專利名稱：有機(jī)el元件的制造方法和有機(jī)el元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有機(jī)EL元件的制造方法和有機(jī)EL元件。
背景技術(shù)：
近年來，正在關(guān)注有機(jī)EL(電致發(fā)光)顯示裝置。在有機(jī)EL顯示裝置中存在多個像素，在各個像素中使用有機(jī)EL元件(有機(jī)發(fā)光二極管)。如圖12所示，現(xiàn)有技術(shù)的有機(jī)EL元件100具有陰極3、有機(jī)材料層4和陽極8。有機(jī)材料層4被陰極3和陽極8夾著。有機(jī)材料層4包括電子傳導(dǎo)性的電子輸送層5、發(fā)光層6和空穴傳導(dǎo)性的空穴輸送層7。而且,發(fā)光層6由電子輸送層5和空穴輸送層7夾著。當(dāng)在陽極8和陰極3之間施加電壓時，與電子從陰極3經(jīng)由電子輸送層5被注入到發(fā)光層6 內(nèi)的同時，空穴從陽極8經(jīng)由空穴輸送層7被注入到發(fā)光層6內(nèi)。當(dāng)注入的電子和空穴在發(fā)光層6內(nèi)復(fù)合時,發(fā)光層6發(fā)出光I。有機(jī)材料層4的厚度9(以后稱為“有機(jī)材料層厚度9”)為幾百nm以下，非常薄。在形成這樣的有機(jī)材料層4時，存在導(dǎo)體異物混入的情況。當(dāng)在有機(jī)材料層4中存在異物時，在該部分(以后也稱為“異物部分”)存在陽極8和陰極3短路的情況。當(dāng)短路發(fā)生時，由于電子和空穴都不注入到發(fā)光層6內(nèi)，因此發(fā)光層6不發(fā)出光I。因此，要實施用于解除短路而使發(fā)光層6發(fā)出光I的修理(I■印air)方法。在日本專利特開2007-042498號公報中，公開了一種通過激光的照射來破壞產(chǎn)生短路的部分從而解除短路的修理方法。此外，在日本專利特開2001-117534號公報中，公開了一種通過施加反向偏壓來破壞產(chǎn)生短路的部分并解除短路的修理方法。通過實施這些修理方法，來解除短路，且使得產(chǎn)生短路的部分(被破壞的部分)以外的部分正常地發(fā)揮功能，從而使發(fā)光層6發(fā)出光I。但是，由于通過修理方法的實施而被破壞的部分不發(fā)光，因此實施過修理方法的有機(jī)EL元件，與不需要實施修理方法的正常的有機(jī)EL元件相比，具有亮度降低的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，本發(fā)明的目的在于提供一種使亮度提高的有機(jī)EL元件的制造方法和有機(jī)EL元件。為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的有機(jī)EL元件的制造方法，是具有透明的第I電極、與該第I電極對置的第2電極、以及被配置在該第I電極和所述第2電極之間且具有第I電阻值的第I有機(jī)層的有機(jī)EL元件的制造方法，包括準(zhǔn)備所述有機(jī)EL元件的步驟；以及將脈沖激光透過所述第I電極而照射到所述第I有機(jī)層，從而在該第I有機(jī)層中形成具有比所述第I電阻值更低的第2電阻值的第2有機(jī)層的步驟。如上所述，根據(jù)本有機(jī)EL元件的制造方法，能夠使被制造的有機(jī)EL元件的亮度提高。此外，本發(fā)明能夠應(yīng)用于有機(jī)EL顯示器和有機(jī)EL照明等中所使用的有機(jī)EL元件的制造。


圖I是表示實施方式的有機(jī)EL元件的示意圖。圖2A是表示將實施方式的脈沖激光照射在有機(jī)EL元件上的樣子的圖。圖2B是表示通過實施方式的脈沖激光的照射而形成導(dǎo)電性的有機(jī)層的狀態(tài)的圖。圖3A是表示為了實施熱加工而向有機(jī)EL元件照射脈沖激光的樣子的圖。圖3B是表示通過熱加工而破壞了有機(jī)層的狀態(tài)的圖。 圖4是由脈沖激光進(jìn)行的對有機(jī)EL元件的激光燒蝕加工和熱加工的說明圖。圖5是表不實施方式的有機(jī)EL兀件的加工方法的條件表的圖。圖6是表示實施方式的有機(jī)EL元件的亮度提高和修理中所使用的脈沖激光的條件的圖。圖7A是表示為了照射實施方式的脈沖激光而準(zhǔn)備的修理后的有機(jī)EL元件的圖。圖7B是表示實施方式的有機(jī)EL元件的照射了脈沖激光的區(qū)域的圖。圖7C是表示實施方式的脈沖激光的掃描軌跡的圖。圖8是實施方式的具有膜厚分布的有機(jī)層的有機(jī)EL元件的示意圖。圖9A是表示修理時的脈沖激光的聚光位置的圖。圖9B是表示實施方式的亮度提高時的脈沖激光的聚光位置的圖。圖IOA是表不實施方式的導(dǎo)電性的有機(jī)層位于有機(jī)層的上部的有機(jī)EL兀件的圖。圖IOB是表不實施方式的導(dǎo)電性的有機(jī)層位于有機(jī)層的中部的有機(jī)EL兀件的圖。圖IOC是表不實施方式的導(dǎo)電性的有機(jī)層位于有機(jī)層的下部的有機(jī)EL兀件的圖。圖11是表示實施方式的有機(jī)EL元件的制造方法的流程圖。圖12是表示有機(jī)EL元件的結(jié)構(gòu)的示意圖。附圖符號說明2有機(jī)EL元件3 陰極4有機(jī)材料層8 陽極11脈沖激光16非點亮部17點亮部18絕緣化部21亮度提高部23有機(jī)層24導(dǎo)電性的有機(jī)層50非發(fā)光部
具體實施例方式下面，參考附圖，說明實施方式的有機(jī)EL元件的制造方法和有機(jī)EL元件。在以下的說明中，相同構(gòu)成賦予相同符號，并省略說明。圖I表示由本實施方式的方法制造的有機(jī)EL元件2。該有機(jī)EL元件2，在前工序中檢測出異物10，并且通過修理方法的實施來破壞位于異物10的上部的陰極3的一部分。將被破壞的部分稱為絕緣化部18。所謂“進(jìn)行破壞”，意味著對功能進(jìn)行破壞，也就是說，使得不流過電流。具體地，所謂對陰極3進(jìn)行破壞，意味著在陰極3和有機(jī)材料層4之間形成空間，或者使陰極3變性而形成裂縫，或者將陰極3破碎。修理方法可以是在想要破壞的部分上照射激光的方法，也可以是在陰極3和陽極8上施加反向偏置的電壓的方法。當(dāng)在陰極3和陽極8上施加反向偏置的電壓時，由于電流僅流過異物10，因此異物10被加熱，并且通過該熱量使包含異物10的周圍破壞。此外，在以下的說明中，有時將實施修理方法的情形簡單地記述為修理。當(dāng)在圖I所示的陰極3和陽極8上施加了電壓時，由于沒有從絕緣化部18注入電
子，因此位于絕緣化部18的下部的有機(jī)材料層4不發(fā)光，該不發(fā)光的部分變成非發(fā)光部50。由于當(dāng)從陰極3 —側(cè)觀察有機(jī)EL元件2時絕緣化部18位于非發(fā)光部50的正上方，因此該絕緣化部18變成不點亮的非點亮部。由于該非點亮部的存在，因此與不存在非點亮部的正常的有機(jī)EL元件相比，有機(jī)EL元件2的發(fā)光亮度低。因此，在本實施方式中，通過在正常部(有機(jī)材料層4正常發(fā)光的部分，即與非發(fā)光部50不同的部分)的一部分上照射脈沖激光11而形成導(dǎo)電性的有機(jī)層(電性的有機(jī)區(qū)域)24，使有機(jī)EL元件2的發(fā)光亮度提高。在以下的說明中，有時將照射脈沖激光11而形成導(dǎo)電性的有機(jī)層24的情形簡單地記述為亮度提高。下面，參考圖2A、B，說明形成導(dǎo)電性的有機(jī)層24的方法。此外，為了將說明簡單化，將圖I中的由多個層構(gòu)成的有機(jī)材料層4在圖2A、B中顯示為單層的有機(jī)層23。圖I所示的有機(jī)材料層4和圖2A、B所示的有機(jī)層23，其功能都是相同的。在本實施方式中，為了有機(jī)EL元件2的亮度提高，利用通過脈沖激光11進(jìn)行的激光燒蝕加工現(xiàn)象。所謂激光燒蝕加工，是當(dāng)對固體材料賦予瞬間的能量時，構(gòu)成材料的元素以原子、分子、電子或者離子等各種形式而放出的現(xiàn)象。圖2A示出在使脈沖激光11的聚光位置與有機(jī)層23內(nèi)相對準(zhǔn)的狀態(tài)下進(jìn)行照射的樣子，圖2B示出有機(jī)層23的一部分通過激光燒蝕加工在有機(jī)層23中形成了導(dǎo)電性的有機(jī)層24的狀態(tài)。在對有機(jī)層23進(jìn)行了激光燒蝕加工時，有機(jī)層23由于被夾在陰極3和陽極8間，因此從有機(jī)層23放出的原子等不會被放出到外部，在有機(jī)層23的內(nèi)部，原子等發(fā)生分離并發(fā)生相互反應(yīng)。有機(jī)層23是電阻值(第I電阻值)為IMQ以上的絕緣物，因此導(dǎo)電性極低。但是，可認(rèn)為通過對激光燒蝕加工的反應(yīng)而會使有機(jī)層23變成具有導(dǎo)電性。具體地，通過對有機(jī)層23實施激光燒蝕加工，作為高分子的有機(jī)層23的除了碳以外的鍵合物質(zhì)(氫、氮、以及氧原子等)與碳分離。通過被分離的碳彼此進(jìn)行新的鍵合，使有機(jī)層23的一部分發(fā)生碳化，且使得碳化后的有機(jī)層23具有導(dǎo)電性?？烧J(rèn)為導(dǎo)電性的有機(jī)層24是通過如此將脈沖激光11照射到有機(jī)層23且施加激光燒蝕加工而形成的已碳化的有機(jī)層23。而且,碳一般具有導(dǎo)電性。如參考圖2B所說明的，在有機(jī)層23的內(nèi)部生成具有與有機(jī)層23(圖I的有機(jī)材料層4)相比電阻值更低的導(dǎo)電性的有機(jī)層24。從電阻的觀點來看，通過有機(jī)層24的生成，有機(jī)層23變成僅導(dǎo)電性的有機(jī)層24部分變薄的狀態(tài)。其結(jié)果是，在陰極3和陽極8之間施加了電壓時的電流注入效率提高，當(dāng)在激光燒蝕加工的前后施加了相同電壓時，加工后的一方的生成了導(dǎo)電性的有機(jī)層24的有機(jī)層23的發(fā)光亮度會提高。而且，有機(jī)層23的厚度是I微米以下，導(dǎo)電性的有機(jī)層24的厚度例如是Inm以上且IOOnm以下。導(dǎo)電性的有機(jī)層24的導(dǎo)電性(第2電阻值)例如是100Q以上且IkQ以下，含有導(dǎo)電性的有機(jī)層24的有機(jī)層23的導(dǎo)電性(電阻值)例如是IkQ以上且500k Q以下。另一方面，當(dāng)代替激光燒蝕加工而實施熱加工時，有機(jī)層23會被破壞。參考圖3A、B，說明由熱加工進(jìn)行的有機(jī)層23的破壞。圖3A表示激光110照射到有機(jī)層23上的樣子，圖3B表示有機(jī)層23的一部分被破壞的狀態(tài)。當(dāng)由激光110引起的熱被注入到有機(jī)EL元件2的有機(jī)層23上時，熱擴(kuò)展到有機(jī)層23的內(nèi)部，由于該熱量而使得有機(jī)層23被破壞和絕緣化，從而形成絕緣層25。在該情況下，即使在陰極3和陽極8之間施加電壓，電流也不會流過絕緣層25。因此，位于絕緣層25的上下的有機(jī)層23的部分不發(fā)光，作為有機(jī)層23的整體的亮度會降低。但是，通過對該絕緣層25進(jìn)行激光燒蝕加工，也能夠制成圖2B的導(dǎo) 電性的有機(jī)層24。接著，參考圖4，說明激光燒蝕加工和熱加工的各自的模式的不同。在圖4中，縱軸表示脈沖激光的能量E O J),橫軸表示時間t(fs或者ps)。此外,實線31表示具有激光燒蝕加工所需的能量(照射的脈沖激光的)脈沖波，點劃線32表示具有熱加工所需的能量(照射的脈沖激光的)脈沖波。如圖4所示，照射的脈沖激光的脈沖波形成為在時間方向上具有寬度的高斯分布。激光燒蝕加工由于是強(qiáng)能量在短時間進(jìn)入物質(zhì)時所產(chǎn)生的現(xiàn)象，因此，如實線31所示的脈沖波那樣高斯分布的峰值越高，由脈沖激光照射進(jìn)行的加工的行動越取決于激光燒蝕加工。通過照射這樣能量分布的脈沖激光，使得有機(jī)層(有機(jī)EL元件)的亮度提高成為可能。另一方面，當(dāng)如點劃線32所示的脈沖波那樣能量峰值較低時，高斯分布的底邊的部分、即在脈沖波形內(nèi)時間寬度較大的部分的作用越強(qiáng)，由脈沖激光照射進(jìn)行的加工的行動越取決于熱加工。也就是說，以低能量長時間照射脈沖激光的情況與加熱對象物質(zhì)的情況(熱加工)是同等的。由于能夠通過熱加工來破壞對象物，因此熱加工被使用于形成圖I所示的絕緣化部18時、即修理中。此外，能夠通過圖3A所示的激光110來實施熱加工。因此，使用圖3A所示的激光110，能夠形成圖I所示的絕緣化部18。在以下的說明中，有時將使用圖3A所示的激光110來形成圖I所示的絕緣化部18的情形簡單地記述為修理。圖5表示匯總了用于實現(xiàn)有機(jī)EL元件2 (有機(jī)層23)的亮度提高和修理的脈沖激光的能量值、脈沖寬度帶、加工模式和波長帶的表。圖6表示基于圖5的表的用于實現(xiàn)有機(jī)EL元件2(有機(jī)層23)的亮度提高和修理的脈沖激光的能量帶和脈沖帶。在圖6中，脈沖寬度t (s)被分類為Fs (飛秒)脈沖帶35、Ps (皮秒)脈沖帶36和Ns (納秒)脈沖帶37。能量帶33表示使有機(jī)EL元件2 (有機(jī)層23)的亮度能夠提高的脈沖激光的脈沖寬度是Ifs以上且IOOOps以下，能量寬度是30nJ以上且60nJ以下。也就是說，即使照射該范圍以外的脈沖寬度或者能量值的脈沖激光，也不能夠進(jìn)行激光燒蝕加工，不能夠?qū)崿F(xiàn)有機(jī)EL元件2的亮度提高。也就是說，圖I所示的脈沖激光11應(yīng)該滿足的能量等的條件處于圖6的能量帶33的范圍內(nèi)。
能量帶34與修理所用的熱加工有關(guān)，表示照射的脈沖激光的脈沖寬度是600fs以上且50ps以下，能量值是2. SnJ以上且4. SnJ以下。S卩，圖3A所示的激光110的能量等的條件處于圖6所示的能量帶34的范圍內(nèi)。一般認(rèn)為，用脈沖寬度大于lOOOps的脈沖激光，是不能夠?qū)嵤┘す鉄g加工的。如圖6所示，能夠使有機(jī)EL元件2的亮度提高的能量帶33中的能量寬度非常窄?？烧J(rèn)為這起因于圖2A所示的有機(jī)層23薄到幾百nm以下。在將滿足能量帶33的范圍以外的條件的脈沖激光照射到圖2B所示的有機(jī)層23時，即使假設(shè)實施了激光燒蝕加工，也會對陰極3或者陽極8產(chǎn)生影響，或者會使有機(jī)層23中的發(fā)光層(圖I所示的有機(jī)材料層4中的發(fā)光層6)的大部分發(fā)生碳化。當(dāng)發(fā)光層的大部分被碳化時，有機(jī)EL元件2不發(fā)光。也就是說，圖6所示的能量帶33所規(guī)定的條件，可認(rèn)為是用于即使在有機(jī)層23中形成了導(dǎo)電性的有機(jī)層24也對有機(jī)層23中所包含的發(fā)光層的區(qū)域進(jìn)行保留的條件。本發(fā)明人預(yù)測，在該條件下所形成的導(dǎo)電性的有機(jī)層24的厚度要比有機(jī)層23中所包含的發(fā)光層的厚度薄?！ざ?，如圖6所示，能夠共同實現(xiàn)有機(jī)EL元件2的亮度提高和修理的脈沖激光的脈沖寬度帶是600fs以上且50ps以下。也就是說，如果使用該脈沖寬度帶的脈沖激光，則能夠?qū)嵤┯袡C(jī)EL元件2的修理和亮度提高這兩者。此外，有時在圖I所示的有機(jī)EL元件2的陰極3上順序地層疊了密封用硬化樹月旨、濾色器、以及玻璃板。在該情況下，為了加工有機(jī)材料層4，需要使用將玻璃板、濾色器、以及密封用硬化樹脂全都透過的波長的脈沖激光。本發(fā)明人已經(jīng)實驗性地弄清楚將這些(層)全都透過的波長是900nm以上。也就是說，作為圖I所示的脈沖激光11，當(dāng)使用波長為900nm以上的激光時，即使在陰極3上層疊了密封用硬化樹脂、濾色器、以及玻璃板的情況下，有機(jī)層23的亮度也能得到提高。下面，參考圖7A C，說明有機(jī)EL元件2 (有機(jī)層23)的亮度提高所用的脈沖激光照射方法。圖7A C示出從陰極3 —側(cè)觀察圖I所示的有機(jī)EL元件2的樣子。更具體地，圖7A示出在修理后的有機(jī)EL元件2中、在將電壓施加到陰極3和陽極8上時的光點亮的點亮部17和光沒有點亮的非點亮部16。點亮部17是圖I所示的絕緣化部18和導(dǎo)電性的有機(jī)層24都沒有被形成的正常的有機(jī)EL元件2的部分。非點亮部16是通過修理而形成了圖I的絕緣化部18的部分。非點亮部16的位置和大小，與位于圖I所示的絕緣化部18的下部的發(fā)光層6中的非發(fā)光部50的位置和大小一致。圖7B表不實施了売度提聞的有機(jī)EL兀件2,不出売度提聞后的売度提聞部21。売度提高部21，是照射了圖I所示的脈沖激光11的區(qū)域，也是形成了導(dǎo)電性的有機(jī)層24的區(qū)域。將與圖7A所示的點亮部17的亮度相比，使得圖7B所示的亮度提高部21的亮度上升50%以上的狀態(tài)稱為亮度提高的狀態(tài)。圖7C將圖7B所示的亮度提高部21與為了亮度提高而照射的脈沖激光(圖I的脈沖激光11)的掃描方向一起進(jìn)行了放大表不。如圖7C所示，在圖7A所示的修理后的有機(jī)EL元件2 (通過修理進(jìn)行的非點亮部16已經(jīng)存在的狀態(tài))中的點亮部17上照射脈沖激光，以實現(xiàn)有機(jī)EL元件2的亮度提高。由于在被脈沖激光照射的位置上形成圖I所示的導(dǎo)電性的有機(jī)層24，因此通過移動脈沖激光使得描繪出在圖7C中由箭頭所示的軌跡，能夠擴(kuò)大亮度提高部21的面積。此外，通過控制亮度提高部21的面積，能夠控制有機(jī)EL元件2的亮度。通過修理而形成了非點亮部16的有機(jī)EL元件2，與不需要實施修理(不存在非點亮部16)的正常的有機(jī)EL元件相比，亮度降低。若以補(bǔ)償與正常的有機(jī)EL元件2之間的亮度差的方式控制亮度提高部21的面積，則能夠使得通過修理形成了非點亮部16的有機(jī)EL元件2的亮度與不需要實施修理的正常的有機(jī)EL元件的亮度一致。下面，描述亮度提高的效果的具體例子。通過能量帶為30nJ以上且60nJ以下、脈沖寬度為800fs、波長900nm以上的脈沖激光的照射而形成的亮度提高部21，實驗上實現(xiàn)了相對于點亮部17的亮度為I. 5 2. 5倍的亮度的提高。假如，將修理后的非點亮部16的面積設(shè)為30iimX30iim，將亮度提高部21的亮度設(shè)為點亮部17的亮度的2倍，將照射的脈沖激光的激光照射寬度設(shè)為3 ym。激光掃描的軌跡如圖7C所示那樣，將縱方向的掃描寬度設(shè)為30 ii m,在橫方向上掃描5次。在該情況下,脈沖激光照射的區(qū)域的面積成為30 u mX 15 u m0盡管當(dāng)激光照射寬度變大時，能夠減少描繪次數(shù)，但是被提高的亮度的微調(diào)整變得困難。在實際的描繪速度提高時，可考慮由分離器等將來自振蕩器的脈沖激光分開，同時進(jìn)行描繪。此外，不需要在加工前決定描繪的個數(shù)，也可以一邊確認(rèn)有機(jī)EL元件2整體的亮度、一邊照射脈沖激光。例如，首先將脈沖激光以線(line)狀進(jìn)行I次掃描，其后，使有機(jī)EL元件2點亮，在由相機(jī)確認(rèn)了亮度提高的樣子和大小之后，再次照射脈沖激光，直至有機(jī)EL元件2成為與正常狀態(tài)的單元同等的亮度為止，將掃描繼續(xù)。亮度提高部21被形成在非點亮部16的周圍的任意位置上。亮度提高部21沒有必要形成為縱長形狀，還可以形成為橫長形狀或者正方形。此外，亮度提高部21不限定于有機(jī)EL元件2內(nèi)的I個位置，還可以設(shè)置在2個以上的位置上。此外，也可以基于在圖2A、B所示的有機(jī)EL元件2內(nèi)有機(jī)層23的膜厚分布，來決定照射脈沖激光11的區(qū)域。下面，參考圖8，說明在有機(jī)層23中具有膜厚分布時的亮度提高實施方法。圖8表示從陰極3—側(cè)觀察圖2A、B有機(jī)EL元件2的樣子。在圖8中，示出非點亮部16存在于(圖2A中的有機(jī)層23的)膜厚較薄(IOOnm以下)的部分29上的情況。在膜厚較薄的情況下，當(dāng)照射脈沖激光時，在有機(jī)層23的厚度方向上會完全具有導(dǎo)電性，有時在電極間會產(chǎn)生短路。因此，通過在膜厚較薄的部分30 (150nm以上的部分，特別為圖I所示的發(fā)光層6是150nm以上的部分)上照射脈沖激光并形成亮度提高部21，從而防止在有機(jī)層23的厚度方向上完全具有導(dǎo)電性。而且，膜厚分布由于在形成有機(jī)層23的情況下會以高概率產(chǎn)生，因此在預(yù)先掌握膜厚分布且進(jìn)一步在厚度大的位置上形成亮度提高部21是有效的。接著，參考圖9A、B，描述有機(jī)EL元件2的在厚度方向上的脈沖激光的聚光位置。在照射用于修理的激光110時，如圖9A所示那樣，使聚光位置與陰極3的位置相對準(zhǔn)來照射激光110。然后，在為了亮度提高而照射脈沖激光11時，如圖9B所示，使脈沖激光11的聚光位置與有機(jī)層23的位置相對準(zhǔn)。由于有機(jī)層23與陰極3相比更位于下方，因此亮度提高處理時所照射的脈沖激光11的聚光位置與修理處理時相比更靠下方對準(zhǔn)。例如，當(dāng)陰極3的厚度為lOOnm、有機(jī)層23的厚度為I y m的情況下，與修理時相比，更降低500nm左右的脈沖激光11的聚光位置，從而進(jìn)行用于亮度提高的脈沖激光11的照射。在使聚光位置與陰極3相對準(zhǔn)來照射激光110的情況下，激光110的能量被集中于陰極3，并且不向有機(jī)層23作用使碳鍵合分離那樣的能量。因此，有機(jī)層23不被激光燒蝕加工，且不產(chǎn)生亮度提高。此外，當(dāng)在亮度提高處理時使聚光位置與有機(jī)層23相對準(zhǔn)來照射脈沖激光11的情況下，陰極3不被加工且不被修理。即，通過分別在修理處理時使激光110的聚光位置與陰極3對準(zhǔn)、在亮度提高時使脈沖激光11的聚光位置與有機(jī)層23對準(zhǔn)，從而使陰極3和有機(jī)層23被分別單獨(dú)地加工?；谟糜趯⒚}沖激光11聚光的透鏡的焦點距離、陰極3的厚度的設(shè)計值、以及有機(jī)EL元件2的厚度的設(shè)計值，預(yù)先決定照射的脈沖激光11的聚光位置。下面，說明導(dǎo)電性的有機(jī)層24的位置。在使聚光位置與有機(jī)層23相對準(zhǔn)來照射脈沖激光11時，對于亮度提高后的有機(jī)EL元件2，可認(rèn)為是圖10A、B、C的狀態(tài)。圖IOA表示導(dǎo)電性的有機(jī)層24位于有機(jī)層23的上部且與陰極3相接的狀態(tài)。圖IOB表示導(dǎo)電性的有機(jī)層24存在于有機(jī)層23的中間的狀態(tài)。圖IOC表示導(dǎo)電性的有機(jī)層24位于有機(jī)層23的下部且與陽極8相接的狀態(tài)。即使在圖10A、B、C所示的任何的狀態(tài)下，亮度提高都是可能的。導(dǎo)電性的有機(jī)層24如果不電連接陰極3和陽極8，則還可以被形成于有機(jī)層23內(nèi)的任何位置處。也就是說，如在圖IOC和圖IOA分別例示的那樣，只要形成與陰極3和陽極8 的至少一個非接觸的導(dǎo)電性的有機(jī)層24即可。接著，參考圖11和圖1，說明制造本實施方式的有機(jī)EL元件2的方法。在步驟SI中，準(zhǔn)備未形成絕緣化部18的有機(jī)EL元件2。準(zhǔn)備的有機(jī)EL元件2包括陰極3(透明的第I電極)、與陰極3對置的陽極8 (第2電極)、以及在陰極3和陽極8之間所配置的有機(jī)材料層4(第I有機(jī)層)。此時準(zhǔn)備的有機(jī)EL元件2可以是頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)、底部發(fā)射結(jié)構(gòu)、3色方式、色變換方式、或者濾色器方式的任意一種的有機(jī)EL元件。而且，作為陰極3即透明的電極，使用例如ITOdndium Tin Oxide :氧化銦錫)。在步驟S2中，檢查有機(jī)EL元件2的缺陷，檢查的結(jié)果是，如果檢測出異物10，則對檢測出異物10的有機(jī)EL元件2實施修理。有機(jī)EL元件2的缺陷的檢查，通過相機(jī)、光傳感器、或者目視等來實施。而且，在步驟SI中，在準(zhǔn)備已經(jīng)實施了修理的有機(jī)EL元件2時，不實施該步驟S2而進(jìn)入到步驟S3。在步驟S3中，用相機(jī)等觀測修理后的有機(jī)EL元件2，決定為了亮度提高而照射脈沖激光11的位置和區(qū)域，進(jìn)入到步驟S4。在步驟S4中，通過使脈沖激光11的聚光位置與有機(jī)材料層4相對準(zhǔn)并且將透過陰極3的脈沖激光11照射到有機(jī)材料層4，來實施亮度提高。由該步驟S4來形成導(dǎo)電性的有機(jī)層24(第2有機(jī)層)。在步驟S5中，評價亮度提高是否成功。評價時用相機(jī)等觀測有機(jī)EL元件2。在這里，與預(yù)先設(shè)定的優(yōu)良品相比，作為一個例子，評價是否斷定有50%以上的亮度提高。如果亮度提高作為一個例子是小于50%，則再次返回到步驟S4(步驟S5的“否”)，如果是50%以上，則結(jié)束動作(步驟S5的“是”)。經(jīng)過以上的步驟SI 步驟S5，制造了有機(jī)EL元件2。而且，也可以不實施修理，而僅實施用于亮度提高的圖I所示的脈沖激光11的照射，來制造有機(jī)EL元件2。例如，在異物10的尺寸為幾十nm的微小的情況下，有時不是發(fā)生完全的電極間短路，而是產(chǎn)生微小的漏電流(PA以下的量級)，從而降低有機(jī)EL元件2的亮度。此時，由于存在用外觀觀測等檢查不能夠檢測出微細(xì)的異物10的可能性，因此也可以不實施修理(圖11中的步驟S2)，而僅實施亮度提高。由此，能夠制造使亮度提高的有機(jī)EL元件2。此外，通過包括導(dǎo)電性的有機(jī)層24，與不包括導(dǎo)電性的有機(jī)層24的狀態(tài)相比，能夠提高有機(jī)EL元件2的 亮度。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)EL元件的制造方法，該有機(jī)EL元件具有透明的第I電極、與該第I電極對置的第2電極、以及被配置在該第I電極和所述第2電極之間且具有第I電阻值的第I有機(jī)層，該制造方法的特征在于，包括 準(zhǔn)備所述有機(jī)EL元件的步驟；以及 使脈沖激光透過所述第I電極而照射到所述第I有機(jī)層，從而在該第I有機(jī)層中形成具有比所述第I電阻值更低的第2電阻值的第2有機(jī)層的步驟。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于， 在用于形成所述第2有機(jī)層的步驟中，利用所照射的所述脈沖激光，來對所述第I有機(jī)層進(jìn)行激光燒蝕加工。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于， 在用于形成所述第2有機(jī)層的步驟中，照射脈沖激光，該脈沖激光的脈沖寬度是Ifs以上且IOOOps以下，該脈沖激光的能量是30nJ以上且60nJ以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于， 在用于形成所述第2有機(jī)層的步驟中，形成與所述第I電極和所述第2電極的至少一方非接觸的所述第2有機(jī)層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于， 在用于形成所述第2有機(jī)層的步驟中，在所述第I有機(jī)層的厚度為最大的部分上照射所述脈沖激光。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至5的任一項所述的有機(jī)EL元件的制造方法，其特征在于， 所述制造方法還包括在所述第I有機(jī)層中形成非發(fā)光部的步驟， 在用于形成所述第2有機(jī)層的步驟中，在所述第I有機(jī)層中，在形成了所述非發(fā)光部的部分的周圍的部分上照射所述脈沖激光。
7.一種有機(jī)EL元件，包括 透明的第I電極； 與該第I電極對置的第2電極； 被配置在該第I電極和所述第2電極之間且具有第I電阻值的第I有機(jī)層；以及 被配置在該第I有機(jī)層中且具有比所述第I電阻值更低的第2電阻值的第2有機(jī)層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL元件，其特征在于， 所述第2有機(jī)層是已碳化的所述第I有機(jī)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL元件，其特征在于， 所述第2有機(jī)層是通過在所述第I有機(jī)層上照射脈沖激光而形成的，該脈沖激光的脈沖寬度是Ifs以上且IOOOps以下，該脈沖激光的能量是30nJ以上且60nJ以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL元件，其特征在于， 所述第2有機(jī)層與所述第I電極和所述第2電極的至少一方非接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機(jī)EL元件，其特征在于， 所述第2有機(jī)層位于所述第I有機(jī)層的厚度為最大的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求7至11的任一項所述的有機(jī)EL元件，其特征在于， 所述第I有機(jī)層具有非發(fā)光部， 所述第2有機(jī)層被配置在與所述非發(fā)光部不同的位置處。
全文摘要
本發(fā)明提供一種使亮度提高的有機(jī)EL元件的制造方法和有機(jī)EL元件。在具有陰極、與陰極對置的陽極、以及被配置在陰極和陽極之間的有機(jī)層的有機(jī)EL元件的制造方法中，準(zhǔn)備有機(jī)EL元件，將脈沖激光透過陰極而照射到有機(jī)層，從而在有機(jī)層中形成具有比有機(jī)層的電阻值更低的電阻值的導(dǎo)電性的有機(jī)層。
文檔編號H01L51/50GK102760843SQ20121012057
公開日2012年10月31日 申請日期2012年4月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月27日
發(fā)明者小松真介 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社