一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例公開了一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件具有倒置結(jié)構(gòu)，依次包括玻璃基底、陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，電子傳輸層的材質(zhì)為聚3,4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在電子傳輸層的材質(zhì)中，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.1~1%。另，本發(fā)明實施例還公開了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件，通過將炭氣凝膠懸浮液設(shè)置在倒置的陰極上，提高了出光效率，同時由于炭氣凝膠不易與空氣發(fā)生反應(yīng)，有效提高了器件穩(wěn)定性。本發(fā)明提供的有機電致發(fā)光器件制備方法，工藝簡單，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利說明】一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子器件相關(guān)領(lǐng)域，尤其涉及一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法。【背景技術(shù)】
[0002]1987年，美國Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究中的突破性進展。利用超薄薄膜技術(shù)制備出了高亮度，高效率的雙層有機電致發(fā)光器件(0LED)。在該雙層結(jié)構(gòu)的器件中，IOV下亮度達到lOOOcd/m2，其發(fā)光效率為1.511m/W、壽命大于100小時。
[0003]OLED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道(LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有軌道(HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復(fù)合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋放光能。
[0004]在傳統(tǒng)的發(fā)光器件中，一般都是以陽極玻璃基底為出光面，這種結(jié)構(gòu)中，光的出射會先經(jīng)過陽極導(dǎo)電材料的吸收反射，再進行一次玻璃的吸收和反射，最后才能出射到空氣中，而由于玻璃表面比較平整，且玻璃厚度較大，使光程加大，從而使更多的光往玻璃兩側(cè)折射出去，造成玻璃中出射到器件的光的幾率下降，最終影響發(fā)光效率。因此，光出射到空氣中的出射率很低的，大部分的光都損失在器件內(nèi)部，使這類發(fā)光器件的發(fā)光效率都偏低。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實施例所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種有機電致發(fā)光器件及其制備方法，通過將炭氣凝膠懸浮液設(shè)置在倒置的陰極上，提高了出光效率，同時由于炭氣凝膠不易與空氣發(fā)生反應(yīng)，有效提高了器件穩(wěn)定性。
[0006]本發(fā)明實施例提供了一種有機電致發(fā)光器件，該有機電致發(fā)光器件具有倒置結(jié)構(gòu)，依次包括玻璃基底、陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，所述電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述電子傳輸層的材質(zhì)中，所述炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.f 1%。
[0007]優(yōu)選地，玻璃基底為市售普通玻璃。
[0008]優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)。
[0009]優(yōu)選地，陰極的厚度為5?20nm ;更優(yōu)選地，陰極的厚度為10nm。
[0010]優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)或氟化鋰(LiF);更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化銫(CsF)。
[0011]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為f20nm ;更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為10nm。
[0012]電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在電子傳輸層的材質(zhì)中，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.f 1%。
[0013]優(yōu)選地，炭氣凝膠為中孔結(jié)構(gòu)，孔徑為2(T200nm。
[0014]炭氣凝膠為中孔結(jié)構(gòu)，孔徑較大，作為有機電致發(fā)光器件的電子傳輸層設(shè)置在倒置的陰極上，有利于電子的傳輸，導(dǎo)電性良好，米用倒置結(jié)構(gòu)時，電子傳輸層在玻璃基底一偵1J,光從這一方向出射，經(jīng)過電子傳輸層后，由于炭氣凝膠孔徑較大，可對光進行散射，將部分大于臨界角的光散射回去其他顆粒界面，使這部分的光入射角在臨界角范圍之內(nèi)，從而可以出射到空氣中，有效提高出光效率。同時，由于炭氣凝膠是單質(zhì)材料，純度高，合成成本低，性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣發(fā)生反應(yīng)，可有效提高發(fā)光器件穩(wěn)定性。
[0015]優(yōu)選地，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PED0T/PSS)的質(zhì)量分數(shù)為I?10%。
[0016]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為200?400nm。
[0017]在電子傳輸層的材質(zhì)中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PED0T/PSS)為主體，炭氣凝膠為客體。
[0018]優(yōu)選地，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)/聚苯磺酸鹽(PSS)水溶液中所述聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)與所述聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2:1。
[0019]優(yōu)選地,發(fā)光層的材質(zhì)為電子傳輸材料摻雜發(fā)光材料形成的混合材料。
[0020]優(yōu)選地，電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)0·[0021]優(yōu)選地，發(fā)光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。
[0022]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為N-芳基苯并咪唑(TPBI)摻雜三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0023]優(yōu)選地，在發(fā)光層的材質(zhì)中，發(fā)光材料的摻雜質(zhì)量分數(shù)為1%_20% ;更優(yōu)選地，在發(fā)光層的材質(zhì)中，發(fā)光材料的摻雜質(zhì)量分數(shù)為10%。
[0024]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?30nm ;更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0025]優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1_ 二 [4_[N，K - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB);更優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0026]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0027]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(wo3)。
[0028]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為40nm。
[0029]優(yōu)選地，陽極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陽極為鋁(Al)。
[0030]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm ;更優(yōu)選地，陽極的厚度為150nm。
[0031]相應(yīng)地，本發(fā)明實施例還提供了一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0032]提供清潔的玻璃基底，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層；
[0033]在所述電子注入層上涂布制備電子傳輸層，所述電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述電子傳輸層的材質(zhì)中，所述炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為ο.Γι% ；[0034]在所述電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0035]優(yōu)選地，玻璃基底為市售普通玻璃。
[0036]具體地，玻璃基底的清潔操作為:將玻璃基底進行光刻處理，剪裁成所需要的大小，依次用洗潔精，去離子水，丙酮，乙醇，異丙醇各超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物。
[0037]優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)、招(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陰極為銀(Ag)。
[0038]優(yōu)選地，陰極的厚度為5?20nm ;更優(yōu)選地，陰極的厚度為10nm。
[0039]優(yōu)選地，陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?0(Tl00(rC，真空度為1X10—3?I X KT5Pa。
[0040]優(yōu)選地，電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2C03)、氟化銫(CsF)或氟化鋰(LiF);更優(yōu)選地，電子注入層的材料為氟化銫(CsF)。
[0041]優(yōu)選地，電子注入層的厚度為f 20nm ;更優(yōu)選地，電子注入層的厚度為10nm。
[0042]優(yōu)選地，電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?0(T500°C，真空度為IXlO-3 ?IXlO-5Pa0
[0043]電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在電子傳輸層的材質(zhì)中，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.f 1%。
[0044]優(yōu)選地，電子傳輸層采用旋涂或刮涂的方式設(shè)置在電子注入層上。
[0045]優(yōu)選地，旋涂過程中，轉(zhuǎn)速為500?6000轉(zhuǎn)/分鐘，時間為5?30s。
[0046]優(yōu)選地，電子傳輸層制備完畢后，采用烘箱進行烘干。
[0047]優(yōu)選地，炭氣凝膠為中孔結(jié)構(gòu)，孔徑為2(T200nm。
[0048]優(yōu)選地，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)的質(zhì)量分數(shù)為I?10%。
[0049]優(yōu)選地，電子傳輸層的厚度為200?400nm。
[0050]在電子傳輸層的材質(zhì)中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)為主體，炭氣凝膠為客體。
[0051]優(yōu)選地，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)/聚苯磺酸鹽(PSS)水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與所述聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2:1。
[0052]在電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極。
[0053]優(yōu)選地,發(fā)光層的材質(zhì)為電子傳輸材料摻雜發(fā)光材料形成的混合材料。
[0054]優(yōu)選地，電子傳輸材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)0
[0055]優(yōu)選地，發(fā)光材料為雙(4，6-二氟苯基吡啶-N，C2)吡啶甲酰合銥(FIrpic)、二(2-甲基-二苯基[f，h]喹喔啉)(乙酰丙酮)合銥(Ir(MDQ)2(acac))或三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。
[0056]優(yōu)選地，發(fā)光層的材質(zhì)為N-芳基苯并咪唑(TPBI)摻雜三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)形成的混合材料。
[0057]優(yōu)選地，在發(fā)光層的材質(zhì)中，發(fā)光材料的摻雜質(zhì)量分數(shù)為1%_20% ;更優(yōu)選地，在發(fā)光層的材質(zhì)中，發(fā)光材料的摻雜質(zhì)量分數(shù)為10%。[0058]優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為5?30nm ;更優(yōu)選地，發(fā)光層的厚度為20nm。
[0059]優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1-二 [4-[N，N' -二(p-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)、4，4'，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -聯(lián)苯二胺(NPB);更優(yōu)選地，空穴傳輸層的空穴傳輸材料為1，1- 二 [4-[N，N' - 二(P-甲苯基)氨基]苯基]環(huán)己烷(TAPC)。
[0060]優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為2(T60nm ;更優(yōu)選地，空穴傳輸層的厚度為50nm。
[0061]優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(Mo03)、三氧化鎢(WO3)或五氧化二釩(V2O5);更優(yōu)選地，空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(wo3)。
[0062]優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為2(T80nm ;更優(yōu)選地，空穴注入層的厚度為40nm。
[0063]優(yōu)選地，發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00^5000C，真空度為 I X I(T3 ?I X l(T5Pa。
[0064]優(yōu)選地，陽極為銀(Ag)、鋁(Al)、鉬(Pt)或金(Au);更優(yōu)選地，陽極為鋁(Al)。
[0065]優(yōu)選地，陽極的厚度為8(T300nm ;更優(yōu)選地，陽極的厚度為150nm。
[0066]優(yōu)選地，陽極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?0(Tl000 °C，真空度為I X IO^lX IO^5Pa0
[0067]實施本發(fā)明實施例，具有如下有益效果:
[0068](I)本發(fā)明提供的具有倒置結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，電子傳輸層利用納米結(jié)構(gòu)的材料炭氣凝膠與聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)進行摻雜制備，設(shè)置在倒置的陰極上，使炭氣凝膠電子傳輸層在玻璃基底一側(cè)，對光進行散射，提高了出光效率；
[0069](2)本發(fā)明提供的具有倒置結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件，由于炭氣凝膠是單質(zhì)材料，純度高，合成成本低，性質(zhì)穩(wěn)定，不易與空氣發(fā)生反應(yīng)，可有效提高發(fā)光器件穩(wěn)定性，工藝簡單，適合大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0070]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0071]圖1是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)圖；
[0072]圖2是本發(fā)明實施例1提供的有機電致發(fā)光器件與對比實施例有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度的關(guān)系圖。
【具體實施方式】
[0073]下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0074]實施例1[0075]—種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0076](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層；
[0077]陰極為銀(Ag)，厚度為10nm。電子注入層的材料為氟化銫(CsF)，厚度為IOnm ;陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為lX10_4Pa。電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X 10_5Pa。
[0078](2)在電子注入層上旋涂制備電子傳輸層，然后放在烘箱烘干水分。
[0079]具體地，在本實施例中，電子傳輸層的材質(zhì)為質(zhì)量分數(shù)為6%的聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2: I，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.5%，炭氣凝膠的孔徑為40nm ;電子傳輸層的厚度為300nm。旋涂過程中，轉(zhuǎn)速為2000轉(zhuǎn)/分鐘，時間為18s。
[0080]( 3 )在電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0081]發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X IO-5Pa0陽極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0082]其中，發(fā)光層的材質(zhì)為TPBi摻雜(Ir(ppy)3)形成的混合材料(TPB1: (Ir (ppy) 3)),(IHppy)3)的摻雜質(zhì)量分數(shù)為10%，發(fā)光層厚度為20nm;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為50nm ;空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鎢(WO3)，厚度為40nm ;陽極為鋁(Al )，厚度為150nm。
[0083]圖1是本實施例的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)包括，玻璃基底10,陰極20,電子注入層30,電子傳輸層40,發(fā)光層50,空穴傳輸層60，空穴注入層70和陽極80。其中，電子傳輸層的材質(zhì)為質(zhì)量分數(shù)為6%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，電子傳輸層的厚度為300nm。該有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/Ag/CsF/ (PEDOT/PSS):炭氣凝膠(0.5wt%) /TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%) /TAPC/W03/A1。
[0084]為了更好地說明本發(fā)明實施例有機電致發(fā)光器件的優(yōu)良特性，特設(shè)置如下對比實施例:
[0085]制備有機電致發(fā)光器件，結(jié)構(gòu)為:IT0/W03/TAPC/TPB1: (Ir (ppy) 3) (10wt%)/Bphen/CsF/Ag。具體制備過程為:將ITO玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，然后將基板移入真空鍍膜系統(tǒng)中，依次蒸鍍空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層和陰極。其中，空穴注入層的材料為WO3,厚度為40nm ;空穴傳輸層的材料為TAPC，厚度為50nm ;發(fā)光層的材料為TPB1:1r (ppy) 3，Ir (ppy) 3的摻雜比例為10%，厚度為20nm ；電子傳輸層的材料為Bphen，厚度為300nm ；電子注入層的材料為CsF，厚度為IOnm;陰極為Ag，厚度為150nm。最后得到所需要的電致發(fā)光器件。
[0086]圖2是本實施例的有機電致發(fā)光器件與對比實施例有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度的關(guān)系圖。其中，曲線I為本實施例有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度的關(guān)系圖；曲線2為對比實施例有機電致發(fā)光器件的電壓與亮度的關(guān)系圖。
[0087]從圖2中可以看到，在8?16V的電壓下，本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度都比對比實施例有機電致發(fā)光器件的要大，其中，在IOV的電壓下，本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度為3830cd/m2，而對比實施例的僅為2380cd/m2。這說明，具有中孔結(jié)構(gòu)的炭氣凝膠作為器件的電子傳輸層，孔徑較大，有利于電子的傳輸，當采用倒置結(jié)構(gòu)時，由于炭氣凝膠孔徑較大，可對光進行散射，將部分大于臨界角的光散射回去其他顆粒界面，提高出光效率。
[0088]實施例2
[0089]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0090](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層；
[0091]陰極為鋁(Al)，厚度為5nm。電子注入層的材料為氟化鋰(LiF)，厚度為20nm ;陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為lX10_4Pa。電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為I X 10_5Pa。
[0092](2)在電子注入層上旋涂制備電子傳輸層，然后放在烘箱烘干水分。
[0093]具體地，在本實施例中，電子傳輸層的材質(zhì)為質(zhì)量分數(shù)為1%的聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2:1，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.1%，炭氣凝膠的孔徑為200nm ；電子傳輸層的厚度為400nm。旋涂過程中，轉(zhuǎn)速為500轉(zhuǎn)/分鐘，時間為5s。
[0094]( 3 )在電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0095]發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為I X IO-5Pa0陽極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0096]其中，發(fā)光層的材質(zhì)為TPBi摻雜(Ir (MDQ)2(acac))形成的混合材料(TPB1:(Ir (MDQ)2(acac) ))，(Ir (MDQ)2(acac))的摻雜質(zhì)量分數(shù)為2%，發(fā)光層厚度為20nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TCTA，厚度為60nm;空穴注入層的材質(zhì)為V2O5,厚度為20nm ;陽極為銀(Ag)，厚度為300nm。
[0097]本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/Al/LiF/ (PEDOT/PSS):炭氣凝膠(0.lwt%) /TPB1: (Ir (MDQ)2 (acac) ) (2wt%) /TCTA/V205/Ag，在 IOV 的電壓下，本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度為2456cd/m2。
[0098]實施例3
[0099]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0100](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層；
[0101]陰極為鉬(Pt)，厚度為20nm。電子注入層的材料為碳酸銫(Cs2CO3),厚度為15nm ;陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為lX10_4Pa。電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為I X 10?.[0102](2)在電子注入層上旋涂制備電子傳輸層，然后放在烘箱烘干水分。
[0103]具體地，在本實施例中，電子傳輸層的材質(zhì)為質(zhì)量分數(shù)為10%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，聚3，4- 二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2: I，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為2%，炭氣凝膠的孔徑為20nm ;電子傳輸層的厚度為200nm。旋涂過程中，轉(zhuǎn)速為6000轉(zhuǎn)/分鐘，時間為30s。
[0104](3)在電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0105]發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為I X IO-5Pa0陽極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0106]其中，發(fā)光層的材質(zhì)為TPBi摻雜FIrpic形成的混合材料(TPB1:FIrpic)，F(xiàn)Irpic的摻雜質(zhì)量分數(shù)為20%，發(fā)光層厚度為30nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為NPB，厚度為20nm ;空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(MoO3)，厚度為80nm ;陽極為金(Au),厚度為lOOnm。
[0107]本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/PVCs2CO3/ (PEDOT/PSS):炭氣凝膠(2wt%)/TPB1:FIrpic (20wt%)/NPB/Mo03/Au，在 IOV 的電壓下，本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度為3152cd/m2。
[0108]實施例4
[0109]一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0110](I)將玻璃基底依次用洗潔精，去離子水，超聲15min，去除玻璃表面的有機污染物，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層；
[0111]陰極為金(Au),厚度為15nm。電子注入層的材料為氟化鋰(LiF),厚度為Inm ;陰極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦?，蒸鍍溫度?00°C，真空度為lX10_4Pa。電子注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X 10_5Pa。
[0112]( 2 )在電子注入層上旋涂制備電子傳輸層，然后放在烘箱烘干水分。
[0113]具體地，在本實施例中，電子傳輸層的材質(zhì)為質(zhì)量分數(shù)為10%的聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液(PEDOT/PSS)摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，其中，聚3，4-二氧乙烯噻吩(PEDOT)與聚苯磺酸鹽(PSS)的質(zhì)量比為2: 1，炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為2%，炭氣凝膠的孔徑為150nm ;電子傳輸層的厚度為200nm。旋涂過程中，轉(zhuǎn)速為3500轉(zhuǎn)/分鐘，時間為15s
[0114](3)在電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
[0115]發(fā)光層、空穴傳輸層和空穴注入層的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X IO-5Pa0陽極的蒸鍍?yōu)檎婵照翦儯翦儨囟葹?00°C，真空度為I X 10_4Pa。
[0116]其中，發(fā)光層的材質(zhì)為Bphen摻雜(Ir (ppy) 3)形成的混合材料(Bphen: (Ir (ppy) 3) )，(Ir (ppy) 3)的摻雜質(zhì)量分數(shù)為6%,發(fā)光層厚度為12nm ;空穴傳輸層的材質(zhì)為TAPC，厚度為45nm ;空穴注入層的材質(zhì)為三氧化鑰(MoO3)，厚度為45nm ;陽極為金(Au)，厚度為 120nm。
[0117]本實施例提供的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)為:普通玻璃/Au/LiF/ (PEDOT/PSS):炭氣凝膠(2wt%) /Bphen: (Ir (ppy)3) (6wt%) /TAPC/Mo03/Au,在 IOV 的電壓下,本實施例有機電致發(fā)光器件的亮度為3670cd/m2。
[0118]以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應(yīng)當指出，對于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述有機電致發(fā)光器件具有倒置結(jié)構(gòu)，依次包括玻璃基底、陰極、電子注入層、電子傳輸層、發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和陽極，所述電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4- 二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述電子傳輸層的材質(zhì)中，所述炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.f 1%。
2.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述炭氣凝膠為中孔結(jié)構(gòu)，孔徑為20?200nm。
3.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液的質(zhì)量分數(shù)為廣10%。
4.如權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2:1。
5.如權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為200?400nm。
6.一種有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 提供清潔的 玻璃基底，在經(jīng)處理過的玻璃基底上依次蒸鍍陰極和電子注入層； 在所述電子注入層上涂布制備電子傳輸層，所述電子傳輸層的材質(zhì)為聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液摻雜炭氣凝膠形成的混合材料，在所述電子傳輸層的材質(zhì)中，所述炭氣凝膠的摻雜質(zhì)量分數(shù)為0.Γ?% ； 在所述電子傳輸層上依次蒸鍍發(fā)光層、空穴傳輸層、空穴注入層和金屬陽極，得到有機電致發(fā)光器件。
7.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件，其特征在于，所述炭氣凝膠為中孔結(jié)構(gòu)，孔徑為20?200nm。
8.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液的質(zhì)量分數(shù)為廣10%。
9.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述聚3，4-二氧乙烯噻吩/聚苯磺酸鹽水溶液中所述聚3，4- 二氧乙烯噻吩與所述聚苯磺酸鹽的質(zhì)量比為2: 10
10.如權(quán)利要求6所述的有機電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，所述電子傳輸層的厚度為20(T400nm。
【文檔編號】H01L51/54GK103427025SQ201210147378
【公開日】2013年12月4日 申請日期:2012年5月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月14日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 黃輝, 陳吉星 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司