專利名稱：片式熔斷器的制作方法及該片式熔斷器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熔斷器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種快斷型片式熔斷器的制作方法、及利用該方法所制作的片式熔斷器。
背景技術(shù)：
熔斷器也被稱為保險絲，IEC127標準將它定義為"熔斷體(fuse-link)"，它是一種安裝在電路中，保證電路安全運行的電路保護元件。熔斷器其實就是ー種短路保護器，廣泛用于配電系統(tǒng)和控制系統(tǒng)，主要進行短路保護或嚴重過載保護，在正常狀態(tài)下充當(dāng)導(dǎo)線的功能，當(dāng)流過熔斷器的電流超出規(guī)定范圍時，熔斷器就會因超負荷而快速熔斷，從而起到了保護電路的作用，防止了故障的發(fā)生。
熔斷器工作中，當(dāng)電流流過熔絲時，熔絲就會發(fā)熱，隨著時間的増加其發(fā)熱量也在増加。電流與電阻的大小決定了產(chǎn)生熱量的速度，熔絲的構(gòu)造與其材料的狀況確定了熱量耗散的速度，若產(chǎn)生熱量的速度小于熱量耗散的速度吋，熔絲是不會熔斷的；若產(chǎn)生熱量的速度等于熱量耗散的速度時，在相當(dāng)長的時間內(nèi)它也不會熔斷；若產(chǎn)生熱量的速度大于熱量耗散的速度吋，那么產(chǎn)生的熱量就會越來越多。又因為熔斷器具有一定的比熱及質(zhì)量，其熱量的増加就表現(xiàn)在溫度的升高上，當(dāng)溫度升高到熔絲的熔點以上時熔絲就發(fā)生了熔斷。所以要選擇熔點低，導(dǎo)電性好的基礎(chǔ)原漿實現(xiàn)厚膜印刷。目前，片式熔斷器主要生產(chǎn)廠家集中在日本、美國、歐洲、及中國臺灣地區(qū)，并形成大公司主宰世界市場的局面，而中國內(nèi)地卻只有少數(shù)制造商在生產(chǎn)電子設(shè)備用的熔斷器。加之，現(xiàn)有的熔斷器，其大多均為非片式結(jié)構(gòu)，存在體積結(jié)構(gòu)大、制造成本高等缺陷，且在制作過程中，一般都存在耗時過長，印刷過程不簡便的問題，從而使熔斷器產(chǎn)品效率滯后，還會在一定程度上影響產(chǎn)品的合格率及特性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的ー個目的在于，提供一種片式熔斷器的制作方法，其縮短了制作エ序及時間，極大的提聞了工作效率，且提聞了廣品合格率，具有較聞的可Φ性；本發(fā)明的另一目的在干，提供ー種片式熔斷器，其體積小巧，重量較輕，應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，符合現(xiàn)代化電子設(shè)備產(chǎn)品朝輕、薄、短、小、精方向發(fā)展的需要。為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種片式熔斷器的制作方法，其包括如下步驟背電極制作在陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷的背電極干燥后的膜層厚度達到13微米 17微米，然后在845°C 855°C溫度下燒結(jié)；絕緣層制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷ー層絕緣漿料，然后在905°C 915°C的高溫下燒結(jié)40分鐘 45分鐘；熔斷體制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，該熔斷體的漿料由銀漿和金漿分別配制而成；燒結(jié)將印有熔斷體的陶瓷基片在845°C 855°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘；
制作包封層在燒結(jié)好熔斷體的陶瓷基片上按常規(guī)方法印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行595°C 605°C高溫?zé)Y(jié)40分鐘 45分鐘；一次裂片將高溫?zé)Y(jié)固化好的陶瓷基片按常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端面濺射端電極，保證端電極將背電極和熔斷體表電極聯(lián)通；二次裂片按常規(guī)方法進行二次裂片；電鍍對二次裂片后的陶瓷基片依次鍍鎳、鍍錫，保證鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。其中，所述背電極的漿料為不含鉛的銀漿。本發(fā)明所述的背電極制作過程中，在陶瓷基片背面印刷背電極后，在850°C溫度下進行燒結(jié)。所述絕緣層制作過程中，將印有絕緣層的陶瓷基片在910°C溫度下進行燒結(jié)40分鐘 45分鐘。所述熔斷體的漿料可以采用上海賀利氏的金漿與銀漿、及上海住礦的銀漿分別配制而成。具體的，所述熔斷體的漿料可以采用上海賀利氏的041008-22金漿與C8727B銀漿、及上海住礦的C-4101S銀漿分別配制而成。所述燒結(jié)過程中，將印有熔斷體的陶瓷基片在850°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。所述制作包封層過程中，將印刷有三層包封玻璃漿料和標識的陶瓷基片在600°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。進ー步的，本發(fā)明還提供ー種片式熔斷器，包括基片、設(shè)于基片背面的背電極、及設(shè)于基片表面的絕緣層、表電極及熔斷體，其還包括分別設(shè)于基片兩端用于聯(lián)通背電極與熔斷體表電極的端電極、及包覆于熔斷體表電極外側(cè)的包封層，所述基片為陶瓷基片，該端電極包括依次設(shè)置的內(nèi)部電極、中間電極、及外部電極。其中，所述背電極的厚度為13微米 17微米。更進一歩的，所述包封層采用包封玻璃漿料制作而成，該包封層外側(cè)還電鍍有鎳層及錫層，該鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。本發(fā)明的片式熔斷器的制作方法及該片式熔斷器，其片式熔斷器的體積小巧、重量較輕、便于安裝，且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，符合現(xiàn)代化電子設(shè)備產(chǎn)品朝輕、薄、短、小、精方向發(fā)展的需要，具有較為可觀的經(jīng)濟價值和社會效益；同時，其縮短了制作エ序及時間，極大的提高了工作效率，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量，可靠性高且熔斷特性好。


圖I為本發(fā)明中片式熔斷器的制作方法ー種具體實施例的流程示意圖；圖2為本發(fā)明的片式熔斷器ー種具體實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施例方式如圖I所示，本發(fā)明提供一種片式熔斷器的制作方法，其包括如下步驟 步驟1，背電極制作在陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷的背電極干燥后的膜層厚度達到13微米 17微米，然后在845°C 855°C溫度下燒結(jié)。在該步驟中，按照常規(guī)方法在陶瓷基片背面印刷背電極，該背電極的漿料可以為不含鉛的銀漿。作為本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例，在陶瓷基片背面印刷背電極后，然后在850°C溫度下進行燒結(jié)。步驟2，絕緣層的制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷ー層絕緣漿料，然后在905°C 915°C的 高溫下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。在本發(fā)明中，對于IA以下規(guī)格電流的熔斷器均需要印刷絕緣層。作為本發(fā)明的ー種優(yōu)選實施例，可以將印有絕緣層的陶瓷基片在910°C的溫度下進行燒結(jié)40分鐘 45分鐘。步驟3，熔斷體制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，該熔斷體的漿料由銀漿和金漿分別配制而成，不同規(guī)格電流的熔斷器，由銀漿和金漿以不同比列配制，并根據(jù)目標阻值和目標膜層厚度印刷不同層數(shù)來獲得。本發(fā)明中，該熔斷體的漿料可以采用上海賀利氏的金漿與銀漿、及上海住礦的銀漿通過不同比例分別配制而成，使得熔斷體的膜厚干燥后達到ー個特定的膜厚范圍。作為本發(fā)明的ー種優(yōu)選實施例，該熔斷體的漿料可以采用上海賀利氏的041008-22金漿與C8727B銀漿、及上海住礦的C-4101S銀漿分別配制而成，這三種漿料在相同的膜厚情況下，阻值都不用，所以每ー種漿料都用原漿和固定的一個熔絲網(wǎng)框進行不同層數(shù)的印刷，得到的組織分別對應(yīng)ー個特定的電流。再者，傳統(tǒng)熔斷器的印刷一直采用的都是厚膜印刷技術(shù)，其在背電極制作之后與熔斷體制作之前還包括一次表電極的単獨印刷工序，而本發(fā)明則少了一次表電極的単獨印刷，其是將表電極與熔斷體制作成一個圖片，結(jié)合在一起印刷，這樣不僅縮短了印刷時間，提高了工作效率，也使得后續(xù)制作包封層的操作中，包封玻璃漿料在印刷完熔斷體的陶瓷基片上印刷的更為平整。。步驟4，燒結(jié)將印有熔斷體的陶瓷基片在845°C 855°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。作為本發(fā)明的ー種優(yōu)選實施例，可以將印有熔斷體的陶瓷基片在850°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。步驟5，制作包封層在燒結(jié)好熔斷體的陶瓷基片上按常規(guī)方法印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行595°C 605°C高溫?zé)Y(jié)40分鐘 45分鐘。作為本發(fā)明的ー種優(yōu)選實施例，可以將印刷完三層包封玻璃漿料和高溫標識的陶瓷基片放在600°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。本發(fā)明包封層的制作，縮短了產(chǎn)品在エ序中的流通時間，提高了效率，節(jié)約了人工，還可以在一定程度上保證產(chǎn)品質(zhì)量。步驟6，一次裂片將高溫?zé)Y(jié)固化好的陶瓷基片按常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端面濺射端電極，保證端電極將背電極和熔斷體表電極聯(lián)通。步驟7，二次裂片按常規(guī)方法進行二次裂片。步驟8，電鍍對二次裂片后的陶瓷基片依次鍍鎳、鍍錫，保證鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。在印刷包封玻璃漿料時，本發(fā)明采用傳統(tǒng)エ藝直接在熔斷提上印刷包封玻璃漿料和標識，然后進行燒結(jié)，玻璃漿料采用耐酸無鉛漿料，這滿足了電鍍要求的酸性電鍍，不會對產(chǎn)品外觀有所影響，在一定程度上提高了產(chǎn)品的合格率。進ー步的，如圖2所示，本發(fā)明還提供ー種片式熔斷器，包括基片10、設(shè)于基片10背面的背電極(未圖示)、設(shè)于基片表面的絕緣層20、及熔斷體47與表電極，其還包括分別設(shè)于基片10兩端用于聯(lián)通背電極與熔斷體表電極的端電極、及包覆于絕緣層20和熔斷體47表電極外側(cè)的包封層30，所述基片為陶瓷基片，該端電極包括依次設(shè)置的內(nèi)部電極42、中間電極44、及外部電極46。該片式熔斷器可廣泛應(yīng)用于液晶顯示(IXD :Liquid CrystalDisplay)監(jiān)控器、PC卡、磁盤驅(qū)動、便攜通信產(chǎn)品、掌上電腦(PDA personal DigitalAssistant)、數(shù)碼相機、DVD、電視、手機、可再充電電池組、及電池充電器等電子產(chǎn)品中，具有體積小巧、重量輕、特性好等諸多優(yōu)點。在本發(fā)明具體實施例中，所述背電極的厚度為13微米 17微米，該背電極的漿料可以為不含鉛的銀漿。
更進一歩的，所述包封層30采用包封玻璃漿料制作而成，該包封層外側(cè)還電鍍有鎳層及錫層(未圖示)，該鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。綜上所述，本發(fā)明片式熔斷器的制作方法及該片式熔斷器，其片式熔斷器的體積小巧、重量較輕、便于安裝，且應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，符合現(xiàn)代化電子設(shè)備產(chǎn)品朝輕、薄、短、小、精方向發(fā)展的需要，具有較為可觀的經(jīng)濟價值和社會效益；同時，其縮短了制作エ序及時間，極大的提高了工作效率，保證了產(chǎn)品的質(zhì)量，可靠性高且熔斷特性好。以上所述，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，可以根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案和技術(shù)構(gòu)思作出其他各種相應(yīng)的改變和變形，而所有這些改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明后附的權(quán)利要求的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種片式熔斷器的制作方法，其特征在于，包括如下步驟 背電極制作在陶瓷基片背面印刷背電極，保證印刷的背電極干燥后的膜層厚度達到13微米 17微米，然后在845°C 855°C溫度下燒結(jié)； 絕緣層制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷ー層絕緣漿料，然后在905°C 915°C的高溫下燒結(jié)40分鐘 45分鐘； 熔斷體制作在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，該熔斷體的漿料由銀漿和金漿分別配制而成； 燒結(jié)將印有熔斷體的陶瓷基片在845°C 855°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘； 制作包封層在燒結(jié)好熔斷體的陶瓷基片上按常規(guī)方法印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行595°C 605°C高溫?zé)Y(jié)40分鐘 45分鐘； 一次裂片將高溫?zé)Y(jié)固化好的陶瓷基片按常規(guī)方法一次裂片，并在裂片條的端面濺射端電極，保證端電極將背電極和熔斷體表電極聯(lián)通； 二次裂片按常規(guī)方法進行二次裂片； 電鍍對二次裂片后的陶瓷基片依次鍍鎳、鍍錫，保證鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。
2.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述背電極的漿料為不含鉛的銀漿。
3.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述背電極制作過程中，在陶瓷基片背面印刷背電極后，在850°C溫度下進行燒結(jié)。
4.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述絕緣層制作過程中，將印有絕緣層的陶瓷基片在910°C溫度下進行燒結(jié)40分鐘 45分鐘。
5.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述熔斷體的漿料采用上海賀利氏的金漿與銀漿、及上海住礦的銀漿分別配制而成；該熔斷體的漿料采用上海賀利氏的041008-22金漿與C8727B銀漿、及上海住礦的C-4101S銀漿分別配制而成。
6.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述燒結(jié)過程中，將印有熔斷體的陶瓷基片在850°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。
7.如權(quán)利要求I所述的片式熔斷器的制作方法，其特征在于，所述制作包封層過程中，將印刷有三層包封玻璃漿料和標識的陶瓷基片在600°C溫度下燒結(jié)40分鐘 45分鐘。
8.ー種片式熔斷器，包括基片、設(shè)于基片背面的背電極、及設(shè)于基片表面的絕緣層、表電極及熔斷體，其特征在于，還包括分別設(shè)于基片兩端用于聯(lián)通背電極與熔斷體表電極的端電極、及包覆于熔斷體表電極外側(cè)的包封層，所述基片為陶瓷基片，該端電極包括依次設(shè)置的內(nèi)部電極、中間電極、及外部電極。
9.如權(quán)利要求8所述的片式熔斷器，其特征在于，所述背電極的厚度為13微米 17微米。
10.如權(quán)利要求8所述的片式熔斷器，其特征在于，所述包封層采用包封玻璃漿料制作而成，該包封層外側(cè)還電鍍有鎳層及錫層，該鎳層厚度為3微米 10微米，錫層厚度為3微米 16微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種片式熔斷器的制作方法及該片式熔斷器，該方法包括在陶瓷基片背面印刷背電極，然后在845℃～855℃溫度下燒結(jié)40分鐘～45分鐘；在燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷絕緣層，然后在905℃～915℃的高溫下燒結(jié)40分鐘～45分鐘；在已經(jīng)燒結(jié)好背電極的陶瓷基片正面印刷熔斷體，將印有熔斷體的陶瓷基片在845℃～855℃溫度下燒結(jié)40分鐘～45分鐘；在燒結(jié)好熔斷體的陶瓷基片上按常規(guī)方法印刷三層高溫包封玻璃漿料和高溫標識，然后進行595℃～605℃高溫?zé)Y(jié)40分鐘～45分鐘；一次裂片，保證端電極將背電極和熔斷體表電極聯(lián)通；二次裂片、及電鍍。本發(fā)明縮短了制作工序及時間，極大的提高了工作效率，且提高了產(chǎn)品合格率，具有較高的可靠性。
文檔編號H01H69/02GK102646550SQ20121011811
公開日2012年8月22日 申請日期2012年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月20日
發(fā)明者蒲蓉 申請人:中國振華集團云科電子有限公司