專利名稱：電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子部件，尤其涉及具有含Sn的鍍Sn皮膜的例如層疊陶瓷電容器等電子部件。
背景技術(shù)：
作為成為本發(fā)明的背景的技術(shù)，例如在國際公開第2006/134665號中公開了形成有以Sn作為主要成分的皮膜的構(gòu)件、皮膜形成方法及焊料處理方法(參照專利文獻I)。從近年的環(huán)境保護的觀點出發(fā)，若在連接器用端子、半導(dǎo)體集成電路用的引線框等上通過不含Pb的以Sn作為主要成分的金屬鍍覆來代替以往實施的Sn-Pb鍍焊而形成皮膜，則在皮膜上容易產(chǎn)生被稱為晶須的Sn的須狀晶體。若晶須產(chǎn)生并生長，則有時在鄰接、的電極間引起電短路故障。此外，若晶須從皮膜脫離并飛散，則飛散的晶須成為在裝置內(nèi)外引起短路的原因。就專利文獻I中公開的技術(shù)而言，其目的在于提供能夠抑制這樣的晶須的產(chǎn)生的具有皮膜的構(gòu)件，特別是在以Sn作為主要成分的皮膜中，在Sn的晶界中形成Sn與Ni等第I金屬的金屬間化合物層?，F(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :國際公開第2006/134665號

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明所要解決的問題然而，就專利文獻I中公開的皮膜而言，當(dāng)進行被視為業(yè)界的標(biāo)準(zhǔn)的JEDEC規(guī)格所規(guī)定的以下所示的熱沖擊試驗時，無法達到Class 2的判定基準(zhǔn)。熱沖擊試驗 試樣數(shù)目(n個)3批X6個/批=I 8個 試驗條件作為最低溫度的_55°C (+0/-10)，作為最高溫度的85°C (+10/-0)，在各溫度下保持10分鐘，以氣相式提供1500循環(huán)的熱沖擊。 觀察方法使用掃描型電子顯微鏡(SEM)以1000倍的電子顯微鏡照片圖像進行。 判定基準(zhǔn)適用Class 2 (通信用基礎(chǔ)設(shè)備、汽車用設(shè)備)，晶須最大長度(直線長度)為45iim以下。因此，在具有含Sn的鍍Sn皮膜的例如層疊陶瓷電容器等電子部件中，期望飛躍地提聞抑制晶須的能力。因此，本發(fā)明的主要目的在于提供飛躍地提高了抑制晶須的能力的電子部件。用于解決問題的手段本發(fā)明為一種電子部件，其是具有鍍Sn皮膜的電子部件，其特征在于，鍍Sn皮膜具有Sn多晶結(jié)構(gòu)，在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)分別形成有Sn-Ni合金粒子。
在本發(fā)明所述的電子部件中，Sn-Ni合金粒子優(yōu)選形成薄片狀的形狀。此外，在本發(fā)明所述的電子部件中，優(yōu)選按照與鍍Sn皮膜的內(nèi)側(cè)接觸的方式形成有鍍Ni皮膜。這種情況下，優(yōu)選在鍍Sn皮膜中的與鍍Ni皮膜接觸的Sn晶粒內(nèi)，平均存在3個以上的Sn-Ni合金粒子。本發(fā)明所述的電子部件中，由于在電子部件的鍍Sn皮膜中，在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)形成有Sn-Ni合金粒子，所以抑制晶須的能力飛躍地提高。這是由于，認為通過制成這樣的構(gòu)成，從而鍍Sn皮膜中的壓縮應(yīng)力得到緩和，產(chǎn)生晶須的起點被分散，用于產(chǎn)生晶須的
能量變小。像本發(fā)明所述的電子部件那樣，為了在鍍Sn皮膜中的Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)形成Sn-Ni合金粒子，例如，可以通過作為鍍Sn皮膜對含Ni的其他的皮膜的表面實施鍍Sn且在比較低的溫度下進行長時間熱處理，或者，可以通過作為鍍Sn皮膜實施Sn含量比Ni的含·量多的Sn-Ni合金鍍覆即富Sn的Sn-Ni合金鍍覆且在比較低的溫度下進行熱處理。若這樣實施Sn-Ni合金鍍覆來代替實施鍍Sn，則由于在鍍覆中預(yù)先存在Ni，所以能夠縮短熱處理時間。另外，若鍍Sn皮膜的熱處理溫度過于高溫，則生成穩(wěn)定的Ni3Sn4相，Ni的擴散停止，并且在鍍Sn皮膜中僅產(chǎn)生Sn-Ni合金的球狀晶體，所以無法期待應(yīng)力緩和效果，得不到抑制晶須的效果。在本發(fā)明所述的電子部件中，為了進一步提高抑制的晶須效果，優(yōu)選Sn-Ni合金粒子形成薄片狀的形狀，進而，特別優(yōu)選按照與鍍Sn皮膜的內(nèi)側(cè)接觸的方式形成有鍍Ni皮膜，在鍍Sn皮膜中的與鍍Ni皮膜接觸的Sn晶粒內(nèi)，平均存在3個以上的Sn-Ni合金粒子。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，能夠得到飛躍地提高了抑制晶須的能力的電子部件。本發(fā)明的上述目的、其它目的、特征及優(yōu)點根據(jù)參照附圖進行的以下的具體實施方式
的說明變得更加清楚。


圖I是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的一個例子的剖面圖解圖。圖2是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的其它例子的剖面圖解圖。圖3是將實施例I的層疊陶瓷電容器中作為最外層的第2鍍覆皮膜中的Sn溶解剝離后的第I鍍覆皮膜的表面的電子顯微鏡照片圖像。圖4是將實施例2的層疊陶瓷電容器中作為最外層的第3鍍覆皮膜中的Sn溶解剝離后的第2鍍覆皮膜的表面的電子顯微鏡照片圖像。圖5是將比較例I的層疊陶瓷電容器中作為最外層的第2鍍覆皮膜中的Sn溶解剝離后的第I鍍覆皮膜的表面的電子顯微鏡照片圖像。圖6是將比較例2的層疊陶瓷電容器中作為最外層的第2鍍覆皮膜中的Sn溶解剝離后的第I鍍覆皮膜的表面的電子顯微鏡照片圖像。圖7是實施例I的層疊陶瓷電容器中沿第I鍍覆皮膜及第2鍍覆皮膜的厚度方向切斷而成的截面的電子顯微鏡照片圖像。圖8是實施例2的層疊陶瓷電容器中沿第I鍍覆皮膜、第2鍍覆皮膜及第3鍍覆皮膜的厚度方向切斷而成的截面的電子顯微鏡照片圖像。
圖9是比較例I的層疊陶瓷電容器中沿第I鍍覆皮膜及第2鍍覆皮膜的厚度方向切斷而成的截面的電子顯微鏡照片圖像。圖10是比較例2的層疊陶瓷電容器中沿第I鍍覆皮膜及第2鍍覆皮膜的厚度方向切斷而成的截面的電子顯微鏡照片圖像。
具體實施例方式圖I是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的一個例子的剖面圖解圖。圖I所示的層疊陶瓷電容器10包含長方體狀的陶瓷元件12。陶瓷元件12包含例如由鈦酸鋇系的電介體陶瓷構(gòu)成的多個陶瓷層14作為電介體。這些陶瓷層14被層疊，并在陶瓷層14間交替形成例如由Ni形成的內(nèi)部電極16a及16b。這種情況下，內(nèi)部電極16a的一端部延伸到陶瓷元件12的一端部而形成。此外，內(nèi)部電極16b的一端部延伸到陶瓷元件12的另一端部而形成。 進而，內(nèi)部電極16a及16b按照中間部及另一端部隔著陶瓷層14重疊的方式形成。因此，該陶瓷元件12具有在內(nèi)部隔著陶瓷層14設(shè)置有多個內(nèi)部電極16a及16b的層
疊結(jié)構(gòu)。在陶瓷元件12的一端面，按照端子電極I 8a與內(nèi)部電極16a連接的方式形成。同樣地，在陶瓷元件12的另一端面，按照端子電極I Sb與內(nèi)部電極16b連接的方式形成。端子電極18a包括例如由Cu形成的外部電極20a。外部電極20a按照與內(nèi)部電極16a連接的方式形成于陶瓷元件12的一端面。同樣地，端子電極I Sb例如包括由Cu形成的外部電極20b。外部電極20b按照與內(nèi)部電極16b連接的方式形成于陶瓷元件12的另一端面。此外，在外部電極20a及20b的表面，作為鍍Ni皮膜，為了防止焊料浸出而分別形成含Ni的第I鍍覆皮膜22a及22b。進而，在第I鍍覆皮膜22a及22b的表面，作為成為最外層的鍍Sn皮膜，為了改良軟釬焊性而分別形成含Sn的第2鍍覆皮膜24a及24b。這些第2鍍覆皮膜24a及24b分別具有Sn多晶結(jié)構(gòu),在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)分別形成Sn-Ni合金粒子。這種情況下,Sn-Ni合金粒子形成薄片狀的形狀。此外，第2鍍覆皮膜24a及24b分別在與含Ni的第I鍍覆皮膜22a或22b接觸的Sn晶粒中，在平均I個Sn晶粒內(nèi)存在3個以上的薄片狀的Sn-Ni合金粒子。此時，更顯著地發(fā)揮本發(fā)明的效果。接著，對用于制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10的層疊陶瓷電容器的制造方法的一個例子進行說明。首先，準(zhǔn)備陶瓷生片、內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑及外部電極用導(dǎo)電性糊劑。在陶瓷生片或各種導(dǎo)電性糊劑中包含粘合劑及溶劑，但可以使用公知的有機粘合劑或有機溶劑。接著，在陶瓷生片上，例如通過絲網(wǎng)印刷等以規(guī)定的圖案印刷內(nèi)部電極用導(dǎo)電性糊劑，形成內(nèi)部電極圖案。然后，層疊規(guī)定片數(shù)的未印刷內(nèi)部電極圖案的外層用陶瓷生片，在其上依次層疊印刷有內(nèi)部電極圖案的陶瓷生片，在其上層疊規(guī)定片數(shù)的外層用陶瓷生片，從而制作母層疊體。
此后，通過靜壓壓制等手段沿層疊方向?qū)δ笇盈B體進行壓制。然后，將經(jīng)壓制的母層疊體切割成規(guī)定的尺寸，切出未加工的陶瓷層疊體(rawceramic laminate)。另外,此時,通過滾磨等使未加工的陶瓷層疊體的角部或棱部變得圓潤。此后，對未加工陶瓷層疊體進行燒成。這種情況下，燒成溫度也依賴于陶瓷層14或內(nèi)部電極16a、l 6b的材料，但優(yōu)選為900°C 1300°C。燒成后的陶瓷層疊體變成由層疊陶瓷電容器10的陶瓷層I 4及內(nèi)部電極16a、16b構(gòu)成的陶瓷元件12。然后，通過在燒成后的陶瓷層疊體的兩端面涂布外部電極用導(dǎo)電性糊劑，并進行燒結(jié)，從而形成端子電極18a及18b的外部電極20a及20b。此后，通過對第I外部電極20a的表面及第2外部電極20b的表面分別實施例如鍍Ni，從而形成第I鍍覆皮膜22a及22b。 然后，通過對第I鍍覆皮膜22a及22b的表面分別實施含Sn的金屬鍍覆且進行熱處理，從而形成第2鍍覆皮膜24a及24b。這種情況下，通過對第I鍍覆皮膜22a及22b的表面實施例如鍍Sn且在比較低的溫度下進行長時間熱處理，從而形成第2鍍覆皮膜24a及24b。如上所述，制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10。在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于作為最外層的第2鍍覆皮膜24a及24b分別具有Sn多晶結(jié)構(gòu)，同時不僅Sn晶界,而且在Sn晶粒內(nèi)也形成Sn-Ni合金粒子,所以晶須的抑制能力飛躍地提高。因此，在該層疊陶瓷電容器10中，能夠進一步防止晶須作為原因的短路故障。此外，在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于作為最外層的第2鍍覆皮膜24a及24b分別含Sn，所以軟釬焊性良好。進而，在圖I所示的層疊陶瓷電容器I 0中，由于第I鍍覆皮膜22a及22b分別含Ni，所以能夠防止焊料浸出。進而，在圖I所示的層疊陶瓷電容器10中，由于第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b等中不使用Pb，所以從環(huán)境保護的觀點來看也優(yōu)異。圖2是表示本發(fā)明所述的層疊陶瓷電容器的其它例子的剖面圖解圖。圖2所示的層疊陶瓷電容器10與圖I所示的層疊陶瓷電容器10相比，在含Ni的第I鍍覆膜22a及22b的表面分別形成含Sn及Ni的第2鍍覆膜24a及24b，作為成為中間層的鍍Sn皮膜或鍍Ni皮膜。進而，在第2鍍覆皮膜24a及24b的表面，為了改良軟釬焊性而分別形成含Sn的第3鍍覆皮膜26a及26b作為成為最外層的鍍Sn皮膜。圖2所示的層疊陶瓷電容器10中，第2鍍覆皮膜24a、24b及第3鍍覆皮膜26a、26b分別具有Sn多晶結(jié)構(gòu),在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)分別形成Sn-Ni合金粒子。這種情況下，Sn-Ni合金粒子形成薄片狀的形狀。此外，第2鍍覆皮膜24a及24b分別在Sn晶粒中，在平均I個Sn晶粒內(nèi)存在3個以上的薄片狀的Sn-Ni合金粒子。此外，第3鍍覆皮膜26a及26b分別在與含Ni的第2鍍覆皮膜24a或24b接觸的Sn晶粒中，在平均I個Sn晶粒內(nèi)存在3個以上的薄片狀的Sn-Ni合金粒子。為了制造圖2所示的層疊陶瓷電容器10，首先，例如通過與制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10的上述方法相同的方法，從而形成陶瓷元件12、外部電極20a、20b及第I鍍覆皮膜 22a、22b。然后，通過對第I鍍覆皮膜22a及22b的表面分別實施含Sn及Ni的合金鍍覆且進行熱處理，從而形成第2鍍覆皮膜24a及24b，通過對第2鍍覆皮膜24a及24b的表面分別實施含Sn的金屬鍍覆且進行熱處理，從而形成第3鍍覆皮膜26a及26b。這種情況下，通過對第I鍍覆皮膜22a及22b的表面例如實施Sn-Ni合金鍍覆，對Sn-Ni合金鍍覆的表面實施鍍Sn，并且在比較低的溫度下進行熱處理，從而形成第2鍍覆皮膜24a、24b及第3鍍覆皮膜 26a、26b。如上所述，制造圖2所示的層疊陶瓷電容器10。在圖2所示的層疊陶瓷電容器10中，與圖I所示的層疊陶瓷電容器10同樣地，發(fā)揮晶須的抑制能力飛躍提高，軟釬焊性良好，能夠防止焊料浸出(solder leach)，從環(huán)境保護的觀點來看也優(yōu)異的效果。 進而，在圖2所示的層疊陶瓷電容器10中，由于與圖I所示的層疊陶瓷電容器10相比，在第I鍍覆皮膜22a、22b以外的成為第2鍍覆皮膜24a、24b的鍍覆中預(yù)先存在Ni，所以還發(fā)揮能夠縮短熱處理時間的效果。(實驗例)在實驗例中，制造以下所示的實施例I、實施例2、比較例I及比較例2的層疊陶瓷電容器，對于這些層疊陶瓷電容器評價鍍覆皮膜中的晶須。(實施例I)在實施例I中，通過制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10的上述方法，制造圖I所示的層疊陶瓷電容器10。這種情況下，將層疊陶瓷電容器10的外形尺寸設(shè)定為長度2. 0mm、寬度I. 25mm、高度I. 25mm。此外，作為陶瓷層14 (電介體陶瓷)，使用鈦酸鋇系電介體陶瓷。進而，作為內(nèi)部電極16a、16b的材料，使用Ni。進而，作為外部電極20a、20b的材料，使用Cu。此外，在實施例I中，在下面的條件下形成第I鍍覆皮膜22a、22b及第2鍍覆皮膜24a、24b。(I)關(guān)于鍍覆浴 用于形成第I鍍覆皮膜的鍍覆浴使用通常稱為瓦特浴的鍍Ni浴。 用于形成第2鍍覆皮膜的鍍覆浴作為金屬鹽使用硫酸錫，作為絡(luò)合劑使用檸檬酸，作為光澤劑使用添加有季銨鹽或含有烷基甜菜堿的表面活性劑的任一者或兩者的弱酸性的鍍Sn浴(檸檬酸系弱酸性浴)。(2)關(guān)于電流密度及通電時間 第I鍍覆皮膜按照以電流密度Dk = 2.0 [A/dm2]皮膜能夠以厚度5 y m 10 y m形成的方式控制通電時間。 第2鍍覆皮膜按照以電流密度Dk= 1.0 [A/dm2]皮膜能夠以厚度5 y m 10 y m形成的方式控制通電時間。(3)關(guān)于鍍覆工藝 用于形成第I鍍覆皮膜及第2鍍覆皮膜的鍍覆工藝使用容積300ml的水平轉(zhuǎn)筒進行。
進而，在實施例I中，在第2鍍覆皮膜24a、24b中，不僅Sn晶界而且在Sn晶粒內(nèi)也形成Sn-Ni合金粒子的方法如下所述。對外部電極20a、20b的表面實施鍍Ni作為第I鍍覆皮膜22a、22b，對鍍Ni的表面實施鍍Sn作為第2鍍覆皮膜24a、24b，并且在40°C下進行200天的熱處理。(實施例2)在實施例2中，通過制造圖2所示的層疊陶瓷電容器10的上述方法，制造圖2所示的層疊陶瓷電容器10。這種情況下，在實施例2中，首先，通過與實施例I相同的方法，形成陶瓷元件12、外部電極20a、20b及第I鍍覆皮膜22a、22b。然后，在實施例2中，對第I鍍覆皮膜22a、22b的表面實施Sn-Ni合金鍍覆作為第2鍍覆皮膜24a、24b，對Sn-Ni合金鍍覆的表面實施鍍Sn作為第3鍍覆皮膜26a、26b，并且在40°C下進行96小時熱處理，形成第2鍍覆皮膜24a、24b及第3的鍍覆皮膜26a、26b。 這里,用于實施Sn-Ni合金鍍覆的Sn-Ni合金鍍覆浴的組成如下所述。
NiCl2 2H20 :0. 015mol/L SnCl2 2H20 :0. 135mol/L K4P2O7 0. 45mol/L 甘氨酸0. 15mol/L該Sn-Ni合金鍍覆浴按照所形成的Sn-Ni合金鍍覆中的Sn/Ni濃度達到85atm%/15atm%的方式調(diào)整。對于第I鍍覆皮膜22a、22b的表面，在該Sn-Ni合金鍍覆浴(Sn濃度90atm%、Ni濃度10atm% )中，以電流密度Dk = 0. 5 [A/dm2]實施厚度4iim 8iim的Sn-Ni合金鍍覆。此外，對Sn-Ni合金鍍覆的表面在上述鍍Sn浴中實施厚度2 y m 5 y m的鍍Sn。(比較例I)在比較例I中，通過與實施例I同樣的方法，制造與圖I所示的層疊陶瓷電容器10同樣的層疊陶瓷電容器。這種情況下，作為熱處理，在70°C下進行8分鐘熱處理。(比較例2)在比較例2中，通過與實施例I同樣的方法，制造與圖I所示的層疊陶瓷電容器10同樣的層疊陶瓷電容器。這種情況下，作為熱處理，在150°C下進行3小時熱處理。接著，對實施例I、實施例2、比較例I及比較例2的各層疊陶瓷電容器，依據(jù)以下所示的JEDEC標(biāo)準(zhǔn)來評價鍍覆皮膜中的晶須。 試樣數(shù)目(n個)3批X6個/批=I 8個 試驗條件作為最低溫度的_55°C (+0/-10)，作為最高溫度的85°C (+10/-0)，在各溫度下保持10分鐘，以氣相式，給予1500循環(huán)的熱沖擊。 觀察方法使用掃描型電子顯微鏡(SEM)以1000倍的電子顯微鏡照片圖像進行。 判定基準(zhǔn)應(yīng)用Class 2 (通信用基礎(chǔ)設(shè)備、汽車用設(shè)備)，將晶須最大長度(直線長度)為45 y m以下的情況判斷為良好，將為46 y m以上的情況判斷為不佳。圖3 圖6中，示出將實施例I、實施例2、比較例I及比較例2的各層疊陶瓷電容器中作為最外層的鍍覆皮膜中的Sn溶解而剝離后的鍍覆皮膜的表面的電子顯微鏡照片圖像，圖7 圖10中，示出實施例I、實施例2、比較例I及比較例2的各層疊陶瓷電容器中沿鍍覆皮膜的厚度方向切斷的截面的電子顯微鏡照片圖像。
其結(jié)果是，實施例I中，晶須最大長度為30 u m,良好，實施例2中，晶須最大長度為20 u m,為更良好。另一方面，比較例I中，晶須最大長度為70 u m,不佳，比較例2中，晶須最大長度為100 V- m,進一步不佳。這是由于，實施例I及實施例2中，在含Sn的鍍Sn皮膜中，不僅Sn晶界而且在Sn晶粒內(nèi)也形成多數(shù)薄片狀的Sn-Ni合金粒子，由此大幅抑制了晶須的生長。此外，在像實施例I那樣對鍍Ni的表面實施鍍Sn且在40°C這樣比較低的溫度下進行200天這樣的長時間熱處理的情況及像實施例2那樣實施Sn-Ni合金鍍覆且對Sn-Ni合金鍍覆的表面實施鍍Sn且在40°C這樣比較低的溫度下進行96小時這樣的短時間熱處理的情況的任意情況下，能夠確認到良好地抑制晶須的效果。另一方面，在比較例I中，由于雖然是比實施例I及實施例2中的40°C高的70°C但僅進行8分鐘這樣非常短時間的熱處理，所以在作為最外層的含Sn的鍍Sn皮膜中，僅在 Sn晶界中形成薄片狀的Sn-Ni合金粒子，晶須抑制效果也低。此外，在比較例2中，由于在150°C這樣非常高的溫度下進行熱處理，所以在作為最外層的含Sn的鍍Sn皮膜中，僅在Sn晶界中并且僅形成Sn-Ni合金的球狀晶體，抑制晶須的效果也進一步低。另外，在實施例I中，作為第2鍍覆皮膜24a、24b的各自的厚度，選定晶須最容易延長的5 u m,但也確認第2鍍覆皮膜24a、24b的各自的厚度在I U m 10 y m的范圍內(nèi)能夠良好地抑制晶須。這樣，在實施例I及實施例2中，各鍍覆皮膜即使以其它厚度形成，也能夠良好地抑制晶須。例如，在實施例2中，即使將第2鍍覆皮膜24a、24b的各自的厚度設(shè)定為0. 5 y m
9.5um的范圍，也能夠良好地抑制晶須，即使將第3鍍覆皮膜26a、26b的各自的厚度設(shè)定為
0.5 ii m 9. 5 ii m的范圍，也能夠良好地抑制晶須。此外，在上述的實施例I及實施例2中，分別在特定的條件下進行熱處理，但即使在其它的條件下進行熱處理，也能夠良好地抑制晶須。例如，在實施例I中，即使在25°C 35°C這樣比較低的溫度下且進行240天 300天這樣的長時間熱處理，也能夠良好地抑制晶須。此外，在實施例2中，即使在25V 35°C這樣比較低的溫度下且進行110小時 150小時這樣的短時間熱處理，也能夠良好地抑制晶須。此外，在實施例I中，通過對鍍Ni的表面實施鍍Sn且在比較低的溫度下進行長時間熱處理，從而形成第2鍍覆皮膜，但也可以通過實施富Sn的Sn-Ni合金鍍覆來代替鍍Sn且在比較低的溫度下進行短時間熱處理，從而形成作為成為最外層的鍍Sn皮膜的第2鍍覆皮膜。若這樣形成第2鍍覆皮膜，由于實施富Sn的Sn-Ni合金鍍覆且進行熱處理，所以軟釬焊性雖稍微降低但良好，并且能夠良好地抑制晶須。在上述的實施方式、實施例I及實施例2中，作為電介體，雖然可使用鈦酸鋇系的電介體陶瓷，但也可以使用例如鈦酸鈣系、鈦酸鍶系、鋯酸鈣系的電介體陶瓷來代替其。此夕卜，作為陶瓷層14的陶瓷材料，也可以使用例如添加有Mn化合物、Mg化合物、Si化合物、Co化合物、Ni化合物、稀土類化合物等副成分的陶瓷材料。
此外，在上述的實施方式、實施例I及實施例2中，作為內(nèi)部電極，雖然使用Ni，但也可以使用例如Cu、Ag、Pd、Ag-Pd合金、Au等來代替其。進而，在上述的實施方式、實施例I及實施例2中，作為外部電極，雖然使用Cu，也可以使用例如選自由Ag、Ag/Pd組成的組中的I種金屬或含有該金屬的合金來代替其。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明所述的電子部件特別適合用于例如高密度安裝的層疊陶瓷電容器等電子部件。符號的說明10層疊陶瓷電容器12陶瓷元件 14陶瓷層16a、16b內(nèi)部電極18a、18b端子電極20a、20b外部電極22a、22b第I鍍覆皮膜24a、24b第2鍍覆皮膜26a、26b第3鍍覆皮膜
權(quán)利要求
1.一種電子部件，其是具有鍍Sn皮膜的電子部件，其特征在于， 所述鍍Sn皮膜具有Sn多晶結(jié)構(gòu)，在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)分別形成有Sn-Ni合金粒子。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的電子部件，其中，所述Sn-Ni合金粒子形成薄片狀的形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或權(quán)利要求2所述的電子部件，其中，按照與所述鍍Sn皮膜的內(nèi)側(cè)接觸的方式形成有鍍Ni皮膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電子部件，其中，在所述鍍Sn皮膜中的與所述鍍Ni皮膜接觸的Sn晶粒內(nèi)，平均存在3個以上的所述Sn-Ni合金粒子。
全文摘要
本發(fā)明提供飛躍地提高了抑制晶須的能力的電子部件。作為電子部件的層疊陶瓷電容器(10)包括例如長方體狀的電子部件元件(12)。在電子部件元件(12)的一端面及另一端面形成端子電極(18a、18b)的外部電極(20a、20b)。在外部電極(20a、20b)的表面形成由鍍Ni形成的第1鍍覆皮膜(22a、22b)。在第1鍍覆皮膜(22a、22b)的表面形成含Sn的第2鍍覆皮膜(24a、24b)作為成為最外層的鍍Sn皮膜。第2鍍覆皮膜(24a、24b)具有多晶結(jié)構(gòu)，在Sn晶界及Sn晶粒內(nèi)分別形成薄片狀的Sn-Ni合金粒子。
文檔編號H01G4/232GK102779642SQ20121013849
公開日2012年11月14日 申請日期2012年5月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月11日
發(fā)明者元木章博, 增子賢仁, 小川誠, 藤原敏伸, 齊藤篤子 申請人:株式會社村田制作所