專利名稱：蝕刻劑以及制造金屬線和使用其的薄膜晶體管基板的方法
技術領域：
本文中公開的發(fā)明涉及蝕刻劑(etchant)以及制造金屬線(金屬配線，metalwiring)和使用其的薄膜晶體管基板的方法。
背景技術：
諸如液晶顯示裝置、等離子體顯示裝置、電泳顯示裝置和有機電致發(fā)光裝置的顯示裝置得到了廣泛的使用。顯示裝置包括基板和在所述基板上的多個像素。每個像素包括連接至所述基板上的柵極線和數(shù)據(jù)線的薄膜晶體管。關于薄膜晶體管，通過柵極線輸入柵極導通電壓 (gate-on-voltage)并且通過數(shù)據(jù)線輸入圖像信號。柵極線和數(shù)據(jù)線由金屬形成并且通過光刻工藝而圖案化。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種具有高蝕刻速率和改善的老化性能的蝕刻劑。本發(fā)明還提供了一種減少如線之間的斷開(disconnection)的線缺陷的制造金屬線的方法。本發(fā)明還提供了一種降低制造時間和成本、以及減少如斷線的線缺陷的制造薄膜晶體管基板的方法。本發(fā)明的實施方式提供了蝕刻劑，所述蝕刻劑包含相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0. 5重量％至約20重量％的量包含的過硫酸鹽；相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0. 01重量％至約2重量％的量包含的氟化物；相對于所述蝕刻劑的總重量，以約I重量％至約10重量％的量包含的無機酸；相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0. 5重量％至約5重量％的量包含的環(huán)胺；相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0. I重量％至約10. 0重量％的量包含的磺酸；以及相對于所述蝕刻劑的總重量，以約0. I重量％至約10重量％的量包含的有機酸及其鹽中的至少一種。所述蝕刻劑還可以包含使得所述蝕刻劑的總重量為100重量％的量的水。所述過硫酸鹽可以為K2S208、Na2S208、或(NH4)2S2O8中的至少一種。所述氟化物可以為氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、或氟化氫鉀中的至少一種。所述無機酸可以是硝酸、硫酸、磷酸、或高氯酸中的至少一種。所述環(huán)胺可以是氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、或吡咯啉中的至少一種。所述磺酸可以是對甲苯磺酸或甲磺酸。
所述有機酸可以是羧酸、二羧酸、三羧酸、或四羧酸。所述有機酸可以是乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸(磺基酞酸)、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸、或乙二胺四乙酸(“EDTA”)中的至少一種。所述蝕刻劑可以蝕刻包含銅和鈦的多層。在本發(fā)明的其他實施方式中，形成金屬線的方法包括堆疊包含銅和鈦的金屬層；在所述金屬層上形成光致抗蝕劑層圖案，并通過使用所述光致抗蝕劑層圖案作為掩模，用蝕刻劑對所述金屬層的一部分進行蝕刻；以及除去所述光致抗蝕劑層圖案。在本發(fā)明的另外其他實施方式中，形成薄膜晶體管基板的方法包括在基板上形成柵極線，和連接至所述柵極線的柵電極；形成與所述柵極線交叉并與所述柵極線絕緣的數(shù)據(jù)線、連接至所述數(shù)據(jù)線的源電極和與所述源電極隔開的漏電極；以及形成連接至所述 漏電極的像素電極。形成柵極線和柵電極可以是上述形成金屬線的方法。


包括附圖以提供本發(fā)明的進一步理解，并且將所述附圖結(jié)合在本說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分。所述附圖示出了本發(fā)明的示例性實施方式，并且與描述內(nèi)容一起用來解釋本發(fā)明的原理。在圖中圖IA至圖IE是示出了利用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑來形成金屬線的方法的示例性實施方式的截面圖；圖2是示出了使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑制造的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示例性實施方式的平面圖；圖3是沿圖2的線1-1’的截面圖；圖4A至圖4C是依次示出了與根據(jù)本發(fā)明制造顯示裝置的方法相關的薄膜晶體管基板的制造工藝(方法)的示例性實施方式的截面平面圖；圖5A至圖5C是分別沿圖4A至圖4C的線11-11’截取的截面圖；圖6A和圖6B是使用第一蝕刻劑除去金屬線的光致抗蝕劑層之前的截面掃描電子顯微鏡(“SEM”)照片；圖7A和圖7B是使用第二蝕刻劑除去金屬線的光致抗蝕劑層之后的截面SEM照片；以及圖8A和圖SB是使用第二蝕刻劑除去金屬線的光致抗蝕劑層之后的透視SEM照片。
具體實施例方式下面將參考附圖更詳細地描述本發(fā)明。然而，本發(fā)明可以以不同的形式來體現(xiàn)，并且不應被解釋為限于本文中闡述的實施方式。相反，提供這些實施方式使得本公開內(nèi)容詳盡而完整，并將本發(fā)明的范圍充分地傳達給本領域的技術人員。 在下文中，將根據(jù)本發(fā)明來描述蝕刻劑的示例性實施方式。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，使用蝕刻劑用于通過蝕刻堆疊在基板上并包含銅和鈦的雙層來形成金屬層。更詳細地，可以將蝕刻劑用于蝕刻包含鈦層和銅層的雙層。根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，蝕刻劑包含過硫酸鹽、氟化物、無機酸、環(huán)胺、磺酸、有機酸、或有機酸的鹽中的至少一種。過硫酸鹽是主要的氧化劑，可同時蝕刻鈦層和銅層。相對于所述蝕刻劑的總重量，過硫酸鹽以約0. 5重量％至約20重量％的量包含在所述蝕刻劑中。當過硫酸鹽的含量低于約0. 5重量％時，蝕刻速率下降，使得可能不能獲得期望量的蝕刻。當過硫酸鹽的含量高于約20重量％時，蝕刻速率太高，使得難以控制蝕刻的程度，從而導致鈦層和銅層被過度蝕刻。過硫酸鹽可以包括K2S208、Na2S208、或(NH4)2S2O8中的至少一種。氟化物蝕刻鈦層并且還除去通過蝕刻鈦層而造成的殘留物。相對于所述蝕刻劑的總重量，氟化物以約0. 01重量％至約2. 0重量％的量包含在所述蝕刻劑中。當氟化物的含量小于約0. 01重量％時，難以蝕刻期望量的鈦層。當氟化物的含量高于約2. 0重量％時， 從鈦蝕刻產(chǎn)生殘留物。而且，當氟化物的含量高于約2. 0重量％時，可能蝕刻鈦以及其下方的玻璃基板。氟化物可以包括氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、或氟化氫鉀中的至少一種。另外，氟化物可以包括它們的混合物。無機酸是次要氧化劑。根據(jù)無機酸在蝕刻劑中的含量，可以控制蝕刻速率。無機酸可以與蝕刻劑中的銅離子發(fā)生反應，從而防止銅離子增加和蝕刻速率下降。相對于所述蝕刻劑的總重量，無機酸以約I重量％至約10重量％的量包含在所述蝕刻劑中。當無機酸的含量低于約I重量％時，蝕刻速率下降，使得蝕刻速率可能不夠快。當無機酸的含量高于10重量％時，在金屬層的蝕刻期間可能在光致抗蝕劑層中產(chǎn)生裂紋或者光致抗蝕劑層可能會剝離。如果光致抗蝕劑層具有裂紋或者剝離，則可能過度蝕刻在光致抗蝕劑層下方的鈦層或銅層。無機酸可以包括硝酸、硫酸、磷酸或高氯酸中的至少一種。環(huán)胺是抗腐蝕劑(anticorrosive agent)。根據(jù)環(huán)胺在蝕刻劑中的含量,可以控制銅層的蝕刻速率。相對于所述蝕刻劑的總重量，環(huán)胺以約0. 5重量％至約5. 0重量％的量包含在所述蝕刻劑中。當環(huán)胺的含量小于約0. 5重量％時，銅層的蝕刻速率增大，使得存在可能過度蝕刻的風險。當環(huán)胺的含量高于約5. 0重量％時，銅層的蝕刻速率下降，使得可能不能獲得期望的蝕刻程度。 環(huán)胺可以包括氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡唆、嘧啶、吡咯或吡咯烷、吡咯啉中的至少一種?；撬崾怯糜诜乐估匣奶砑觿?。磺酸在蝕刻劑中解離成硫酸根離子(SO/—)從而延遲過硫酸銨的水解速度。當待處理的儲存基板的數(shù)目增加時，磺酸可防止銅和鈦的蝕刻速率中的不穩(wěn)定。相對于所述蝕刻劑的總重量,磺酸以約0. I重量％至約10. 0重量％的量包含在所述蝕刻劑中?；撬峥梢园▽妆交撬峄蚣谆撬帷Ｏ鄬τ谒鑫g刻劑的總重量，有機酸和有機酸的鹽中的至少一種以約0. I重量％至約10重量％的量包含在所述蝕刻劑中。當在蝕刻劑中有機酸的含量增大時，蝕刻速率下降。特別地，有機酸鹽可以充當螯合劑(螯合物，chelate)以與蝕刻劑的銅離子形成絡合物，從而調(diào)節(jié)銅的蝕刻速率。因此，通過將蝕刻劑中有機酸和有機酸鹽的含量調(diào)節(jié)至合適的水平，可以調(diào)節(jié)蝕刻速率。當有機酸和有機酸鹽中的至少一種的含量小于約0. I重量％時，難以調(diào)節(jié)銅的蝕刻速率，使得可能發(fā)生過度蝕刻(過蝕刻)。當有機酸和有機酸鹽中的至少一種的含量高于約10重量％時，銅的蝕刻速率下降，使得在制造或形成工藝期間，可能延長蝕刻時間。作為其結(jié)果，可能減少在給定時間內(nèi)能夠處理的基板的數(shù)目。有機酸可以包括羧酸、二羧酸、或三羧酸中的至少一種。更詳細地，有機酸可以包括乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸或乙二胺四乙酸(“EDTA”)。有機酸鹽可以包括有機酸的鉀鹽、鈉鹽、或銨鹽中的至少一種。除了上述成分之外，所述蝕刻劑還可以包含另外的蝕刻調(diào)節(jié)劑、表面活性劑、和pH 調(diào)節(jié)劑。蝕刻劑可以包含水以使所述蝕刻劑的總重量為約100重量％。所述水可以為去離子水。所述蝕刻劑還可以包含另外的成分，只要所述另外的成分不會不利地影響本文中討論的蝕刻劑的期望性能即可。所述蝕刻劑可以用于制造電子裝置的工藝，并且更詳細地，可以用于在電子裝置的制造工藝期間蝕刻堆疊在基板上的金屬層。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，將蝕刻劑特別用于通過在顯示裝置的制造工藝期間蝕刻鈦和銅的雙層而形成柵極線(gate wiring)。本發(fā)明的蝕刻劑可以具有比典型蝕刻劑更小的老化。在典型蝕刻劑的情況下，在蝕刻劑中發(fā)生沉積反應(deposition reaction),使得在蝕刻劑中降低了氧化劑的濃度。因此，可以均勻地保持本發(fā)明的蝕刻劑的蝕刻特性如蝕刻速率、錐角和單向臨界尺寸(“CD”)損失。將本發(fā)明的蝕刻劑作為用于減輕老化的材料添加到磺酸中。因此，可以提高每預定小時待利用本發(fā)明的蝕刻劑處理的基板的累積數(shù)目(accumulative number)并且可以獲得一致的蝕刻結(jié)果。特別地，當將蝕刻劑用于蝕刻包含鈦層和銅層的金屬線時，可以獲得具有約25°至約50°的錐角(taper angle) 0的金屬線。將利用比較例來描述錐角。圖IA至圖IE是示出了利用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑形成金屬線的方法的示例性實施方式的截面圖。參考圖1A，在絕緣基板INS上堆疊金屬層。所述金屬層可以是其中依次堆疊了第一金屬層CLl和第二金屬層CL2的雙層,所述第一金屬層CLl由第一金屬形成,而所述第二金屬層CL2由與所述第一金屬不同的第二金屬形成。這里，所述第一金屬可以是鈦且所述第二金屬可以是銅。這里，所述金屬層示例性地為雙層，但不限于此。所述金屬層可以是由包含第一金屬和第二金屬的合金形成的單層，或者由多于三層形成的多層，其中交替層疊第一金屬層CLl和第二金屬層CL2。然后，如圖IB中所示，在絕緣基板INS上形成光致抗蝕劑層PR之后，例如，通過掩模MSK將所述光致抗蝕劑層PR曝光。所述掩模MSK包括第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2，所述第一區(qū)域Rl用于屏蔽(screening)或阻擋所有投射光，所述第二區(qū)域R2用于透過一些光并屏蔽其他光。絕緣基板INS的上表面分為與第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2相對應的區(qū)域。在下文中，將絕緣基板INS的對應區(qū)域分別稱作第一區(qū)域Rl和第二區(qū)域R2。接著，如圖IC中所示，在對通過掩模MSK曝光的光致抗蝕劑層PR顯影之后，在其中在第一區(qū)域Rl中屏蔽所有光的區(qū)域上僅保留預定厚度的光致抗蝕劑層圖案PRP。將在其中透過所有光的第二區(qū)域R2中的第二金屬層CL2的表面暴露，這是因為完全除去了光致抗蝕劑層PR。這里，根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式，將正性光致抗蝕劑(positivephotoresist)用于除去暴露區(qū)域中的光致抗蝕劑層，但不限于此。根據(jù)本發(fā)明的其他實施方式，可以將負性光致抗蝕劑(negative photoresist)用于除去未暴露區(qū)域中的光致抗蝕劑層。然后，如圖ID中所示，利用作為掩模的光致抗蝕劑圖案PRP，對在光致抗蝕劑圖案 PRP下方和覆蓋所述光致抗蝕劑圖案PRP的第一金屬層CLl和第二金屬層CL2進行蝕刻。在第一金屬層CLl和第二金屬層CL2的蝕刻期間，使用根據(jù)本發(fā)明上述實施方式的蝕刻劑。結(jié)果，形成了包含由第一金屬形成的第一金屬線MLl和由第二金屬形成的第二金屬線ML2的金屬線麗。之后，如圖IE中所示，通過除去殘留的光致抗蝕劑圖案PRP而形成最終的金屬線麗。在上述工藝之后，完全制造了具有錐角0且由第一金屬和第二金屬例如鈦/銅金屬層形成的金屬線。由于制造了顯示裝置(包括根據(jù)本發(fā)明實施方式的金屬線制造方法)，所以參考顯示裝置首先描述顯示裝置的結(jié)構(gòu)，然后描述制造顯示裝置的方法。圖2是示出了使用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑制造的顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示例性實施方式的平面圖。圖3是沿圖2的線1-1’的截面圖。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，顯示裝置包括多個像素并且顯示圖像。顯示裝置沒有特別限制并且可以包括各種顯示面板如液晶顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、電泳顯示面板、電潤濕顯示面板、和微機電系統(tǒng)顯示面板。根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，將液晶顯示裝置示出為顯示面板的一個實例。這里，每個像素具有相同的結(jié)構(gòu)，因此，為了便于描述，以與像素中的一個鄰接的柵極線和數(shù)據(jù)線示出了一個像素的示例性實施方式。參考圖2和圖3，顯示裝置包括具有多個像素PXL的第一基板SUB1、面對所述第一基板SUBl的第二基板SUB2、以及在所述第一基板SUBl和所述第二基板SUB2之間的液晶層LC0所述第一基板SUBl包括第一絕緣基板INSl、以及在所述第一絕緣基板INSl上的多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL。所述柵極線GL沿所述第一絕緣基板INSl上的第一方向縱向延伸。所述數(shù)據(jù)線DL在柵極絕緣層GI上并且沿與所述第一方向交叉的第二方向縱向延伸。每個像素PXL連接至柵極線GL的對應一條柵極線GL和數(shù)據(jù)線DL的對應一條數(shù)據(jù)線DL。每個像素PXL包括薄膜晶體管TFT和連接至所述薄膜晶體管TFT的像素電極PE。所述薄膜晶體管TFT包括柵電極GE、半導體層SM、源電極SE、和漏電極DE。所述柵電極GE從所述柵極線GL中突出。
通過其間的柵極絕緣層GI將半導體層SM設置在柵電極GE上。所述半導體層SM包括直接在所述柵極絕緣層GI上的有源層ACT以及直接在所述有源層ACT上的歐姆接觸層0HM。將所述有源層ACT平直地設置在具有源電極SE和漏電極DE的區(qū)域上以及與所述源電極SE和所述漏電極DE之間的區(qū)域?qū)膮^(qū)域上。將所述歐姆接觸層OHM設置在所述有源層ACT和所述源電極SE之間以及所述有源層ACT和所述漏電極DE之間。源電極SE從數(shù)據(jù)線DL分支，并且從平面圖中的頂部可看出，源電極SE的至少一部分覆蓋柵電極GE。漏電極DE與源電極SE隔開，并且從頂部可看出，漏電極DE的至少一部分覆蓋柵電極GE。像素電極PE通過其間的鈍化層PSV而物理地和/或電連接至漏電極DE。所述鈍化層PSV具有接觸孔CH，所述接觸孔CH延伸通過其厚度并暴露漏電極DE的一部分。所述像素電極PE通過所述接觸孔CH連接至所述漏電極DE。第二基板SUB2面對第一基板SUB I并且包括第二絕緣基板INS2、在所述第二絕緣基板INS2上以提供顏色的濾色器(濾色片，color filter)CF、圍繞所述濾色器CF的外邊 緣以屏蔽光的黑色矩陣(黑底)BM以及與像素電極PE形成電場的共用電極CE。圖4A至圖4C是依次示出了與根據(jù)本發(fā)明制造顯示裝置的方法相關的薄膜晶體管基板的制造工藝的示例性實施方式的截面平面圖。圖5A至圖5C是分別沿圖4A至圖4C的線11-11’截取的截面圖。在下文中，將參考圖4A至圖4C和圖5A至圖5C來描述根據(jù)本發(fā)明的制造顯示裝置的方法的示例性實施方式。參考圖4A和圖5A,通過第一光刻工藝在第一絕緣基板INSl上形成第一線單兀(first wiring unit)。所述第一線單元包括在第一方向上延伸的柵極線GL和連接至所述柵極線GL的柵電極GE。通過在第一絕緣基板INSl上依次堆疊第一金屬和第二金屬以形成第一金屬層CU以及在所述第一金屬層CLl上的第二金屬層CL2，然后通過使用第一掩模(未示出)對所述第一金屬層CLl和所述第二金屬層CL2進行蝕刻，形成了柵極線GL和柵電極。所述第一金屬層CLl可以包括鈦并且所述第二金屬層可以包括銅。這里，所述第一金屬層CLl可以以約50埃(A)至約300 A的厚度形成，并且所述第二金屬層CL2可以以約2000A至約5000 A的厚度形成。通過根據(jù)本發(fā)明實施方式的蝕刻劑對所述第一金屬層CLI和所述第二金屬層CL2進行蝕刻。在這一點上，第一線單元被蝕刻成具有約25°至約50°的錐角9。錐角0是指在金屬線的側(cè)面與絕緣基板的上表面之間的角。因此，利用其中依次堆疊第一金屬和第二金屬的雙層結(jié)構(gòu)形成了柵極線GL和柵電極GE。參考圖4B和圖5B，在具有第一線單元的第一絕緣基板INSl上形成柵極絕緣層GI。通過第二光刻工藝在具有柵極絕緣層GI的第一絕緣基板INSl上形成半導體層SM和第二線單元。所述第二線單元包括在與第一方向交叉的第二方向上延伸的數(shù)據(jù)線DL、從所述數(shù)據(jù)線DL延伸的源電極SE以及與所述源電極SE隔開的漏電極DE。通過在具有第一線單元的第一絕緣基板INSl上堆疊第一絕緣材料來形成柵極絕緣層GI。通過在第一絕緣基板INSl上依次堆疊第一半導體材料、第二半導體材料和第三導電材料，并通過使用第二掩模(未示出)對分別由所述第一半導體材料、所述第二半導體材料和所述第三導電材料形成的第一半導體層(未示出)、第二半導體層(未示出)和第三導電層(未示出)進行選擇性蝕刻，形成了第二線單元。所述第二掩模可以是縫隙掩模(slit mask)或衍射掩模。所述第三導電材料是金屬如銅、鑰、鋁、鎢、鉻、鈦、或它們的合金。當對第三導電層進行蝕刻時，使用對用于所述第三導電層的金屬合適的預定蝕刻劑。所述蝕刻劑可以與用于形成第一線的蝕刻劑不同，從而使所述第三導電層的錐角大于所述第一線的錐角。參考圖4C和圖5C，通過第三和第四光刻工藝在具有第二線單元的第一絕緣基板INSl上形成像素電極PE。參考圖5C，在具有第二線單元的第一絕緣基板INSl上形成鈍化層PSV，所述鈍化層PSV具有暴露漏電極DE的一部分的接觸孔CH。所述鈍化層PSV通過以下形成在具有第二線單元的第一絕緣基板INSl上堆疊第二絕緣材料層(未示出)和具有第二絕緣材料 的光致抗蝕劑層(未示出)，通過對所述光致抗蝕劑層進行曝光和顯影而形成光致抗蝕劑層圖案(未示出)，然后通過使用所述光致抗蝕劑層圖案作為掩模而除去所述第二絕緣材料層的一部分。再次參考圖5C，通過第四光刻工藝形成了布置在鈍化層PSV上且通過接觸孔CH連接至漏電極DE的像素電極PE。所述像素電極PE通過以下形成在具有鈍化層PSV的第一絕緣基板INSl上依次堆疊透明導電材料層(未示出)和光致抗蝕劑層(未示出)，通過對所述光致抗蝕劑層進行曝光和顯影而形成光致抗蝕劑層圖案(未示出)，然后通過使用所述光致抗蝕劑層圖案作為掩模而使所述透明導電材料層圖案化。將通過上述方法制造的薄膜晶體管基板，例如第一基板SUBl結(jié)合至具有濾色器層CF的第二基板SUB2，同時面對所述第二基板SUB2。在所述第一基板SUBl和所述第二基板SUB2之間形成液晶層LC。根據(jù)示例性實施方式，可以通過全部四個光刻工藝來制造薄膜晶體管基板。這里，通過在使用第一掩模的第一光刻工藝期間利用根據(jù)本發(fā)明上述實施方式的蝕刻劑形成金屬線，可以完全形成具有合適錐角的柵電極和柵極線，并且可以在第一線單元的形成期間降低或有效地防止有缺陷的壞掉的線。表I表示通過利用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑的示例性實施方式蝕刻金屬層來形成金屬線時的結(jié)果。所述金屬層通過依次堆疊鈦和銅而形成。所述金屬線通過以下來制造在金屬層上施加光致抗蝕劑層，對所述光致抗蝕劑層進行曝光和顯影，然后利用根據(jù)本發(fā)明的蝕刻劑的示例性實施方式對所述金屬層進行蝕刻。[表 I]
權利要求
1.一種蝕刻劑，包含 相對于所述蝕刻劑的總重量，以約O. 5重量％至約20重量％的量包含的過硫酸鹽； 相對于所述蝕刻劑的總重量，以約O. 01重量％至約2重量％的量包含的氟化物； 相對于所述蝕刻劑的總重量，以約I重量％至約10重量％的量包含的無機酸； 相對于所述蝕刻劑的總重量，以約O. 5重量％至約5重量％的量包含的環(huán)胺； 相對于所述蝕刻劑的總重量，以約O. I重量％至約10. O重量％的量包含的磺酸；以及相對于所述蝕刻劑的總重量，以約O. I重量％至約10重量％的量包含的有機酸或其鹽中的至少一種。
2.根據(jù)權利要求I所述的蝕刻劑，其中，所述過硫酸鹽是K2S208、Na2S2O8、或(NH4)2S2O8中的至少一種。
3.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述氟化物為氟化銨、氟化鈉、氟化鉀、氟化氫銨、氟化氫鈉、或氟化氫鉀中的至少一種。
4.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述無機酸是硝酸、硫酸、磷酸、或高氯酸中的至少一種。
5.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述環(huán)胺是氨基四唑、咪唑、吲哚、嘌呤、吡唑、吡啶、嘧啶、吡咯、吡咯烷、或吡咯啉中的至少一種。
6.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述磺酸是對甲苯磺酸或甲磺酸。
7.根據(jù)權利要求2所述的蝕刻劑，其中，所述有機酸是羧酸、二羧酸、三羧酸、或四羧酸。
8.根據(jù)權利要求7所述的蝕刻劑，其中，所述有機酸是乙酸、丁酸、檸檬酸、甲酸、葡糖酸、乙醇酸、丙二酸、草酸、戊酸、磺基苯甲酸、磺基琥珀酸、磺基鄰苯二甲酸、水楊酸、磺基水楊酸、苯甲酸、乳酸、甘油酸、琥珀酸、蘋果酸、酒石酸、異檸檬酸、丙烯酸、亞氨基二乙酸、或乙二胺四乙酸中的至少一種。
9.根據(jù)權利要求I所述的蝕刻劑，還包含使得所述蝕刻劑的總重量為100重量％的量的水。
10.根據(jù)權利要求I所述的蝕刻劑，其中，所述蝕刻劑蝕刻包括銅和鈦的多層。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種蝕刻劑以及制造金屬線和使用其的薄膜晶體管基板的方法。所述蝕刻劑包含過硫酸鹽、氟化物、無機酸、環(huán)胺、磺酸、以及有機酸及其鹽中的一種。
文檔編號H01L21/3213GK102827611SQ20121010258
公開日2012年12月19日 申請日期2012年4月9日 優(yōu)先權日2011年6月14日
發(fā)明者鄭鐘鉉, 金善一, 樸智榮, 金湘甲, 宋溱鎬, 崔新逸, 權五柄, 樸英哲, 劉仁浩, 李昔準, 林玟基, 張尚勛, 秦榮晙 申請人:三星電子株式會社, 東友精細化工有限公司