專利名稱：一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域，具體涉及一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法。
背景技術(shù)：
透明導(dǎo)電氧化物薄膜(TCO)廣泛應(yīng)用于各類顯示器的透明電極、電炊鍋的透明發(fā)熱元件、太陽能電池的透明電極，它主要負(fù)責(zé)光電流的收集，因此要求具有高的電導(dǎo)率；同時，TCO的存在要盡量減少對太陽光譜的吸收，因此要求其具有寬能隙寬度，對可見光的吸收少，透過率高。目前應(yīng)用較廣的TCO有金屬摻雜的ZnO薄膜及金屬摻雜的In2O3薄膜；ZnO薄膜的摻雜金屬主要有鋁(Al)、鎵(Ga)、銦(In)、鑰(Mo)等，代表性的為鋁摻雜ZnO (AZO)；In2O3薄膜的摻雜金屬主要有錫(Sn)、鎳(Ni)、鑰(Mo)等，代表性的為錫摻雜In2O3 (ITO)。優(yōu)質(zhì)的ITO對可見光的透過率達(dá)95%以上，ITO的功函約為4. 5 5. 3eV，沒有一個相對確定的值，其由Sn摻雜量、表面粗糙度、表面處理等相關(guān)。AZO是繼ITO之后新開發(fā)出來的一種新型具有寬禁帶(3. 37eV)的、在可見光范圍具有高透射率和低電阻率的n型半導(dǎo)體透明導(dǎo)電氧化物薄膜.因其具有易產(chǎn)生缺陷和進(jìn)行摻雜，并且價格便宜、無毒和穩(wěn)定性高等特點(diǎn)，可被廣泛應(yīng)用于壓電轉(zhuǎn)換、光電顯示及電子器件等方面。制備TCO薄膜的主要方法有磁控濺射法、化學(xué)氣相沉積法(CVD)、溶膠-凝膠法(S-G)、脈沖激光沉積法(PLD)和噴射熱分解法(SP)等。其中以磁控濺射技術(shù)最為成熟，工藝控制性好，已被廣泛用于TCO薄膜的商業(yè)化生產(chǎn)；而S-G法由于所用原料易得、制膜工藝簡單、反應(yīng)過程易于控制、原材料的利用率高、易得到多組元組分分布均勻的材料、可大面積成膜，而成為目前備受關(guān)注的制備方法。但是，溶膠-凝膠法制備的TCO薄膜由于凝膠中液體量大，干燥時產(chǎn)生收縮，易產(chǎn)生開裂，燒制時經(jīng)常會殘留氣孔及-OH或C，使得制品帶黑色。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于克服現(xiàn)有技術(shù)之缺陷，提供一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法。本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，提供一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其包括如下步驟步驟一、獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液，其中，溶膠溶液的粘度為15 20mPa s，所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0. I lmol/L，鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0. 00r0. 03，銦與摻雜金屬的摩爾比值為0. 05^0. 15 ；步驟二、將成膜介質(zhì)浸入到所述溶膠溶液中，停留I 30s,然后以I 300cm/min的速度將所述介質(zhì)提拉出所述溶膠液面，隨后在80° C 300° C下保持0. 5 30min，冷卻；步驟三、重復(fù)步驟二至所述成膜介質(zhì)上的膜厚達(dá)到所需厚度，獲得所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜。本發(fā)明的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，通過限定溶膠粘度、摻雜粒子的濃度、提拉速度以及處理溫度，能夠獲得性能優(yōu)異的透明導(dǎo)電氧化物薄膜。其工藝設(shè)備簡單，過程節(jié)能環(huán)保，可以大面積在不同形狀、不同材料的基底上制備薄膜，成膜均勻性好，對介質(zhì)材料的附著力強(qiáng)，透明度好。此外，該方法還能夠定量摻雜，精確控制摻雜水平，有效的控制薄膜成分以及微觀結(jié)構(gòu)，適于工業(yè)化生產(chǎn)。
具體實(shí)施例方式為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖
及實(shí)施例，對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。本發(fā)明實(shí)施例一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其包括如下步驟步驟一、獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液，其中，溶膠溶液的粘度為15 20mPa s，所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0. I lmol/L，鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0. 00r0. 03，銦與摻雜金屬的摩爾比值為0. 05^0. 15 ；步驟二、將成膜介質(zhì)浸入到所述溶膠溶液中，停留I 30s,然后以I 300cm/min的速度將所述介質(zhì)提拉出所述溶膠液面，隨后在80° C 300° C下保持0. 5 30min，冷卻；步驟三、重復(fù)步驟二至所述成膜介質(zhì)上的膜厚達(dá)到所需厚度，獲得所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜。具體地，步驟SOl中，當(dāng)鋅鹽與摻雜金屬鹽混合配制溶膠溶液時，摻雜金屬通常為鋁、鎵、銦和鑰中的一種或者其任意組合。當(dāng)銦鹽與摻雜金屬鹽混合配制溶膠溶液時，摻雜金屬通常為錫、鎳和鑰中的一種或者其任意組合。所述鋅鹽、銦鹽以及摻雜金屬鹽包括其醇鹽、醋酸鹽、乙烯丙酮鹽、硝酸鹽、氯化鹽。優(yōu)選地，所述溶膠溶液除包括上述鹽外還包括有機(jī)溶劑和穩(wěn)定劑。具體地，有機(jī)溶劑為異丙醇、乙酰丙酮、乙二醇甲醚中的至少一種。穩(wěn)定劑為二乙醇胺和/或單乙醇胺。溶膠粘度越大，其后續(xù)提拉成膜的厚度也越大。溶膠過小，由于單位體積內(nèi)粒子數(shù)目減少，粒子間碰撞機(jī)會減少，導(dǎo)致聚合速率減慢，從而延長凝膠時間，而且不容易形成連續(xù)薄膜，但是如果粘度過大，會導(dǎo)致膜面的分布不均勻。更優(yōu)選地，溶膠粘度為17 18mPa S。摻雜濃度對TCO薄膜性能影響顯著。對ZnO薄膜而言，當(dāng)在金屬摻雜濃度為0. I 3%(摩爾分?jǐn)?shù))時，薄膜的光電性能最好。ZnO薄膜的導(dǎo)電機(jī)制主要是通過晶界熱離子的熱場發(fā)射，但在較高純度下，主要是電離雜質(zhì)散射，并且晶體的不完整性會導(dǎo)致嚴(yán)重的散射。所有這些因素，導(dǎo)致純ZnO薄膜電阻率最高，而金屬摻雜ZnO薄膜的導(dǎo)電機(jī)制是通過氧缺位和摻雜來降低電阻率。以Al為例，Al原子趨向于以Al3++3e的方式發(fā)生固溶，Al3+離子占據(jù)晶格中Zn2+的位置，形成一個一價正電荷中心Al-Zn和一個多余的電子，這個多余的價電子掙脫束縛而成為導(dǎo)電電子。因此摻入Al原子的結(jié)果是增加了自由電子和載流子密度，使電 阻率降低。但過多的摻雜使Al原子聚集在晶界而成為自由電子在晶界處遷移的阻礙，使自由電子的遷移率降低，所以當(dāng)Al的摻雜量超過3%時，隨著摻雜量的增加，薄膜的電阻率有增加的趨勢。對于金屬摻雜In2O3而言，當(dāng)摻雜金屬的含量為5 15%時具有較低電阻率。隨著摻雜金屬的含量不同，其載流子濃度也不一樣。當(dāng)載流子濃度增加，等離子體振蕩頻率增高，所以共振波長變短，從而使紅外高反射范圍向可見光范圍擴(kuò)展。另外，摻雜金屬原子的加入可以加寬In2O3薄膜的光學(xué)直接躍遷能隙。以摻Sn的In2O3為例，In2O3的直接躍遷能隙為3. 55eV 3. 75eV，而ITO的直接躍遷能隙一般都大于3. 75eV，所以Sn原子的加入可以使可見光吸收邊緣向紫外方向擴(kuò)展，從而改善可見光透過率的范圍。當(dāng)金屬摻雜量小于15%時，摻雜In2O3薄膜的透射率較好(80%以上)，但摻雜量大于15%后薄膜的透射率急劇下降。優(yōu)選地，所述溶膠溶液的配制方法可選用下述步驟將鋅鹽或銦鹽加入到有機(jī)溶劑中，再加入與該鋅鹽或銦鹽等摩爾比的穩(wěn)定劑，置于60° C 100° C的溫度下，攪拌0. 5 10h，獲得鋅鹽或銦鹽溶液；
將摻雜金屬鹽溶于有機(jī)溶劑中，獲得摻雜金屬鹽溶液；將所述鋅鹽或銦鹽溶液與摻雜金屬鹽溶液混合，在50° C 150° C下攪拌
0.5h IOh后，靜置24h 48h，獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液，其中，所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0. I lmol/L，鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0. 00r0. 03，銦與摻雜金屬的摩爾比值為0. 05^0. 15。步驟S02中，成膜介質(zhì)浸入到溶膠溶液中，停留I 30s是為了使其達(dá)到吸附平衡。該成膜介質(zhì)可以為玻璃、陶瓷、金屬、耐溫高分子或上述材料的復(fù)合材料。在成膜之前，成膜介質(zhì)優(yōu)選用乙醇、去離子水、與介質(zhì)不發(fā)生劇烈反應(yīng)的酸或以上的混合物清洗。提拉涂覆的工藝應(yīng)用非常廣泛，對于大型涂件來說更為經(jīng)濟(jì)。提拉介質(zhì)的操作應(yīng)保持平穩(wěn)且無震動，由于重力和粘度的作用在介質(zhì)表面形成一層均勻的溶膠膜。其速度保持在I 300cm/min,速度可以協(xié)調(diào)溶劑蒸發(fā)和凝膠速度。介質(zhì)浸潰后在80° C 300° C下保持0. 5 30min。優(yōu)選地，將介質(zhì)置于80° C 150° C下干燥，時間為0. 5 15min，獲得凝膠薄膜，再將凝膠薄膜置于150° C 300° C下預(yù)熱處理，時間為0. 5 15min。對膜層分別進(jìn)行干燥和預(yù)熱處理，能夠讓薄膜保持穩(wěn)定受熱，不會出現(xiàn)裂紋。經(jīng)過干燥和預(yù)熱處理后，再次浸入到溶膠溶液中就相當(dāng)于在襯底上浸涂，從而不會出現(xiàn)剝落的現(xiàn)象。步驟三中，所述厚度優(yōu)選為300nm 500nm。步驟一中的溶膠溶液的粘度會影響鍍膜次數(shù)，鍍膜層數(shù)太少，薄膜為不連續(xù)的島狀分布，電阻率很大；薄膜厚度增加，結(jié)構(gòu)會變得完成，缺陷減少，但是厚度太大，透光性會變差。進(jìn)一步，優(yōu)選地，上述透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法還包括對所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜退火的步驟。所述退火是在250° C 800° C下保持IOmin 3h。退火處理可以消除薄膜中的有機(jī)物質(zhì)，使得TCO薄膜中的晶粒進(jìn)一步長大。TCO薄膜中晶粒的大小對其光電性能影響巨大，當(dāng)TCO薄膜中晶粒變大時，晶體缺陷數(shù)目降低，晶粒邊界減少，從而降低了對載流子的散射作用，提高了載流子遷移率，降低了薄膜的電阻率。另一方面，通過退火處理可以釋放處于弱束縛狀態(tài)下的氧離子，使摻雜離子被激活。例如，隨著熱處理溫度的升高，Zn2+與02_復(fù)合幾率降低，載流子濃度增加，薄膜的電阻率減少；同時，晶體粒度的增大也是其對光子的散射作用降低，使TCO薄膜的電導(dǎo)率和透光率都提高。退火溫度對薄膜晶體粒子生長影響很大，隨著退火溫度的升高，所生成的TCO薄膜中的晶粒增大。
更優(yōu)選地，對上述退火獲得的透明導(dǎo)電氧化物薄膜再置于還原氣體中進(jìn)行二次退火。優(yōu)選地，所述還原氣體為惰性氣體或者氮?dú)馀c氫氣的混合氣體。所述惰性氣體或氮?dú)馀c氫氣的體積比為4 :1 49 :1，溫度為250° C 800° C，時間為0. 5min lh。其目的是為了消除薄膜中過量的氧，通過在還原氣氛中的熱處理可提高TCO薄膜的光電性能，使電阻率下降約2 3個數(shù)量級。本發(fā)明所制備的TCO薄膜，電阻率小于5X 10_4Q !!，可見光透過率超過90%。該方法制備成品率高，可制備大面積TCO薄膜，物料利用率高，適合批量化生產(chǎn)。以下結(jié)合具體實(shí)施例對本發(fā)明的具體實(shí)現(xiàn)進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例I : 將二水醋酸鋅(Zn(AC)2 *2H20)溶于異丙醇中，再加入與二水醋酸鋅等摩爾比的二乙醇胺(DEA)，置于70° C水浴下，攪拌lh，形成透明均質(zhì)的溶液A。制備Al3+離子摻雜的溶液，先將九水硝酸鋁(Al (NO3)3 9H20，分析純)溶于無水乙醇中制成濃度為0. 2mol/L的透明溶液B。將B溶液滴入A溶液中，控制Al和Zn的摩爾比為0. 02，加入異丙醇調(diào)節(jié)溶液的醋酸鋅濃度為0. 5mol/L。然后在70° C下充分?jǐn)嚢?h后，形成透明均質(zhì)的溶液，倒入潔凈的廣口瓶中，靜置24h，獲得溶膠溶液，備用。選取光學(xué)玻璃片，玻璃片的規(guī)格為25mmX80mmXlmm。將清洗好的玻璃片垂直插入制備好的溶膠中，基片在溶膠中停留10S，使其在基片上達(dá)到吸附平衡，然后以8cm/min的速度提拉上來.每次提拉后，在100° C下干燥15min，得到凝膠薄膜，然后在240° C下熱處理lmin，冷卻后重復(fù)以上操作20次。鍍膜達(dá)到所需次數(shù)后，送入管式爐，在400° C下，空氣氣氛中退火處理20min，然后在550° C還原氣氛(體積流量比(N2:H2)96:4)下退火，控制氣體流量80mL/min，退火處理20min，獲得透明導(dǎo)電氧化物薄膜。薄膜厚度500nm;電阻率5X10_4Q ^cm;可見光透過率91% ；實(shí)施例2 將硝酸銦溶于乙酰丙酮中，再加入與硝酸銦等摩爾比的乙醇甲醚，置于90° C水浴下，攪拌I. 5h，形成透明均質(zhì)的溶液A。制備Sn2+離子摻雜的溶液，先將硝酸錫溶于無水乙醇中制成濃度為0. 5mol/L的透明溶液B。將B溶液滴入A溶液中，控制Sn和In的摩爾比為0. 1，加入異丙醇調(diào)節(jié)溶液的硝酸銦濃度為0.5mol/L。然后在90° C下充分?jǐn)嚢?h后，形成透明均質(zhì)的溶液，倒入潔凈的廣口瓶中，靜置24h，獲得溶膠溶液，備用。選取不銹鋼箔,不銹鋼箔的規(guī)格為80mmX80mmX0. 5mm。將清洗好的不銹鋼箔垂直插入制備好的溶膠中，基片在溶膠中停留15S，使其在基片上達(dá)到吸附平衡，然后以15cm/min的速度提拉上來.每次提拉后，在100° C下干燥5min，得到凝膠薄膜，然后在300° C下熱處理lmin，冷卻后重復(fù)以上操作10次。鍍膜達(dá)到所需次數(shù)后，送入快速熱處理爐，在500° C、空氣氣氛進(jìn)行退火處理20min。然后在550° C還原氣氛(流量比(N2:H2)90:10)下退火，控制氣體流量40mL/min，退火處理lOmin，獲得透明導(dǎo)電氧化物薄膜。薄膜厚度300鹽；電阻2.5\10-40 cm ;可見光透過率93%。實(shí)施例3 將二水醋酸鋅(Zn(AC)2 *2H20)溶于異丙醇中，再加入與二水醋酸鋅等摩爾比的二乙醇胺(DEA)，置于70° C水浴下，攪拌2h，形成透明均質(zhì)的溶液A。制備Al3+離子摻雜的溶液，先將九水硝酸鋁(Al (NO3)3 9H20，分析純)溶于無水乙醇中制成濃度為0. 5mol/L的透明溶液B。將B溶液滴入A溶液中，控制Al和Zn的摩爾比為0. 01，加入異丙醇調(diào)節(jié)溶液的醋酸鋅濃度為0. 8mol/L。然后在100° C下充分?jǐn)嚢?h后，形成透明均質(zhì)的溶液，倒入潔凈的廣口瓶中，靜置48h，獲得溶膠溶液，備用。選取光學(xué)玻璃片，玻璃片的規(guī)格為25mmX80mmXlmm。將清洗好的玻璃片垂直插入制備好的溶膠中，基片在溶膠中停留10S，使其在基片上達(dá)到吸附平衡，然后以8cm/min的速度提拉上來.每次提拉后，在100° C下干燥15min，得到凝膠薄膜，然后在240° C下熱處理lmin，冷卻后重復(fù)以上操作20次。
鍍膜達(dá)到所需次數(shù)后，送入管式爐，在400° C、空氣氣氛進(jìn)行退火處理20min然后在550° C還原氣氛(流量比(N2: H2) 96:4)下退火，控制氣體流量80mL/min，退火處理20min。獲得透明導(dǎo)電氧化物薄膜。薄膜厚度400nm ;電阻率7X10_4Q cm ;可見光透過率90%。以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟 步驟一、獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液，其中，溶膠溶液的粘度為15 20mPa *s，所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0. I lmol/L，鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0. 00r0. 03，銦與摻雜金屬的摩爾比值為0. 05^0. 15 ； 步驟二、將成膜介質(zhì)浸入到所述溶膠溶液中，停留I 30s,然后以I 300cm/min的速度將所述介質(zhì)提拉出所述溶膠液面，隨后在80° C 300° C下保持0. 5 30min，冷卻； 步驟三、重復(fù)步驟二至所述成膜介質(zhì)上的膜厚達(dá)到所需厚度，獲得所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜。
2.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽或銦 鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液的配制步驟為 將鋅鹽或銦鹽加入到有機(jī)溶劑中，再加入與該鋅鹽或銦鹽等摩爾比的穩(wěn)定劑，置于60° C 100° C的溫度下，攪拌0. 5h 10h，獲得鋅鹽或銦鹽溶液； 將摻雜金屬鹽溶于有機(jī)溶劑中，獲得摻雜金屬鹽溶液； 將所述鋅鹽或銦鹽溶液與摻雜金屬鹽溶液混合，在50° C 150° C下攪拌0.5h IOh后，靜置24h 48h，獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液。
3.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述有機(jī)溶劑為異丙醇、乙酰丙酮、乙二醇甲醚中的至少一種，所述穩(wěn)定劑為二乙醇胺和/或單乙醇胺。
4.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液中，摻雜金屬鹽為鋁鹽、鎵鹽、銦鹽和鑰鹽中的至少一種；所述銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液中，摻雜金屬鹽為錫鹽、鎳鹽和鑰鹽中至少一種。
5.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述厚度為300nm 500nm。
6.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述鋅鹽、銦鹽和摻雜金屬鹽為其相應(yīng)的醇鹽、醋酸鹽、乙烯丙酮鹽、硝酸鹽、氯化鹽中的至少一種。
7.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述溶膠溶液的粘度為17 18mPa S。
8.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，所述在80° C 300° C下保持0. 5 30min的過程分為干燥和熱處理兩步依次進(jìn)行，將提拉后的成膜介質(zhì)置于80° C 150° C下干燥，時間為0.5min 15min，獲得凝膠薄膜，再將凝膠薄膜置于150° C 300° C下預(yù)熱處理，時間為0. 5min 15min。
9.如權(quán)利要求I所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，還包括對所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜進(jìn)行退火的步驟，所述退火的溫度為250° C 800° C，時間為IOmin 3h。
10.如權(quán)利要求9所述的透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其特征在于，還包括對所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜在還原氣氛中進(jìn)行二次退火處理的步驟，所述二次退火處理的溫度為250° C 800° C，時間為 0. 5min lh。
全文摘要
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體光電材料領(lǐng)域，提供一種透明導(dǎo)電氧化物薄膜的制備方法，其包括如下步驟步驟一、獲得鋅鹽或銦鹽與摻雜金屬鹽的溶膠溶液，其中，溶膠的粘度為15～20mPa·s，所述鋅鹽或者銦鹽中鋅或者銦的濃度為0.1～1mol/L，鋅與摻雜金屬的摩爾比值為0.001~0.03，銦與摻雜金屬的摩爾比值為0.05~0.15；步驟二、將介質(zhì)浸入到溶膠溶液中，停留1～30s，然后以1～300cm/min的速度將介質(zhì)提拉出溶膠液面，隨后在80°C～300°C下保持0.5～30min，冷卻；步驟三、重復(fù)步驟二至介質(zhì)上的膜厚達(dá)到所需厚度，獲得所述透明導(dǎo)電氧化物薄膜。該方法制備的透明導(dǎo)電氧化物薄膜成品率高，可制備大面積薄膜，物料利用率高，適合批量化生產(chǎn)。
文檔編號H01L31/18GK102646759SQ20121013671
公開日2012年8月22日 申請日期2012年5月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月4日
發(fā)明者任昌義, 徐東, 徐永 申請人:深圳市科聚新材料有限公司