一致；除本發(fā)明明確定義的以外，不應(yīng)解釋成理想化的含義或過于形式的含義。雖然第一、第二、第三等術(shù)語可以用于說明多種組成要素，但所述組成要素不限于所述術(shù)語。使用所述術(shù)語的目的在于使一個組成要素區(qū)別于另一個組成要素。例如，在不脫離本發(fā)明的保護范圍的前提下，第一組成要素可以命名為第二或第三組成要素，類似地，第二或者第三組成要素也可以交互地命名。圖I至圖7是用于說明根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖。如圖I所示，首先，可以在基板100上形成緩沖層105。基板100可以包括透明絕緣基板。例如，基板100可以由玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等形成。其中，所述透明樹脂基板可以包含聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸脂類樹脂、聚醚類樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯類樹脂、磺酸類樹脂等。在另一示例性實施例中，在基板100上形成緩沖層105之前，可以對基板100實施平坦化工序。例如，通過化學(xué)機械拋光(CMP)工序和/或回蝕(etch back)工序，可以讓基板100具有基本上平坦的上表面。根據(jù)再一示例性的實施例，根據(jù)基板100的表面平坦性、構(gòu)成物質(zhì)等，還可以在基板100上不形成緩沖層105。緩沖層105可以起到防止金屬原子或者雜質(zhì)從基板100擴散的現(xiàn)象的功能，并且通過在后續(xù)的用于形成半導(dǎo)體圖案110的結(jié)晶化工序期間調(diào)節(jié)熱的傳導(dǎo)速度，從而可以得到基本上均勻的半導(dǎo)體圖案110。并且，當(dāng)基板100的表面不均勻時，緩沖層105還可以起到提高基板100的表面平坦性的作用?？梢允褂霉杌衔飦硇纬删彌_層105。例如，緩沖層105可以包含硅氧化物(SiOx)、硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiOxNy)、硅碳氧化物(SiOxCy)、娃碳氮化物(SiCxNy)等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。緩沖層105可以采用下述工序而形成在基板100上，所述工序包括旋涂工序、化學(xué)氣相沉積(CVD)工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積(PECVD)工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積(HDP-CVD)工序、印刷工序等。并且，緩沖層105可以具有包含硅化合物的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。例如，可以將緩沖層105以包含硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氧化物膜和/或硅碳氮化物膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。可以在緩沖層105上形成半導(dǎo)體圖案110。在示例性的實施例中，在緩沖層105上形成半導(dǎo)體層(未圖示)之后，圖案化這種半導(dǎo)體層，從而可以在緩沖層105上形成預(yù)備半導(dǎo)體圖案(未圖示)。然后，對所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案實施結(jié)晶化工序，從而可以得到半導(dǎo)體圖案110。其中，所述半導(dǎo)體層可以使用下述工序形成化學(xué)氣相沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、低壓化學(xué)氣相沉積工序、濺射工序等。當(dāng)所述半導(dǎo)體層包含非晶硅時，半導(dǎo)體圖案110可以由多晶硅形成。并且，由所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案得到半導(dǎo)體圖案110的結(jié)晶化工序可以包括激光照射工序、熱處理工序、使用催化劑的熱處理工序等。 在另一示例性實施例中，形成所述半導(dǎo)體層和/或所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案之后，可以對所述半導(dǎo)體層和/或所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案實施脫氫工序。根據(jù)如上所述的脫氫工序可以減小所述半導(dǎo)體層和/或所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案內(nèi)的氫原子濃度，因此可以提高半導(dǎo)體圖案110的電特性。如圖2所示，可以在緩沖層105上形成覆蓋半導(dǎo)體圖案110的柵絕緣膜115。柵絕緣膜115可以使用下述工序形成化學(xué)氣相沉積工序、旋涂工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、濺射工序、真空沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、印刷工序等。柵絕緣膜115可以使用硅氧化物、金屬氧化物等形成。例如，形成柵絕緣膜115的金屬氧化物可以包含鉿氧化物(HfOx)、鋁氧化物(AlOx)、鋯氧化物(ZrOx)、鈦氧化物(TiOx)、鉭氧化物(TaOx)等。可以單獨使用這些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。在示例性的實施例中，柵絕緣膜115可以沿著半導(dǎo)體圖案110的輪廓(profile)而以基本上均勻的厚度形成在緩沖層105上。在這種情況下，柵絕緣膜115可以具有相對薄的厚度，柵絕緣膜115可以生成有與半導(dǎo)體圖案110相鄰的段差部。根據(jù)另一示例性實施例，柵絕緣膜115充分覆蓋半導(dǎo)體圖案110，并且可以具有基本上平坦的上表面。此時，柵絕緣膜115可以具有相對厚的厚度。在柵絕緣膜115上可以形成柵電極120。柵電極120可以形成在柵絕緣膜115的、在下部設(shè)置有半導(dǎo)體圖案110的部分上。在示例性的實施例中，在柵絕緣膜115上形成第一導(dǎo)電膜(未圖示)之后，采用光刻工序或者使用額外的蝕刻掩模板的蝕刻工序等而圖案化所述第一導(dǎo)電膜，從而可以得到柵電極120。所述第一導(dǎo)電膜可以使用下述工序形成印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、脈沖激光沉積(PLD)工序、真空沉積工序、原子層沉積(ALD)工序等。可以使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物、透明導(dǎo)電性物質(zhì)等來形成柵電極120。例如，柵電極120可以包含招(Al)、包含鋁的合金、鋁氮化物(AlNx)、銀(Ag)、包含銀的合金、鎢(W)、鎢氮化物(WNx)、銅(Cu)、包含銅的合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鉻氮化物(CrNx)、鑰(Mo)、包含鑰的合金、鈦(Ti)、鈦氮化物(TiNx)、鉬(Pt)、鉭(Ta)、鉭氮化物(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、鍶釕氧化物(SRO)、鋅氧化物(ZnOx)、銦錫氧化物(ITO)、錫氧化物(SnOx)、銦氧化物(InOx)、鎵氧化物(GaOx)、銦鋅氧化物(IZO)等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。并且，柵電極120可以由包含金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導(dǎo)電性金屬氧化物膜和/或透明導(dǎo)電性物質(zhì)膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。雖未在圖2中示出，但是在形成柵電極120的期間可以在柵絕緣膜115上形成柵線。柵電極120可以與所述柵線連接，所述柵線可以在柵絕緣膜115上沿著第一方向延伸。
將柵電極120用作離子注入掩模板而向半導(dǎo)體圖案110注入雜質(zhì)，從而可以在半導(dǎo)體圖案110上形成源區(qū)域125和漏區(qū)域130。通過調(diào)節(jié)用于注入所述雜質(zhì)的離子注入能量，所述雜質(zhì)可以通過柵絕緣膜115而注入在半導(dǎo)體圖案110的兩側(cè)部。其中，所述雜質(zhì)不會注入在位于柵電極120下部的半導(dǎo)體圖案110的中心部，由此，在半導(dǎo)體圖案110的中心部可以限定出位于源區(qū)域125和漏區(qū)域130之間的溝道區(qū)域135。即，根據(jù)源區(qū)域125和漏區(qū)域130的形成，在半導(dǎo)體圖案110上可以限定溝道區(qū)域135。根據(jù)另一示例性實施例，在柵絕緣膜115上形成與柵電極120相鄰并且露出柵絕緣膜115的一部分的掩模板之后，將所述掩模板和柵電極120 —起用作離子注入掩模板以向半導(dǎo)體圖案110注入雜質(zhì)，從而可以形成源區(qū)域125和漏區(qū)域130。在示例性的實施例中，柵電極120可以具有與半導(dǎo)體圖案110相比基本上更小的寬度。例如，柵電極120可以具有與溝道區(qū)域135基本上相同或者基本上類似的寬度。然而，柵電極120的尺寸和/或溝道區(qū)域135的尺寸可以根據(jù)開關(guān)器件所需的電特性而發(fā)生變化。如圖3所示，可以在柵絕緣膜115上形成覆蓋柵電極120的第一絕緣層140。第一絕緣層140可以沿著柵電極120的輪廓而以基本上均勻的厚度形成在柵絕緣膜115上。從而，第一絕緣層140可以生成有與柵電極120相鄰的段差部。第一絕緣層140可以使用硅化合物來形成。例如，第一絕緣層140可以使用下述物質(zhì)來形成硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氮化物、硅碳氧化物等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。并且，第一絕緣層140可以具有包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氮化物膜和/或硅碳氧化物膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。第一絕緣層140可以使用下述工序得到旋涂工序、化學(xué)氣相沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序等。第一絕緣層140可以起到使后續(xù)形成的源電極145以及漏電極150與柵電極120電絕緣的作用。在第一絕緣層140上可以形成源電極145和漏電極150。實質(zhì)上源電極145和漏電極150可以以柵電極120為中心間隔有預(yù)定的距離，并且可以與柵電極120相鄰而成。例如，源電極145和漏電極150可以分別從位于源區(qū)域125和漏區(qū)域130上部的第一絕緣層140延伸至位于柵電極120上的第一絕緣層140。并且，源電極145和漏電極150貫通第一絕緣層140，從而可以分別與源區(qū)域125和漏區(qū)域130接觸。在示例性的實施例中，可以蝕刻第一絕緣層140的一部分以形成使源區(qū)域125和漏區(qū)域130的一部分露出的過孔之后，在第一絕緣層140上形成第二導(dǎo)電膜(未圖示)并且填充這些過孔。然后，圖案化所述第二導(dǎo)電膜，從而可以形成如在圖3中示例性地圖示的源電極145和漏電極150。其中，所述第二導(dǎo)電膜可以通過使用下述工序來形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、脈沖激光沉積工序、真空沉積工序、原子層沉積工序、印刷工序等。源電極145和漏電極150可以分別使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物、透明導(dǎo)電性物質(zhì)等來形成。例如，源電極145和漏電極150分別可以包含鋁、包含鋁的合金、鋁氮化物、銀、包含銀的合金、鎢、鎢氮化物、銅、包含銅的合金、鎳、鉻、鉻氮化物、鑰、包含鑰的合金、鈦、鈦氮化物、鉬、鉭、鉭氮化物、釹、鈧、銀釕氧化物、鋅氧化物、銦錫氧化物、錫氧化物、銦氧化物、鎵氧化物、銦鋅氧化物等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。源電極145和漏電極150分別可以由包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導(dǎo)電性金屬氧化物膜和/或透明導(dǎo)電性物質(zhì)膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。雖未在圖3中圖示，但是在形成源電極145和漏電極150的期間，在第一絕緣層140上可以形成有沿著第二方向延伸的數(shù)據(jù)線。在這種情況下，所述數(shù)據(jù)線延伸的第二方向基本上可以與所述柵線延伸的第一方向垂直。所述數(shù)據(jù)線可以與源電極145連接。隨著在第一絕緣層140上形成源電極145和漏電極150，基板100上可以形成有作為所述有機發(fā)光顯示裝置的開關(guān)器件的薄膜晶體管(TFT)，所述薄膜晶體管(TFT)包括半導(dǎo)體圖案110、柵絕緣膜115、柵電極120、源電極145以及漏電極150。 如圖4所示，在第一絕緣層140上可以形成覆蓋源電極145和漏電極150的保護膜155?？梢孕纬删哂幸欢ê穸鹊谋Ｗo膜155以充分地覆蓋源電極145和漏電極150。保護膜155可以使用有機物質(zhì)、無機物質(zhì)等形成。例如，保護膜155可以使用下述的物質(zhì)形成光刻膠、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷(siloxane)類樹脂、包含光敏丙烯酸羧基(acryl carboxyl group)的樹脂、酹醒清漆樹脂、堿溶性(alkali-developableresin)樹脂、硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。根據(jù)形成保護膜155的物質(zhì)，保護膜155可以通過使用下述工序來形成，如旋涂工序、印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、真空沉積工序等。根據(jù)另一示例性實施例，根據(jù)后續(xù)形成的第二絕緣層160的組成物質(zhì)、結(jié)構(gòu)等，還可以不形成覆蓋所述開關(guān)器件的保護膜155?？梢栽诒Ｗo膜155上形成第二絕緣層160。第二絕緣層160可以由單層結(jié)構(gòu)形成，還可以由包括至少兩個以上的絕緣膜的多層結(jié)構(gòu)形成。在示例性的實施例中，為了提高第二絕緣層160的平坦性,可以對第二絕緣層160實施平坦化(planarization)工序。例如，對第二絕緣層160實施化學(xué)機械拋光(CMP)工序、回蝕(etch-back)工序等，從而可以使第二絕緣層160具有基本上平坦的上表面。第二絕緣層160可以使用有機物質(zhì)來形成。例如，第二絕緣層160可以包含光刻膠、丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、聚酰胺類樹脂、硅氧烷類樹脂、包含光敏丙烯酸羧基的樹脂、酚醛清漆樹脂、堿溶性樹脂等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。根據(jù)另一示例性實施例，第二絕緣層160還可以使用硅化合物、金屬、金屬氧化物等無機物質(zhì)來形成。例如，第二絕緣層160可以包含硅氧化物、硅氮化物、硅氮氧化物、硅碳氧化物、硅碳氮化物、鋁、鎂、鋅、鉿、鋯、鈦、鉭、鋁氧化物、鈦氧化物、鉭氧化物、鎂氧化物、鋅氧化物、鉿氧化物、鋯氧化物、鈦氧化物等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。根據(jù)第二絕緣層160的組成物質(zhì)，通過使用下述工序而可以在保護膜155上形成第二絕緣層160，如旋涂工序、印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、真空沉積工序等。
通過光刻工序或者使用額外的掩模板的蝕刻工序部分地蝕刻第二絕緣層160和保護膜155，從而可以形成貫通第二絕緣層160和保護膜155以露出所述開關(guān)器件的漏電極150的一部分的接觸孔161。在示例性的實施例中，接觸孔161可以具有以預(yù)定的角度傾斜的側(cè)壁。例如，接觸孔161可以具有與下部寬度相比基本上更寬的上部寬度。如圖5所示，可以在第二絕緣層160上形成第一電極層(未圖示)并且填充接觸孔161。所述第一電極層可以由多層結(jié)構(gòu)形成。在示例性的實施例中，可以在第二絕緣層160上形成所述第一電極層并且填充接觸孔161。從而，所述第一電極層可以與通過接觸孔161露出的漏電極150連接。根據(jù)另一示例性實施例，可以在漏電極150上形成填充接觸孔161的觸點(contact)、插頭(plug)或者焊點(pad)之后形成所述第一電極層。在這種情況下，所述第一電極層通過所述觸點、所述插頭或者所述焊點可以與漏電極150電連接。當(dāng)根據(jù)示例性實施例的所述有機發(fā)光顯示裝置具有正面發(fā)光方式時，所述第一電極層可以包括第一電極膜、第二電極膜以及第三電極膜。其中，所述第一電極膜填充接觸孔161并且可以形成在第二絕緣層160上，所述第二電極膜和第三電極膜可以依次形成在 所述第一電極膜上。所述第一電極層的第一電極膜可以使用第一透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成。例如，第一電極膜可以使用下述物質(zhì)形成銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵氧化物等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。所述第一電極膜可以使用下述工序形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序、印刷工序等。所述第一電極層的第二電極膜可以使用具有反射性的金屬、具有反射性的合金等形成。例如，所述第二電極膜可以包含招、銀、鉬、金(Au)、鉻、鎢、鑰、鈦、IE (Pd)、銥(Ir)、這些金屬的合金等?？梢詥为毷褂眠@些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。并且，所述第二電極膜可以使用下述工序形成，如印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序等。所述第一電極層的第三電極膜可以使用第二透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成。例如，所述第三電極膜可以包含銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵氧化物等。所述第三電極膜可以通過下述工序形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序、印刷工序等。 在示例性的實施例中，所述第一電極膜的第一透明導(dǎo)電性物質(zhì)可以與所述第三電極膜的第二透明導(dǎo)電性物質(zhì)基本上相同或者基本上類似。根據(jù)另一示例性實施例，所述第一透明導(dǎo)電性物質(zhì)與所述第二透明導(dǎo)電性物質(zhì)基本上可以不同。根據(jù)示例性的實施例，當(dāng)所述第一電極層包括所述第一電極膜、所述第二電極膜以及所述第三電極膜時，在填充接觸孔161并且在第二絕緣層160上形成所述第一電極膜之后，可以在所述第一電極膜上形成所述第二電極膜。例如，所述第一電極膜可以以從第二絕緣層160的上表面開始約500A至約1,000A左右的第一厚度形成；以所述第一電極膜的上表面作為基準(zhǔn)，所述第二電極膜可以以約2,000A至約4,000A左右的第二厚度形成。從而，所述第一電極膜的第一厚度與所述第二電極膜的第二厚度之間的比率可以為約1.0 2. O至約I. O 8. O左右。然后，圖案化所述第二電極膜和所述第一電極膜，從而可以在第二絕緣層160上形成第一電極膜圖案162和第二電極膜圖案164。在這種情況下，第一電極膜圖案162可以與漏電極150連接，第二電極膜圖案164上可以形成有作為反射結(jié)構(gòu)(reflection structure)的、具有預(yù)定深度的凹陷結(jié)構(gòu)(recess structure) 175。凹陷結(jié)構(gòu)175的深度基本上可以小于第二電極膜圖案164的第二厚度。即，位于第二電極膜圖案164下部的第一電極膜圖案162不會因凹陷結(jié)構(gòu)175而被露出。例如，凹陷結(jié)構(gòu)175的深度可以以第二電極膜圖案164的上表面為基準(zhǔn)，約為1,000A至約2,000A左右。從而，凹陷結(jié)構(gòu)175的深度與第二電極膜圖案164的第二厚度之間的比率可以約為I. O I.O至約I.O 4. O左右。在示例性的實施例中，凹陷結(jié)構(gòu)175可以與第二電極膜圖案164同時形成。例如，可以通過使用半色調(diào)掩模板或者半色調(diào)縫隙掩模板的一次蝕刻工序形成第一電極膜圖案162、第二電極膜圖案164以及凹陷結(jié)構(gòu)175。根據(jù)另一示例性實施例，還可以為，在形成第一電極膜圖案162和第二電極膜圖案164之后，實施額外的蝕刻工序來在第二電極膜圖案164上形成凹陷結(jié)構(gòu)175。例如，在第二電極膜圖案164上形成光刻膠圖案(未圖示)之后，調(diào)節(jié)如在氧等離子體蝕刻工序中的氧濃度等干法蝕刻工序的蝕刻條件以部分地蝕刻第二電極膜圖案164，從而可以形成凹陷結(jié)構(gòu)175。
在形成有凹陷結(jié)構(gòu)175的第二電極膜圖案164上形成所述第三電極膜之后，圖案化所述第三電極膜，從而可以在凹陷結(jié)構(gòu)175內(nèi)形成具有第三厚度的第三電極膜圖案166。由此，第二絕緣層160上可以形成有包括第一電極膜圖案162、第二電極膜圖案164、第三電極膜圖案166以及凹陷結(jié)構(gòu)175的第一電極170。S卩，第一電極170可以包括作為反射結(jié)構(gòu)反射在有機發(fā)光層生成的光的凹陷結(jié)構(gòu)175。例如,第一電極170可以起到陽極(anode)功能。其中，第三電極膜圖案166的第三厚度可以以凹陷結(jié)構(gòu)175的底面為基準(zhǔn)，約為500A至約1,000A左右。從而，第二電極膜圖案164的第二厚度與第三電極膜圖案166的第三厚度之間的比率可以為約2. O I. O至約8. O I. O左右。并且，凹陷結(jié)構(gòu)175的深度與第三電極膜圖案166的第三厚度之間的比率可以為約1.0 O. 25至約I. O I. O左右。在示例性的實施例中，第三電極膜圖案166可以根據(jù)凹陷結(jié)構(gòu)175所限定。例如，第三電極膜圖案166的底面可以與凹陷結(jié)構(gòu)175的底面接觸，第三電極膜圖案166的側(cè)面可以與凹陷結(jié)構(gòu)175的側(cè)壁接觸。第一電極170的凹陷結(jié)構(gòu)175可以與實際上平行于基板100的方向呈第一傾斜角Θ1。例如，凹陷結(jié)構(gòu)175的第一傾斜角Θ I可以相對實際上平行于基板100的軸線而言為約10°至約70°左右。由此，第三電極膜圖案166的側(cè)壁也可以相對實際上平行于基板100的方向呈約10°至約70°左右的傾斜角。當(dāng)?shù)谝浑姌O170包括作為所述反射結(jié)構(gòu)的凹陷結(jié)構(gòu)175時，所述有機發(fā)光顯示裝置可以具有正面發(fā)光方式。如圖6所示，可以在第二絕緣層160和第一電極170上形成像素限定膜(PDL) 180。像素限定膜180可以使用有機物質(zhì)、無機物質(zhì)等形成。例如，像素限定膜180可以使用下述物質(zhì)形成，如光刻膠、聚丙烯酸類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、硅化合物等。并且，像素限定膜180可以使用下述工序而形成在第二絕緣層160和第一電極170上，如旋涂工序、噴射工序、印刷工序、化學(xué)氣相沉積工序等。蝕刻像素限定膜180以在像素限定膜180形成使第一電極170部分地露出的開口185。例如，像素限定膜180的開口 185可以部分地或者整體地露出第一電極170的第三電極膜圖案166?？梢愿鶕?jù)像素限定膜180的開口 185限定所述有機發(fā)光顯示裝置的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。即，設(shè)置有像素限定膜180的開口 185的部分可以相當(dāng)于所述顯示區(qū)域，所述非顯示區(qū)域可以相當(dāng)于與開口 185相鄰的部分。如上所述，由于第一電極170具有第二電極膜圖案164和凹陷結(jié)構(gòu)175，因此可以將從有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物190的有機發(fā)光層發(fā)射并向所述非顯示區(qū)域傳播的光反射至所述顯示區(qū)域。由此，可以較大幅度地提高所述有機發(fā)光顯示裝置的光效率，并且可以顯著地改善由所述有機發(fā)光顯示裝置顯示的影像的亮度。在示例性的實施例中，由于像素限定膜180的開口 185的側(cè)壁可以被設(shè)置成與第一電極170的凹陷結(jié)構(gòu)175的側(cè)壁相鄰，因此開口 185的下部側(cè)壁可以具有預(yù)定的第二傾斜角Θ 2。其中，開口 185下部側(cè)壁的第二傾斜角Θ 2基本上可以大于凹陷結(jié)構(gòu)175的第一傾斜角Θ I。例如，像素限定膜180的開口 185的側(cè)壁可以相對實質(zhì)上平行于基板100的軸線呈約20°至約80°左右的傾斜角。從而，凹陷結(jié)構(gòu)175的第一傾斜角Θ I與開口 185的第二傾斜角Θ 2之間的比率可以為約O. 3 I. O至約I. O 4. O左右。并且，像素限定膜180的開口 185的上部側(cè)壁可以具有基本上弧形(rounded)形狀。由此可以在像素限定膜180上基本上均勻地形成包括有機層的發(fā)光結(jié)構(gòu)物190 (參考圖7)和第二電極195 (參考圖7)。根據(jù)示例性的實施例，像素限定膜180可以具有相比第一電極170基本上更小的 厚度。例如，第一電極170的厚度與像素限定膜180的厚度之間的比率可以約在I. O以上。并且，像素限定膜180的開口 185的下部側(cè)壁和第一電極170的凹陷結(jié)構(gòu)175的側(cè)壁可以間隔有預(yù)定的距離。例如，像素限定膜180的開口 185的下部側(cè)壁可以與第一電極170的凹陷結(jié)構(gòu)175的側(cè)壁間隔有約3.0μπι以上的距離。根據(jù)開口 185的下部側(cè)壁具有上述的第二傾斜角Θ 2，像素限定膜180的開口 185可以具有與上部寬度相比基本上更小的下部寬度。從而，被露出的第一電極170的第三電極膜圖案166部分的面積實際上可以小于第三電極膜圖案166的整體面積。在這種情況下，第一電極170的凹陷結(jié)構(gòu)175的側(cè)壁傾斜角與像素限定膜180的開口 185的下部側(cè)壁傾斜角之間的比率可以約在1/2以下。換言之，第二傾斜角Θ 2與第一傾斜角Θ I之比可以約在2. O以上。如圖7所示，可以在像素限定膜180和露出的第一電極170上形成發(fā)光結(jié)構(gòu)物190。在示例性的實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)物190可以由包括有機發(fā)光層(EL)、空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等的多層結(jié)構(gòu)形成。發(fā)光結(jié)構(gòu)物190的有機發(fā)光層可以使用發(fā)光物質(zhì)來形成，所述發(fā)光物質(zhì)可以根據(jù)所述有機發(fā)光顯示裝置的各個像素而發(fā)射如紅色光、綠色光、藍色光等互相不同的色光。在另一示例性實施例中，發(fā)光結(jié)構(gòu)物190的有機發(fā)光層還可以具有能夠?qū)⒊尸F(xiàn)紅色光、綠色光、藍色光等不同顏色的光的多個發(fā)光物質(zhì)層疊而發(fā)出白色光的多層結(jié)構(gòu)。如上所述，由于像素限定膜180的開口 185的上部側(cè)壁基本上可以具有弧形形狀，因此發(fā)光結(jié)構(gòu)物190可以以基本上均勻的厚度形成在像素限定膜180和露出的第一電極170上。根據(jù)像素限定膜180的開口 185的下部側(cè)壁的第二傾斜角Θ 2，位于所述顯示區(qū)域的發(fā)光結(jié)構(gòu)物190也可以和第二絕緣層160成預(yù)定的傾斜角。例如，與開口 185的下部側(cè)壁接觸的發(fā)光結(jié)構(gòu)物190相對實際上平行于基板100的軸線可以呈約20°至約80°左右的傾斜角。可以在發(fā)光結(jié)構(gòu)物190上形成第二電極195。由于像素限定膜180的開口 185的下部側(cè)壁的形狀，第二電極195也可以以基本上均勻的厚度形成在發(fā)光結(jié)構(gòu)物190上。例如，第二電極195可以起到陰極(cathode)功能。位于所述顯示區(qū)域的第二電極195也可以因開口 185的下部側(cè)壁的第二傾斜角Θ 2而具有傾斜角。當(dāng)所述有機發(fā)光顯示裝置具有正面發(fā)光方式時，第二電極195可以使用第三透明導(dǎo)電性物質(zhì)形成。例如，第二電極195可以使用如下述的第三透明導(dǎo)電性物質(zhì)來形成，如銦錫氧化物、錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵氧化物等。可以單獨使用這些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。并且，第二電極195可以使用下述工序形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序、印刷工序等。在示例性的實施例中，第二電極195的第三透明導(dǎo)電性物質(zhì)可以與第一電極膜圖案162的第一透明導(dǎo)電性物質(zhì)和/或第三電極膜圖案166的第二透明導(dǎo)電性物質(zhì)基本上相同或者基本上類似。根據(jù)另一示例性實施例，第二電極195的第三透明導(dǎo)電性物質(zhì)還可以與第一電極膜圖案162的第一透明導(dǎo)電性物質(zhì)和/或第三電極膜圖案166的第二透明導(dǎo)電性物質(zhì)基本上不同。根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置中，作為反射結(jié)構(gòu)而具有凹陷結(jié)構(gòu)的第一電極的反射效率可以通過調(diào)節(jié)下述的比率來提高，即像素限定膜的開口的傾斜角與凹陷結(jié)構(gòu)的傾斜角之間的比率，像素限定膜的厚度與第一電極的厚度之間的比率等。假設(shè)不包括凹陷結(jié)構(gòu)的第一電極的反射效率為約100%，當(dāng)像素限定膜的開口的下部側(cè)壁傾斜角與第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜角之間的比率約為I. 32左右、第一電極的 厚度與像素限定膜的厚度之間的比率約為3. O左右時，第一電極的反射效率可以提高至約135. 3%左右。當(dāng)像素限定膜的開口的下部側(cè)壁傾斜角與第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜角之間的比率約為1.32左右、第一電極的厚度與像素限定膜的厚度之間的比率約為19.0左右時，第一電極的反射效率可以提高至約143. 7%左右。當(dāng)像素限定膜的開口的下部側(cè)壁傾斜角與第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜角之間的比率約為I. 41左右、第一電極的厚度與像素限定膜的厚度之間的比率約為3. O左右時，第一電極的反射效率可以提高至約106. 8%左右。另外，當(dāng)像素限定膜的開口的下部側(cè)壁傾斜角與第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁傾斜角之間的比率約為I. 05左右、第一電極的厚度與像素限定膜的厚度之間的比率約為
4.O左右時，第一電極的反射效率可以提高至約130. 8%左右。另一方面，第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與像素限定膜的開口的下部側(cè)壁之間的距離也可以對第一電極的反射效率產(chǎn)生影響。例如，若第一電極的凹陷結(jié)構(gòu)的側(cè)壁與像素限定膜的開口的下部側(cè)壁之間的距離過近，則很難調(diào)節(jié)像素限定膜的厚度與第一電極的厚度之間的比率，從而會降低第一電極的反射效率。圖8至圖12是用于說明根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法的截面圖。根據(jù)圖8至圖12中示例性地圖示的方法，可以得到具有下述構(gòu)成的有機發(fā)光顯示裝置，即，除了第一電極、像素限定膜、發(fā)光結(jié)構(gòu)物以及第二電極等之外，其他的構(gòu)成與參考圖7進行說明的有機發(fā)光顯示裝置基本上相同或者基本上類似。但是，應(yīng)理解為通過對圖8至圖12中示例性地示出的工序進行顯而易見的變更，還能夠得到具有多種組成的其他的有機發(fā)光顯示裝置。如圖8所示，可以在基板200上形成緩沖層205。基板200可以包括透明絕緣基板。例如，基板200可以由玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等形成。其中，所述透明樹脂基板可以包含聚酰亞胺類樹脂、丙烯酸類樹脂、聚丙烯酸酯類樹脂、聚碳酸脂類樹脂、聚醚類樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯類樹脂、磺酸類樹脂等。緩沖層205可以使用硅化合物形成。并且，緩沖層205可以由包括硅化合物的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。根據(jù)另一示例性實施例，在形成緩沖層205之前對基板200實施平坦化工序，從而基板200可以具有基本上平坦的上表面。例如，可以對基板200實施化學(xué)機械拋光工序和/或回蝕工序等平坦化工序。但是，根據(jù)基板200的表面平坦性、組成物質(zhì)等，還可以在基板200上不形成緩沖層205。可以在緩沖層205上形成半導(dǎo)體圖案(未圖示)。在示例性的實施例中，使用化學(xué)氣相沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、低壓化學(xué)氣相沉積工序、濺射工序等在緩沖層205上形成半導(dǎo)體層(未圖示)之后，圖案化所述半導(dǎo)體層，從而可以在緩沖層205上形成預(yù)備半導(dǎo)體圖案(未圖示)。然后，對所述預(yù)備半導(dǎo)體圖案實施結(jié)晶化工序，從而可以得到所述半導(dǎo)體圖案?？梢栽诰彌_層205上形成覆蓋所述半導(dǎo)體圖案的柵絕緣膜215?？梢詫⒐柩趸锘蛘呓饘傺趸锿ㄟ^下述工序沉積而得到柵絕緣膜215，如化學(xué)氣相沉積工序、旋涂工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、濺射工序、真空沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、印刷工序等。柵絕緣膜215具有相對薄的厚度，并且可以沿著所述半導(dǎo)體圖案的輪廓均勻地形成在緩沖層205上。根據(jù)另一示例性實施例，柵絕緣膜215以能夠充分地覆蓋所述半導(dǎo)體圖案的、相對厚的厚度形成，從而可以具有基本上平坦的上表面。
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再次參考圖8，可以在柵絕緣膜215上形成柵電極220。柵電極220可以形成在所述半導(dǎo)體圖案上部。在示例性的實施例中，使用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物、透明導(dǎo)電性物質(zhì)等在柵絕緣膜215上形成第二導(dǎo)電膜(未圖示)之后，部分地蝕刻所述第二導(dǎo)電膜，從而可以形成柵電極220。其中，所述第二導(dǎo)電膜可以使用下述工序形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、脈沖激光沉積工序、真空沉積工序、原子層沉積工序等。柵電極220可以由單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成，在形成柵電極220的期間，柵絕緣膜215上可以形成有與柵電極220連接的柵線。向所述半導(dǎo)體圖案注入雜質(zhì)，從而可以形成具有源區(qū)域225、漏區(qū)域230以及溝道區(qū)域235的有源圖案(active pattern)。在這種情況下,柵電極220可以用作用于注入所述雜質(zhì)的掩模板。柵電極220可以具有與所述有源圖案相比基本上更小的寬度，但是柵電極220的尺寸和/或溝道區(qū)域235的尺寸可以根據(jù)將其包括的開關(guān)器件的電特性而發(fā)生變化。如圖9所示，將覆蓋柵電極220的第一絕緣層240可以形成在柵絕緣膜215上。第一絕緣層240可以根據(jù)柵電極220的形狀而以均勻的厚度形成在柵絕緣膜215上，并且可以具有與柵電極220相鄰的段差部?？梢詫⒐杌衔锿ㄟ^下述工序沉積而得到第一絕緣層240，如旋涂工序、化學(xué)氣相沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序等。第一絕緣層240可以由包括硅氧化物膜、硅氮化物膜、硅氮氧化物膜、硅碳氮化物膜和/或硅碳氧化物膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。在第一絕緣層240上可以形成開關(guān)器件的源電極245和漏電極250。源電極245和漏電極250可以互相間隔有預(yù)定的距離，并且可以分別貫通第一絕緣層240而連接于源區(qū)域225和漏區(qū)域230。在示例性的實施例中，部分地蝕刻第一絕緣層240以形成使源區(qū)域225和漏區(qū)域230露出的過孔(未圖示)之后，填充所述過孔并且在第一絕緣層240上沉積金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電性金屬氧化物和/或透明導(dǎo)電性物質(zhì)，從而可以形成第二導(dǎo)電膜(未圖示)。然后，可以圖案化所述第二導(dǎo)電膜來形成源電極245和漏電極250。其中，所述第二導(dǎo)電膜可以通過使用下述工序形成，如濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、脈沖激光沉積工序、真空沉積工序、原子層沉積工序、印刷工序等。源電極245和漏電極250分別可以由包括金屬膜、合金膜、金屬氮化物膜、導(dǎo)電性金屬氧化物膜和/或透明導(dǎo)電性物質(zhì)膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)形成。在形成源電極245和漏電極250期間，第一絕緣層240上可以形成有與源電極245連接的數(shù)據(jù)線?？梢允褂糜袡C物質(zhì)和/或無機物質(zhì)來在第一絕緣層240上形成覆蓋所述開關(guān)器件的保護膜255。保護膜255可以充分地覆蓋源電極245和漏電極250，并且可以具有相對厚的厚度。保護膜255可以使用下述工序形成，如旋涂工序、印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、真空沉積工序等。在另一示例性實施例中，第一絕緣層240上還可以不形成覆蓋所述開關(guān)器件的保護膜255?？梢允褂糜袡C物質(zhì)或者無機物質(zhì)在保護膜255上形成第二絕緣層260。例如，第二絕緣層260可以使用下述工序形成，如旋涂工序、印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序、高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工序、真空沉積工序等。第二絕緣層260可以具有包括有機膜和/或無機膜的單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。在另一示例性實施例中，通過對第二絕緣層260實施平坦化工序，從而第二絕緣層260可以具有基本上平坦的上表面。部分地蝕刻第二絕緣層260和保護膜255，從而可以形成使所述開關(guān)器件的漏電極250露出的接觸孔261。例如，根據(jù)構(gòu)成第二絕緣層260和保護膜255的物質(zhì)，接觸孔261可以使用干法蝕刻工序或者濕法蝕刻工序得以形成。如圖10所示，掩埋接觸孔261并且可以在第二絕緣層260上形成第一電極層(未圖示)。所述第一電極層可以具有多層結(jié)構(gòu)。當(dāng)所述有機發(fā)光顯示裝置具有背面發(fā)光方式的情況下，所述第一電極層可以通過下述方法得到，即在第二絕緣層260上依次形成第一電極膜(未圖示)和第二電極膜(未圖示)。其中，所述第一電極膜可以形成在第二絕緣層260上并且填充接觸孔261，所述第二電極膜可以形成在所述第一電極膜上。例如，可以將如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋅氧化物、鋅錫氧化物、鎵氧化物等透明導(dǎo)電性物質(zhì)通過下述工序沉積而得到所述第一電極膜，如濺 射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序、印刷工序等。所述第二電極膜可以使用具有反射性的金屬、具有反射性的合金等第一反射性物質(zhì)來形成。例如，所述第二電極膜可以使用下述物質(zhì)形成，如鋁、銀、鉬、金、鉻、鎢、鑰、鈦、鈀、銥、這些金屬的合金等。并且，所述第二電極膜可以通過下述工序得到，如印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序等。部分地蝕刻包括所述第一電極膜和所述第二電極膜的所述第一電極層，從而可以在第二絕緣層260上形成包括第一電極膜圖案262和第二電極膜圖案264的第一電極270。根據(jù)不例性的實施例，第一電極膜圖案262和第二電極膜圖案264可以通過一次蝕刻工序而同時得到。在另一示例性實施例中，還可以為部分地蝕刻所述第二電極膜以在所述第一電極膜圖案上形成具有突出結(jié)構(gòu)275的第二電極膜圖案264之后，圖案化所述第一電極膜，從而可以在第二絕緣層260和第二電極膜圖案264之間形成第一電極膜圖案262。其中，第一電極膜圖案262和第二電極膜圖案264可以分別通過干法蝕刻工序或者濕法蝕刻工序得到。第一電極270的第一電極膜圖案262可以與漏電極250連接，并且可以朝第二絕緣層260上延伸。并且，第二電極膜圖案264可以具有突出結(jié)構(gòu)275，并且可以位于第一電極膜圖案262上，突出結(jié)構(gòu)275具有傾斜的側(cè)壁。在這種情況下，具有突出結(jié)構(gòu)275的第二電極膜圖案264的側(cè)壁可以相對實質(zhì)上平行于基板200的軸線呈第三傾斜角。例如，第二電極膜圖案264的第三傾斜角Θ 3相對實質(zhì)上平行于基板200的方向呈約10°至約70°左右。由此，作為所述反射結(jié)構(gòu)，在第二絕緣層260上可以形成有具有突出結(jié)構(gòu)275的第一電極 270。如圖11所示，使用有機物質(zhì)和/或無機物質(zhì)可以在第二絕緣層260和第一電極270上形成像素限定膜280。像素限定膜280可以通過下述工序得到，如印刷工序、噴射工序、旋涂工序、化學(xué)氣相沉積、等離子體增強化學(xué)氣相沉積工序等。像素限定膜280可以限定所述有機發(fā)光顯示裝置的顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域。例如，在像素限定膜280中，圍繞第二電極膜圖案264的、突出的第一部分可以限定所述顯示區(qū)域，與這種第一部分相鄰的像素限定膜280的第二部分可以相當(dāng)于所述非顯示區(qū)域。位于所述顯示區(qū)域的像素限定膜280的第一部分可以以基本上弧形形狀突出。例如，像素限定膜的第一部分在第二電極膜圖案264上可以具有如基本上的半圓形狀、基本 上的半橢圓形狀、基本上的半球(dome)形狀等截面形狀。位于所述非顯示區(qū)域的像素限定膜280的第二部分基本上可以均勻地形成在第一電極膜圖案262上。根據(jù)前述的像素限定膜280的結(jié)構(gòu)，由于在像素限定膜280上可以基本上均勻地形成有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物290 (參考圖12)和第二電極295(參考圖12)，因此可以提高所述有機發(fā)光顯示裝置的像素的均勻性。在示例性的實施例中，像素限定膜280可以充分地覆蓋第一電極270的第二電極膜圖案264，并且可以以相對厚的厚度形成。例如，在所述顯示區(qū)域中，圍繞第二電極膜圖案264的像素限定膜280的第一部分寬度與厚度之間的比率可以約為I. O以上。并且，在所述非顯示區(qū)域中，位于第一電極膜圖案262上的像素限定膜280的第二部分厚度與第二電極膜圖案264的厚度之間的比率可以約為I. O以下。另外，像素限定膜280的第二部分可以與第二電極膜圖案264間隔有約3μπι以上的距離。根據(jù)具有上述形狀的像素限定膜280和第一電極270，可以將在有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物290的有機發(fā)光層發(fā)射并向所述非顯示區(qū)域傳播的光反射至所述顯示區(qū)域。例如，在所述有機發(fā)光層生成并向所述非顯示區(qū)域傳播的光根據(jù)第一電極270的突出結(jié)構(gòu)275發(fā)生第一次反射、根據(jù)第二電極295發(fā)生第二次反射，從而可以釋放至所述顯示區(qū)域。由此，可以顯著地提高所述有機發(fā)光顯示裝置的光效率。如圖12所示，可以在像素限定膜280上形成包括所述有機發(fā)光層的發(fā)光結(jié)構(gòu)物290。并且,發(fā)光結(jié)構(gòu)物290可以進一步包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層等。根據(jù)包括所述第一部分和第二部分的像素限定膜280的形狀，發(fā)光結(jié)構(gòu)物290可以基本上均勻地形成在像素限定膜280上。發(fā)光結(jié)構(gòu)物290的有機發(fā)光層可以使用根據(jù)像素而發(fā)射如紅色光、綠色光、藍色光等互相不同的顏色的光的發(fā)光物質(zhì)形成，或者多個發(fā)光物質(zhì)得以層疊以發(fā)射白色光的多層結(jié)構(gòu)來形成。發(fā)光結(jié)構(gòu)物290可以以基本上均勻的厚度形成在像素限定膜280上。可以使用具有反射性的金屬、具有反射性的合金等第二反射性物質(zhì)來在發(fā)光結(jié)構(gòu)物290上形成第二電極295。例如，第二電極295可以使用下述金屬形成，如鋁、銀、鉬、金、鉻、鎢、鑰、鈦、鈀、銥以及這些金屬的合金等。可以單獨使用這些物質(zhì)或者將這些物質(zhì)互相組合使用。并且，第二電極295可以使用下述工序得到，如印刷工序、濺射工序、化學(xué)氣相沉積工序、原子層沉積工序、脈沖激光沉積工序等。在示例性的實施例中，第二電極295的第二反射性物質(zhì)可以與第二電極膜圖案264的第一反射性物質(zhì)基本上相同或者類似。根據(jù)另一示例性實施例，第二電極295的第二反射性物質(zhì)可以與第二電極膜圖案264的第一反射性物質(zhì)互相不同。當(dāng)根據(jù)示例性實施例的所述有機發(fā)光顯示裝置具有背面發(fā)光方式時，從發(fā)光結(jié)構(gòu)物290發(fā)射并向所述非顯示區(qū)域傳播的光根據(jù)第一電極270的突出結(jié)構(gòu)275發(fā)生第一次反射之后，根據(jù)第二電極295發(fā)射第二次反射，從而可以向所述顯示區(qū)域的基板200傳播。在這種情況下，由于像素限定膜280具有上述的結(jié)構(gòu)，因此，根據(jù)具有與像素限定膜280基本上相同或者基本上類似的結(jié)構(gòu)的第二電極295，向所述非顯示區(qū)域傳播的光可以向所述顯示區(qū)域發(fā)生反射。圖13是用于說明根據(jù)本發(fā)明再一示例性的實施例的有機發(fā)光顯示裝置的截面圖。在圖13中示例性地示出的有機發(fā)光顯示裝置中，基板100、緩沖層105、開關(guān)器件、第一絕緣層140、保護膜155以及第二絕緣層160與參考圖7說明的有機發(fā)光顯示裝置的組成要 素基本上相同或者基本上類似，因此省略對這些組成要素的詳細的說明。如圖13所示，所述有機發(fā)光顯示裝置可以包括第一電極300、像素限定膜310、有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物315、第二電極320等。第一電極300填充以貫通第二絕緣層160和保護膜155的方式形成的接觸孔(未圖示)，并且可以設(shè)置在第二絕緣層160上。第一電極300可以具有位于所述有機發(fā)光顯示裝置的顯示區(qū)域的凹陷結(jié)構(gòu)305。即，作為反射結(jié)構(gòu)，第一電極300可以包括凹陷結(jié)構(gòu)305，凹陷結(jié)構(gòu)305形成在所述顯示區(qū)域的第一電極300上。在示例性的實施例中，填充所述接觸孔并且在第二絕緣層160上形成第一電極層(未圖示)之后，可以通過部分地蝕刻所述第一電極層來形成第一電極300。在這種情況下，凹陷結(jié)構(gòu)305還可以與第一電極300同時形成。根據(jù)另一示例性實施例，還可以為，圖案化所述第一電極層以形成第一電極300之后，部分地蝕刻第一電極300以形成凹陷結(jié)構(gòu)305。根據(jù)示例性實施例，當(dāng)所述有機發(fā)光顯示裝置具有正面發(fā)光方式時，第一電極300可以包含具有反射性的物質(zhì)。例如，第一電極300可以使用具有反射性的金屬、具有反射性的合金等來形成。第一電極300的凹陷結(jié)構(gòu)305相對實質(zhì)上平行于基板100的軸線可以呈第四傾斜角Θ4。例如，凹陷結(jié)構(gòu)305可以相對實質(zhì)上平行于基板100的方向呈約10°至約70°左右的第四傾斜角Θ4。并且，凹陷結(jié)構(gòu)305可以具有相比第一電極300的厚度實質(zhì)上更小的深度，因此第二絕緣層160不會因凹陷結(jié)構(gòu)305的形成而得以露出。像素限定膜310可以包括使位于所述顯示區(qū)域的第一電極300的凹陷結(jié)構(gòu)305露出的開口 313。在這種情況下，像素限定膜310的開口 313可以露出凹陷結(jié)構(gòu)305的一部分或者整體。在示例性的實施例中，與凹陷結(jié)構(gòu)305的側(cè)壁相鄰的像素限定膜310的開口313的下部側(cè)壁可以相對實際上平行于基板100的方向呈第五傾斜角Θ5。在這種情況下，開口 313的下部側(cè)壁的第五傾斜角Θ 5基本上可以大于凹陷結(jié)構(gòu)305的第四傾斜角Θ4。例如，開口 313的下部側(cè)壁可以相對實質(zhì)上平行于基板100的軸線呈約20°至約80°左右的第五傾斜角Θ5。并且，開口 313的上部側(cè)壁基本上可以具有弧形形狀。根據(jù)上述的開口 313的結(jié)構(gòu)，發(fā)光結(jié)構(gòu)物315和第二電極320可以基本上均勻地形成在像素限定膜310上。發(fā)光結(jié)構(gòu)物315可以包括有機發(fā)光層，第二電極320可以包括透明導(dǎo)電性物質(zhì)。
工業(yè)可利用性 根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的有機發(fā)光顯示裝置通過具有反射結(jié)構(gòu)的電極和基本上弧形形狀的像素限定膜，可以具有顯 著地增加的光效率，并且可以提高像素的均勻性，因此可以改善根據(jù)所述有機發(fā)光顯示裝置顯示的影像的質(zhì)量、亮度等。這種有機發(fā)光顯示裝置可以適用于電視機、顯示器、筆記本電腦、便攜式電話機、便攜式顯示裝置等多種電器及電子裝置。
權(quán)利要求
1.一種有機發(fā)光顯示裝置，包括 基板，具有開關(guān)器件； 第一電極，與所述開關(guān)器件電連接，并且具有反射結(jié)構(gòu)； 像素限定膜，設(shè)置在所述第一電極上，并且限定顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域； 有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物，設(shè)置在所述像素限定膜上；以及 第二電極，設(shè)置在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)用于將從所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物發(fā)射并向所述非顯示區(qū)域傳播的光反射至所述顯示區(qū)域。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)包括凹陷結(jié)構(gòu)， 所述像素限定膜包括使所述顯示區(qū)域的所述第一電極露出的開口。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定膜的開口的上部側(cè)壁具有弧形形狀， 所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物沿著所述像素限定膜的開口形狀設(shè)置在露出的所述第一電極上。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極包括 第一電極膜圖案，與所述開關(guān)器件電連接； 第二電極膜圖案，設(shè)置在所述第一電極膜圖案上； 所述凹陷結(jié)構(gòu)，設(shè)置在所述顯示區(qū)域的所述第二電極膜圖案上；以及 第三電極膜圖案，設(shè)置在所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極膜圖案和所述第三電極膜圖案包含透明導(dǎo)電性物質(zhì)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第二電極膜圖案包括反射性物質(zhì)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第二電極包含與所述第一電極膜圖案或者所述第三電極膜圖案相同的物質(zhì)。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述反射結(jié)構(gòu)的側(cè)壁相對平行于所述基板的軸線呈第一傾斜角， 所述像素限定膜的開口的下部側(cè)壁相對平行于所述基板的軸線呈大于所述第一傾斜角的第二傾斜角。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一傾斜角與所述第二傾斜角之間的比率為O. 3 I. O至I. O 4.0。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 在所述非顯示區(qū)域中，所述第一電極的厚度與所述像素限定膜的厚度之間的比率在I. O以下。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極的反射結(jié)構(gòu)包括突出結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述第一電極包括 第一電極膜圖案，與所述開關(guān)器件電連接；以及第二電極膜圖案，具有從所述第一電極膜圖案突出的所述突出結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第一電極膜圖案包含透明導(dǎo)電性物質(zhì)， 所述第二電極膜圖案包含具有反射性的物質(zhì)。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述第二電極包含與所述第二電極膜圖案相同的物質(zhì)。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中，所述像素限定膜包括 第一部分，在所述顯示區(qū)域中圍繞所述第二電極膜圖案；以及 第二部份，在所述非顯示區(qū)域中設(shè)置在所述第一電極膜圖案上。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定膜的第一部分具有弧形形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定膜的第一部分的寬度與厚度之間的比率在1.0以上。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機發(fā)光顯示裝置，其中， 所述像素限定膜的第二部分的厚度與所述第二電極膜圖案的厚度之間的比率在1.0以下。
20.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成開關(guān)器件； 在所述基板上形成覆蓋所述開關(guān)器件的絕緣層； 在所述絕緣層上形成與所述開關(guān)器件電連接并包括凹陷結(jié)構(gòu)的第一電極； 在所述絕緣層上形成使所述第一電極的一部分露出的像素限定膜； 在露出的所述第一電極和所述像素限定膜上形成有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物；以及 在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上形成第二電極。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述第一電極的步驟包括 在所述絕緣層上形成第一電極膜； 在所述第一電極膜上形成第二電極膜； 圖案化所述第二電極膜和所述第一電極膜，以在所述絕緣層上形成第一電極膜圖案和第二電極膜圖案； 在所述第二電極膜圖案上形成所述凹陷結(jié)構(gòu)；以及 在所述凹陷結(jié)構(gòu)內(nèi)形成第三電極膜圖案。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 形成所述凹陷結(jié)構(gòu)的步驟包括干法蝕刻工序。
23.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 同時實施形成所述第一電極膜圖案和所述第二電極膜圖案的步驟以及形成所述凹陷結(jié)構(gòu)的步驟。
24.根據(jù)權(quán)利要求21所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述像素限定膜的步驟包括 部分地蝕刻所述像素限定膜，以形成使所述第二電極膜圖案露出的開口。
25.一種有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，包括 在基板上形成開關(guān)器件； 在所述基板上形成覆蓋所述開關(guān)器件的絕緣層； 在所述絕緣層上形成與所述開關(guān)器件電連接并包括突出結(jié)構(gòu)的第一電極； 在所述絕緣層和所述第一電極上形成像素限定膜， 在所述像素限定膜上形成有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物；以及 在所述有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上形成第二電極。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中，形成所述第一電極的步驟包括 在所述絕緣層上形成第一電極膜； 在所述第一電極膜上形成第二電極膜； 部分地蝕刻所述第二電極膜，以在所述第一電極膜上形成具有所述突出結(jié)構(gòu)的第二電極膜圖案；以及 圖案化所述第一電極膜，以在所述絕緣層上形成第一電極膜圖案。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 同時實施形成所述第二電極膜圖案的步驟和形成所述第一電極膜圖案的步驟。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的有機發(fā)光顯示裝置的制造方法，其中， 在所述第一電極膜圖案上將所述像素限定膜形成為圍繞所述第二電極膜圖案。
全文摘要
有機發(fā)光顯示裝置可以包括具有開關(guān)器件的基板、與開關(guān)器件電連接并且具有反射結(jié)構(gòu)的第一電極、設(shè)置在第一電極上并且限定顯示區(qū)域和非顯示區(qū)域的像素限定膜、設(shè)置在像素限定膜上的有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物以及設(shè)置在有機發(fā)光結(jié)構(gòu)物上的第二電極。因第一電極具有如凹陷結(jié)構(gòu)或者突出結(jié)構(gòu)等反射結(jié)構(gòu)，從而可以確保顯著地增加的光效率；并且因?qū)嵸|(zhì)上為弧形形狀的像素限定膜的開口，從而可以提高像素的均勻性。
文檔編號H01L27/32GK102969329SQ20121008939
公開日2013年3月13日 申請日期2012年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月30日
發(fā)明者金一南, 樸源祥, 金敏佑, 白守珉, 金在經(jīng) 申請人:三星顯示有限公司