專利名稱：金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法。
背景技術(shù)：
金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管(Metal Oxide Semiconductor Transistor)是利用金屬氧化物為半導(dǎo)體層的晶體管。相較于非晶硅薄膜晶體管，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有較高的載子遷移率(Mobility)，因此金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管擁有較佳的電性表現(xiàn)。此外，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法也比低溫多晶硅薄膜晶體管簡(jiǎn)單，所以金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管亦具有較高的生產(chǎn)效能。 在制造金屬氧化物半導(dǎo)體的方法中，未經(jīng)退火(Unannealed)的金屬氧化物層所制作的晶體管的電性表現(xiàn)并不穩(wěn)定。圖I繪示在漏極電壓為20V的條件下，連續(xù)測(cè)量六次上述晶體管的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系曲線圖。如圖I所示，每次測(cè)量的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系曲線都不相同，且明顯有臨界電壓偏移的現(xiàn)象。臨界電壓的差異高達(dá)9. 36V。為改善上述問(wèn)題，業(yè)界利用溫度高達(dá)350°C以上的退火制程來(lái)改善晶體管的穩(wěn)定性。但是，在高溫下進(jìn)行退火制程，容易造成熱應(yīng)力效應(yīng)，導(dǎo)致金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管變形。因此，目前極需要一種改良的制造方法，期能降低退火制程的溫度，并且能使金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具有穩(wěn)定的電性性能。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，以能在低于350°C的溫度下制造出電性穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式，上述金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法包括下列步驟。形成一柵極于一基板上。形成一柵極絕緣層覆蓋柵極。形成一圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，此圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)。形成一源極及一漏極于圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層上，源極與漏極間的一間隙露出該通道區(qū)。形成一遷移率增強(qiáng)層于通道區(qū)上，使遷移率增強(qiáng)層與金屬氧化物半導(dǎo)體層中的氧產(chǎn)生氧化反應(yīng)，遷移率增強(qiáng)層不接觸源極及漏極。在溫度為約200°C至約350°C的環(huán)境中，對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層及遷移率增強(qiáng)層進(jìn)行一退火制程。依據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施方式，金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法包括下列步驟。形成一柵極于一基板上。形成一柵極絕緣層覆蓋柵極。形成一圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層于柵極絕緣層上，此圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)。形成一源極及一漏極于圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層上，源極與漏極間的一間隙露出通道區(qū)。以一遷移率增強(qiáng)介質(zhì)對(duì)通道區(qū)進(jìn)行表面處理，使遷移率增強(qiáng)介質(zhì)與金屬氧化物半導(dǎo)體層的氧產(chǎn)生氧化反應(yīng)。在溫度為約200°C至約350°C的環(huán)境中，對(duì)已進(jìn)行表面處理的金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行一退火制程。在已知技術(shù)中，通常必須在高于350°C的溫度才能制造電性穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。但是，在高溫下進(jìn)行退火制程，容易造成熱應(yīng)力效應(yīng)，導(dǎo)致金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管變形。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可在低于350°C的溫度下制造出電性穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。因此，可以有效改善已知技術(shù)中金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管變形的問(wèn)題。另一方面，本發(fā)明的實(shí)施方式可在較低的制程溫度下進(jìn)行，具有節(jié)省能源的優(yōu)點(diǎn)。


為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施方式能更明顯易懂，所附附圖的說(shuō)明如下圖I繪示已知技術(shù)的未退火的同一金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管連續(xù)六次測(cè)量的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系曲線圖；圖2繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的流程圖；圖3-圖SB繪示本發(fā)明一實(shí)施方式的制造方法的各制程階段剖面示意圖；·圖9是繪示本發(fā)明另一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法的流程圖；圖10A、圖IOB繪示本發(fā)明另一實(shí)施方式的制造方法的制程階段剖面示意圖；圖11繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖；圖12繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管在不同柵極電壓下的漏極電流與漏極電壓的關(guān)系曲線圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明100、400 :方法102、104、106、108、110、112、402、404、406、408、410、412 :步驟210 :基板220 :柵極230 :柵極絕緣層240 :金屬氧化物半導(dǎo)體層242 :通道區(qū)250a :源極250b :漏極252:間隙262:開(kāi)口270,310 :遷移率增強(qiáng)層260、320、520 :保護(hù)層510 :遷移率增強(qiáng)介質(zhì)
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的敘述更加詳盡與完備，下文針對(duì)了本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣與具體實(shí)施例提出了說(shuō)明性的描述；但這并非實(shí)施或運(yùn)用本發(fā)明具體實(shí)施例的唯一形式。以下所揭露的各實(shí)施例，在有益的情形下可相互組合或取代，也可在一實(shí)施例中附加其他的實(shí)施例，而無(wú)須進(jìn)一步的記載或說(shuō)明。在以下描述中，將詳細(xì)敘述許多特定細(xì)節(jié)以使讀者能夠充分理解以下的實(shí)施例。然而，可在無(wú)此等特定細(xì)節(jié)的情況下實(shí)踐本發(fā)明的實(shí)施例。在其他情況下，為簡(jiǎn)化附圖，熟知的結(jié)構(gòu)與裝置僅示意性地繪示于圖中。圖2為本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法100的流程圖。圖3-圖7繪示制造方法100的各制程階段剖面示意圖。在步驟102中，在基板210上形成柵極220，如圖3所示?；?10可例如為玻璃基板或硅基板。在一實(shí)施方式中，使用直流濺鍍法來(lái)形成柵極220。柵極220的材料可例如為鉻化鑰、鑰合金或招合金。在另一實(shí)施方式中，可使 用重?fù)诫sP-型的娃(heavily dopedp-type Si)作為柵極220的材料，其為本技術(shù)領(lǐng)所已知。在步驟104中，形成柵極絕緣層230覆蓋柵極220，如圖4所示。在一實(shí)施方式中，使用水平爐管(horizontal furnace)進(jìn)行化學(xué)氣相沉積或使用等離子輔助化學(xué)氣相沉積法(Plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD)來(lái)形成柵極絕緣層 230。柵極絕緣層230的材料可例如為氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。在步驟106中，形成圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層240在柵極絕緣層230上，且圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層240具有一通道區(qū)242，如圖5所示。在一實(shí)施方式中，形成金屬氧化物半導(dǎo)體層240的方法為射頻磁控濺鍍法或直流濺鍍法。金屬氧化物半導(dǎo)體層240的材料可例如為非晶銦鎵鋅氧化物(a-IGZ0)、銦鋅氧化物(IZO)、非晶銦鋅錫氧化物(a-IZT0)或類似的材料。在步驟108中，在金屬氧化物半導(dǎo)體層240上形成源極250a和漏極250b，如圖6所示。在源極250a和漏極250b之間存在一間隙252露出通道區(qū)(channel) 242。在一實(shí)施方式中，形成源極250a和漏極250b的方法為熱蒸鍍制程(thermal evaporation)或直流濺鍍制程。形成源極250a和漏極250b的材料可例如為鉻化鑰、鑰合金或鋁合金。在一實(shí)施方式中，在完成步驟108后，進(jìn)行步驟110的前，可對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層240進(jìn)行一熱處理步驟。舉例而言，可將形成有源極250a、漏極250b及金屬氧化物半導(dǎo)體層240的結(jié)構(gòu)置入溫度為約200°C至約350°C的環(huán)境中，對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層240進(jìn)行熱處理，以得到性質(zhì)較為穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體層240，下文將更詳細(xì)敘述。在步驟110中，在通道區(qū)242上形成遷移率增強(qiáng)層260，如圖7A所示。遷移率增強(qiáng)層260用以移除金屬氧化物半導(dǎo)體層240中未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子，以提高金屬氧化物半導(dǎo)體層240的穩(wěn)定性。遷移率增強(qiáng)層260包含可與氧產(chǎn)生鍵結(jié)的無(wú)機(jī)物、離子型化合物或共價(jià)型化合物等化學(xué)物質(zhì)。遷移率增強(qiáng)層260接觸金屬氧化物半導(dǎo)體層240，使遷移率增強(qiáng)層260與金屬氧化物半導(dǎo)體層240中的氧產(chǎn)生氧化反應(yīng)，從而移除金屬氧化物半導(dǎo)體層240中未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子。在沉積金屬氧化物半導(dǎo)體層240時(shí)，金屬氧化物半導(dǎo)體層240中會(huì)存在未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，這些未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子是造成金屬氧化物半導(dǎo)體層240的電性性質(zhì)不穩(wěn)定的主要原因。因此，經(jīng)由移除這些未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子，得以改善金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定性。遷移率增強(qiáng)層260的材質(zhì)可例如為鈣、鋰、鉀、鈉、鎂、銫、鑰、銀或未達(dá)飽和氧化狀態(tài)的氧化物。所謂“未達(dá)飽和氧化狀態(tài)的氧化物”可例如為A10，其可進(jìn)一步氧化為Al2O315此類未達(dá)飽和氧化狀態(tài)的氧化物的其他示例尚有氧化鈣、氧化鋰、氧化鈉、氧化鎂、氧化銫、氧化鑰及氧化銀。在一實(shí)施方式中，可利用熱蒸鍍制程(thermal evaporation)或射頻磁控濺鍍制程形成遷移率增強(qiáng)層260。遷移率增強(qiáng)層260不接觸源極250a和漏極250b。本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，縱然使用諸如鈣等的非導(dǎo)電材料來(lái)形成遷移率增強(qiáng)層260，如果遷移率增強(qiáng)層260與源極250a和漏極250b接觸，則最終形成的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管會(huì)發(fā)生漏電的現(xiàn)象，而不利于晶體管的開(kāi)/關(guān)功能。因此，本發(fā)明的一特征是遷移率增強(qiáng)層260不接觸源極250a和漏極250b，而能使金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管具更佳的電性表現(xiàn)。在進(jìn)行步驟110后，可形成一保護(hù)層270覆蓋金屬氧化物半導(dǎo)體層240、源極250a、漏極250b和遷移率增強(qiáng)層260，如圖7B所示。保護(hù)層270用以保護(hù)其下的結(jié)構(gòu)，避免空氣中的氧或水氣造成這些結(jié)構(gòu)的劣化。在步驟112中，對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層240和遷移率增強(qiáng)層260進(jìn)行退火制程。退
火制程實(shí)質(zhì)上是加熱金屬氧化物半導(dǎo)體層240和遷移率增強(qiáng)層260，以加速遷移率增強(qiáng)層260的氧化反應(yīng),而使金屬氧化物半導(dǎo)體層240達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。另一方面，因?yàn)橐严仍诮饘傺趸锇雽?dǎo)體層240上形成遷移率增強(qiáng)層260來(lái)移除金屬氧化物半導(dǎo)體層240中未鍵結(jié)或弱鍵結(jié)的氧原子，所以退火制程可在低于350°C的溫度下進(jìn)行，便能使金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。在一實(shí)施方式中，將步驟110所形成的結(jié)構(gòu)置入約200°C至約350°C的環(huán)境中，例如為約200°C至約300°C，更明確地為約200°C至約250°C。進(jìn)行退火制程的方式并無(wú)特殊限制，例如可使用高溫爐、脈沖激光或紫外燈來(lái)加熱金屬氧化物半導(dǎo)體層240和遷移率增強(qiáng)層260。在另一實(shí)施方式中，在步驟108的后，進(jìn)行步驟110的前，可形成一圖案化保護(hù)層360覆蓋源極250a和漏極250b，如圖8A所示。圖案化保護(hù)層360具有一開(kāi)口 362露出通道區(qū)242的一部分。接著，進(jìn)行步驟110，于露出的通道區(qū)242上形成遷移率增強(qiáng)層370，如圖SB所示。遷移率增強(qiáng)層370不接觸源極250a和漏極250b。本實(shí)施方式的圖案化保護(hù)層360及遷移率增強(qiáng)層370的具體實(shí)施方式
及特征可與上述的實(shí)施方式相同。圖9為本發(fā)明另一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法400的流程圖。方法400中的步驟402、步驟404、步驟406和步驟408的具體實(shí)施方式
及特征，可分別與前述方法100中的步驟102、步驟104、步驟106和步驟108相同。在步驟410中，提供遷移率增強(qiáng)介質(zhì)510到通道區(qū)242，以對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層240的通道區(qū)242進(jìn)行表面處理，如圖IOA所示。遷移率增強(qiáng)介質(zhì)510會(huì)與金屬氧化物半導(dǎo)體層240中的氧產(chǎn)生氧化反應(yīng)，而移除金屬氧化物半導(dǎo)體層240中的氧原子。利用遷移率增強(qiáng)介質(zhì)510進(jìn)行表面處理后，并不會(huì)在金屬氧化物半導(dǎo)體層240上形成實(shí)體的膜層結(jié)構(gòu)。在一實(shí)施方式中，遷移率增強(qiáng)介質(zhì)510為可與氧產(chǎn)生鍵結(jié)的液體或氣體。在一實(shí)例中，遷移率增強(qiáng)介質(zhì)510為可與氧產(chǎn)生鍵結(jié)的有機(jī)物，例如2-甲基戊烷、2，2-二甲基丁烷、三級(jí)丁醇或苯。在另一實(shí)例中，遷移率增強(qiáng)層介質(zhì)510可為諸如一氧化碳或氫氣的氣體。在步驟412中，對(duì)已進(jìn)行表面處理的金屬氧化物半導(dǎo)體層240進(jìn)行退火制程。退火制程實(shí)質(zhì)上是加熱金屬氧化物半導(dǎo)體層240。加熱的具體實(shí)施方式
可參考上述步驟112。在步驟412之后，可形成保護(hù)層520覆蓋源極250a、漏極250b和金屬氧化物半導(dǎo)體層240，如圖IOB所示。保護(hù)層520的具體實(shí)施方式
可與上述實(shí)施方式相同。在一實(shí)施例中，保護(hù)層520可在步驟410的后，步驟412之前形成。
圖11繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的柵極電壓與漏極電流的關(guān)系圖。圖11繪示連續(xù)測(cè)量六次的結(jié)果，測(cè)量時(shí)的漏極電壓為20V。如圖所示，連續(xù)測(cè)量六次的結(jié)果非常接近，臨界電壓的差異僅為O. 9V。表示金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的穩(wěn)定度明顯提升。圖12繪示根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施方式的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管在不同柵極電壓下(0V、5V、10V及15V)的漏極電流與漏極電壓的關(guān)系曲線圖。圖12中亦繪示漏極電壓與漏極電流的順向路徑和逆向路徑曲線。如圖12所示，在不同柵極電壓下，漏極電流與漏極電壓的順向路徑與逆向路徑幾乎重疊，表示金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管呈現(xiàn)穩(wěn)定狀態(tài)。在已知技術(shù)中，通常必須在高于350°C的溫度才能制造電性穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。但是，在高溫下進(jìn)行退火制程，容易造成熱應(yīng)力效應(yīng)，導(dǎo)致金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管變形。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，可在低于350°C的溫度下制造出電性穩(wěn)定的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管。因此，可以有效改善已知技術(shù)中金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管變形的問(wèn)題。另一方面，本發(fā)明的實(shí)施方式可在較低的制程溫度下進(jìn)行，具有節(jié)省能源的優(yōu)點(diǎn)。
雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，包含 形成一柵極于一基板上； 形成一柵極絕緣層覆蓋該柵極； 形成一圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層于該柵極絕緣層上，該圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)； 形成一源極及一漏極于該圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層上，其中該源極與該漏極間的一間隙露出該通道區(qū)； 形成一遷移率增強(qiáng)層于該通道區(qū)上，其中該遷移率增強(qiáng)層不接觸該源極及該漏極；以及 在溫度為約200°C至約350°C的環(huán)境中，對(duì)該金屬氧化物半導(dǎo)體層及該遷移率增強(qiáng)層進(jìn)行一退火制程。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，形成該金屬氧化物半導(dǎo)體層的步驟包含使用一射頻磁控濺鍍或一直流濺鍍。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該金屬氧化物半導(dǎo)體層的材料為非晶銦鎵鋅氧化物、銦鋅氧化物或非晶銦鋅錫氧化物。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，形成該遷移率增強(qiáng)層的步驟包含使用一熱蒸鍍制程或一濺鍍制程。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該遷移率增強(qiáng)層的材料為可與氧產(chǎn)生鍵結(jié)的無(wú)機(jī)物、離子型化合物或共價(jià)型化合物。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該遷移率增強(qiáng)層的材料選自由鋇、鈣、鈦、鐵、鎵、鎂、鋁、鍺、硅以及上述金屬的氧化物所組成的群組。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，于形成該源極及該漏極的步驟后，還包含形成一圖案化保護(hù)層覆蓋該源極及該漏極，其中該圖案化保護(hù)層具有一開(kāi)口露出該通道區(qū)的一部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，在形成該遷移率增強(qiáng)層步驟后，還包含形成一保護(hù)層覆蓋該源極、該漏極、該金屬氧化物半導(dǎo)體層以及該遷移率增強(qiáng)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，于形成該遷移率增強(qiáng)層之前，還包含對(duì)該金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行一熱處理制程，且該熱處理的溫度在約200°C至約350°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求I所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該退火制程的溫度范圍是在約200°C至約250°C。
11.一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，包含以下步驟 形成一柵極于一基板上； 形成一柵極絕緣層覆蓋該柵極； 形成一圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層于該柵極絕緣層上，該圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層具有一通道區(qū)； 形成一源極及一漏極于該圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層上，其中該源極與該漏極間的一間隙露出該通道區(qū)； 以一遷移率增強(qiáng)介質(zhì)對(duì)該通道區(qū)進(jìn)行表面處理；以及 在溫度為約200°C至約350°C的環(huán)境中，對(duì)已進(jìn)行該表面處理的該金屬氧化物半導(dǎo)體層進(jìn)行一退火制程。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該遷移率增強(qiáng)介質(zhì)為可與氧產(chǎn)生鍵結(jié)的液體、氣體或有機(jī)物。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該遷移率增強(qiáng)介質(zhì)包含至少一物質(zhì)，是選自由2-甲基戊烷、2，2- 二甲基丁烷、三級(jí)丁醇以及苯 所組成的群組。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該遷移率增強(qiáng)介質(zhì)為一氧化碳或氫氣。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，在該表面處理步驟后，還包含形成一保護(hù)層覆蓋該源極、該漏極以及該金屬氧化物半導(dǎo)體層。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，其特征在于，該退火制程的溫度范圍是在約200°C至約250°C。
全文摘要
本發(fā)明是提供一種金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的制造方法，包括下列步驟。在基板上依序形成柵極、柵極絕緣層、圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層、源極和漏極。在圖案化金屬氧化物半導(dǎo)體層上形成遷移率增強(qiáng)層。在溫度為約200℃至約350℃的環(huán)境中，對(duì)金屬氧化物半導(dǎo)體層和遷移率增強(qiáng)層進(jìn)行退火。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102956711SQ20121011378
公開(kāi)日2013年3月6日 申請(qǐng)日期2012年4月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月18日
發(fā)明者冉曉雯, 蔡娟娟, 葉雋正, 陳良豪 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司