專利名稱：片式線圈元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種片式線圈元件，更具體地，涉及一種具有良好可靠性的片式線圈元件。
背景技術(shù)：
最近，隨著電子元件的小型化、薄型化和輕量化的趨勢(shì)，對(duì)于層疊式電子元件的需 求迅速增加。層疊式電感器包括由多個(gè)磁性層層疊而形成的主體、形成在主體的外表面上的外部端子、形成在主體內(nèi)的線圈部等。當(dāng)層疊式電感器安裝在基片上時(shí)，考慮到容易的表面安裝性等，外部端子可以形成在底面上。在這種情況下,通道導(dǎo)體(via conductor)沿直線設(shè)置，以允許在線圈部和外部端子之間形成電連接。通道導(dǎo)體通過(guò)將導(dǎo)電漿料填充在通道孔中然后燒結(jié)而形成。通常，用于形成通道導(dǎo)體的導(dǎo)電漿料具有設(shè)置在此處的孔隙(pore)。這些孔隙在燒結(jié)的過(guò)程中消除，然后是導(dǎo)電金屬粉末的硬化過(guò)程，因此，通道導(dǎo)體會(huì)收縮。當(dāng)通道導(dǎo)體沿直線設(shè)置時(shí)，由于通道導(dǎo)體的燒結(jié)收縮，通道導(dǎo)體之間的電連接會(huì)斷開。此外，即使通道導(dǎo)體整個(gè)偏離直線，通道導(dǎo)體之間的電連接可能會(huì)斷開。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面提供一種具有良好可靠性的片式線圈元件。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種片式線圈元件，該片式線圈元件包括主體，該主體由多個(gè)磁性層層疊而形成；外部端子，該外部端子形成在所述主體的表面上，該表面在所述主體的外表面中設(shè)置為安裝面；線圈部，該線圈部包括在所述磁性層的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電圖案分別形成在所述磁性層上；以及引出部，該引出部在所述磁性層的所述層疊方向上形成，并且將所述線圈部的端部和所述外部端子電連接，其中，所述引出部分別包括通道導(dǎo)體和通道墊，該通道導(dǎo)體通過(guò)穿透所述磁性層而形成，所述通道墊覆蓋所述通道導(dǎo)體，同時(shí)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離。形成在所述相鄰的磁性層中的所述通道導(dǎo)體的中心線之間的距離可以是50 Pm或者更大，并且所述通道導(dǎo)體之間的間隔距離可以是50 y m或者更小。所述通道導(dǎo)體可以設(shè)置為Z字形圖案。
所述通道墊可以為矩形或者圓形，并且所述通道墊的長(zhǎng)度或者直徑可以大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的兩倍加50 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。所述通道導(dǎo)體可以具有從所述線圈部的一端朝向所述外部端子變細(xì)的截錐形狀。所述通道導(dǎo)體可以設(shè)置為具有螺旋結(jié)構(gòu)。
所述通道導(dǎo)體可以包括作為所述螺旋結(jié)構(gòu)的單圈的四個(gè)通道導(dǎo)體。所述通道墊可以具有矩形的形狀，并且所述通道墊的寬度可以大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的兩倍加50 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。所述通道墊可以具有圓形的形狀，并且所述通道墊的直徑可以大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的2. 5倍加71 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度
的一半。


本發(fā)明的上述和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)下面結(jié)合附圖的詳細(xì)描述而更加清楚地理解，其中圖I是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的片式線圈元件的立體圖；圖2是沿圖I的線A-A’的橫截面視圖；以及圖3和圖4是沿線A-A’而獲得的圖2的投影部B的投影視圖(圖3中的(a)和圖4中的(a))以及沿磁性層的層疊方向的投影視圖(圖3中的(b)、圖3中的(C)、圖4中的(b)、圖4中的(C))。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在，本發(fā)明的實(shí)施方式將參考附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。但是，本發(fā)明可以通過(guò)很多不同的形式實(shí)現(xiàn)并且不應(yīng)該構(gòu)成為此處所述的具體實(shí)施方式
所限制的形式。本發(fā)明提供的具體實(shí)施方式
使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠更完整地理解本發(fā)明。在附圖中，出于清楚的目的，部件的形狀和尺寸可以夸大，相同的附圖標(biāo)記用于表示相同或相似的部件。片式線圈元件是包括線圈部的電子元件。具有在此類片式線圈元件中僅作為電感器的層疊式電感器。線圈部可以形成為元件的一部分，其它元件(例如電容器)可以形成為兀件的另一部分。在本發(fā)明中層疊式電感器將作為示例，但是本發(fā)明不限于此。圖I是根據(jù)本發(fā)明的一種實(shí)施方式的片式線圈元件的立體圖；以及圖2是沿圖I的線A-A’的橫截面視圖。結(jié)合圖I和圖2，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的片式線圈元件I可以包括主體10，該主體10由多個(gè)磁性層40層疊而形成；外部端子20、20’，該外部端子20、20’形成在主體的表面上，該表面在主體10的外表面中設(shè)置為安裝面；線圈部50，該線圈部50包括在磁性層40的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案30，導(dǎo)電圖案30形成在各自的磁性層40上；以及引出部31、31’，該引出部31、31’在磁性層40的層疊方向上形成，并且將線圈部50的端部和外部端子20、20’電連接，其中引出部31、31’分別包括通道導(dǎo)體100至103和通道墊(via pad) 110，該通道導(dǎo)體100至103分別貫穿磁性層40，通道墊110分別覆蓋通道導(dǎo)體100至103，同時(shí)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離。主體10可以由多個(gè)磁性層40層疊而形成。磁性漿料通過(guò)將磁性粉(例如鎳-鋅-銅鐵氧體等)與溶劑(例如乙醇等)一起混合，在其中加入粘結(jié)劑(例如聚乙烯醇等)、塑化劑(plasticizer)等,然后通過(guò)球磨法等混合并且分散來(lái)制備而成。磁性衆(zhòng)料可以通過(guò)刮勻涂裝法(doctor blade method)等印刷在例如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等的薄膜上，以形成磁性層。多個(gè)磁性層40可以層疊以形成主體10。外部端子20、20’可以形成在主體10的表面上，該表面在主體10的外表面中設(shè)置為安裝面。 當(dāng)外部端子20、20’均形成在安裝面上時(shí)，甚至可以不通過(guò)附屬結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)表面安裝。外部端子20、20’可以包括作為主要成分的導(dǎo)電金屬(例如銅等)和作為次要成分的玻璃質(zhì)(glass frit)等。外部端子20、20’可以通過(guò)浸入法(dipping method)形成,錫鍍層可以大致形成在各個(gè)外部端子20、20’上。通過(guò)分別形成在磁性層40上的導(dǎo)電圖案30，線圈部50可以在磁性層40的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)。 導(dǎo)電圖案30可以通過(guò)利用導(dǎo)電漿料形成，導(dǎo)電漿料通過(guò)將導(dǎo)電金屬(例如鎳等)、分散劑(dispersant)、塑化劑等混合在溶劑中，并且實(shí)施球研磨等來(lái)制備。導(dǎo)電圖案30可以通過(guò)絲網(wǎng)印刷法(screen printing method)等分別形成在磁性層40上。導(dǎo)電圖案30可以形成為具有各種形狀，導(dǎo)電圖案30可以通過(guò)通道導(dǎo)體(未圖示)連接。通道導(dǎo)體(未圖示)可以通過(guò)將導(dǎo)電漿料填充在通道孔中形成，通道孔通過(guò)刺穿磁性層40而形成。通過(guò)該連接，線圈部50可以大致形成為在磁性層40的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)。這樣，線圈部50具有螺旋結(jié)構(gòu)，因此電子元件可以起到電感器的作用。引出部31、31’分別可以包括分別貫穿磁性層40的通道導(dǎo)體和分別覆蓋通道導(dǎo)體的通道墊。形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線可以不對(duì)齊。此處，通道導(dǎo)體的中心線是指在沿磁性層的層疊方向的投影圖中沿磁性層40的層疊方向穿過(guò)通道導(dǎo)體的重心延伸的虛擬線。在分別形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線對(duì)齊的情況下，會(huì)發(fā)生電路斷開。在燒結(jié)時(shí)，在通道導(dǎo)體中會(huì)發(fā)生少量的收縮，盡管這種收縮依賴于在形成通道導(dǎo)體時(shí)使用的導(dǎo)電漿料的組分。在通道導(dǎo)體設(shè)置為通道導(dǎo)體的中心線對(duì)齊的情況下，考慮到所有的層疊的通道導(dǎo)體，即使在各個(gè)通道導(dǎo)體的收縮量很小的情況下，各個(gè)通道導(dǎo)體的燒結(jié)收縮會(huì)彼此結(jié)合以產(chǎn)生協(xié)同效應(yīng)。當(dāng)層疊的通道導(dǎo)體的燒結(jié)收縮量達(dá)到臨界點(diǎn)時(shí)，在某些層疊的通道導(dǎo)體中電連接會(huì)斷開。其被稱作“通道遺漏(via omission)”。但是，在分別形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離的情況下，在其中一個(gè)層疊的通道導(dǎo)體中會(huì)發(fā)生燒結(jié)收縮，但是對(duì)其它通道導(dǎo)體的影響較小。換句話說(shuō)，燒結(jié)收縮會(huì)發(fā)生在每個(gè)通道導(dǎo)體中，但是對(duì)于在所有的通道導(dǎo)體中不會(huì)引起與燒結(jié)收縮相關(guān)的協(xié)同效應(yīng)，因此不會(huì)發(fā)生通道遺漏現(xiàn)象。形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離的事實(shí)可以具有下面的含義。首先，形成在不相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線可以對(duì)齊。 例如，在第一至第三磁性層彼此鄰接的情況下，形成在第一磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線與形成在第二磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線不對(duì)齊，但是形成在第一磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線與形成在第三磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線可以對(duì)齊。與通道導(dǎo)體沿磁性層的層疊方向設(shè)置為Z字形圖案的情況相對(duì)應(yīng)的示例將在下面參考圖3進(jìn)行說(shuō)明。其次，只有形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離，當(dāng)沿磁性層的層疊方向投影時(shí)，上下相鄰的形成在磁性層中的通道導(dǎo)體才可以彼此部分重疊。形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線之間的距離可以為50iim或者更大，通道導(dǎo)體之間的間隔距離可以是50 y m或者更小。當(dāng)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線之間的距離為50iim或者更小時(shí)，由于通道導(dǎo)體之間的重疊區(qū)域較寬，導(dǎo)致在燒結(jié)時(shí)通道導(dǎo)體的收縮，進(jìn)而導(dǎo)致通道導(dǎo)體之間的電路連接會(huì)斷開。當(dāng)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體之間的間隔距離為50 y m或者更大時(shí)，通道墊的面積會(huì)過(guò)度增加，由通道導(dǎo)體和通道墊形成的導(dǎo)電通道延長(zhǎng)，因此會(huì)導(dǎo)致電阻過(guò)度增加。此處，間隔距離是指通道導(dǎo)體之間的最短距離，當(dāng)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體沿磁性層的層疊方向投影時(shí)，該通道導(dǎo)體不會(huì)彼此重疊并且彼此分離。引出部31、31’可以電連接于線圈部50的端部和外部端子20、20’。電流從外部流到一個(gè)外部端子并且電流從另一個(gè)外部端子流到外部。參考圖3和圖4說(shuō)明引出部31、31’。為了方便，形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體彼此間隔的情況將作為示例在圖3中說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此。圖3中的(a)是沿線A-A’投影圖2的B部分獲得的投影視圖(a)。為了方便，將描述一個(gè)引出部31的B部分，但是另一個(gè)引出部31’的B’部分與此相同，它們之間的區(qū)別僅在于引出部31’比引出部31長(zhǎng)。圖3中的(b)和圖3中的(C)是沿磁性層的層疊方向的投影視圖。圖3中的(b)顯示矩形的通道墊，圖3中的(C)顯示圓形的通道墊。結(jié)合圖3中的(a)，通道導(dǎo)體100至103可以彼此間隔形成Z字形圖案。S卩，引出部31可以由重復(fù)層疊的通道導(dǎo)體單元形成，兩個(gè)通道導(dǎo)體100和101是單個(gè)的單元。但是，形成在不相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和102的中心線可以對(duì)齊。如此，形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101的中心線不對(duì)齊，從而防止在燒結(jié)時(shí)發(fā)生通道導(dǎo)體收縮，從而防止由于燒結(jié)收縮造成的電路斷開。在形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101的中心線對(duì)齊的情況下，由于在燒結(jié)過(guò)程中通道導(dǎo)體收縮，通道導(dǎo)體之間會(huì)發(fā)生電路斷開。但是，本實(shí)施方式會(huì)避免該缺陷。通道導(dǎo)體100至103可以分別具有從線圈部50的一端朝向外部端子20變細(xì)的截錐形狀。當(dāng)通道導(dǎo)體100至103分別具有截錐形狀時(shí)，每個(gè)通道導(dǎo)體100至103和磁性層40之間的接觸面積會(huì)增加，因此通道導(dǎo)體100至103和磁性層40之間的結(jié)合強(qiáng)度會(huì)很好。 每個(gè)截錐形狀的通道導(dǎo)體100至103的上表面可以從線圈部朝向外部端子20設(shè)置。在這種情況下，截錐形狀的通道導(dǎo)體100的上表面可以與形成在相鄰的下磁性層中的截錐形狀的通道導(dǎo)體101的下表面相分離。在截錐形狀中，大直徑表面被稱作下表面,小直徑表面被稱作上表面。通道墊110可以分別覆蓋形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101。通道墊110可以擴(kuò)大到覆蓋形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101，因此通過(guò)通道墊110產(chǎn)生有效的電連接，從而即使在由于通道導(dǎo)體的設(shè)置變化而導(dǎo)致形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101之間不會(huì)發(fā)生直接的電連接的情況下，防止電路斷開。通道墊110可以形成為方形或者圓形。通道墊110可以形成為多邊形、橢圓形等。通道墊110的長(zhǎng)度(或直徑)足夠覆蓋通道導(dǎo)體100至103，通道墊的形狀不做具體限制。圖3中的(b)顯示通道墊110為方形的情況。通道墊110的長(zhǎng)度(C)可以大于由通道導(dǎo)體的直徑b的值的兩倍加50iim而獲得的值，但是小于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。通道墊的長(zhǎng)度(C)可以如下確定。S卩，當(dāng)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101的中心線之間的距離是50 U m或者更大時(shí)，通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 y m或者更小，與通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 ii m的情況相比，通道墊需要更大。當(dāng)通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 時(shí)，通道墊的最大長(zhǎng)度可以是由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍加50iim而獲得的值。因此，通道墊的長(zhǎng)度可以大于由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍加50 Pm而獲得的值。但是，在形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體100和101不設(shè)置為Z字形圖案的情況下，通道墊的寬度(c’)不需要大于通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍，但是只要大于通道導(dǎo)體的直徑(b)就足夠。在通道墊的長(zhǎng)度大于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半的情況下，形成在引出部31中的通道墊可以與形成在引出部31’中的通道墊接觸。因此，通道墊的長(zhǎng)度需要小于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。圖3中的(C)顯示通道墊110為圓形的情況。通道墊的直徑(C)可以大于由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍加50 Pm而獲得的值，但是小于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。通道墊的直徑(C)的數(shù)值范圍與如上所述的相同。在通道墊110為橢圓形的情況下，通道墊110的直徑可以適當(dāng)調(diào)整，使得通道墊110覆蓋通道導(dǎo)體100至103。在本實(shí)施方式中，通道導(dǎo)體100至103可以設(shè)置為具有螺旋結(jié)構(gòu)。下面，通道導(dǎo)體的螺旋結(jié)構(gòu)將參考圖4進(jìn)行說(shuō)明。 為了方便，下面將對(duì)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體彼此間隔的情況作為示例進(jìn)行說(shuō)明，但是本發(fā)明不限于此。圖4中的(a)是沿線A-A’投影圖2的B部分獲得的投影視圖(a)。為了方便，將對(duì)一個(gè)引出部31的B部分進(jìn)行描述，但是另一個(gè)引出部31’的B’部分與此相同，它們之間的區(qū)別在于引出部31’比引出部31長(zhǎng)。圖4中的(b)和圖4中的(C)是沿磁性層的層疊方向的投影視圖。圖4中的(b)顯示方形的通道墊，圖4中的(c)顯示圓形的通道墊。結(jié)合圖4中的(a)，四個(gè)通道導(dǎo)體100至103可以設(shè)置為具有螺旋結(jié)構(gòu)。g卩，四個(gè)通道導(dǎo)體100至103可以是單個(gè)的單元，以構(gòu)成螺旋結(jié)構(gòu)的單個(gè)循環(huán)(turn)o第一通道導(dǎo)體100可以連接于線圈部50的端子。第二通道導(dǎo)體101可以形成在第一通道導(dǎo)體100的相鄰的下磁性層中。第二通道導(dǎo)體101可以與第一通道導(dǎo)體100相分離，從而不與第一通道導(dǎo)體100重疊。第一通道導(dǎo)體100和第二通道導(dǎo)體101之間的電連接可以通過(guò)通道墊110保持。第三通道導(dǎo)體102可以形成在第二通道導(dǎo)體101的相鄰的下磁性層中，并且可以與沿寬度方向連接第一通道導(dǎo)體100和第二通道導(dǎo)體101的虛擬延長(zhǎng)線相分離。第二通道導(dǎo)體101和第三通道導(dǎo)體102之間的電連接可以通過(guò)通道墊110保持。第四通道導(dǎo)體103可以形成在第三通道導(dǎo)體102的相鄰的下磁性層中，并且可以與沿長(zhǎng)度方向連接第二通道導(dǎo)體101和第三通道導(dǎo)體102的虛擬延長(zhǎng)線相分離。第三通道導(dǎo)體102和第四通道導(dǎo)體103之間的電連接可以通過(guò)通道墊110保持。螺旋結(jié)構(gòu)的單圈可以從第一通道導(dǎo)體100到達(dá)第四通道導(dǎo)體103。當(dāng)沿磁性層的層疊方向觀察時(shí)，第一至第四通道導(dǎo)體可以設(shè)置為方形。引出部可以通過(guò)層疊螺旋結(jié)構(gòu)的單圈而形成。第一通道導(dǎo)體100至第四通道導(dǎo)體103彼此間隔設(shè)置，但是他們之間的電連接通過(guò)通道墊110保持。為了保持第一通道導(dǎo)體100至第四通道導(dǎo)體103之間的電連接，通道墊的長(zhǎng)度(或直徑)足夠大以覆蓋通道導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)。圖4中的(b)顯示通道墊為矩形的情況。通道墊的寬度(C)可以大于由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍加50 而獲得的值，但是小于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。通道墊的寬度(C)大于由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的兩倍加50 而獲得的值，這種限制是由于形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線之間的距離是50 或者更大并且通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 y m或者更小的事實(shí)。更詳細(xì)的說(shuō)明與如上所述的相同。在通道墊的長(zhǎng)度大于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半的情況下，形成在引出部31中的通道墊可以與形成在引出部31’中的通道墊接觸。在通道墊110為多邊形而不是矩形的情況下，通道墊110的長(zhǎng)度可以適當(dāng)調(diào)整，使得通道墊110覆蓋通道導(dǎo)體100至103。圖4中的(C)顯示通道墊為圓形的情況。 通道墊的直徑可以大于由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的2. 5倍加71 Pm而獲得的值，而小于片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。通道墊的直徑可以大于由通道導(dǎo)體的直徑的值的2. 5倍加71 而獲得的值。這是由于形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線之間的距離是50 或者更大，并且通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 y m或者更小的事實(shí)。S卩，即使在通道導(dǎo)體設(shè)置為具有最大間隔距離的情況下，通道墊需要覆蓋通道導(dǎo)體。因此，考慮在通道導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)中的最大間隔距離而決定通道墊的直徑。在四個(gè)通道導(dǎo)體以間距50 Pm彼此間隔的情況下，他們之間的間隔距離可以最大化。用于覆蓋所有通道導(dǎo)體的通道墊的直徑可以為由通道導(dǎo)體的直徑(b)的值的2. 414倍加70. 7 ii m而獲得的值。為了充分包括上述直徑值，通道墊的直徑可以設(shè)置為由通道導(dǎo)體的直徑的值的
2.5倍加71 iim而獲得的值。在通道墊110為橢圓形的情況下，通道墊110的直徑可以適當(dāng)調(diào)整，使得通道墊110覆蓋通道導(dǎo)體100至103。關(guān)于通道導(dǎo)體之間的距離和通道導(dǎo)體的截錐形狀的詳細(xì)說(shuō)明與如上所述的相同。在本實(shí)施方式中，四個(gè)通道導(dǎo)體100至103形成為單個(gè)單元并且具有螺旋結(jié)構(gòu)。但是，本發(fā)明不限于此。三個(gè)通道導(dǎo)體、五個(gè)通道導(dǎo)體、六個(gè)通道導(dǎo)體等可以形成為單個(gè)單元并且具有螺旋結(jié)構(gòu)，使得通道導(dǎo)體不重疊。例如，當(dāng)六個(gè)通道導(dǎo)體形成為具有螺旋結(jié)構(gòu)的單個(gè)單元時(shí)，通道導(dǎo)體可以相互之間呈60°角度而形成在相鄰的磁性層中。下面描述片式線圈元件的制造方法。每個(gè)磁性層40可以通過(guò)使用具有高導(dǎo)磁性(permeability)的鎳-鋅-銅基鐵氧體(nickel-zinc-copper based ferrite)粉末形成。具體地，磁性漿料可以通過(guò)將鐵氧體粉末與溶劑一起混合，在其中加入粘結(jié)劑、塑化劑、分散劑等，通過(guò)球磨混合合成的衆(zhòng)料(resultant slurry),然后進(jìn)行塑性變形并且減小壓力來(lái)制備。磁性電路基板(magnetic green sheet)可以通過(guò)將磁性衆(zhòng)料形成為使用刮勻涂裝法等然后干燥的片材制造。
通道導(dǎo)體100至103通過(guò)使用激光在磁性電路基板中提供通道孔，然后以包括銀、鈀、銅、金、鎳或者它們的合金作為主要成分的導(dǎo)電漿料填充通道孔而形成。通道墊110可以通過(guò)使用如通道導(dǎo)體100至103中的導(dǎo)電漿料形成。導(dǎo)電圖案30可以通過(guò)使用鎳導(dǎo)電漿料以絲網(wǎng)印刷法分別形成在磁性電路基板上。純磁性層(pure magnetic layer)、具有通道導(dǎo)體和通道墊的磁性層、具有導(dǎo)電圖案和通道導(dǎo)體的磁性層等可以通過(guò)接下來(lái)的擠壓、切割和燒結(jié)工序?qū)盈B。外部端子20、20’可以通過(guò)使用包含銅作為主要成分的導(dǎo)電漿料，以浸潰法等形成在主體10的外表面上。
在外部端子20、20’上可以形成鍍層，主要可以使用錫鍍層。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，能夠通過(guò)使用通道導(dǎo)體和通道墊連接線圈部和外部端子而獲得具有良好可靠性的片式線圈元件。當(dāng)結(jié)合示例性的實(shí)施方式顯示和說(shuō)明本發(fā)明時(shí)，在不脫離附屬權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以做出修改和變形對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。
權(quán)利要求
1.一種片式線圈元件，該片式線圈元件包括 主體,該主體由多個(gè)磁性層層疊而形成； 外部端子，該外部端子形成在所述主體的表面上，該表面在所述主體的外表面中設(shè)置為女裝面； 線圈部，該線圈部包括在所述磁性層的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電圖案分別形成在所述磁性層上；以及 引出部，該引出部在所述磁性層的所述層疊方向上形成，并且將所述線圈部的端部和所述外部端子電連接， 其中，所述引出部分別包括通道導(dǎo)體和通道墊，該通道導(dǎo)體通過(guò)穿透所述磁性層而形成，所述通道墊覆蓋所述通道導(dǎo)體，同時(shí)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式線圈元件，其中，形成在所述相鄰的磁性層中的所述通道導(dǎo)體的中心線之間的距離是50 y m或者更大，并且 所述通道導(dǎo)體之間的間隔距離是50 y m或者更小。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式線圈元件，其中，所述通道導(dǎo)體設(shè)置為Z字形圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的片式線圈元件，其中，所述通道墊為矩形或者圓形，并且 所述通道墊的長(zhǎng)度或者直徑大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的兩倍加50 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式線圈元件，其中，所述通道導(dǎo)體具有從所述線圈部的一端朝向所述外部端子變細(xì)的截錐形狀。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的片式線圈元件，其中，所述通道導(dǎo)體設(shè)置為具有螺旋結(jié)構(gòu)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的片式線圈元件，其中，所述通道導(dǎo)體包括作為所述螺旋結(jié)構(gòu)的單圈的四個(gè)通道導(dǎo)體。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的片式線圈元件，其中，所述通道墊具有矩形的形狀，并且 所述通道墊的寬度大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的兩倍加50 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的片式線圈元件，其中，所述通道墊具有圓形的形狀，并且 所述通道墊的直徑大于由所述通道導(dǎo)體的長(zhǎng)度或者直徑的值的2. 5倍加71 y m而獲得的值，但是小于所述片式線圈元件的長(zhǎng)度的一半。
全文摘要
提供一種片式線圈元件，該片式線圈元件包括主體，該主體由多個(gè)磁性層層疊而形成；外部端子，該外部端子形成在所述主體的表面上，該表面在所述主體的外表面中設(shè)置為安裝面；線圈部，該線圈部包括在所述磁性層的層疊方向上具有螺旋結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電圖案，該導(dǎo)電圖案分別形成在所述磁性層上；以及引出部，該引出部在所述磁性層的所述層疊方向上形成，并且將所述線圈部的端部和所述外部端子電連接，其中，所述引出部分別包括通道導(dǎo)體和通道墊，該通道導(dǎo)體通過(guò)穿透所述磁性層而形成，所述通道墊覆蓋所述通道導(dǎo)體，同時(shí)形成在相鄰的磁性層中的通道導(dǎo)體的中心線彼此偏離。
文檔編號(hào)H01F27/28GK102810382SQ20121014064
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
發(fā)明者鄭東晉, 具珍滸 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社