專利名稱：一種射頻收發(fā)前端模塊及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基于QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的極大功率、極低噪聲射頻收發(fā)前端模塊及其制備方法，屬于移動(dòng)通信技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
第三代移動(dòng)通信和新一代寬帶移動(dòng)通信的TD-SCDMA和WIMAX系統(tǒng)、以及TD-LTE 系統(tǒng)均采用TDD模式，所以在基站系統(tǒng)中，發(fā)射通道功放(PA)到天線(ANT)和接收通道到天線(ANT)間需要一個(gè)大功率開(kāi)關(guān)SW來(lái)控制收發(fā)切換。發(fā)明專利《超大功率、超低噪聲射頻收發(fā)前端模塊及其制備方法》中，提到了一種大功率射頻收發(fā)前端模塊，它只滿足一定的功率條件下(功率不大于60W)的基站應(yīng)用。而現(xiàn)在及未來(lái)的TDD模式系統(tǒng)基站對(duì)功率有更高要求(功率要求100W以上)，并且對(duì)系統(tǒng)的小型化有更高要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提出一種適用于3G的TD-SCDMA和WIMAX及4G的 TD-LTE等TDD系統(tǒng)基站整機(jī)用的QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的極大功率、極低噪聲射頻收發(fā)前端模塊及其制備方法，目的之一旨在滿足TDD系統(tǒng)基站功放極大功率切換控制的工作條件，在射頻功率大于120W的條件下，能安全可靠工作，并且保證整機(jī)的接收通道具有極低的噪聲系數(shù)和更高的接收靈敏度。目的之二旨在提高接收前端的集成度，在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝中集成功率開(kāi)關(guān)和低噪放芯片，降低成本，優(yōu)化性能。本發(fā)明為解決上述技術(shù)問(wèn)題采用以下技術(shù)方案
一種射頻收發(fā)前端模塊，該模塊采用QFN 8 X 8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝，在QFN8 X 8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心的金屬襯底上設(shè)置有一個(gè)矩形的氮化鋁基板、以及一個(gè)砷化鎵低噪放芯片， 所述砷化鎵低噪放芯片分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的相應(yīng)引腳連接；所述氮化鋁基板表面上分別設(shè)置有五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中第一金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有N個(gè)接地孔，N為自然數(shù)；第二至第五金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板的四端；
在第一金屬涂覆層區(qū)域上的一端設(shè)置有第一芯片電容，在第二、第三金屬涂覆層區(qū)域中分別設(shè)置有第一、第二 PIN二極管芯片，在第四金屬涂覆層區(qū)域中設(shè)置有第三PIN二極管芯片以及第二芯片電容，在第五金屬涂覆層區(qū)域中設(shè)置有第四PIN 二極管芯片，由此共同構(gòu)成射頻收發(fā)前端模塊的收發(fā)開(kāi)關(guān)切換電路；其中
所述第一、第二 PIN 二極管芯片構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的發(fā)射通道；其中，所述第一 PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳連接，所述第二 PIN 二極管芯片與第一 PIN 二極管芯片以及QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接；
所述第三、第四PIN 二極管，第一、第二芯片電容，以及砷化鎵低噪放芯片構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的接收通道；其中，所述第三PIN 二極管分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳、第四PIN 二極管、第二芯片電容、以及QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3引腳連接；所述第四PIN 二極管分別與第一芯片電容、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳連接；所述第二芯片電容與砷化鎵低噪放芯片的輸入引腳連接。作為本發(fā)明的一種射頻收發(fā)前端模塊的優(yōu)選方案，所述第一、第二 PIN 二極管芯片的反向耐壓大于300V，結(jié)電容小于O. 2P，串聯(lián)電阻小于O. 5歐姆，熱阻小于15度/瓦；所述第三、第四PIN 二極管的反向耐壓大于200V，結(jié)電容小于O. 05P,串聯(lián)電阻小于O. 5歐姆。作為本發(fā)明的一種射頻收發(fā)前端模塊的優(yōu)選方案，第一、第二芯片電容為單層陶瓷芯片電容。本發(fā)明還提供一種基于該射頻收發(fā)前端模塊的制備方法，包括以下步驟
步驟I、在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心金屬襯底上用銀漿粘接氮化鋁基板、砷化鎵低噪放芯片；
步驟2、在氮化鋁基板上設(shè)置五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中第一金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有N個(gè)接地孔，N為自然數(shù)；第二至第五金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板 的四端；
步驟3、在氮化鋁基板上的金屬涂覆層區(qū)域中分別用銀漿粘接四個(gè)PIN 二極管芯片以及兩個(gè)芯片電容；其中第一芯片電容粘接在第一金屬涂覆層區(qū)域的一端，第一 PIN 二極管芯片粘接在第二金屬涂覆層區(qū)域中，第二 PIN 二極管芯片粘接在第三金屬涂覆層區(qū)域中， 第三PIN 二極管芯片以及第二芯片電容粘接在第四金屬涂覆層區(qū)域中，第四PIN 二極管芯片粘接在第五金屬涂覆層區(qū)域中；
步驟4、將第一PIN二極管與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，將第二 PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲與第二金屬涂覆層區(qū)域連接；將第三金屬涂覆層區(qū)域通過(guò)鍵合金絲與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接；
步驟5、將第三PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，之間通過(guò)鍵合金絲連接，將第四金屬涂覆層區(qū)域分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3 引腳、第四PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟6、將第五金屬涂覆層區(qū)域分別第一芯片電容、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟7、將第二芯片電容與砷化鎵低噪放芯片的輸入引腳通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟8、將砷化鎵低噪放芯片的各引腳分別與QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框的對(duì)應(yīng)管腳之間通過(guò)鍵合金絲連接。本發(fā)明采用以上技術(shù)方案與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有以下技術(shù)效果
1)可在QFN8X 8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)及低噪聲一體化，并在射頻連續(xù)波120W的大功率條件下能安全可靠工作；
2)滿足了TD-SCDMA、WIMAX及TD-LTE系統(tǒng)基站功放大功率切換控制的要求；滿足 TD-SCDMA, WIMAX及TD-LTE頻段接收通道的低噪聲系數(shù)和增益要求，整個(gè)接收前端噪聲系數(shù)低至O. 8dB,提高接收靈敏度；集成度高，成本低，性能優(yōu)。3)本發(fā)明是在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝內(nèi)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)及低噪聲模塊一體化，大大提高了模塊的集成度，優(yōu)化了性能。提高了產(chǎn)品的通用性，標(biāo)準(zhǔn)封裝的接收前端有更好的規(guī)?；a(chǎn)性，有效降低了產(chǎn)品成本。
4)由于采用多芯片組裝(MCM)技術(shù)，無(wú)論二極管芯片還是硅集成驅(qū)動(dòng)芯片和砷化鎵集成低噪聲芯片，均采用裸芯片直接粘接加工方法，從而降低了芯片與基板之間的熱阻， 并避免了封裝帶來(lái)的附加效應(yīng)對(duì)性能的影響，優(yōu)化了模塊電性能，使模塊的可靠性，產(chǎn)品電性能均得到提升，還降低了模塊的使用成本。5)采用高導(dǎo)熱氮化鋁(AlN)基板電路設(shè)計(jì)，而且高導(dǎo)熱AlN基板采用高導(dǎo)熱銀漿粘接在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝中心金屬襯底上，降低了 PIN 二極管芯片與應(yīng)用電路間的熱阻，采用這種設(shè)計(jì)，可以使前級(jí)開(kāi)關(guān)的容量更大，更可靠。本發(fā)明是針對(duì)TD-SCDMA及WIMAX以及TD-LTE等TDD通信標(biāo)準(zhǔn)的整機(jī)系統(tǒng)而研發(fā)的大功率開(kāi)關(guān)低噪聲一體化模塊。采用先進(jìn)的多芯片組裝技術(shù)(MCM)和多層陶瓷共燒技術(shù)， 標(biāo)準(zhǔn)封裝技術(shù)，產(chǎn)品在3G以及4G的TDD工作模式系統(tǒng)中具有更小損耗、更高隔離度、更大功率容量、更高的可靠性、更小的噪聲系數(shù)、更高的增益。


圖I是本發(fā)明的射頻收發(fā)前端模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中標(biāo)號(hào)A-氮化鋁基板； B-大功率PIN 二極管芯片； C-中功率二極管芯片；D、E-芯片電容；F_砷化鎵低噪放芯片； 1-16分別表示QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的16個(gè)引腳。圖2是氮化招基板示意圖；圖中標(biāo)號(hào)21表示接地孔,22表示金屬涂覆層區(qū)域。圖3是砷化鎵低噪放芯片示意圖。圖4是本發(fā)明的應(yīng)用示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案做進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明
如圖I所示，射頻收發(fā)前端模塊的結(jié)構(gòu)示意圖。在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框內(nèi)的中心金屬襯底上，設(shè)置有氮化鋁基板A、砷化鎵低噪放芯片F(xiàn)。在氮化鋁基板A的表面上分別設(shè)置有五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中一個(gè)金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有7個(gè)接地孔，該區(qū)域的一端設(shè)置有第一芯片電容E。
其余四個(gè)金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板的四個(gè)端角，并且每個(gè)金屬涂覆層區(qū)域中均設(shè)置有一個(gè)PIN 二極管芯片，其中一個(gè)金屬涂覆層區(qū)域中還增加了一個(gè)芯片電容 D0如圖I中的兩個(gè)大功率PIN 二極管芯片B相互串聯(lián)構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的發(fā)射通道；其中一個(gè)大功率PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳連接，另一個(gè)大功率PIN 二極管芯片通過(guò)基板的金屬層與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接。如圖I中的兩個(gè)中功率二極管芯片C，兩個(gè)芯片電容D、E,以及砷化鎵低噪放芯片構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的接收通道；其中一個(gè)中功率PIN 二極管C分別與QFN 8X8-16L 標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳、另一個(gè)中功率PIN 二極管C、芯片電容D、以及QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3引腳連接；同時(shí)，另一個(gè)中功率PIN 二極管C分別與芯片電容E、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳連接，構(gòu)成串并結(jié)合開(kāi)關(guān)電路。芯片電容D連接砷化鎵低噪放芯片，構(gòu)成接收通道。
該射頻收發(fā)前端模塊的制備方法，包括以下步驟
步驟I、在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心金屬襯底上用銀漿粘接氮化鋁基板、砷化鎵低噪放芯片；
步驟2、在氮化鋁基板上設(shè)置五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中第一金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有N個(gè)接地孔，N為自然數(shù)；第二至第五金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板的四端；
步驟3、在氮化鋁基板上的金屬涂覆層區(qū)域中分別用銀漿粘接四個(gè)PIN 二極管芯片以及兩個(gè)芯片電容；其中第一芯片電容粘接在第一金屬涂覆層區(qū)域的一端，第一 PIN 二極管芯片粘接在第二金屬涂覆層區(qū)域中，第二 PIN 二極管芯片粘接在第三金屬涂覆層區(qū)域中， 第三PIN 二極管芯片以及第二芯片電容粘接在第四金屬涂覆層區(qū)域中，第四PIN 二極管芯片粘接在第五金屬涂覆層區(qū)域中；
步驟4、將第一PIN二極管與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，將第二 PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲與第二金屬涂覆層區(qū)域連接；將第三金屬涂覆層區(qū)域通過(guò)鍵合金絲與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接；
步驟5、將第三PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，之間通過(guò)鍵合金絲連接，將第四金屬涂覆層區(qū)域分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3 引腳、第四PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟6、將第五金屬涂覆層區(qū)域分別第一芯片電容、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟7、將第二芯片電容與砷化鎵低噪放芯片的輸入引腳通過(guò)鍵合金絲連接；
步驟8、將砷化鎵低噪放芯片的各引腳分別與QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框的對(duì)應(yīng)管腳之間通過(guò)鍵合金絲連接。如圖I所示，其中引線連在空白處的是指接地。實(shí)施例
如圖2所示，氮化鋁基板A選用O. 2mm厚的氮化鋁，按照?qǐng)D2的電路示意圖進(jìn)行PCB 板電路圖設(shè)計(jì)，表面鍛金。板中接地孔的孔徑為O. 2mmο氣化招基板尺寸為2. 4X2. 4mm。兩個(gè)大功率PIN 二極管芯片B主要從以下方面考慮反向耐壓大于300V，結(jié)電容小于O. 2P， 串聯(lián)電阻小于O. 5歐姆，熱阻小于15度/瓦。按照這些要求選擇PIN 二極管芯片B。另外兩個(gè)中功率PIN 二極管芯片C主要從反向耐壓大于200V，結(jié)電容小于O. 05P,串聯(lián)電阻小于
O.5歐姆。按照這些要求來(lái)選擇。電容D、E用單層陶瓷芯片電容。集成砷化鎵低噪聲放大器芯片尺寸為O. 96X0. 78mm，如圖3所示，共有12個(gè)對(duì)外接口，其接口連接亦參照?qǐng)DI。砷化鎵低噪聲放大器芯片的作用是對(duì)接收信號(hào)進(jìn)行放大，構(gòu)成接收通道，滿足接收通道的噪聲系數(shù)及增益要求。本發(fā)明的應(yīng)用如圖4所示發(fā)射狀態(tài)時(shí),功率放大器工作，功率由功率放大器輸出，經(jīng)過(guò)本發(fā)明的射頻收發(fā)前端模塊切換到天線；接收狀態(tài)時(shí)，信號(hào)由天線輸入，經(jīng)過(guò)本發(fā)明的射頻收發(fā)前端模塊切換到接收處理單元。通道切換控 制和匹配由控制和匹配電路來(lái)實(shí)現(xiàn)。低噪聲放大器在TD-SCDMA的主要指標(biāo)有噪聲系數(shù)典型值為O. 6 ;增益典型值為 23dB ；ldB 壓縮點(diǎn)為 21dB。
權(quán)利要求
1.一種射頻收發(fā)前端模塊，其特征在于該模塊采用QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝，在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心的金屬襯底上設(shè)置有一個(gè)矩形的氮化鋁基板、以及一個(gè)砷化鎵低噪放芯片，所述砷化鎵低噪放芯片分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的相應(yīng)引腳連接；所述氮化鋁基板表面上分別設(shè)置有五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中第一金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有N個(gè)接地孔，N為自然數(shù)；第二至第五金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板的四端； 在第一金屬涂覆層區(qū)域上的一端設(shè)置有第一芯片電容，在第二、第三金屬涂覆層區(qū)域中分別設(shè)置有第一、第二 PIN 二極管芯片，在第四金屬涂覆層區(qū)域中設(shè)置有第三PIN 二極管芯片以及第二芯片電容，在第五金屬涂覆層區(qū)域中設(shè)置有第四PIN 二極管芯片，由此共同構(gòu)成射頻收發(fā)前端模塊的收發(fā)開(kāi)關(guān)切換電路；其中 所述第一、第二 PIN 二極管芯片構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的發(fā)射通道；其中，所述第一PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳連接，所述第二 PIN 二極管芯片與第一 PIN 二極管芯片以及QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接； 所述第三、第四PIN 二極管，第一、第二芯片電容，以及砷化鎵低噪放芯片構(gòu)成該射頻收發(fā)前端模塊的接收通道；其中，所述第三PIN 二極管分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳、第四PIN 二極管、第二芯片電容、以及QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3引腳連接；所述第四PIN 二極管分別與第一芯片電容、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳連接；所述第二芯片電容與砷化鎵低噪放芯片的輸入引腳連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種射頻收發(fā)前端模塊，其特征在于所述第一、第二PIN 二極管芯片的反向耐壓大于300V，結(jié)電容小于O. 2P，串聯(lián)電阻小于O. 5歐姆，熱阻小于15度/瓦；所述第三、第四PIN 二極管的反向耐壓大于200V，結(jié)電容小于O. 05P,串聯(lián)電阻小于O. 5歐姆。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種射頻收發(fā)前端模塊，其特征在于所述第一、第二芯片電容為單層陶瓷芯片電容。
4.一種基于權(quán)利要求I所述的射頻收發(fā)前端模塊的制備方法，其特征在于，包括以下步驟 步驟I、在QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心金屬襯底上用銀漿粘接氮化鋁基板、砷化鎵低噪放芯片； 步驟2、在氮化鋁基板上設(shè)置五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，其中第一金屬涂覆層區(qū)域橫穿氮化鋁基板的中部，并且該金屬涂覆層上均勻分布有N個(gè)接地孔，N為自然數(shù)；第二至第五金屬涂覆層區(qū)域分別位于氮化鋁基板的四端； 步驟3、在氮化鋁基板上的金屬涂覆層區(qū)域中分別用銀漿粘接四個(gè)PIN 二極管芯片以及兩個(gè)芯片電容；其中第一芯片電容粘接在第一金屬涂覆層區(qū)域的一端，第一 PIN 二極管芯片粘接在第二金屬涂覆層區(qū)域中，第二 PIN 二極管芯片粘接在第三金屬涂覆層區(qū)域中，第三PIN 二極管芯片以及第二芯片電容粘接在第四金屬涂覆層區(qū)域中，第四PIN 二極管芯片粘接在第五金屬涂覆層區(qū)域中； 步驟4、將第一PIN二極管與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，將第二 PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲與第二金屬涂覆層區(qū)域連接；將第三金屬涂覆層區(qū)域通過(guò)鍵合金絲與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第15引腳連接；步驟5、將第三PIN 二極管芯片與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第I引腳通過(guò)鍵合金絲連接，之間通過(guò)鍵合金絲連接，將第四金屬涂覆層區(qū)域分別與QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第3引腳、第四PIN 二極管芯片通過(guò)鍵合金絲連接； 步驟6、將第五金屬涂覆層區(qū)域分別第一芯片電容、QFN 8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的第14引腳通過(guò)鍵合金絲連接； 步驟7、將第二芯片電容與砷化鎵低噪放芯片的輸入引腳通過(guò)鍵合金絲連接； 步驟8、將砷化鎵低噪放芯片的各引腳分別與QFN8X8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框的對(duì)應(yīng)管腳之間通過(guò)鍵合金絲連接。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種射頻收發(fā)前端模塊，該模塊采用QFN8×8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝，在QFN8×8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝引線框中心的金屬襯底上設(shè)置有一個(gè)矩形的氮化鋁基板、一個(gè)砷化鎵低噪放芯片，所述砷化鎵低噪放芯片分別與QFN8×8-16L標(biāo)準(zhǔn)封裝的相應(yīng)引腳連接；所述氮化鋁基板表面上分別設(shè)置有五個(gè)相互隔離的金屬涂覆層區(qū)域，金屬涂覆層區(qū)域中的四個(gè)PIN二極管芯片兩個(gè)芯片電容構(gòu)成收發(fā)開(kāi)關(guān)切換電路；其中一個(gè)芯片電容連接砷化鎵低噪放芯片，構(gòu)成接收通道。本發(fā)明還公開(kāi)了該模塊的制備方法。本發(fā)明滿足TDD工作模式系統(tǒng)基站功放極大功率切換，工作安全可靠，同時(shí)具有接收靈敏度高、集成度高、成本低、性能優(yōu)、使用便利等優(yōu)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L23/488GK102709264SQ20121015116
公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2012年5月16日
發(fā)明者楊磊, 黃貞松 申請(qǐng)人:南京國(guó)博電子有限公司