專利名稱：發(fā)光器件的制作方法
發(fā)光器件
相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用
本申請(qǐng)要求2011年9月7日在韓國(guó)提交的第10-2011-0090803號(hào)、2011年 10月10日在韓國(guó)提交的第10-2011-0102995號(hào)、2011年10月13日在韓國(guó)提交的第 10-2011-0104728 號(hào)、2011 年 10 月 20 日在韓國(guó)提交的第 10-2011-0107683 號(hào)、2011 年 11月23日在韓國(guó)提交的第10-2011-0123139號(hào)以及2011年12月6日在韓國(guó)提交的第 10-2011-0129856號(hào)韓國(guó)專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其全部?jī)?nèi)容并入本文。技術(shù)領(lǐng)域
實(shí)施方案涉及一種發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(LED)是發(fā)光器件的代表性實(shí)例，其利用化合物半導(dǎo)體的特性將電信號(hào)轉(zhuǎn)換成紅外光或者可見光。這種LED正用于家用電器、遙控器、電子布告板、顯不器和各種其它自動(dòng)化機(jī)器中。LED的應(yīng)用范圍正在逐漸增加。
通常，將小型LED制造成表面安裝器件，以直接安裝在印刷電路板(PCB)上，并且從而將用作顯示器件的LED燈正在研發(fā)成表面安裝器件。表面安裝器件可以替代傳統(tǒng)的簡(jiǎn)單燈，并且用于各種顏色的開關(guān)顯示器和文字/圖像顯示器中。
這種LED通常表現(xiàn)出整流特性。因此，在對(duì)LED施加AC電力時(shí)，LED根據(jù)電流的方向重復(fù)地打開/關(guān)閉，從而難以連續(xù)發(fā)光并且由于反向電流而受損。
因而，近來已經(jīng)進(jìn)行了將LED直接連接至AC電源的各種研究。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明涉及以下實(shí)施方案。
I. 一種發(fā)光器件,包括
包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中
所述第一段包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層；以及
其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；
設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的第一電極；
設(shè)置在所述第四半導(dǎo)體層上的第二電極；以及
插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
2. 一種發(fā)光器件,包括
包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中
所述第一段包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層；
其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；以及
其中從所述第四半導(dǎo)體層到所述第一半導(dǎo)體層形成有第一溝槽；
插入到所述第一溝槽中以設(shè)置在所述第一溝槽內(nèi)的所述第一半導(dǎo)體層的暴露出的部分上的第一電極；
電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極的第二電極；以及
插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
3. 一種發(fā)光器件，包括
導(dǎo)電支撐構(gòu)件；
包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，
其中所述第一段包括設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層；
其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、 設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；以及
其中從所述第一半導(dǎo)體層到所述第四半導(dǎo)體層形成有第二溝槽；
設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件與所述第一半導(dǎo)體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一半導(dǎo)體層；
設(shè)置在所述第二溝槽中的第二電極，所述第二電極電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極；以及
插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
4. 一種發(fā)光器件，包括
包括第一支撐部和與所述第一支撐部間隔開的第二支撐部的導(dǎo)電支撐構(gòu)件；
包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中
所述第一段包括設(shè)置在所述第一支撐部和所述第二支撐部上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層；
其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層上并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；
其中在所述第一支撐部上形成有從所述第一半導(dǎo)體層延伸至所述第四半導(dǎo)體層的第二溝槽；以及
其中所述第二支撐部上形成有從所述第一半導(dǎo)體層延伸至所述第三半導(dǎo)體層的第三溝槽；
設(shè)置在所述第一支撐部與所述第一半導(dǎo)體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一支撐部和所述第一半導(dǎo)體層；
設(shè)置在所述第二溝槽中并且電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極的第二電極；以及
設(shè)置為與所述第三溝槽內(nèi)的所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的暴露出的部分接觸的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)實(shí)施方案I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一段的厚度等于或大于所述第二段的厚度。
6.根據(jù)實(shí)施方案I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一段與所述第二段之間的中間層。
7.根據(jù)實(shí)施方案6所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括
設(shè)置在所述第一段上的第一中間層；以及
設(shè)置在所述第二段與所述第一中間層之間的第二中間層。
8.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層的能帶隙與所述第二中間層的能帶隙不同。
9.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層的折射率與所述第二中間層的折射率不同。
10.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之一的電阻小于所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之一的電阻。
11.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括在所述第一中間層與所述第二中間層之間的第三中間層；以及
其中所述第三中間層的電阻大于所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之一的電阻。
12.根據(jù)實(shí)施方案11所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層、所述第二中間層和所述第三中間層包含鋁(Al);以及
其中所述第三中間層的鋁濃度小于所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之一的鋁濃度。
13.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層以及所述中間層包含鋁(Al);以及
其中所述中間層的鋁濃度大于所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之一的鋁濃度。
14.根據(jù)實(shí)施方案13所述的發(fā)光器件，其中所述中間層中的鋁濃度是所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之一中的鋁濃度的2倍至5倍。
15.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層的厚度在約O. 01 μ m至 2ym之間。
16.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括透光導(dǎo)電層；以及
其中所述透光導(dǎo)電層包括氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)和二氧化鈦(TiO2)中的至少之一。
17.根據(jù)實(shí)施方案7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括摻雜有所述第一摻雜劑和所述第二摻雜劑中的至少之一的二氧化硅(SiO2)。
18.根據(jù)實(shí)施方案I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一有源層和所述第二有源層發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。
19.根據(jù)實(shí)施方案I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述孔的深度是所述第三半導(dǎo)體層的厚度的I倍至3倍。
20.根據(jù)實(shí)施方案I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述孔的寬度是所述暴露出的區(qū)域的寬度的O. 3倍至O. 9倍。
21.根據(jù)實(shí)施方案I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層在對(duì)應(yīng)于所述孔的位置處形成有凹部。
22.根據(jù)實(shí)施方案21所述的發(fā)光器件，其中所述凹部的寬度是所述孔的寬度的 O. 5倍至I倍。
23.根據(jù)實(shí)施方案I所述的發(fā)光器件，還包括
電連接所述第一電極和所述第二電極的連接電極。
24.根據(jù)實(shí)施方案3或4所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極的寬度等于或小于所述第一電極的寬度。
25.根據(jù)實(shí)施方案4所述的發(fā)光器件，其中所述第三溝槽包括
具有第一寬度的第一溝槽部，所述第一溝槽部形成為從所述第一半導(dǎo)體層到所述第一有源層或所述第二半導(dǎo)體層的一部分；以及
具有小于所述第一寬度的第二寬度的第二溝槽部，所述第二溝槽部形成為從所述第二半導(dǎo)體層的一部分到所述第三半導(dǎo)體層的一部分。
26.根據(jù)實(shí)施方案4所述的發(fā)光器件，還包括
設(shè)置在所述第二支撐部與所述第一半導(dǎo)體層之間并且在所述第一溝槽部的內(nèi)側(cè)表面上的第三絕緣層，所述第三絕緣層形成具有第三寬度的第四溝槽。
27.根據(jù)實(shí)施方案26所述的發(fā)光器件，其中所述第三寬度是所述第二寬度的I倍至I. 5倍。
28.根據(jù)實(shí)施方案26所述的發(fā)光器件，其中所述第三電極接觸所述第三絕緣層的內(nèi)側(cè)表面、所述第二半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)表面和所述第三半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)表面以及所述第三半導(dǎo)體層。
29.根據(jù)實(shí)施方案26所述的發(fā)光器件，還包括
設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述第三絕緣層的所述第四溝槽的位置上的第四電極，并且所述第四電極電連接所述第二支撐部和所述第三電極。
30. 一種包括根據(jù)實(shí)施方案I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)


結(jié)合附圖并根據(jù)以下詳細(xì)描述，可以更清楚地理解實(shí)施方案的細(xì)節(jié)，其中
圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖2是示出圖I所示的發(fā)光器件的切割平面的立體圖3是示出在對(duì)圖I所示的發(fā)光器件施加正向偏壓時(shí)發(fā)光操作的立體圖4是示出在對(duì)圖I所示的發(fā)光器件施加反向偏壓時(shí)的發(fā)光操作的立體圖5是示出關(guān)于圖2所示的發(fā)光器件的第一有源層的Pl塊的橫截面的放大立體圖6和圖7是示出圖5所示的第一有源層的能帶隙的一個(gè)實(shí)施方案的視圖8是示出關(guān)于圖2所示的發(fā)光器件的第二電極的P2塊的橫截面的放大立體圖9至圖18是示出圖I所示的發(fā)光器件的各種構(gòu)造的實(shí)施方案的立體圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖20是示出關(guān)于圖19所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖21是示出關(guān)于圖19所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體圖22是示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖23是示出關(guān)于圖22所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖24是示出關(guān)于圖22所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體圖25是示出根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖26是示出關(guān)于圖25所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖27是示出關(guān)于圖25所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體
案的立體圖
圖
圖
圖
；以及
。28是示出根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖；29是示出關(guān)于圖28所示的第一發(fā)光單元至第四發(fā)光單元的連接方法的實(shí)施方 30是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的立體圖；31是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的照明裝置的立體圖；32是沿著圖31的照明裝置的線C-C'截取的截面圖；33是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括有發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解的立體34是示出根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括有發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解的立體具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將詳細(xì)參考其實(shí)例示于附圖中的實(shí)施方案。然而，本公開可以以多種不同的形式實(shí)現(xiàn)，并且應(yīng)理解為不限于本文中提出的實(shí)施方案。而是，提供這些實(shí)施方案，使得本公開可以徹底和完整，并且使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以完全理解本公開的范圍。本公開僅由權(quán)利要求的范疇限定。在某些實(shí)施方案中，可以省略本領(lǐng)域已知的器件構(gòu)造或過程的詳細(xì)描述，以免妨礙本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本公開的理解。在任何可能的情況下，在整個(gè)附圖中，相同的附圖標(biāo)記可以用于表示相同或相似的部件。
在本文中可以使用空間相關(guān)的措辭如“下”、“下方”、“下部”、“上”或者“上部”來描述如圖中示出的一個(gè)元件與另一元件的關(guān)系。應(yīng)理解，空間相關(guān)的措辭除了圖中示出的方位之外意在包括器件的不同方位。例如，如果將其中一幅圖中的器件翻轉(zhuǎn)，則描述為在其它元件“下”或“下方”的元件然后可定向?yàn)樵谄渌吧稀?。因此，示例性措辭“下”或“下方”可以包括上和下兩個(gè)方位。因?yàn)槠骷梢远ㄏ虺裳刂硪环轿唬钥臻g相關(guān)的措辭可以根據(jù)器件的方位來理解。
本公開中使用的術(shù)語(yǔ)僅僅為了描述具體實(shí)施方案，而非意在限制本公開。除非上下文清楚地指出，否則，如本公開和所附權(quán)利要求中所使用的，單數(shù)形式“一個(gè)”、“所述”意在還包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)理解，措辭“包括在本說明書中使用時(shí)表明存在所述的特征、整體、 步驟、操作、元件和/或部件，但不排除存在或添加一個(gè)或更多個(gè)其它的特征、整體、步驟、 操作、元件、部件和/或其組合。
除非另有限定，否則本文中使用的所有措辭(包括技術(shù)措辭和科學(xué)措辭)都具有與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常理解的含義相同的含義。還應(yīng)理解，措辭如通常使用的字典中定義的那些措辭應(yīng)解釋為具有與其在相關(guān)技術(shù)和本公開的上下文中的含義一致的含義，并且除非本文中清楚地進(jìn)行限定，否則不應(yīng)在理想化或過分形式的意義上來解釋。
在附圖中，為了描述的方便和清楚，對(duì)各個(gè)層的厚度和尺寸進(jìn)行了放大、省略或示意性地示出。此外，各個(gè)構(gòu)成元件的尺寸或面積并不完全反映其實(shí)際尺寸。
用于描述根據(jù)實(shí)施方案的發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)的角度或者方向基于附圖中示出的那些角度和方向。除非在說明書中沒有對(duì)用于描述發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中的角度位置關(guān)系的參考點(diǎn)進(jìn)行限定，否則可以參考相關(guān)附圖。
圖I是示出根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖，圖2是示出圖I所示的發(fā)光器件的切割平面的立體圖。
參考圖I和圖2，發(fā)光器件100可以包括支撐構(gòu)件110和設(shè)置在支撐構(gòu)件110上的發(fā)光結(jié)構(gòu)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括第一段(section) 120和設(shè)置在第一段120上的第二段130。 第一段120包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層122、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層126、以及在第一半導(dǎo)體層122與第二半導(dǎo)體層126之間的第一有源層124。第二段130 包括摻雜有第一摻雜劑的第三半導(dǎo)體層132、摻雜有第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層136、以及在第三半導(dǎo)體層132與第四半導(dǎo)體層136之間的第二有源層134，其中第三半導(dǎo)體層132 具有暴露出的區(qū)域(未示出)，第四半導(dǎo)體層136設(shè)置在第三半導(dǎo)體層132的除了暴露出的區(qū)域之外的區(qū)域上。發(fā)光器件100還可以包括分別電連接至第一半導(dǎo)體層122和第四半導(dǎo)體層136的第一電極142和第二電極144、以及電連接至第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層 132的第三電極146，第三電極146插入到在暴露出的區(qū)域中穿透的孔(未示出)中，以設(shè)置在第三半導(dǎo)體層132上。
支撐構(gòu)件110可以是導(dǎo)電的或者非導(dǎo)電的，并且例如可以由選自藍(lán)寶石(Al2O3)、 SiC、Si、GaAs、GaN、ZnO、Si、GaP、InP, Ge 和 Ga2O3 中的至少之一形成。
在第一實(shí)施方案中，支撐構(gòu)件110描述為非導(dǎo)電的。
可以使支撐構(gòu)件110圖案化以形成圖案化的藍(lán)寶石襯底(PSS)，以使得能夠使用濕法蝕刻從其表面上移除異物以及提高光提取效率，然而本公開不限于此。
支撐構(gòu)件110可以由適于確保容易散熱的材料形成，從而提高熱穩(wěn)定性。
可以在支撐構(gòu)件110上設(shè)置用于提高光提取效率的抗反射層(未示出)?？狗瓷鋵臃Q為抗反射(AR)涂層，并且基本上利用從多個(gè)界面反射的光的干涉。更具體地，從不同界面反射的光的相位移動(dòng)180度的角度以抵消，這可以削弱反射光的強(qiáng)度，然而本公開不限于此。
緩沖層112可以設(shè)置在支撐構(gòu)件110上，用于緩和支撐構(gòu)件110與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的晶格失配并且使得多個(gè)半導(dǎo)體層能夠容易生長(zhǎng)。
可以在支撐構(gòu)件110上生長(zhǎng)單晶層形式的緩沖層112。單晶緩沖層112可以提高待生長(zhǎng)在緩沖層112上的發(fā)光結(jié)構(gòu)的結(jié)晶性。
具體地，緩沖層112可以在低溫氣氛下生長(zhǎng)，例如可以由選自GaN、InN、A1N、 AlInN、InGaN, AlGaN和InAlGaN中的材料形成，并且可以采用AlInN/GaN堆疊體、InGaN/ GaN堆疊體、AlInGaN/InGaN/GaN堆疊體等形式,然而本公開不限于此。
可以在緩沖層112形成上包括第一半導(dǎo)體層122、第一有源層124和第二半導(dǎo)體層 126的第一段120。
第一半導(dǎo)體層122可以是η型半導(dǎo)體層，并且可以對(duì)第一有源層124提供電子。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第一半導(dǎo)體層122是氮化物基半導(dǎo)體層，則第一半導(dǎo)體層122 可以由具有組成InxAlyGa1TyN (Ox+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如,第一半導(dǎo)體層122可以由選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的材料形成。另外，第一半導(dǎo)體層122可以摻雜有η型摻雜劑，如Si、Ge、Sn、Se、Te等。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第一半導(dǎo)體層122是氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第一半導(dǎo)體層 122可以由具有組成InxAlyZni_x_y0(0彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第一半導(dǎo)體層122可以由選自Ζη0、Α10、Α1Ζη0、ΙηΖη0、Ιη0、ΙηΑ1Ζη0、Α1Ιη0等中的材料形成。另外，第一半導(dǎo)體層122可以摻雜有η型摻雜劑，如Si、Ge、Sn、Se、Te等。
還可以在第一半導(dǎo)體層122下設(shè)置未摻雜半導(dǎo)體層(未示出)，然而本公開不限于此。
未摻雜半導(dǎo)體層用于提高第一半導(dǎo)體層122的結(jié)晶性，并且未摻雜半導(dǎo)體層除了因?yàn)闆]有摻雜η型摻雜劑而具有小于第一半導(dǎo)體層122的導(dǎo)電率之外,可以與第一半導(dǎo)體層122相同。
第一有源層124可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層122上。第一有源層124可以由III-V 族化合物半導(dǎo)體材料形成，以具有單或多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)等。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第一有源層124具有具有量子阱結(jié)構(gòu)的氮化物基半導(dǎo)體層， 則第一有源層124可以具有包括組成為InxAlyGa^N (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I) 的阱層和組成為InaAlbGa1IbNO)彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡I)的勢(shì)壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第一有源層124具有具有量子阱結(jié)構(gòu)的氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第一有源層124可以具有包括組成為InxAlyZnnyO(O彡x彡1，0彡y彡1， O ^ x+y ^ I)的阱層和組成為InaAlbZn1^bO(O彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡I)的勢(shì)壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)。
阱層可以由帶隙小于勢(shì)壘層的帶隙的材料形成。
如果第一有源層124具有多量子阱結(jié)構(gòu)，則各個(gè)阱層(未示出)和各個(gè)勢(shì)壘層(未示出)可以具有不同的組成、厚度和帶隙，然而本公開不限于此。
可以在第一有源層124上和/或下形成導(dǎo)電覆層(未示出)。導(dǎo)電覆層(未示出) 可以由AlGaN基或AlZnO基半導(dǎo)體形成，并且其帶隙可以大于第一有源層124的帶隙。
第二半導(dǎo)體層126可以形成在第一有源層124上，并且可以是P型半導(dǎo)體層，以對(duì)第一有源層124提供空穴。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第二半導(dǎo)體層126是氮化物基半導(dǎo)體層，則第二半導(dǎo)體層126 可以由具有組成InxAlyGa1TyN (Ox+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如,第二半導(dǎo)體層126可以由選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的材料形成。另外，第二半導(dǎo)體層126可以摻雜有P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第二半導(dǎo)體層126是氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第二半導(dǎo)體層 126可以由具有組成InxAlyZni_x_y0(0彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第二半導(dǎo)體層126可以由選自Ζη0、Α10、Α1Ζη0、ΙηΖη0、Ιη0、ΙηΑ1Ζη0、Α1Ιη0等中的材料形成。另外，第二半導(dǎo)體層126可以摻雜有P型摻雜劑,如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
如上所述的第一半導(dǎo)體層122、第一有源層124和第二半導(dǎo)體層126例如可以使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積 (PECVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)、濺射等來形成，然而本公開不限于此。
在第一半導(dǎo)體層122和第二半導(dǎo)體層126中包含的摻雜劑可以具有均一或者非均一的摻雜濃度。換言之，多個(gè)半導(dǎo)體層可以分別形成在寬的摻雜濃度范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
或者，第一半導(dǎo)體層122可以是P型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層126可以是η型半導(dǎo)體層，并且，可以在第二半導(dǎo)體層126上形成包括η型或P型半導(dǎo)體層的另外的半導(dǎo)體層 (未示出)。因而，第一段120可以具有ηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρη結(jié)結(jié)構(gòu)和ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一。
可以在第一段120上形成包括第三半導(dǎo)體層132、第二有源層134和第四半導(dǎo)體層 136的第二段130。
第三半導(dǎo)體層132可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126上，并且可以以與第一半導(dǎo)體層 122相同的方式摻雜有η型摻雜劑。
具體地，第三半導(dǎo)體層132可以是η型半導(dǎo)體層，并且可以對(duì)第二有源層134提供電子。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第三半導(dǎo)體層132是氮化物基半導(dǎo)體層，則第三半導(dǎo)體層132 可以由具有組成InxAlyGa1TyN (Ox+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第三半導(dǎo)體層132可以由選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的材料形成。另外，第三半導(dǎo)體層132可以摻雜有η型摻雜劑，如Si、Ge、Sn、Se、Te等。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第三半導(dǎo)體層132是氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第三半導(dǎo)體層 132可以由具有組成InxAlyZni_x_y0(0彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第三半導(dǎo)體層132可以由選自Ζη0、Α10、Α1Ζη0、ΙηΖη0、Ιη0、ΙηΑ1Ζη0、Α1Ιη0等中的材料形成。另外，第三半導(dǎo)體層132可以摻雜有η型摻雜劑，如Si、Ge、Sn、Se、Te等。
第二有源層134可以設(shè)置在第三半導(dǎo)體層132上。第二有源層134可以由III-V 族化合物半導(dǎo)體材料形成，以具有單或多量子阱結(jié)構(gòu)、量子線結(jié)構(gòu)、量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)等結(jié)構(gòu)。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第二有源層134具有具有量子阱結(jié)構(gòu)的氮化物基半導(dǎo)體層， 則第二有源層134可以具有包括組成為InxAlyGa^N (O彡χ彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I) 的阱層和組成為InaAlbGa1IbNO)彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡I)的勢(shì)壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第二有源層134具有具有量子阱結(jié)構(gòu)的氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第二有源層134可以具有包括組成為InxAlyZnnyO(O彡x彡1，0彡y彡1，O^ x+y ^ I)的阱層和組成為InaAlbZn1^bO(O彡a彡1，0彡b彡1，0彡a+b彡I)的勢(shì)壘層的單量子阱結(jié)構(gòu)。
阱層可以由具有小于勢(shì)壘層的帶隙的帶隙的材料形成。
如果第二有源層134具有多量子阱結(jié)構(gòu)，則各個(gè)阱層(未示出)和各個(gè)勢(shì)壘層(未示出)可以具有不同的組成、厚度和帶隙，然而本公開不限于此。
可以在第二有源層134上和/或下形成導(dǎo)電覆層(未示出)。導(dǎo)電覆層(未示出) 可以由AlGaN基或AlZnO基半導(dǎo)體形成，并且其帶隙可以大于第二有源層134的帶隙。
第四半導(dǎo)體層136可以形成在第二有源層134上，并且可以是P型半導(dǎo)體層，以對(duì)第二有源層134提供空穴。
在一個(gè)實(shí)例中，假定第四半導(dǎo)體層136是氮化物基半導(dǎo)體層，則第四半導(dǎo)體層136 可以由具有組成InxAlyGa1TyN (Ox+y ( I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第四半導(dǎo)體層136可以由選自GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN等中的材料形成。另外，第四半導(dǎo)體層136可以摻雜有P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
在另一個(gè)實(shí)例中，假定第四半導(dǎo)體層136是氧化鋅基半導(dǎo)體層，則第四半導(dǎo)體層 136可以由具有組成InxAlyZni_x_y0(0彡x彡1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)的半導(dǎo)體材料形成。例如，第四半導(dǎo)體層136可以由選自Ζη0、Α10、Α1Ζη0、ΙηΖη0、Ιη0、ΙηΑ1Ζη0、Α1Ιη0等中的材料形成。另外，第四半導(dǎo)體層136可以摻雜有P型摻雜劑，如Mg、Zn、Ca、Sr、Ba等。
如上所述的第三半導(dǎo)體層132、第二有源層134和第四半導(dǎo)體層136例如可以使用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)、等離子體增強(qiáng)的化學(xué)氣相沉積 (PECVD)、分子束外延(MBE)、氫化物氣相外延(HVPE)、濺射等來形成，然而本公開不限于此。
第三半導(dǎo)體層132和第四半導(dǎo)體層136中包含的摻雜劑可以具有均一或者非均一的摻雜濃度。換言之，多個(gè)半導(dǎo)體層可以分別形成在寬的摻雜濃度范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
或者，第三半導(dǎo)體層132可以是P型半導(dǎo)體層，第四半導(dǎo)體層136可以是η型半導(dǎo)體層，并且，可以在第四半導(dǎo)體層136上形成包括η型或P型半導(dǎo)體層的另外的半導(dǎo)體層 (未示出)。因而，第二段130可以具有ηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρη結(jié)結(jié)構(gòu)和ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一。
第一段120和第二段130可以彼此整體形成，并且例如可以在單個(gè)生長(zhǎng)工藝中依次生長(zhǎng)，然而本公開不限于此。
此外，第一段120和第二段130可以由相同的材料形成，然而本公開不限于此。如上所述，第一段120和第二段130可以分別具有ηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρη結(jié)結(jié)構(gòu)和ρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一。因而，發(fā)光器件100可以具有ηρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρηηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、 ηρηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρηηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ηρηρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρηρη結(jié)結(jié)構(gòu)、ρηρρηρ結(jié)結(jié)構(gòu)中的至少之一,然而本公開不限于此。
第一段120和第二段130可以發(fā)出不同波長(zhǎng)的光，并且可以發(fā)出不同量的光。
例如，考慮到在穿過第二段130時(shí)所引起的損失，從第一段120發(fā)出的光的量可以大于從第二段130發(fā)出的光的量。
為此，第一段120的厚度可以等于或大于第二段130的厚度，然而本公開不限于此。
第一段120和第二段130可以具有不同的構(gòu)造、材料、厚度、組成和尺寸，然而本公開不限于此。
在第一實(shí)施方案中，雖然已經(jīng)描述了發(fā)光結(jié)構(gòu)采用第一段120和第二段130的堆疊體的形式，然而可以堆疊三個(gè)或更多個(gè)段，但是不限于此。
第一電極142可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層122上，第二電極144可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層136上，第三電極146可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132上。
第一電極142可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層122的其中第一半導(dǎo)體層122不與第一有源層124、第二半導(dǎo)體層126和第二段130交疊并且暴露于外部的非交疊區(qū)域(未示出) 上。
在這種情況下，非交疊區(qū)域可以通過蝕刻第一段120和第二段130的側(cè)表面以使第一半導(dǎo)體層122的一部分暴露于外部來獲得，然而本公開不限于此。
第二電極144可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層136上，并且可以通過導(dǎo)線(未示出)和連接電極電連接至第一電極142。這將在下文中詳細(xì)描述。
第三電極146可以插入到在第三半導(dǎo)體層132的暴露出的區(qū)域中穿透的孔(未示出)中，使得第三電極146的一部分設(shè)置在第三半導(dǎo)體層132的暴露出的區(qū)域上而其它部分設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126上。這樣，第三電極146可以電連接至第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132。
孔的深度可以在暴露出的區(qū)域中的第三半導(dǎo)體層132的厚度的I倍至3倍的范圍內(nèi)，孔的寬度可以在暴露出的區(qū)域的寬度的O. 3倍至O. 9倍的范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
第三半導(dǎo)體層132的暴露出的區(qū)域可以通過以與上述第一半導(dǎo)體層122的非交疊區(qū)域相同的方式進(jìn)行蝕刻來獲得，然而本公開不限于此。
具體地，雖然第三電極146不出為設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126的表面上,但是,第三電極146也可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126內(nèi)。
換言之，第二半導(dǎo)體層126可以在對(duì)應(yīng)于孔的位置處設(shè)置有凹部(未示出)，并且， 第三電極146可以容納在凹部中，以電連接至第二半導(dǎo)體層126的內(nèi)表面。
凹部的寬度可以在孔的寬度的O. 5倍至I倍的范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
暴露出的區(qū)域和非交疊區(qū)域可以通過某種蝕刻方法獲得，并且，蝕刻方法可以是濕法蝕刻或者干法蝕刻，然而本公開不限于此。
例如，蝕刻方法可以是臺(tái)面蝕刻法。具體地，可以對(duì)第一段120的一部分進(jìn)行第一臺(tái)面蝕刻，以暴露第一半導(dǎo)體層122的非交疊區(qū)域，可以對(duì)第二段130的一部分進(jìn)行第二臺(tái)面蝕刻，以暴露第三半導(dǎo)體層132的暴露出的區(qū)域。
第一電極142、第二電極144和第三電極146可以由導(dǎo)電材料形成，例如，選自In、 Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu 和 WTi中的金屬，或者可以包含其合金，并且可以包含透光導(dǎo)電材料如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、 IGT0、AZ0、AT0等以及金屬，然而本公開不限于此。
第一電極142、第二電極144和第三電極146中的至少之一可以具有單層或多層形式，然而本公開不限于此。
雖然發(fā)光器件100的第一段120和第二段130在圖I和圖2中示出為具有平坦的側(cè)表面，然而，第一段120和第二段130中的每一個(gè)可以在其至少一個(gè)側(cè)表面上設(shè)置有第一光提取圖案(未示出)以防止光的全反射，這可以防止光在第一段120和第二段130中被散射或者再吸收。
此外，雖然支撐構(gòu)件110示出為具有平坦的上表面和側(cè)表面，然而，可以在上表面和側(cè)表面中的至少之一上形成第二光提取圖案(未示出)。
第一光提取圖案可以形成在第一段120和第二段130的至少一個(gè)側(cè)表面上，或者可以形成在第一段120和第二段130的幾個(gè)或所有側(cè)表面上，然而本公開不限于此。
第一光提取圖案可以通過光電化學(xué)(PEC)蝕刻或者使用蝕刻溶液如KOH溶液的濕法蝕刻形成在第一段120和第二段130的至少一個(gè)側(cè)表面上。
在這種情況下，第一光提取圖案可以具有在O. I μ m至3 μ m的范圍內(nèi)的長(zhǎng)度，并且可以由隨機(jī)和規(guī)則的脊部(ridge)來限定。
第一光提取圖案可以包括織構(gòu)圖案、脊部圖案和不平坦圖案中的至少之一。
第一光提取圖案的橫截面可以具有各種形狀，如圓柱形狀、多棱柱形狀、圓錐形狀、多錐形狀、截頂?shù)膱A錐形狀、截頂?shù)亩噱F形狀等，然而本公開不限于此。
在本實(shí)施方案中，第一段120和第二段130可以具有基于支撐構(gòu)件110的表面的 50°至90°的范圍內(nèi)的角度，然而本公開不限于此。
第二光提取圖案可以在支撐構(gòu)件110的制造期間利用某種蝕刻工藝、激光劃線工藝等來形成，然而本公開不限于此。
具體地，第二光提取圖案可以具有半圓形狀、多邊形形狀和角狀形狀中的至少之一，然而本公開不限于此。
圖3是示出在對(duì)圖I所示的發(fā)光器件施加正向偏壓時(shí)的發(fā)光操作的立體圖，圖4 是示出在對(duì)圖I所示的發(fā)光器件施加反向偏壓時(shí)的發(fā)光操作的立體圖。
圖3和圖4所示的AC電源可以在其一側(cè)電連接至第三電極146，并且可以在其另一側(cè)電連接至第一電極142和第二電極144。
第一半導(dǎo)體層122和第三半導(dǎo)體層132描述為η型半導(dǎo)體層，第二半導(dǎo)體層126 和第四半導(dǎo)體層136描述為P型半導(dǎo)體層。
參考圖3，如果對(duì)第三電極146施加來自AC電源的正向偏壓的正半周，則第二半導(dǎo)體層126可以將空穴注入第一有源層124中，并且，第一半導(dǎo)體層122可以將電子注入第一有源層124中，從而發(fā)光器件100可以通過第一段120的第一有源層124中的電子-空穴再?gòu)?fù)合來發(fā)出光。
在這種情況下，第一段120可以限定從第二半導(dǎo)體層126到第一半導(dǎo)體層122的電流通道，并且從而可以使得電流Il能夠從第三電極146流至第一電極142。
S卩，在來自AC電源的正向偏壓的正半周期間，可以限定電流通路，以從P型半導(dǎo)體層到η型半導(dǎo)體層施加第一電流Tl。
參考圖4，如果對(duì)第二電極144施加來自AC電源的反向偏壓的負(fù)半周，則第四半導(dǎo)體層136可以將空穴注入第二有源層134中，并且，第三半導(dǎo)體層132可以將電子注入第二有源層134中，從而發(fā)光器件100可以通過第二段130的第二有源層134中的電子-空穴復(fù)合來發(fā)出光。
在這種情況下，第二段130可以限定從第四半導(dǎo)體層136到第三半導(dǎo)體層132的電流通道，并且從而可以使得電流12能夠從第二電極144流至第三電極146。
在此，正向偏壓的正半周和反向偏壓的負(fù)半周可以根據(jù)接地電壓彼此相等。
更具體地，在反向偏壓的負(fù)半周期間，在AC電源的一側(cè)與另一側(cè)之間可出現(xiàn)大的電勢(shì)差。因而，反向偏壓的負(fù)半周可以與正向偏壓的正半周在P型半導(dǎo)體層與η型半導(dǎo)體層之間表現(xiàn)出相同的電流。
S卩，在來自AC電源的反向偏壓的負(fù)半周期間，可以限定電流通路，以將第二電流 12從P型半導(dǎo)體層施加至η型半導(dǎo)體層。
如圖3和圖4所示，發(fā)光器件100可以在從AC電源AC接收正向偏壓和反向偏壓二者時(shí)發(fā)出光。
因而，發(fā)光器件100在AC電力提供期間不需要單獨(dú)的整流電路，并且，發(fā)光器件 100的數(shù)量可以根據(jù)發(fā)光器件100所消耗的電壓來確定，然而本公開不限于此。
單個(gè)芯片形式的發(fā)光器件100可以在接收正向偏壓和反向偏壓二者時(shí)發(fā)出光，從而在其每單位面積上表現(xiàn)出提高的發(fā)光效率。
此外，因?yàn)榘l(fā)光器件100相對(duì)于正向偏壓和反向偏壓限定電流通路，所以發(fā)光器件100可以免受由于電子靜電放電(ESD)導(dǎo)致的損壞，并且可以不需要單獨(dú)的ESD保護(hù)器件。
圖5是示出關(guān)于圖2所示的發(fā)光器件的第一有源層的Pl塊的橫截面的放大立體圖，圖6和圖7是示出圖5所示的第一有源層的能帶隙的實(shí)施方案的視圖。
參考圖5，發(fā)光器件100的第一有源層124可以具有多量子阱結(jié)構(gòu)。例如，第一有源層124可以包括第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層Β2和第三勢(shì)壘層Β3。
在圖5中，第一有源層124示出為具有多量子阱結(jié)構(gòu)，并且，第二有源層134示出為具有與第一有源層124相同的結(jié)構(gòu)。
第一阱層Ql、第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層Β2和第三勢(shì)壘層Β3可以在彼此上交替堆疊。
雖然圖5示出在彼此上交替堆疊的第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層Β2和第三勢(shì)壘層Β3，然而本公開不限于此。
第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3可以以任意數(shù)量設(shè)置并且也可以具有任意布置。此外，如上所述，第一阱層Ql、 第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3可以具有不同的材料組成比、能帶隙和厚度，然而本公開不限于此。
參考圖6和圖7，第三阱層Q3的能帶隙可以大于第一阱層Ql和第二阱層Q2的能帶隙。
由于與第二半導(dǎo)體層126鄰接的第一有源層124的第三阱層Q3具有大于第一阱層Ql和第二阱層Q2的能帶隙的能帶隙，所以能夠確?？昭ㄒ子谠诘诙雽?dǎo)體層126中移動(dòng)并確保關(guān)于第一阱層Ql和第二阱層Q2的空穴注入效率。
此外，由于第三阱層Q3的能帶隙大于第一阱層Ql和第二阱層Q2的能帶隙而小于第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3的能帶隙，所以能夠緩和由于大能帶隙的第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3與能帶隙小于第二半導(dǎo)體層126的能帶隙的第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3之間的能帶隙差而導(dǎo)致的層間應(yīng)力產(chǎn)生，這可以進(jìn)一步提高發(fā)光器件100的發(fā)光可靠性。
如上所述，第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3可以具有組成 InxAlyGa1^yN(O ^ x ^ I,O ^ y ^ 1,0^ x+y ^ I)。
能帶隙可以隨著第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3中的In含量的增加而減小，并且，相反地，可以隨著第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3中的In含量的減小而增大。
例如，第三阱層Q3中的In含量可以在第一阱層Ql和第二阱層Q2中的In含量的 90%至99%的范圍內(nèi)。
在這種情況下，如果第三阱層Q3中的In含量小于90%，則第三阱層Q3的能帶隙可過大，因此可使第三阱層Q3與第一阱層Ql和第二阱層Q2之間的晶格常數(shù)差增加，導(dǎo)致結(jié)晶性劣化。如果第三阱層Q3中的In含量大于99%，則在第三阱層Q3與第一阱層Ql和第二阱層Q2之間沒有能帶隙差，這對(duì)空穴注入和結(jié)晶性的改善具有較小效果。
In含量可以用摩爾比、體積比和質(zhì)量比中的任一種來表示，然而本公開不限于此。
如上所述，第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3可以具有組成 InxAlyGa1^yN(O ^ x ^ 1，O彡y彡1，O彡x+y彡I)，第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3可以具有組成InaAlbGanbN(O彡a彡1，O彡b彡1，O彡a+b彡I)。InN的晶格常數(shù)大于GaN的晶格常數(shù)，并且，第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的晶格常數(shù)隨著第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3中包含的In的含量增加而增加，使得第一阱層Q1、 第二阱層Q2和第三阱層Q3與第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3之間的晶格常數(shù)差增加。這可以大大地增加層間應(yīng)力，并且從而增加極化，導(dǎo)致內(nèi)部電場(chǎng)提高。因而，由于由于電場(chǎng)使能帶彎曲時(shí)可以產(chǎn)生三角形勢(shì)阱并且電子或空穴可集中在該三角形勢(shì)阱上， 所以電子和空穴的再?gòu)?fù)合效率可以劣化。
極化可以是由于第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3與第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3之間的晶格常數(shù)差而產(chǎn)生的應(yīng)力引起的壓電極化。
更具體地，第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3以及第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3的構(gòu)成半導(dǎo)體材料具有高的壓電系數(shù)，因而甚至可以通過小的應(yīng)力產(chǎn)生過大的極化。由兩個(gè)極化引起的靜電場(chǎng)可以改變量子阱結(jié)構(gòu)的能帶隙，使得電子和空穴的分布產(chǎn)生扭曲。這被稱為量子局限斯塔克效應(yīng)(QCSE)，并且可以使通過電子的再?gòu)?fù)合發(fā)光的發(fā)光器件的內(nèi)部量子效率劣化，并且，可能對(duì)發(fā)光器件的電性能和光學(xué)性能如紅移發(fā)射光譜等具有負(fù)面效果。
在某些實(shí)施方案中，隨著第三阱層Q3的In含量減少并且因此其晶格常數(shù)減小，第一勢(shì)壘層BI、第二勢(shì)壘層B2和第三勢(shì)壘層B3與第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3 之間的晶格常數(shù)差可以減小。因而，可以抑制上述三角形勢(shì)阱的產(chǎn)生，并且可以增加電子與空穴的復(fù)合，從而可以提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
此外，由于與第二半導(dǎo)體層126鄰接的第三阱層Q3的能帶隙大并且因此具有高的勢(shì)壘，所以，第三阱層Q3對(duì)于從第二半導(dǎo)體層126注入的空穴可以表現(xiàn)出低的阻力，從而獲得空穴路徑擴(kuò)散?？昭窂綌U(kuò)散可以使得電子和空穴能夠在第一有源層124的進(jìn)一步增加的區(qū)域內(nèi)再?gòu)?fù)合，這可以提高電子與空穴的再?gòu)?fù)合效率，并且從而可以提高發(fā)光器件100 的發(fā)光效率。
具有大能帶隙的第一有源層124的第三阱層Q3可以攔截結(jié)晶缺陷的傳播，并且因此可以改善第二半導(dǎo)體層126的結(jié)晶缺陷，這可以提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
如圖7所示，第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的帶隙可以依次增加。
更具體地，第一阱層Ql、第二阱層Q2和第三阱層Q3中的In含量可以從第一阱層 Ql到第三阱層Q3依次減小。
因?yàn)榈谝悔鍖観1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的能帶隙隨著距注入空穴的第二半導(dǎo)體層126的距離的減小而增加，所以可以提高第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的空穴注入效率以及提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。
第一有源層124的第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的能帶隙和厚度可以與第二有源層134的第一阱層至第三阱層(未示出)的能帶隙和厚度不同，然而本公開不限于此。
例如，阱層中發(fā)出的光的能級(jí)等式如下
在這種情況下，“L”對(duì)應(yīng)于阱層的厚度dl和d2。因而，第一阱層Q1、第二阱層Q2 和第三阱層Q3越厚，從第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3發(fā)出的光的能級(jí)越低。
由于第一有源層124的第一阱層Q1、第二阱層Q2和第三阱層Q3的厚度與第二有源層134的第一阱層至第三阱層(未示出)的厚度不同，所以，第一段120和第二段130可以發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。
例如，第一段120可以發(fā)出藍(lán)光，第二段130可以發(fā)出綠光，從而發(fā)光器件100可以發(fā)出多種顏色的光，并且還可以通過多種顏色的光的疊加來發(fā)出白光而不使用單獨(dú)的光催化劑如突光物質(zhì)(未不出)。
圖8是示出關(guān)于圖2所示的發(fā)光器件的第二電極的P2塊的橫截面的放大立體圖。
雖然圖8示出第二電極144，但是，第一電極142和第三電極146可以具有與第二電極144相同的構(gòu)造,第一電極142和第三電極146中的任一個(gè)可以具有與第二電極144 不同的構(gòu)造，然而本公開不限于此。
在圖8中，第一電極142、第二電極144和第三電極146示出為具有相同的多層形式。
第二電極144可以包括粘附層144a、反射層144b、保護(hù)層144c和接合層144d。
反射層144b可以由Ag和Ag合金形成。
由于反射層144b包含具有高反射率的Ag，所以能夠增加第二電極144的反射率， 這可以提高發(fā)光器件100的發(fā)光效率。由于反射層144b由Ag合金形成，所以能夠防止例如第二電極144的熱處理時(shí)的電壓增加以及由于接觸電勢(shì)差等引起的電蝕。
例如，在第四半導(dǎo)體層136是η型半導(dǎo)體層的情況下，如果反射層144b由Ag形成，則可能很難在第二電極144與第四半導(dǎo)體層136之間實(shí)現(xiàn)歐姆接觸。然而，如果反射層 144b由Ag合金形成，則可以獲得歐姆接觸以及由于Ag的存在而產(chǎn)生的高的反射率。
Ag合金可以包含Ag以及Cu、Re、Bi、Al、Zn、W、Sn、In和Ni中的至少之一,然而本公開不限于此。Ag合金可以通過在100°C至700°C的溫度下進(jìn)行合金化處理來形成。
第一半導(dǎo)體層136可以包含50wt%*更多的Ag，然而本公開不限于此。
粘附層144a可以由Cr、Ti、V、Ta和Al中的至少之一形成，并且可以用于不僅增強(qiáng)第二電極144與第四半導(dǎo)體層136之間的粘附，而且限制反射層144b中包含的Ag在熱處理期間的過度擴(kuò)散和移動(dòng)。
保護(hù)層144c可以由Cr、Ti、Ni、Pd、Pt、W、Co和Cu中的至少之一形成，并且可以用于限制從外部過度地引入氧氣以及Ag粒子過度地?cái)U(kuò)散到外部，從而防止Ag的團(tuán)聚和空化。
粘附層144a、反射層144b和保護(hù)層144c可以依次沉積，或者可以同時(shí)形成，然而本公開不限于此。
可替代地，粘附層144a和反射層144b可以依次沉積，或者可以同時(shí)形成，然而本公開不限于此。
在其中將粘附層144a和反射層144b合金化的情況下，它們可以形成具有組成 AgxMyAz (I彡X彡O. 5)的單個(gè)層。
當(dāng)對(duì)具有上述構(gòu)造的第二電極144進(jìn)行熱處理時(shí)，可以以小的接觸電阻和強(qiáng)的粘附力將第二電極144接合至第四半導(dǎo)體層136。
由于經(jīng)過熱處理的第二電極144不受電蝕的影響，并且粘附層144a和保護(hù)層144c 可以防止由于熱處理而產(chǎn)生的Ag粒子的擴(kuò)散，所以第二電極144可以由于Ag的存在而保持優(yōu)異的反射率。
在發(fā)光器件100安裝在發(fā)光器件封裝件(未示出)中時(shí)，接合層144d可以接合至導(dǎo)線(未示出)或者連接為從外部電源提供電力的引線框(未示出)。例如，接合層144d 可以由Au和Au合金形成，然而本公開不限于此。
圖9至圖18是示出圖I所示的發(fā)光器件的各種構(gòu)造的實(shí)施方案的立體圖。
圖9和圖10示出關(guān)于圖I和圖2所示的發(fā)光器件100的第一電極142和第二電極144的實(shí)施方案。
具體地，圖9和圖10所示的發(fā)光器件100可以包括使第一電極142和第二電極 144彼此電連接的連接電極148。
首先，參考圖9，用于使第一電極142和第二電極144彼此電連接的連接電極148 可以設(shè)置在距發(fā)光器件100的第一段120和第二段130的側(cè)表面一定距離的位置處。
雖然實(shí)施方案示出連接電極148為單獨(dú)的電極，但是連接電極148可以是第一電極142和第二電極144中的任一個(gè)的延伸部，然而本公開不限于此。
在這種情況下，連接電極148可以與第一段120和第二段130的側(cè)表面間隔開Iμ m或更多，這可以減小與第一段120和第二段130短路的風(fēng)險(xiǎn)。
圖10所示的發(fā)光器件100可以包括在連接電極148與第一段120和第二段130 的側(cè)表面之間的保護(hù)層149。
如以上參考圖9所描述的，保護(hù)電極149可以防止連接電極148與第一段120和第二段130之間的短路，并且可以保持比圖9所示的發(fā)光器件100更好的穩(wěn)定性。
保護(hù)層149可以由電絕緣材料形成，例如，選自Si02、SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3^ TiOx, TiO2, Ti, Al和Cr中的任一種，然而本公開不限于此。
圖11至圖13所示的發(fā)光器件100可以包括在圖I和圖2所示的發(fā)光器件100的第二段130上的透光電極層160。
首先，參考圖11，發(fā)光器件100可以包括在第二段130的第四半導(dǎo)體層136與第二電極144之間的透光電極層160。
在這種情況下，透光電極層160可以改善施加給第二電極144的電流的擴(kuò)散，從而確保電流容易擴(kuò)散到第四半導(dǎo)體層136。
透光電極層160可以由透光導(dǎo)電材料如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ATO等形成，然而本公開不限于此。
參考圖12,透光電極層160可以在其對(duì)應(yīng)于第二電極144的位置處具有孔(未不出)。
具體地，第二電極144可以設(shè)置在透光電極層160的表面上，并且可以設(shè)置在通過在透光電極層160中穿透的孔而暴露的第四半導(dǎo)體層136的表面上或表面中。
第二電極144可以通過與第四半導(dǎo)體層136的肖特基接觸而具有高的功函數(shù)。
因而，透光電極層160可以防止通過第二電極144施加的電流在與第二電極144 接觸的第四半導(dǎo)體層136上集中，并且使得電流能夠流經(jīng)透光電極層160，從而獲得改善的電流擴(kuò)展。
參考圖13，發(fā)光器件100可以包括透光電極層160和包括在透光電極層160中的第一電流限制層162。
透光電極層160已經(jīng)參考圖11和圖12進(jìn)行了描述，因此，將省略其描述。
第一電流限制層162可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層136與第二電極144之間，并且可以設(shè)置在透光電極層160中，然而本公開不限于此。
第一電流限制層162可以由與透光電極層160相同的材料形成，或者可以由透光絕緣材料形成，然而本公開不限于此。
第一電流限制層162 可以由選自 Si3N4' TiOx、TiO2' Ti、Al、Cr、Al2O3' Si02、ΙΖ0、 ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、IGTO, AZO 和 ATO 中的至少一種形成。
第一電流限制層162可以包括布置在第四半導(dǎo)體層136上的多個(gè)透光結(jié)構(gòu)。
例如，第一電流限制層162可以通過在第四半導(dǎo)體層136上分布具有預(yù)定尺寸的多個(gè)粒子或者通過在第四半導(dǎo)體層136上設(shè)置具有預(yù)定厚度和粗糙度的層來形成，并且可以布置為具有預(yù)定圖案或者任意地布置，然而本公開不限于此。
由絕緣材料形成的第一電流限制層162可以防止電流在第二電極144的底部處擁擠。
在這種情況下，第一電流限制層162可以在透光電極層160的上表面上限定圖案， 然而本公開不限于此。
圖14至圖17所示的發(fā)光器件100可包括在圖I和圖2所示的發(fā)光器件100的第一段120與第二段130之間的中間層150。
參考圖14，發(fā)光器件100可以包括置于第一段120與第二段130之間并且由透光絕緣材料形成的中間層150。
中間層150可以具有預(yù)定的厚度并且可以用于使第一段120與第二段130彼此分離?？梢砸瞥虚g層150的一部分，以使得第三電極146能夠與第二半導(dǎo)體層126接觸。
具體地，中間層150可以是例如未摻雜的半導(dǎo)體層。在這種情況下，中間層150不摻雜P型摻雜劑或者η型摻雜劑，因此，中間層150可以具有很低的導(dǎo)電率以實(shí)現(xiàn)與絕緣材料相同的絕緣性能，然而本公開不限于此。
中間層150可以具有包括如圖14所示的多個(gè)層150a至150e的多層形式，或者可以包括至少一個(gè)層，然而本公開不限于此。
多個(gè)層150a至150e中的至少兩個(gè)層可以具有不同的能帶隙和不同的折射率，并且，具有不同能帶隙的多個(gè)層150a至150e可以彼此交替地重復(fù)堆疊，然而本公開不限于此。
多個(gè)層150a 至 150e 例如可以包括含有 GaN、InN、InGaN、AlGaN、ZnO、A10、AlZnO、 InZn0、In0、InAlZnO或AlInO的半導(dǎo)體層。多個(gè)層150a至150e可以布置為使得具有最小能帶隙的層與具有最大能帶隙的層彼此接觸。
除了不摻雜有摻雜劑之外，中間層150可以與包括在第一段120和第二段130中的第一有源層122和第二有源層124以及第一半導(dǎo)體層122、第二半導(dǎo)體層126、第三半導(dǎo)體層132和第四半導(dǎo)體層136中的至少之一具有相同的組成和構(gòu)造，然而本公開不限于此。
具體地，置于第一段120與第二段130之間的中間層150可以防止從第一段120和第二段130泄漏的電流擴(kuò)散到其它區(qū)域，這可以防止由于泄漏的電流而導(dǎo)致的第一段120 和第二段130的受損。
中間層150的厚度可以在0.01 μ 至2μπι的范圍內(nèi)。如果厚度小于O. 01 μ m，則中間層150會(huì)具有差的絕緣性能。如果厚度大于2 μ m,則會(huì)使發(fā)光效率劣化。
參考圖15，發(fā)光器件100可以表現(xiàn)出導(dǎo)電性和透射性，并且可以包括在第一段120 與第二段130之間的中間層150。
具體地，中間層150例如由氧化物基材料例如ZnO、MgO和TiO2形成，或者可以由摻雜有η型摻雜劑和P型摻雜劑中的至少之一的硅形成，然而本公開不限于此。
中間層150可以具有單層或多層構(gòu)造，或者可以具有預(yù)定的圖案，然而本公開不限于此。
中間層150可以用于擴(kuò)散從第三電極146供給的電流，以將該電流施加給第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132，這可以改善電流擴(kuò)展，并且從而可以改善發(fā)光效率。
中間層150的厚度可以在0.01 μ 至2μπι的范圍內(nèi)。如果厚度小于O. 01 μ m，則電流擴(kuò)展不充分。如果厚度大于2 μ m,則可以使發(fā)光效率劣化。
中間層150可以在低溫氣氛下生長(zhǎng)，并且例如可以由選自GaN、InN、AIN、AlInN、 InGaN> AlGaN和InAlGaN中的材料形成,然而本公開不限于此。
具體地，中間層150例如可以由具有組成InxAlyGa^N(O彡x彡1，0彡y彡1， O ^ x+y ^ I)的半導(dǎo)體材料形成。中間層150可以具有大于第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132的能帶隙的能帶隙。
中間層150例如可以包含比第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132大的量的 Al。在一個(gè)實(shí)例中，中間層150可以具有組成InxAlylGanylN(O彡x彡1，0彡yl彡1， O ( x+y I ( I)，第二半導(dǎo)體層126可以具有組成InxAly2Gai_x_y2N(0彡x彡1，0彡y2彡1， O ( x+y2 ( I)，第三半導(dǎo)體層132可以具有組成InxAly3Gai_x_y3N(0彡x彡1，0彡y3彡1， O ( x+y3 彡 I), yl 大于 y2 和 y3。
例如，yl可以在O. 2至O. 5的范圍內(nèi)。在這種情況下，y2和y3可以小于O. 2，然而本公開不限于此。
S卩，中間層150中的Al含量可以在第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132中的至少之一中的Al含量的2倍至5倍的范圍內(nèi)。
參考圖16，發(fā)光器件100可以包括與第一段120鄰接的第一中間層152、與第二段 130鄰接的第二中間層154、以及在第一中間層152與第二中間層154之間的第三中間層 156。
第一中間層152、第二中間層154和第三中間層156中的至少之一可以具有雙層構(gòu)造，然而本公開不限于此。
第一中間層152和第二中間層154可以是由第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層 132與中間層150之間的能帶隙差形成的二維電子氣層。
圖17是示出圖16所示的中間層150與第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132之間的能帶隙的圖。
參考圖16和圖17，在具有不同能帶隙的中間層150設(shè)置在第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132之間時(shí)，在中間層150與第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132接觸的區(qū)域中出現(xiàn)了帶偏移，以保持費(fèi)米能級(jí)EF的平衡。
因此，具有帶偏移區(qū)域ED的第一中間層152和第二中間層154可以形成在中間層 150與第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132接觸的區(qū)域上。
第一中間層152和第二中間層154設(shè)置有帶偏移區(qū)域ED，從而形成電子在其上集中的二維電子氣層。這樣，第一中間層152和第二中間層154可以具有具有更高的電子可移動(dòng)性，從而具有小于第三中間層156以及第二半導(dǎo)體層126和第三半導(dǎo)體層132的電阻。
第一中間層152和第二中間層154可以表現(xiàn)出從第三電極146供給的電流的容易的通過，從而改善了電流擴(kuò)展。
換言之，第一中間層152和第二中間層154如圖15所示可以具有導(dǎo)電性。
圖18所示的發(fā)光器件100可以包括分別與圖I和圖2所示的發(fā)光器件100的第一有源層124和第二有源層134鄰接的第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138。
參考圖18，第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138的能帶隙可以大于第一有源層124和第二有源層134的能帶隙，并且可以用于防止從第一半導(dǎo)體層122和第三半導(dǎo)體層132注入的電子注入到第二半導(dǎo)體層126和第四半導(dǎo)體層136中而沒有在第一有源層124和第二有源層134中進(jìn)行再?gòu)?fù)合。
S卩，第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138可以提高電子與空穴在第一有源層124和第二有源層134中再?gòu)?fù)合的幾率，并且可以防止電流泄漏。
第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138可以具有大于第一有源層124和第二有源層134中所包括的勢(shì)壘層的能帶隙的能帶隙。例如，第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138可以是包含Al的半導(dǎo)體層，如P型AlGaN，然而本公開不限于此。
雖然圖18所示的第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層138示出為設(shè)置在第一有源層124和第二有源層134的下表面上，然而，第一電子阻擋層128和第二電子阻擋層 138也可以設(shè)置在第一有源層124和第二有源層134的上表面上，然而本公開不限于此。
圖19是示出根據(jù)第二實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖，圖20是示出關(guān)于圖19所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖，圖21是示出關(guān)于圖19所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體圖。
在圖19至圖21中，簡(jiǎn)要地示出或者省略了圖I和圖2所示的構(gòu)造。
參考圖19和圖20，發(fā)光器件200可以包括支撐構(gòu)件210和設(shè)置在支撐構(gòu)件210 上的發(fā)光結(jié)構(gòu)(未示出)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括第一段220和設(shè)置在第一段220上的第二段 230。第一段220包括緩沖層212、依次設(shè)置在緩沖層212上的第一半導(dǎo)體層222和第二半導(dǎo)體層226以及在第一半導(dǎo)體層222與第二半導(dǎo)體層226之間的第一有源層224。第二段 230包括第三半導(dǎo)體層232、第四半導(dǎo)體層236以及在第三半導(dǎo)體層232與第四半導(dǎo)體層 236之間的第二有源層234。
省略了對(duì)支撐構(gòu)件210、緩沖層212和發(fā)光結(jié)構(gòu)的與圖I和圖2所示的相同的描述，而僅描述與圖I和圖2的區(qū)別。
發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有從第四半導(dǎo)體層236形成至第一半導(dǎo)體層222的第一溝槽(未不出)，以暴露第一半導(dǎo)體層222的一部分。
第一溝槽可以具有選自多邊形、半圓形、圓形和彎曲的邊緣形狀中的至少一種形狀，然而本公開不限于此。
雖然實(shí)施方案將第一溝槽示出為形成在第一半導(dǎo)體層222中，但是第一溝槽也可以形成到第一半導(dǎo)體層222的已移除第一有源層224的表面上，然而本公開不限于此。
在這種情況下，第一電極242可以設(shè)置在第一溝槽內(nèi)的第一半導(dǎo)體層222的暴露出的區(qū)域上。
在這種情況下，第一電極242可以具有等于或大于第一溝槽的深度的深度，然而本公開不限于此。
由于第一電極242與第一溝槽的內(nèi)側(cè)表面間隔開,所以第一電極242可以具有小于第一溝槽的寬度的寬度。
第二電極244可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層236上以覆蓋第一溝槽。
雖然實(shí)施方案示出第二電極244為覆蓋第一溝槽，但是第二電極244可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層236上以不與第一溝槽交疊，或者可以與第一溝槽部分交疊，然而本公開不限于此。
第二電極244可以電連接至第一電極242，并且可以具有等于或大于第一電極242 的寬度的寬度，然而本公開不限于此。
第三電極246插入到形成在第三半導(dǎo)體層232的暴露出的區(qū)域中的孔(未示出) 中。因?yàn)榈谌姌O246的一部分設(shè)置在第三半導(dǎo)體層232的暴露出的區(qū)域上，并且第三電極 246的另一部分設(shè)置在第二半導(dǎo)體層226上，所以，第二半導(dǎo)體層226和第三半導(dǎo)體層232 可以彼此電連接。
孔的深度可以在第三半導(dǎo)體層232的暴露出的區(qū)域的厚度的I倍至3倍的范圍內(nèi)，并且，孔的寬度可以在該暴露出的區(qū)域的寬度的O. 3倍至O. 9倍的范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
第三半導(dǎo)體層232的暴露出的區(qū)域可以以與上述第一半導(dǎo)體層222的非交疊區(qū)域相同的方式來蝕刻，然而本公開不限于此。
具體地，雖然第三電極246不出為設(shè)置在第二半導(dǎo)體層226的表面上,但是,第三電極246可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層226中。
換言之，第二半導(dǎo)體層226可以在對(duì)應(yīng)于孔的位置處設(shè)置有凹部(未示出)，并且， 第三電極246可以容納在該凹部中以電連接至第二半導(dǎo)體層226的內(nèi)表面。
凹部的寬度在孔的寬度的O. 5倍至I倍的范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
參考圖21，第一絕緣層280可以設(shè)置在第一電極242與第一溝槽的內(nèi)側(cè)表面之間。
第一絕緣層280與第一電極242和第一溝槽的內(nèi)表面接觸，從而防止發(fā)光結(jié)構(gòu)的短路并由此獲得提聞的可罪性。
第一絕緣層280可以由透光絕緣材料例如硅、環(huán)氧樹脂等形成，然而本公開不限于此。
第一絕緣層280可以選擇性地設(shè)置在第一溝槽的一部分內(nèi)側(cè)表面或整個(gè)內(nèi)側(cè)表面上，然而本公開不限于此。
參考圖9至圖18描述的特征適用于第二實(shí)施方案中示出的發(fā)光器件200，從而省略了其描述。
圖22是示出根據(jù)第三實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖，圖23是示出關(guān)于圖22所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖，圖24是示出關(guān)于圖22所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體圖。
在圖22至圖24中，簡(jiǎn)要地示出或者省略了圖I和圖2所示的構(gòu)造。
參考圖22至圖24，發(fā)光器件300可以包括支撐構(gòu)件310和設(shè)置在支撐構(gòu)件310 上的發(fā)光結(jié)構(gòu)(未不出)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括第一段320和設(shè)置在第一段320上的第二段 330。第一段320包括第一半導(dǎo)體層322、第二半導(dǎo)體層326以及在第一半導(dǎo)體層322與第二半導(dǎo)體層326之間的第一有源層324。第二段330包括第三半導(dǎo)體層332、第四半導(dǎo)體層 336以及在第三半導(dǎo)體層332與第四半導(dǎo)體層336之間的第二有源層334。
第三實(shí)施方案中示出的支撐構(gòu)件310可以是導(dǎo)電支撐構(gòu)件，這不同于根據(jù)第一和第二實(shí)施方案的發(fā)光器件100和200的支撐構(gòu)件110和210。
支撐構(gòu)件310可以由具有良好導(dǎo)熱率的材料即導(dǎo)電材料如金屬和導(dǎo)電陶瓷形成。
支撐構(gòu)件310可以具有單層、雙層或多層形式。
具體地，支撐構(gòu)件310可以由金屬形成，例如，選自金(Au)、鎳(Ni)、鎢(W)、鑰 (Mo)、銅(Cu)、鋁(Al)、鉭(Ta)、銀(Ag)、鉬(Pt)和鉻(Cr)中的任一種，或者可以由兩種或更多種合金形成。支撐構(gòu)件310可以是兩種或更多種不同的材料的堆疊體。
支撐構(gòu)件310可以有助于輻射來自發(fā)光器件300的熱，從而提高發(fā)光器件300的熱穩(wěn)定性。
支撐構(gòu)件310可以由半導(dǎo)體材料形成，例如，載體晶片，如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵 (GaAs)、氧化鋅(ZnO)、碳化硅(SiC)、鍺硅(SiGe)、氮化鎵(GaN)和氧化鎵(Ga2O3)。
例如，在支撐構(gòu)件310由Si以預(yù)定厚度或更小厚度形成時(shí)，可以表現(xiàn)出透光性，然而本公開不限于此。
支撐構(gòu)件310可以由具有高的導(dǎo)熱率的材料形成。為了光提取效率，支撐構(gòu)件310 的折射率可以小于發(fā)光結(jié)構(gòu)的折射率。
為了提高光提取效率，支撐構(gòu)件310可以設(shè)置有光提取圖案(未示出)，然而本公開不限于此。
支撐構(gòu)件310可以使用電化學(xué)氣相沉積方法、使用共晶金屬的接合方法等方法來形成。
金屬接合層312可以設(shè)置在支撐構(gòu)件310上，并且可以用于使得在施加電流期間在第一電極142的原子被電場(chǎng)移動(dòng)時(shí)引起的電遷移最小化。金屬接合層312可以包含與下部材料和粘合劑具有良好粘附性的至少一種金屬。
可以在金屬接合層312上形成用于防止電流擴(kuò)散的抗擴(kuò)散層(未示出)，然而本公開不限于此。
金屬接合層312或抗擴(kuò)散層例如可以由選自銅(Cu)、鈮(Nb)、錫(Sn)、銦(In)、鈧 (Sc)、鉭(Ta)、釩(V)、硅(Si)、銦(Ag)、金(Au)、鋅(Zn)、銻(Sb)、鋁(Al)、鍺(Ge)、鉿(Hf)、 鑭(La)、鎂(Mg)、錳(Mn)、鎳(Ni)、鈀(Pd)、鎢(W)、釕(Ru)、鑰(Mo)、銥(Ir)、銠(Rh)、鋯 (Zr)和鈦(Ti)中的至少一種金屬或其合金形成。因而，金屬接合層312可以具有單層或多層形式。
發(fā)光結(jié)構(gòu)可以設(shè)置在金屬接合層312上。因?yàn)橐呀?jīng)參照?qǐng)DI和圖2詳細(xì)描述了發(fā)光結(jié)構(gòu)，所以將省略對(duì)發(fā)光結(jié)構(gòu)的描述。
可以在金屬接合層312與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間設(shè)置第一電極342。
在這種情況下，第一電極342可以包括與第一段320的第一半導(dǎo)體層322接觸的透明電極342a以及在透明電極342a與金屬接合層312之間的反射電極342b。
當(dāng)從第一有源層324和第二有源層334發(fā)出的光的一部分導(dǎo)向支撐構(gòu)件310時(shí)， 反射電極342b可以朝著發(fā)光結(jié)構(gòu)的上部和側(cè)部反射光，從而提高發(fā)光器件300的光提取效率。
為此，反射電極342b可以由具有良好反射率的材料形成。反射電極342b例如可以由選自Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au和Hf中的至少一種金屬或其合金形成。 或者，反射電極342b可以包括使用金屬或合金以及透光導(dǎo)電材料的多個(gè)層，如ΙΤ0、ΙΖ0、 ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZO、IGTO、AZO、ATO等，并且更具體地，可以是IZO/Ni的堆疊體、AZO/Ag的堆疊體、IZO/Ag/Ni的堆疊體、AZO/Ag/Ni的堆疊體、Ag/Cu的堆疊體、Ag/Pd/Cu的堆疊體等。
透明電極342a可以將通過支撐構(gòu)件310供給的電流朝著第一半導(dǎo)體層342擴(kuò)散， 并且可以選擇性地包括透光導(dǎo)電層和金屬層。在一個(gè)實(shí)例中，透明電極342a可以由選自銦錫氧化物(ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鋅錫氧化物(IZTO)、銦鋁鋅氧化物(1AZ0)、銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鎵錫氧化物(IGTO)、鋁鋅氧化物(AZO)、銻錫氧化物(ΑΤ0)、鎵鋅氧化物(GZO)、IrOz, RuOx, RuOx/1T0, Ni、Pt、Ru、Ir、Rh、Ta、Mo、Ti、Ag、W、Cu、Cr、Pd、V、Co、Nb、Zr、Ni/IrOx/Au和Ni/Ir0x/Au/IT0中的至少一種形成，并且可以具有單層或多層形式。
保護(hù)絕緣層314可以設(shè)置在第一電極342的外周邊上。保護(hù)絕緣層314例如可以由選自氧化鋁(Al2O3)、二氧化硅(SiO2)、氮化硅(Si3N4)、氮化鋁(AlN)和二氧化鈦(TiOx) 中的至少一種形成。
發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有形成在第一段320和第二段330中的第二溝槽(未示出)，第二溝槽可以從第一半導(dǎo)體層322延伸至第四半導(dǎo)體層336。
第二溝槽當(dāng)俯視時(shí)可以具有選自多邊形、半圓形、圓形和彎曲的邊緣形狀中的至少一種形狀，然而本公開不限于此。
雖然實(shí)施方案示出第二溝槽為形成到第四半導(dǎo)體層336中，然而第二溝槽還可以形成到第四半導(dǎo)體層336的其上已經(jīng)移除第二有源層334表面上，然而本公開不限于此。
在這種情況下，第二電極344可以設(shè)置在第二溝槽內(nèi)的第四半導(dǎo)體層336的暴露出的區(qū)域上。
在這種情況下，第二電極344可以具有等于或大于第二溝槽的深度的深度，然而本公開不限于此。
由于第二電極344與第二溝槽的內(nèi)側(cè)表面間隔開，所以第二電極344可以具有小于第二溝槽的寬度的寬度。
第二電極344可以電連接至設(shè)置在第二溝槽下的第一電極342。
第二電極344可以電連接至第一電極342，并且可以的寬度小于第一電極342的寬度，然而本公開不限于此。
第三電極346插入到形成在第三半導(dǎo)體層332的暴露出的區(qū)域中的孔(未示出) 中。因?yàn)榈谌姌O346的一部分設(shè)置在第三半導(dǎo)體層332的暴露出的區(qū)域上，第三電極346 的另一部分設(shè)置在第二半導(dǎo)體層326上，所以第二半導(dǎo)體層326和第三半導(dǎo)體層332可以通過第三電極346彼此電連接。
第三電極346與圖I和圖2所示的第三電極146相同，因此將省略其描述。
參考圖24，第二絕緣層380可以設(shè)置在第二電極344與第二溝槽的內(nèi)側(cè)表面之間。
第二絕緣層380與第二電極344和第二溝槽的內(nèi)表面接觸，從而有利地防止發(fā)光結(jié)構(gòu)的短路并因此獲得提高的可靠性。
第二絕緣層380可以由透光絕緣材料例如硅、環(huán)氧樹脂等形成，然而本公開不限于此。
第二絕緣層380可以選擇性地設(shè)置在第二溝槽的一部分內(nèi)側(cè)表面或整個(gè)內(nèi)側(cè)表面上，然而本公開不限于此。
參考圖9至圖18描述的特征適用于第三實(shí)施方案中示出的發(fā)光器件300，從而省略其描述。
圖25是示出根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖，圖26是示出關(guān)于圖25所示的發(fā)光器件的切割平面的第一替代實(shí)施方案的立體圖，圖27是示出關(guān)于圖25所示的發(fā)光器件的切割平面的第二替代實(shí)施方案的立體圖。
在圖25至圖27中，簡(jiǎn)要地示出或者省略圖I和圖2以及圖22至圖24所示的構(gòu)造。
參考圖25至圖27，發(fā)光器件300可以包括支撐構(gòu)件310和設(shè)置在支撐構(gòu)件310 上的發(fā)光結(jié)構(gòu)(未不出)。發(fā)光結(jié)構(gòu)可以包括第一段320和設(shè)置在第一段320上的第二段 330。第一段320包括第一半導(dǎo)體層322、第二半導(dǎo)體層326以及在第一半導(dǎo)體層322與第二半導(dǎo)體層326之間的第一有源層324。第二段330包括第三半導(dǎo)體層332、第四半導(dǎo)體層 336以及在第三半導(dǎo)體層332與第四半導(dǎo)體層336之間的第二有源層334。
根據(jù)第四實(shí)施方案的發(fā)光器件300具有與第五實(shí)施方案的發(fā)光器件400非常相似的構(gòu)造。
在這種情況下，支撐構(gòu)件310可以包括第一支撐部310a和與第一支撐部310a間隔開的第二支撐部310b。
因?yàn)橐呀?jīng)參考圖22至圖24對(duì)支撐構(gòu)件310進(jìn)行了詳細(xì)描述，所以下文中將省略對(duì)支撐構(gòu)件310的詳細(xì)描述。
金屬接合層312和保護(hù)絕緣層314可以設(shè)置在支撐構(gòu)件310上。因?yàn)橐呀?jīng)參考圖 22至圖24詳細(xì)地描述了金屬接合層312和保護(hù)絕緣層314，所以下文中將省略其描述。
設(shè)置在第一支撐部310a上的發(fā)光結(jié)構(gòu)(未示出)可以設(shè)置有第二溝槽(未示出)。 第一電極342可以設(shè)置在第一支撐部310a和與第一支撐部310a接觸的第一半導(dǎo)體層322 之間，第二電極344可以設(shè)置為將第一電極342電連接至設(shè)置為通過第二溝槽暴露的第四半導(dǎo)體層336。這樣，第一半導(dǎo)體層322和第四半導(dǎo)體層336可以彼此電連接。
因?yàn)橐呀?jīng)參考圖22和圖24詳細(xì)描述了第二溝槽以及第一電極342和第二電極 344，所以下文中將省略其描述。
設(shè)置在第二支撐部310b上的發(fā)光結(jié)構(gòu)可以設(shè)置有從第一半導(dǎo)體層322延伸至第三半導(dǎo)體層332的第三溝槽(未示出)。
雖然實(shí)施方案示出第三溝槽形成到第三半導(dǎo)體層332中，然而第三溝槽還可以形成到第三半導(dǎo)體332的其上已經(jīng)移除第二半導(dǎo)體層326的表面上，然而本公開不限于此。
在這種情況下，第三電極346可以設(shè)置在第三溝槽內(nèi)的第二半導(dǎo)體層326和第三半導(dǎo)體層332的暴露出的區(qū)域上。
第三電極346的長(zhǎng)度可以等于或大于第三溝槽的深度，然而本公開不限于此。
第三電極346可以與第三溝槽的一部分間隔開。
具體地，第三溝槽可以包括具有第一寬度(未示出)的第一溝槽部(未示出)， 第一溝槽部從第一半導(dǎo)體層322延伸至第一有源層324或第二半導(dǎo)體層326的一部分；以及具有小于第一寬度的第二寬度(未示出)的第二溝槽部(未示出)，第二溝槽部從第二半導(dǎo)體層326延伸至第三半導(dǎo)體層332的一部分。
由于第三電極346與第三溝槽的內(nèi)表面間隔開并且與第二溝槽的內(nèi)表面接觸，所以提供給第三電極346的電流可以擴(kuò)散至第二半導(dǎo)體層326和第三半導(dǎo)體層332。
參考圖27，第二絕緣層380可以設(shè)置在第二溝槽的內(nèi)側(cè)表面與第二電極344之間， 并且可以用于防止發(fā)光結(jié)構(gòu)與第二電極344之間的短路。因?yàn)橐呀?jīng)參考圖23詳細(xì)描述了第二絕緣層380，所以將第二絕緣層380的描述省略。
第三絕緣層382可以設(shè)置在第三溝槽的第一溝槽部與第三電極346之間。第三絕緣層382可以限定具有第三寬度(未示出)的第四溝槽，并且可以用于防止發(fā)光結(jié)構(gòu)與第三電極346之間的短路。
第三寬度可以在第二寬度的I倍和I. 5倍的寬度的范圍內(nèi)，然而本公開不限于此。
在這種情況下，第三絕緣層382可以設(shè)置在第三溝槽的內(nèi)側(cè)表面的一部分上或者在第二溝槽內(nèi)的第三半導(dǎo)體層332的暴露出的區(qū)域上，然而本公開不限于此。
第二絕緣層380和第三絕緣層382可以有利地提高發(fā)光器件300的可靠性。
在這種情況下，第四電極349可以設(shè)置在對(duì)應(yīng)于第三絕緣層382的第四溝槽的位置處，以電連接至第三電極346。第四電極349可以具有單層或多層形式。
雖然設(shè)置在第四電極349周圍的第三絕緣層382和保護(hù)絕緣層314示出為彼此分離，但是保護(hù)絕緣層314和第三絕緣層382可以彼此整體形成，然而本公開不限于此。
第四電極349可以具有與第一電極342相同的構(gòu)造，或者可以是透明電極或反射電極，然而本公開不限于此。
雖然第四實(shí)施方案中沒有示出，但是可以在第一電極342和第四電極349中的至少之一與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間形成第二電流限制層(未示出)，以防止電流擁擠。第二電流限制層的特性可以與圖13所示的第一電流限制層162的特性相同，然而本公開不限于此。
參考圖9至圖18描述的特征也適用于第四實(shí)施方案中示出的發(fā)光器件300，從而將省略其描述。
雖然第一實(shí)施方案中不出的發(fā)光器件100和第二實(shí)施方案中不出的發(fā)光器件200 為水平類型，但是發(fā)光器件100和200可以倒裝接合至發(fā)光器件封裝件，然而本公開不限于此。
圖28是示出根據(jù)第五實(shí)施方案的發(fā)光器件的立體圖，圖29是示出關(guān)于圖28所示的第一發(fā)光單元至第四發(fā)光單元的連接方法的實(shí)施方案的立體圖。
參考圖28，發(fā)光器件400可以包括支撐構(gòu)件410以及設(shè)置在支撐構(gòu)件410上的第一段420和第二段430。發(fā)光器件400可以包括分為第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4 的發(fā)光結(jié)構(gòu)。
支撐構(gòu)件410可以由與第一至第四實(shí)施方案中示出的支撐構(gòu)件110、210和310中的至少之一相同的材料形成，并且在第五實(shí)施方案中描述為非導(dǎo)電支撐構(gòu)件。
緩沖層142可以設(shè)置在支撐構(gòu)件410上，并且可以用于緩和支撐構(gòu)件410與發(fā)光結(jié)構(gòu)之間的晶格失配以及確保容易生長(zhǎng)多個(gè)半導(dǎo)體層。
因?yàn)橐呀?jīng)參考圖I和圖2描述了緩沖層412，所以下文中將省略其描述。
雖然發(fā)光結(jié)構(gòu)示出為分成具有相同構(gòu)造的第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元 BD4，但是第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4可以具有不同的構(gòu)造、尺寸、寬度和厚度中的至少之一。當(dāng)然，本公開不限于此。
在這種情況下，第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4示出為與圖I和圖2所示的發(fā)光結(jié)構(gòu)具有相同的構(gòu)造，然而本公開不限于此。
因而，下文中將省略第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4的描述。
第一電極442可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層422上，第二電極444可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層436上，第三電極446可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層426和第三半導(dǎo)體層432 二者上。
第一電極442可以設(shè)置在第一半導(dǎo)體層422的其中第一半導(dǎo)體層422的不與第一有源層424、第二半導(dǎo)體層426和第二段430交疊的并且暴露于外部的非交疊區(qū)域(未示出)上。
在這種情況下，非交疊部分可以通過蝕刻第一段420和第二段430的側(cè)表面以將第一半導(dǎo)體層422的一部分暴露于外部來獲得，然而本公開不限于此。
第二電極444可以設(shè)置在第四半導(dǎo)體層436上，并且可以通過導(dǎo)線(未示出)和連接電極(未示出)電連接至第一電極442。
第三電極446可以插入到在第三半導(dǎo)體層432的暴露出的區(qū)域中穿透的孔(未示出)中，使得第三電極446的一部分設(shè)置在第三半導(dǎo)體層432的暴露出的區(qū)域上而另一部分設(shè)置在第二半導(dǎo)體層426上。這樣，第三電極446可以使第二半導(dǎo)體層426和第三半導(dǎo)體層432彼此電連接。
第三半導(dǎo)體層432的暴露出的區(qū)域可以以與上述第一半導(dǎo)體層422的非交疊區(qū)域相同的方式來蝕刻，然而本公開不限于此。
具體地,雖然第三電極446不出為設(shè)置在第二半導(dǎo)體層426的表面上,但是第三電極446也可以設(shè)置在第二半導(dǎo)體層426中。
第一電極442、第二電極444和第三電極446可以由導(dǎo)電材料形成，例如選自In、 Co、Si、Ge、Au、Pd、Pt、Ru、Re、Mg、Zn、Hf、Ta、Rh、Ir、W、Ti、Ag、Cr、Mo、Nb、Al、Ni、Cu 和 WTi 中的金屬，或者可以包含其合金，并且可以包含透光導(dǎo)電材料，如ΙΖΟ、ΙΖΤΟ、ΙΑΖ0、IGZ0、 IGTO、AZO、ATO等，以及金屬，然而本公開不限于此。。
第一電極442、第二電極444和第三電極446中的至少之一可以具有單層或多層形式，然而本公開不限于此。
如圖29所示，可以設(shè)置連接電極448，以將第一電極442和第二電極444以及第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4彼此電連接。
可以在第一段420和第二段430的至少一個(gè)側(cè)表面上形成保護(hù)絕緣層449。連接電極448可以設(shè)置在保護(hù)絕緣層449的側(cè)表面上，并且可以用于防止第一段420和第二段 430的短路。
雖然第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4在圖29中示出為彼此串聯(lián)連接，但是第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4可以具有并聯(lián)連接或者串聯(lián)連接與并聯(lián)連接的組合。當(dāng)然，本公開不限于此。
因?yàn)榭梢栽诘谝话l(fā)光單元BDl與第二發(fā)光單元BD2以及第三發(fā)光單元BD3與第四發(fā)光單元BD4之間設(shè)置至少一個(gè)發(fā)光單元，所以第一發(fā)光單元BDl和第二發(fā)光單元BD2可以限定陣列，第三發(fā)光單元BD3和第四發(fā)光單元BD4可以限定陣列。
具體地，發(fā)光器件400可以構(gòu)造為使得多個(gè)陣列限定多個(gè)矩陣并且可以根據(jù)各個(gè)發(fā)光單元的耦接方法而表現(xiàn)出串聯(lián)連接、并聯(lián)連接或串聯(lián)連接與并聯(lián)連接的組合。
在這種情況下，發(fā)光器件400的發(fā)光單元可以根據(jù)至少兩個(gè)或更多個(gè)發(fā)光單元的電極連接方式而具有鋸齒形布置或同心布置。
換言之，圖28所示的發(fā)光器件400具有分為第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元 BD4的發(fā)光結(jié)構(gòu),并且發(fā)光結(jié)構(gòu)具有與根據(jù)第一實(shí)施方案的發(fā)光器件100相同的構(gòu)造。
然而，應(yīng)注意，發(fā)光器件400的分為第一發(fā)光單元BDl至第四發(fā)光單元BD4的發(fā)光結(jié)構(gòu)可以具有與根據(jù)第二至第四實(shí)施方案的發(fā)光器件200和300相同的構(gòu)造，然而本公開不限于此。
圖30是示出根據(jù)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的發(fā)光器件封裝件的立體圖。
雖然圖30示出俯視型發(fā)光器件封裝件，但是本公開不限于此，并且適用于側(cè)視型發(fā)光器件封裝件。
參考圖30，發(fā)光器件封裝件500可以包括發(fā)光器件510和其中設(shè)置有發(fā)光器件 510的本體520。
本體520可以包括沿著第一方向(未不出)設(shè)置的第一分區(qū)522和沿著垂直于第一方向的第二方向(未不出)設(shè)置的第二分區(qū)524。第一分區(qū)522和第二分區(qū)524可以彼此整體形成，并且可以通過注模、蝕刻等形成，然而本公開不限于此。
第一分區(qū)522和第二分區(qū)524可以由選自樹脂如鄰苯二酰胺(PPA)、硅(Si)、鋁 (Al)、氮化鋁(AlN)、A10x、光敏玻璃(PSG)、聚酰胺9T (PA9T)、間規(guī)聚苯乙烯(SPS)、金屬、藍(lán)寶石(Al2O3)、氧化鈹(BeO)、陶瓷和印刷電路板中的至少一種形成。
第一分區(qū)522和第二分區(qū)524的上表面根據(jù)使用目的和發(fā)光器件510的設(shè)計(jì)可以具有各種形狀，包括例如三角形、正方形、多邊形和圓形，然而本公開不限于此。
第一分區(qū)522和第二分區(qū)524限定其中設(shè)置發(fā)光器件510的腔S。腔s的垂直橫截面可以具有杯形、凹陷的容器形狀等形狀。形成腔s的第一分區(qū)522和第二分區(qū)524可以向下傾斜，并且可以在其內(nèi)表面處設(shè)置有不平坦結(jié)構(gòu)，然而本公開不限于此。
腔s在俯視時(shí)可以具有各種形狀，包括例如三角形、正方形、多邊形和圓形，然而本公開不限于此。
可以在本體520的底面上設(shè)置第一引線框513和第二引線框514。第一引線框513 和第二引線框514可以由金屬形成，例如選自Ti、Cu、Ni、Au、Cr、Ta、Pt、Sn、Ag、P、Al、In、 Pd、Co、Si、Ge、Hf、Ru、和Fe及其合金中的至少一種。
第一引線框513和第二引線框514可以具有單層或多層形式，然而本公開不限于此。
第一分區(qū)522和第二分區(qū)524的內(nèi)側(cè)表面可以基于第一引線框513和第二引線框 514中的至少之一傾斜預(yù)定角度。從發(fā)光器件510發(fā)出的光的反射角可以根據(jù)入射角變化， 這使得可以調(diào)節(jié)發(fā)射到外部的光的方向角。從發(fā)光器件510發(fā)射到外部的光的集中可以隨著光的方向角減小而增加，但是可以隨著光的方向角增加而減小。
本體520的內(nèi)側(cè)表面可以具有各種傾斜角度，然而本公開不限于此。
第一引線框513和第二引線框514可以電連接至發(fā)光器件510，并且還可以分別連接至外部電源(未示出)的正電極和負(fù)電極，從而用于對(duì)發(fā)光器件510提供電力。
在本實(shí)施方案中，發(fā)光器件510可以設(shè)置在第一引線框513上,第二引線框514可以與第一引線框513間隔開。具體地，發(fā)光器件510可以管芯接合至第一引線框513和通過導(dǎo)線(未示出)引線接合至第二引線框514，以從第一引線框513和第二引線框514接收電力。
第一引線框513和第二引線框514中的至少之一可以設(shè)置有用于安裝發(fā)光器件 510的突起部或凹部，然而本公開不限于此。
發(fā)光器件510可以接合至具有不同極性的第一引線框513和第二引線框514。
發(fā)光器件510可以分別導(dǎo)線接合或管芯接合至第一引線框513和第二引線框514， 然而本公開不限于此。
雖然本實(shí)施方案的發(fā)光器件510描述為設(shè)置在第一引線框513上,但是本公開不限于此。
發(fā)光器件510可以附接至第一引線框513上的粘附構(gòu)件(未示出)。
可以在第一引線框513與第二引線框514之間形成絕緣體516，以防止第一引線框 513和第二引線框514的短路。
雖然本實(shí)施方案示例出了具有半圓形上部的絕緣體516，但是上部的形狀可以根據(jù)注模方法而改變，并且本公開不限于此。
本體520可以設(shè)置有陰極標(biāo)記517。陰極標(biāo)記517可以用于幫助容易地區(qū)分發(fā)光器件510的極性，即，第一引線框513和第二引線框514的極性，從而防止在其電連接時(shí)混淆第一引線框513和第二引線框514。
發(fā)光器件510可以是發(fā)光二極管。發(fā)光二極管例如可以是發(fā)出紅光、綠光、藍(lán)光或白光的彩色發(fā)光二極管，或者可以是紫外光發(fā)光二極管，然而本公開不限于此。此外，可以在第一引線框513上安裝多個(gè)發(fā)光器件510,并且可以在第一引線框513和第二引線框514 中的每一個(gè)上安裝至少一個(gè)發(fā)光器件510。發(fā)光器件510的數(shù)量和位置沒有限制。
本體520可以包括填充在腔s中的樹脂材料518。具體地，樹脂材料518可以具有雙重模制結(jié)構(gòu)或三重模制結(jié)構(gòu)，然而本公開不限于此。
樹脂材料518可以采用膜的形式，并且可以包括熒光物質(zhì)和光擴(kuò)散劑中的至少之一，或者可以由不具有熒光物質(zhì)或光擴(kuò)散劑的透光材料形成，然而本公開不限于此。
圖31是示出根據(jù)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的照明裝置的立體圖，圖32是沿著圖 31的照明裝置的線C-C'截取的截面圖。
參考圖31和圖32，照明裝置600可以包括本體610、耦接至本體610的蓋630和位于本體610的相對(duì)端處的端帽650。
發(fā)光器件模塊640可以耦接至本體610的下表面。本體610可以由具有優(yōu)異導(dǎo)電性和散熱效果的金屬材料形成，以通過本體610的上表面將在發(fā)光器件封裝件644中產(chǎn)生的熱量排放到外部。
發(fā)光器件封裝件644可以具有多種顏色，并且可以在印刷電路板642上設(shè)置為多行以形成陣列。此外，發(fā)光器件封裝件644可以根據(jù)需要以相同的距離或不同的距離來設(shè)置，以使得能夠調(diào)節(jié)亮度。印刷電路板642可以由金屬芯PCB (MCPCB)、FR4PCB等形成。
發(fā)光器件封裝件644可以包括引線框(未示出)以具有提高的輻射功能。因此， 可以提高發(fā)光器件封裝件644的可靠性和效率，并且可以延長(zhǎng)發(fā)光器件封裝件644的壽命和包括發(fā)光器件封裝件644的照明裝置600的壽命。
蓋630可以具有圓形形狀以包圍本體610的下表面，然而本公開不限于此。
蓋630保護(hù)發(fā)光器件模塊640免受異物等。蓋630可以包含擴(kuò)散粒子，以防止從發(fā)光器件封裝件644發(fā)出的光的炫目并確保光均一地發(fā)射到外部?？梢栽谏w630的內(nèi)表面和外表面中的至少之一上形成棱鏡圖案。此外，可以對(duì)蓋630的內(nèi)表面和外表面中的至少之一施加熒光物質(zhì)。
由于從發(fā)光器件封裝件644發(fā)出的光通過蓋630釋放到外部，所以蓋630必須不僅具有優(yōu)異的透光性還具有足以耐受從發(fā)光器件封裝件644生成的熱的耐熱性。蓋630可以由聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等形成。
端帽650可以位于與本體610的相對(duì)端,并且用于氣密性地密封功率器件(未不出)。端帽650可以設(shè)置有功率引腳652，這使得根據(jù)本實(shí)施方案的照明裝置600能夠直接用于已經(jīng)移除現(xiàn)有的熒光燈的端子中而不需要單獨(dú)的器件。
圖33是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖。
圖33示出邊緣光型液晶顯示裝置700,其可以包括液晶顯示面板710和對(duì)液晶顯示面板710輻射光的背光單元770。
液晶顯示面板710可以使用從背光單元770生成的光來顯示圖像。液晶顯示面板 710可以包括濾色器襯底712和薄膜晶體管襯底714，這二者設(shè)置為彼此面對(duì)并且其間設(shè)置有液晶。
濾色器襯底712通過液晶顯示面板710可以實(shí)現(xiàn)顯示的圖像的顏色。
薄膜晶體管襯底714通過驅(qū)動(dòng)膜717電連接至其上安裝有多個(gè)電路元件的印刷電路板718。薄膜晶體管襯底714可以響應(yīng)于從印刷電路板718傳輸?shù)尿?qū)動(dòng)信號(hào)來將由印刷電路板718提供的驅(qū)動(dòng)電壓施加給液晶。
薄膜晶體管襯底714可以包括像素電極和形成在由透明材料如玻璃、塑料等形成的另外的襯底上的薄膜形式的薄膜晶體管。
背光單元770包括發(fā)出光的發(fā)光器件模塊720、將從發(fā)光器件模塊720發(fā)出的光改變成平面光并且將平面光發(fā)送給液晶顯示面板710的導(dǎo)光板730、獲得均一的亮度分布并且改善已經(jīng)穿過導(dǎo)光板730的光的垂直光入射的多個(gè)膜750、764和766、以及朝著導(dǎo)光板 730反射從導(dǎo)光板730向后發(fā)出的光的反射片740。
發(fā)光器件模塊720可以包括多個(gè)發(fā)光器件封裝件724和其上安裝有多個(gè)發(fā)光器件封裝件724以限定陣列的印刷電路板722。
背光單兀770可以包括將入射光從導(dǎo)光板730朝著液晶顯不面板710擴(kuò)散的擴(kuò)散膜766、以及匯聚擴(kuò)散的光以提高垂直入射的棱鏡膜750。棱鏡膜750可以包括保護(hù)膜 764以保護(hù)棱鏡膜750。
圖34是根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的包括發(fā)光器件的液晶顯示裝置的分解立體圖。下文中將不重復(fù)與圖33中示出和描述的相同的構(gòu)造。
圖34示出垂直型液晶顯示裝置800,其包括液晶顯示面板810和對(duì)液晶顯示面板 810輻射光的背光單元870。
液晶顯示面板810與參考圖33的描述相同，從而將省略其詳細(xì)描述。
背光單元870可以包括多個(gè)發(fā)光器件模塊823、反射片824、其中容納有發(fā)光器件模塊823和反射片824的底架830、擴(kuò)散板840以及設(shè)置在發(fā)光器件模塊823上的多個(gè)光學(xué)膜 860。
每個(gè)發(fā)光器件模塊823可以包括多個(gè)發(fā)光器件封裝件822和其上安裝有多個(gè)發(fā)光器件封裝件822以形成陣列的印刷電路板821。
反射片824用于朝著液晶顯示面板810反射從發(fā)光器件封裝件822發(fā)出的光，從而改善光的使用效率。
從發(fā)光器件模塊823發(fā)出的光被引入到擴(kuò)散板840中，并且在擴(kuò)散板840上設(shè)置光學(xué)膜860。光學(xué)膜860可以包括擴(kuò)散膜866、棱鏡膜850和保護(hù)膜864。
在此，照明裝置600以及液晶顯示裝置700和800可以包括在照明系統(tǒng)和包括有發(fā)光器件封裝件并用作燈的其它設(shè)備中，還可以包括在照明系統(tǒng)中。
此外，在根據(jù)實(shí)施方案中之一的發(fā)光器件中，發(fā)光器件可以在從AC電源AC接收到正向偏壓和反向偏壓時(shí)均發(fā)出光。
因而，發(fā)光器件在AC電力的提供期間不需要單獨(dú)的整流電路，并且，發(fā)光器件的數(shù)量可以根據(jù)發(fā)光器件所消耗的電壓來確定，然而本公開不限于此。
另外，單個(gè)芯片形式的發(fā)光器件可以在接收到正向偏壓和反向偏壓時(shí)均發(fā)出光， 從而在其每單位面積上表現(xiàn)出提聞的發(fā)光效率。
此外，由于發(fā)光器件關(guān)于正向偏壓和反向偏壓限定了電流通路，所以發(fā)光器件可以免受由于靜電放電(ESD)而導(dǎo)致的受損，并且可以不需要單獨(dú)的ESD保護(hù)裝置。
結(jié)合實(shí)施方案描述的具體特征、結(jié)構(gòu)和特性包括在本公開的至少一個(gè)實(shí)施方案中而不必包括在所有實(shí)施方案中。此外，本公開的任何具體實(shí)施方案的具體特征、結(jié)構(gòu)或特性可以以適當(dāng)?shù)姆绞脚c一個(gè)或更多個(gè)其它實(shí)施方案組合，或者可以由實(shí)施方案所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員來改變。因此，應(yīng)理解，與這種組合或變化相關(guān)聯(lián)的內(nèi)容也落入本公開的精神和范圍內(nèi)。
雖然已經(jīng)參照大量示意性實(shí)施方案描述了實(shí)施方案，但是應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在實(shí)施方案的固有方面的范圍內(nèi)設(shè)計(jì)出大量其它修改和應(yīng)用。更具體地，可以對(duì)實(shí)施方案的具體構(gòu)成元件進(jìn)行各種變化和修改。此外，應(yīng)理解，與變化和修改有關(guān)的差異也落入在所附權(quán)利要求中限定的本公開的精神和范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光器件，包括 包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中 所述第一段包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層；以及 其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層； 設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的第一電極； 設(shè)置在所述第四半導(dǎo)體層上的第二電極；以及 插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
2.一種發(fā)光器件，包括 包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中 所述第一段包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層； 其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；以及 其中從所述第四半導(dǎo)體層到所述第一半導(dǎo)體層形成有第一溝槽； 插入到所述第一溝槽中以設(shè)置在所述第一溝槽內(nèi)的所述第一半導(dǎo)體層的暴露出的部分上的第一電極； 電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極的第二電極；以及插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
3.一種發(fā)光器件，包括 導(dǎo)電支撐構(gòu)件； 包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)， 其中所述第一段包括設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層； 其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在除了所述暴露出的區(qū)域之外的所述第三半導(dǎo)體層上的并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；以及 其中從所述第一半導(dǎo)體層到所述第四半導(dǎo)體層形成有第二溝槽； 設(shè)置在所述導(dǎo)電支撐構(gòu)件與所述第一半導(dǎo)體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一半導(dǎo)體層；設(shè)置在所述第二溝槽中的第二電極，所述第二電極電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極；以及 插入到所述暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在所述暴露出的區(qū)域和所述第二半導(dǎo)體層上的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
4.一種發(fā)光器件，包括 包括第一支撐部和與所述第一支撐部間隔開的第二支撐部的導(dǎo)電支撐構(gòu)件； 包括第一段和第二段的發(fā)光結(jié)構(gòu)，其中 所述第一段包括設(shè)置在所述第一支撐部和所述第二支撐部上并且摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在所述第一半導(dǎo)體層與所述第ニ半導(dǎo)體層之間的第一有源層； 其中所述第二段包括設(shè)置在所述第一段上并且摻雜有所述第一摻雜劑的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在所述第三半導(dǎo)體層上并且摻雜有所述第二摻雜劑的第四半導(dǎo)體層、以及在所述第三半導(dǎo)體層與所述第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層； 其中在所述第一支撐部上形成有從所述第一半導(dǎo)體層延伸至所述第四半導(dǎo)體層的第ニ溝槽；以及 其中所述第二支撐部上形成有從所述第一半導(dǎo)體層延伸至所述第三半導(dǎo)體層的第三溝槽； 設(shè)置在所述第一支撐部與所述第一半導(dǎo)體層之間的第一電極，所述第一電極電連接至所述第一支撐部和所述第一半導(dǎo)體層； 設(shè)置在所述第二溝槽中并且電連接至所述第四半導(dǎo)體層和所述第一電極的第二電極；以及 設(shè)置為與所述第三溝槽內(nèi)的所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層的暴露出的部分接觸的第三電極，所述第三電極電連接至所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一段的厚度等于或大于所述第二段的厚度。
6.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，還包括在所述第一段與所述第二段之間的中間層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括 設(shè)置在所述第一段上的第一中間層；以及 設(shè)置在所述第二段與所述第一中間層之間的第二中間層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層的能帶隙與所述第二中間層的能帶隙不同。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層的折射率與所述第二中間層的折射率不同。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之ー的電阻小于所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之ー的電阻。
11.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括在所述第一中間層與所述第二中間層之間的第三中間層；以及 其中所述第三中間層的電阻大于所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之ー的電阻。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的發(fā)光器件，其中所述第一中間層、所述第二中間層和所述第三中間層包含鋁(Al);以及 其中所述第三中間層的鋁濃度小于所述第一中間層和所述第二中間層中的至少之ー的鋁濃度。
13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層以及所述中間層包含鋁(Al);以及 其中所述中間層的鋁濃度大于所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之ー的鋁濃度。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的發(fā)光器件，其中所述中間層中的鋁濃度是所述第二半導(dǎo)體層和所述第三半導(dǎo)體層中的至少之一中的鋁濃度的2倍至5倍。
15.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層的厚度在約O.Ol μ m至2 μ m之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括透光導(dǎo)電層；以及 其中所述透光導(dǎo)電層包括氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)和ニ氧化鈦(TiO2)中的至少之O
17.根據(jù)權(quán)利要求7所述的發(fā)光器件，其中所述中間層包括摻雜有所述第一摻雜劑和所述第二摻雜劑中的至少之ー的ニ氧化硅(SiO2)。
18.根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第一有源層和所述第二有源層發(fā)出不同波長(zhǎng)的光。
19.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述孔的深度是所述第三半導(dǎo)體層的厚度的I倍至3倍。
20.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述孔的寬度是所述暴露出的區(qū)域的寬度的O. 3倍至O. 9倍。
21.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其中所述第二半導(dǎo)體層在對(duì)應(yīng)于所述孔的位置處形成有凹部。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的發(fā)光器件，其中所述凹部的寬度是所述孔的寬度的O.5倍至I倍。
23.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光器件，還包括 電連接所述第一電極和所述第二電極的連接電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求3或4所述的發(fā)光器件，其中所述第二電極的寬度等于或小于所述第ー電極的寬度。
25.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其中所述第三溝槽包括 具有第一寬度的第一溝槽部，所述第一溝槽部形成為從所述第一半導(dǎo)體層到所述第一有源層或所述第二半導(dǎo)體層的一部分；以及 具有小于所述第一寬度的第二寬度的第二溝槽部，所述第二溝槽部形成為從所述第二半導(dǎo)體層的一部分到所述第三半導(dǎo)體層的一部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，還包括 設(shè)置在所述第二支撐部與所述第一半導(dǎo)體層之間并且在所述第一溝槽部的內(nèi)側(cè)表面上的第三絕緣層，所述第三絕緣層形成具有第三寬度的第四溝槽。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的發(fā)光器件，其中所述第三寬度是所述第二寬度的I倍至1.5 倍。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的發(fā)光器件，其中所述第三電極接觸所述第三絕緣層的內(nèi)側(cè)表面、所述第二半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)表面和所述第三半導(dǎo)體層的內(nèi)側(cè)表面以及所述第三半導(dǎo)體層。
29.根據(jù)權(quán)利要求26所述的發(fā)光器件，還包括 設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述第三絕緣層的所述第四溝槽的位置上的第四電極，并且所述第四電極電連接所述第二支撐部和所述第三電極。
30.ー種包括根據(jù)權(quán)利要求I至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光器件的照明系統(tǒng)。
全文摘要
公開了一種發(fā)光器件。發(fā)光器件包括第一段和第二段，其中第一段包括摻雜有第一摻雜劑的第一半導(dǎo)體層、摻雜有第二摻雜劑的第二半導(dǎo)體層、以及在第一半導(dǎo)體層與第二半導(dǎo)體層之間的第一有源層，其中第二段包括設(shè)置在第一段上的具有暴露出的區(qū)域的第三半導(dǎo)體層、設(shè)置在第三半導(dǎo)體層的除了暴露出的區(qū)域之外的區(qū)域上的第四半導(dǎo)體層、以及在第三半導(dǎo)體層與第四半導(dǎo)體層之間的第二有源層；設(shè)置在第一半導(dǎo)體層上的第一電極；設(shè)置在第四半導(dǎo)體層上的第二電極、以及插入到暴露出的區(qū)域中的孔中以設(shè)置在暴露出的區(qū)域和第二半導(dǎo)體層上的第三電極，第三電極電連接至第二半導(dǎo)體層和第三半導(dǎo)體層。
文檔編號(hào)H01L33/48GK102983129SQ201210125520
公開日2013年3月20日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月7日
發(fā)明者黃盛珉 申請(qǐng)人:Lg伊諾特有限公司