專利名稱：Tft、陣列基板及顯示裝置、制備該tft的掩模板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及TFT、陣列基板及其顯示裝置，包括制備該TFT的掩模板。
背景技術(shù)：
在平板顯示領(lǐng)域，薄膜晶體管是制作顯示器件的關(guān)鍵器件。目前市場上顯示裝置的響應(yīng)速度，顯示品質(zhì)都有了更好的要求，為了實(shí)現(xiàn)更好的顯示品質(zhì)，需要不斷的改善薄膜晶體管(Thin-Film Transistor,簡稱TFT)的特性,一般采用改善薄膜特性以及半導(dǎo)體材料的方法，但其制作成本要求較高，為了擁有更好的器件特性，減少溝道寬度也成為研究的趨勢之一。目前，為形成更精密的溝道尺寸，常使用SSM(Single Slit Mask，單縫隙掩模板)方式來達(dá)到量產(chǎn)溝道寬度為4 ii m以下的TFT溝道部。目前為了獲得更好的TFT特性，采用SSM方式時(shí)，在TFT溝道的彎折部容易出現(xiàn)不良。如圖I所示，在現(xiàn)有的SSM方式的溝道部設(shè)計(jì)中，A部分為直道區(qū)域和作為內(nèi)側(cè)U型彎折部的B部分區(qū)域中L均指溝道的寬度。為了得到寬度L為3. 0 3. 5 y m的溝道，溝道彎折部B部在曝光機(jī)的作用下因其其透過率比A部分會(huì)有所降低，這樣在溝道彎折部B部分在曝光時(shí)容易發(fā)生透過率下降，導(dǎo)致光刻膠不倉泛被完全去除，使得構(gòu)圖工藝后，B部分的源漏極產(chǎn)生短路不良。由此可見，盡管在應(yīng)用SSM方式時(shí)可以一定程度提高TFT的特性，但在如果需要獲得溝道寬度為4 以以下的薄膜晶體管溝道的情況下，由于彎折部透過率下降導(dǎo)致溝道不良、甚至短路的情況，從而使良品率出現(xiàn)嚴(yán)重下滑，這樣的問題是目前相關(guān)研究工作須努力突破的目標(biāo)及方向。

發(fā)明內(nèi)容
(一 )要解決的技術(shù)問題本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是如何消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)溝道短路而導(dǎo)致良品率過低的問題。( 二 )技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的溝道部結(jié)構(gòu)為通過灰色調(diào)掩膜工藝以單隙縫方式來制得，所述溝道部結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)彎折處的溝道寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的溝道寬度。其中，所述溝道部結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)側(cè)的彎折部處，其溝道寬度在3. Oiim 6iim之間。所述溝道部結(jié)構(gòu)的所述彎折部兩側(cè)的延伸部處，其溝道寬度在2. 0 i! m 3. 5 i! m。其中，所述溝道部結(jié)構(gòu)的溝道寬度在2iim 6iim之間。此外，本發(fā)明還提供一種用于制備薄膜晶體管的掩模板，對(duì)應(yīng)所述溝道部結(jié)構(gòu)的單縫隙的寬度，在內(nèi)側(cè)的彎折處的縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的縫隙寬度。
其中，所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述內(nèi)側(cè)的彎折處的縫隙寬度在
2.5 u m 5 u m0其中，所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部兩側(cè)的延伸部處，其縫隙寬度形成在l.Oiim 4iim之間。其中，所述掩模板的所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的縫隙寬度形成在I U m
5ii m之間。此外，本發(fā)明還提供一種包括上述任一項(xiàng)薄膜晶體管的陣列基板。 此外，本發(fā)明還提供一種包括上述任一項(xiàng)薄膜晶體管的顯示裝置。(三)有益效果本發(fā)明技術(shù)方案相比現(xiàn)有SSM技術(shù)中為了保障一定TFT特性的前提下獲得較高的通過率而采取降低溝道寬度的技術(shù)方案，針對(duì)其因部分區(qū)域溝道寬度較小而易導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)出現(xiàn)的問題，通過將薄膜晶體管溝道部內(nèi)側(cè)U型彎折部處的溝道寬度形成為與其余部分不同，具體而言，使其形成的更大一些，來消除短溝道效應(yīng)，進(jìn)一步地，可以消除現(xiàn)有技術(shù)中透過率不高、良品率不足、產(chǎn)率過低的問題。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中由SSM方式所制造的溝道部結(jié)構(gòu)的示意圖；圖2-4為根據(jù)本發(fā)明具體實(shí)施例所提供的溝道部結(jié)構(gòu)的示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、內(nèi)容和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。實(shí)施例I為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種用于制備薄膜晶體管的掩模板，如圖2所示，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的單縫隙的寬度，在內(nèi)側(cè)的彎折部B區(qū)域，其縫隙寬度大于其彎折部兩側(cè)的延伸部A的縫隙寬度。其中，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的縫隙寬度形成在Ium 5pm之間其中，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在內(nèi)側(cè)的彎折部B區(qū)域，其縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部A區(qū)域的縫隙寬度。其中，掩模板的所述彎折部B區(qū)域，源極部分形成為沿著朝漏極方向的反向凹陷進(jìn)去，如圖2所示的B區(qū)域源極部分沿著朝漏極反方向凹陷，凹陷部分的形狀為矩形，如圖3所示B區(qū)域源極部分沿著朝漏極反方向凹陷，凹陷部分的形狀為半圓形，從而使彎折部B區(qū)域的縫隙寬度變大。其中，凹陷部分的形狀可以形成為矩形、半圓形、橢圓形等，但不限于此。尤其是，如圖2所示，單縫隙掩模板中對(duì)應(yīng)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)溝道部分所述彎折部處B區(qū)域的縫隙寬度優(yōu)選地形成在2. 5 y m 5 y m之間。該部分區(qū)域的縫隙寬度尺寸選擇，較之目前通常采用的尺寸要更大一些，由此在制作薄膜晶體管時(shí)，可以提高彎折部B區(qū)域的透光率規(guī)避此處常易出現(xiàn)的溝道不良問題。優(yōu)選的，掩模板中所述彎折部B區(qū)域的尺寸選擇界定于4 i! m以內(nèi)最好，其原因在于，SSM方式可以實(shí)現(xiàn)更為精確的溝道，當(dāng)薄膜晶體管的溝道寬度在4 ii m以內(nèi)時(shí)TFT的特性會(huì)更好。然而，對(duì)于所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部兩側(cè)的延伸部A區(qū)域，其縫隙寬度形成在I. 0 y m m之間。該部分區(qū)域的縫隙寬度尺寸選擇可以根據(jù)產(chǎn)品性能的需要設(shè)定。在使用單縫隙灰度掩模板(SSM)時(shí)，為了達(dá)到更精確地薄膜晶體管的溝道圖案，同時(shí)避免薄膜晶體管溝道部內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的短路問題，提高掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中內(nèi)側(cè)彎折部的光透過率，使內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的縫隙寬度，掩模板上整個(gè)對(duì)應(yīng)薄膜晶體溝道結(jié)構(gòu)的A區(qū)域和B區(qū)域的縫隙寬度在
I.0 y m 5 y m之間，利用上述掩模板制得的薄膜晶體管的溝道達(dá)到最短的同時(shí)確保其溝道的良品率，解決了精確溝道圖案的同時(shí)，使TFT特性能達(dá)到最優(yōu)狀態(tài)。
實(shí)施例2為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種用于制備薄膜晶體管的掩模板，如圖4所示，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的單縫隙的寬度，在內(nèi)側(cè)的彎折部B區(qū)域，其縫隙寬度大于其彎折部兩側(cè)的延伸部A的縫隙寬度。其中，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的縫隙寬度形成在Ium 5pm之間其中，所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在內(nèi)側(cè)的彎折部B區(qū)域，其縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部A區(qū)域的縫隙寬度。其中，掩模板的所述彎折部B區(qū)域，漏極部分形成為沿著朝源極方向的反向凹陷進(jìn)去，凹陷部分的形狀可以形成為半圓形或橢圓形，如圖4所示，從而使彎折部B區(qū)域的縫隙寬度比彎折部兩側(cè)的延伸部A區(qū)域的寬度要大，這樣可以提高彎折部B區(qū)域的光透過率。尤其是，如圖4所示，單縫隙掩模板中對(duì)應(yīng)薄膜晶體管結(jié)構(gòu)溝道部分所述彎折部處B區(qū)域的縫隙寬度優(yōu)選地形成在2. 5 y m 5 y m之間。該部分區(qū)域的縫隙寬度尺寸選擇，較之目前通常采用的尺寸要更大一些，由此可以規(guī)避此處常易出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)及溝道不良問題。優(yōu)選的，4pm以內(nèi)最好，其原因在于，SSM方式可以實(shí)現(xiàn)更為精確的溝道，當(dāng)溝道寬度在4 ii m以內(nèi)時(shí)TFT的特性會(huì)更好。然而，對(duì)于所述掩模板的對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部兩側(cè)的延伸部處A區(qū)域，其縫隙寬度形成在I. 0 y m 4 y m之間。該部分區(qū)域的縫隙寬度尺寸選擇可以根據(jù)產(chǎn)品性能的需要設(shè)定。在使用單縫隙灰度掩模板(SSM)時(shí)，為了達(dá)到更精確地薄膜晶體管的溝道圖案，同時(shí)避免薄膜晶體管溝道部內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的短路問題，提高掩模板內(nèi)側(cè)彎折部的光透過率，使內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的縫隙寬度，掩模板上整個(gè)溝道A區(qū)域和B區(qū)域的溝道寬度在I. 0 y m 5 y m之間，利用上述掩模板制得的薄膜晶體管的溝道達(dá)到最短的同時(shí)確保其溝道的良品率，解決了精確溝道圖案的同時(shí)，使TFT特性能達(dá)到最優(yōu)狀態(tài)。實(shí)施例3為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的溝道部結(jié)構(gòu)為通過灰色調(diào)掩膜工藝以單隙縫方式來制得，所述薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的寬度在2 i! m 6 i! m之間。其中，在薄膜晶體管中所述溝道部結(jié)構(gòu)在內(nèi)側(cè)的彎折部B處，其溝道寬度L2大于彎折部兩側(cè)的延伸部A處的溝道寬度LI。其中，所述彎折部B處，源極部分形成為沿著朝漏極方向的反向凹陷進(jìn)去，凹陷部分的形狀可以形成為矩形、半圓形、半橢圓形等，但不限于此，從而使彎折部B處的溝道寬度變大。其中，凹陷部分形成為矩形的情況如圖2所示，凹陷部分形成為半橢圓形狀的情況如圖3所示。尤其是，所述彎折部B處的溝道寬度L2優(yōu)選地形成在3 m 6 m之間。該部分區(qū)域的溝道寬度尺寸通過上述實(shí)施例I灰度掩模板單縫隙方式制備而得，所述薄膜晶體管彎折部的寬度較其延伸部的寬度較大，相對(duì)應(yīng)的淹沒版B區(qū)域的透過率較高，這樣可以使薄膜晶體管該處的溝道構(gòu)圖案更精確，從而可以避免溝道問題的發(fā)生。
然而，對(duì)于所述掩模板的溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部B處以外的位置，比如所述彎折部B兩側(cè)的延伸部A處，A處溝道寬度LI形成在2. 0 m 2. 5 m之間。該部分區(qū)域的溝道寬度尺寸選擇可以根據(jù)產(chǎn)品性能的需要設(shè)定。在使用單縫隙灰度掩模板(SSM)制備薄膜晶體管時(shí)，為了達(dá)到更精確地溝道圖形，同時(shí)避免溝道部內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的短路問題，薄膜晶體管內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的溝道寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部A處的寬度，薄膜晶體管中溝道A區(qū)域和B區(qū)域的溝道寬度在
2.0 y m 6 y m之間，從而使薄膜晶體管的溝道達(dá)到最短的同時(shí)確保其溝道的良品率，解決了精確溝道圖案的同時(shí)，使TFT特性能達(dá)到最優(yōu)狀態(tài)。實(shí)施例4為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的溝道部結(jié)構(gòu)為通過灰色調(diào)掩膜工藝以單隙縫方式來制得，所述薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的寬度在2 y m 6 y m之間。其中，在薄膜晶體管中所述溝道部結(jié)構(gòu)在內(nèi)側(cè)的彎折部B處，其溝道寬度L2形成的大于彎折部兩側(cè)的延伸部A區(qū)域的溝道寬度LI。其中，所述彎折部B處，漏極部分形成為沿著朝源極方向的反向凹陷進(jìn)去，凹陷部分的形狀可以形成為矩形、半圓形、半橢圓形等，但不限于此，從而使彎折部B處的溝道寬度變大。其中，凹陷部分形成為半橢圓形狀的情況如圖4所示。尤其是，所述彎折部B處的溝道寬度L2優(yōu)選地形成在3 m 6 m之間。該部分區(qū)域的溝道寬度尺寸通過上述實(shí)施例2灰色淹沒版單縫隙方式制備而得，所述薄膜晶體管彎折部的寬度較其延伸部的寬度較大，相對(duì)應(yīng)的淹沒版B區(qū)域的透過率較高，這樣可以使薄膜晶體管該處的溝道構(gòu)圖案更精確，從而可以避免溝道問題的發(fā)生。然而，對(duì)于所述掩模板的溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部B處以外的位置，比如所述彎折部B兩側(cè)的延伸部A處，A處其溝道寬度LI形成在2. 0 m 2. 5 m之間。該部分區(qū)域的溝道寬度尺寸選擇可以根據(jù)產(chǎn)品性能的需要設(shè)定。在使用單縫隙灰度掩模板(SSM)制備薄膜晶體管時(shí)，為了達(dá)到更精確地溝道圖形，同時(shí)避免溝道部內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的短路問題，薄膜晶體管內(nèi)側(cè)彎折部B區(qū)域的溝道寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部A處的寬度，薄膜晶體管中溝道A區(qū)域和B區(qū)域的溝道寬度在
2.0 y m 6 y m之間，從而使薄膜晶體管的溝道達(dá)到最短的同時(shí)確保其溝道的良品率，解決了精確溝道圖案的同時(shí)，使TFT特性能達(dá)到最優(yōu)狀態(tài)。實(shí) 施例5為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種利用實(shí)施例I的掩模板來制備實(shí)施例3的薄膜晶體管的制備方法，該方法包括如下步驟步驟SI :在基板上形成導(dǎo)電性好的柵極金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝在基板上形成柵線和柵電極；然后在柵線和柵極上方形成柵絕緣層；接下來在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體有源層和源漏極金屬層。步驟S2 :利用上述實(shí)施例I所提供的單縫隙灰度掩模板進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，對(duì)所述源漏極金屬層和所述半導(dǎo)體有源層進(jìn)行曝光、顯影、連續(xù)刻蝕后以形成半導(dǎo)體硅島、源極、漏極和薄膜晶體管溝道；具體地，首先在源漏極金屬層上涂覆一層光刻膠，利用實(shí)施例I所提供的單縫隙灰度淹沒板進(jìn)行曝光，形成對(duì)應(yīng)源極和漏極的區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全保留區(qū)域，對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道區(qū)域?yàn)楣饪棠z部分保留區(qū)域，其他區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全除去區(qū)域；其次，刻蝕掉光刻膠完全除去區(qū)域的源漏極金屬層和半導(dǎo)體有源層，形成所述半導(dǎo)體硅島；然后，通過灰化工藝去除薄膜晶體管溝道區(qū)域的光刻膠；最后，刻蝕薄膜晶體管溝道區(qū)域的源漏極金屬層后，形成源極、漏極和薄膜晶體管溝道，形成薄膜晶體管。步驟S3 :然后通過公知構(gòu)圖工藝形成鈍化層和像素電極層，最終形成薄膜晶體管陣列基板。本實(shí)施例中層狀結(jié)構(gòu)的形成可以通過旋涂、沉積、濺鍍等工藝進(jìn)行；均可采用常規(guī)的光刻、印刷等構(gòu)圖工藝進(jìn)行。實(shí)施例6為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本實(shí)施例提供一種利用實(shí)施例2的掩模板來制備實(shí)施例4的薄膜晶體管的制備方法，該方法包括如下步驟步驟S1 :在基板上形成導(dǎo)電性好的柵極金屬層，通過第一次構(gòu)圖工藝在基板上形成柵線和柵電極；然后在柵線和柵極上方形成柵絕緣層；接下來在柵絕緣層上形成半導(dǎo)體層和源漏極金屬層。步驟S2 :利用上述實(shí)施例2所提供的單縫隙灰度進(jìn)行第二次構(gòu)圖工藝，對(duì)所述源漏極金屬層和所述半導(dǎo)體有源層進(jìn)行曝光、顯影、連續(xù)刻蝕后以形成半導(dǎo)體硅島、源極、漏極和薄膜晶體管溝道；具體地，首先在源漏極金屬層上涂覆一層光刻膠，利用實(shí)施例I所提供的單縫隙灰度淹沒板進(jìn)行曝光，形成對(duì)應(yīng)源極和漏極的區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全保留區(qū)域，對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道區(qū)域?yàn)楣饪棠z部分保留區(qū)域，其他區(qū)域?yàn)楣饪棠z完全除去區(qū)域；其次，刻蝕掉光刻膠完全除去區(qū)域的源漏極金屬層和半導(dǎo)體有源層，形成所述半導(dǎo)體硅島；然后，通過灰化工藝去除薄膜晶體管溝道區(qū)域的光刻膠；最后，刻蝕薄膜晶體管溝道區(qū)域的源漏極金屬層后，形成源極、漏極和薄膜晶體管溝道，形成薄膜晶體管。步驟S3 :然后通過公知構(gòu)圖工藝形成鈍化層和像素電極層，最終形成薄膜晶體管陣列基板。本實(shí)施例中層狀結(jié)構(gòu)的形成可以通過旋涂、沉積、濺鍍等工藝進(jìn)行；均可采用常規(guī)的光刻、印刷等構(gòu)圖工藝進(jìn)行。
根據(jù)上述內(nèi)容，通過將薄膜晶體管溝道部內(nèi)側(cè)的U型彎折部處的溝道寬度形成為與其余部分不同，具體而言，使其形成的更大一些，從而既可以避免現(xiàn)有的SSM技術(shù)中因?yàn)樵搮^(qū)域溝道寬度較小而導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)，也可以獲得SSM方式所特有的通過率高的優(yōu)點(diǎn)，由該方案制備的TFT溝道部，可以消除良品率不足、產(chǎn)率過低的問題。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種陣列基板，所述陣列基板包括上述實(shí)施例中任一種的薄膜晶體管。此外，本發(fā)明還提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括上述實(shí)施例中任一種的薄膜晶體管，所述顯 示裝置可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機(jī)、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和變形，這些改進(jìn)和變形也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管的溝道部結(jié)構(gòu)為通過灰色調(diào)掩膜工藝以單縫隙方式來制得，所述溝道部結(jié)構(gòu)的內(nèi)側(cè)彎折處的溝道寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的溝道寬度。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道部結(jié)構(gòu)的所述內(nèi)側(cè)的彎折部處，其溝道寬度在3. O ii m 6 ii m之間。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道部結(jié)構(gòu)的所述彎折部兩側(cè)的延伸部處，其溝道寬度在2. O ii m 3. 5 ii m。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述溝道部結(jié)構(gòu)的溝道寬度在
5.一種制備薄膜晶體管的掩模板，其特征在于，對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的單縫隙的寬度，在內(nèi)側(cè)的彎折處的縫隙寬度大于彎折部兩側(cè)的延伸部的縫隙寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制備薄膜晶體管的掩模板，其特征在于，所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述內(nèi)側(cè)的彎折處的縫隙寬度寬度在2. 5 ii m 5 ii m。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制備薄膜晶體管的掩模板，其特征在于，所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)在所述彎折部兩側(cè)的延伸部處，其縫隙寬度形成在I. O y m m之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制備薄膜晶體管的掩模板，其特征在于，所述掩模板的所述對(duì)應(yīng)薄膜晶體管溝道部結(jié)構(gòu)的縫隙寬度形成在I U m 5 y m之間。
9.一種包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述薄膜晶體管的陣列基板。
10.一種包括如權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述薄膜晶體管的顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種TFT、制備該TFT的掩模板及包括該TFT的顯示裝置，屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域。為了消除目前SSM方式中因易出現(xiàn)短溝道效應(yīng)而導(dǎo)致產(chǎn)率過低、良品率不足的問題，本發(fā)明所提供的薄膜晶體管的溝道部結(jié)構(gòu)為通過灰色調(diào)掩膜工藝以單隙縫方式來制得，所述溝道部結(jié)構(gòu)的寬度在2μm～6μm之間。通過將薄膜晶體管溝道部內(nèi)側(cè)U型彎折部處的溝道寬度形成為大于彎折部兩側(cè)的延伸部的溝道寬度，從而可以消除現(xiàn)有技術(shù)中因?yàn)樵搮^(qū)域溝道寬度較小而導(dǎo)致的短溝道效應(yīng)，可以消除現(xiàn)有技術(shù)中通過率不高、良品率不足、產(chǎn)率過低的問題。
文檔編號(hào)H01L29/10GK102655175SQ20121010044
公開日2012年9月5日 申請(qǐng)日期2012年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月6日
發(fā)明者劉圣烈, 宋泳錫, 崔承鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司