專利名稱：晶片封裝體、晶片封裝體的形成方法以及封裝晶圓的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于晶片封裝體，且特別是有由晶圓級封裝制程所制得之晶片封裝體。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的晶片封裝制程對切割自晶圓的半導(dǎo)體晶粒逐一進(jìn)行封裝，相當(dāng)耗時費(fèi)工。晶圓級封裝制程是在將晶粒逐一切割之前，于晶圓上完成封裝所需的各道制程。在后續(xù)切割制程之后，可同時獲得多個制程條件大抵相同的晶片封裝體。采用晶圓級封裝制程，可節(jié)省制程成本與時間。然而，由于晶圓具有較大的表面積，因此封裝制程或晶圓制作制程有時需相應(yīng)調(diào)整。例如，晶圓中心部分與晶圓外圍部分的制程條件可能需調(diào)整。因此，業(yè)界亟需獲得單一特定晶片封裝體于切割前在晶圓中之相對位置信息以據(jù) 此調(diào)整制程條件。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種晶片封裝體，包括一基底，其中該基底系切割自一晶圓；一元件區(qū)，形成于該基底之中；一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，且電性連接該元件區(qū)；一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間；以及一材料層，形成于該絕緣層之上，其中該材料層具有一識別圖案，該識別圖案顯示該基底在未切割自該晶圓之前，于該晶圓中的一位置信息。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該識別圖案包括一可編碼且可解碼信息。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該可編碼且可解碼信息包括一數(shù)字、一文字、一符號或前述的組合。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該識別圖案包括多個識別部分。本發(fā)明所述的晶片封裝體，所述識別部分彼此相鄰設(shè)置。本發(fā)明所述的晶片封裝體，至少部分的所述識別部分分離設(shè)置。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該位置信息包括一 X軸位置信息及一 Y軸位置信息。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該材料層的材質(zhì)與該導(dǎo)電層的材質(zhì)相同。本發(fā)明所述的晶片封裝體，還包括一防焊層，設(shè)置于該絕緣層及該導(dǎo)電層之上，其中該防焊層具有露出該導(dǎo)電層的一開口 ；以及一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成于該開口之中，且電性接觸該導(dǎo)電層。本發(fā)明所述的晶片封裝體，該防焊層直接接觸該材料層。本發(fā)明提供一種晶片封裝體的形成方法，包括提供一晶圓，其中該晶圓定義有多個預(yù)定切割道，所述預(yù)定切割道將該晶圓劃分成多個區(qū)域，該晶圓中形成有多個元件區(qū)，所述元件區(qū)分別位于其中一所述區(qū)域之中；于該晶圓之上形成一絕緣層；于該絕緣層之上形成多個圖案化導(dǎo)電層，其中每一所述圖案化導(dǎo)電層分別位于其中一所述區(qū)域之中，且分別電性連接對應(yīng)的所述區(qū)域中之對應(yīng)的該元件區(qū)；于該絕緣層上形成一材料層，該材料層具有多個識別圖案，所述識別圖案分別位于其中一所述區(qū)域之中，且分別顯示對應(yīng)的所述區(qū)域之位置信息；以及沿著所述預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離之多個晶片封裝體。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該材料層與所述圖案化導(dǎo)電層的材質(zhì)相同。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該材料層的所述識別圖案與所述圖案化導(dǎo)電層同時形成。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，還包括于所述圖案化導(dǎo)電層及該絕緣層 之上形成一防焊層，其中該防焊層具有露出所述圖案化導(dǎo)電層的多個開口 ；以及于露出的所述圖案化導(dǎo)電層之上分別形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，所述識別圖案包括一可編碼且可解碼信
肩、O本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該可編碼且可解碼信息包括一數(shù)字、一文字、一符號或前述的組合。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，該識別圖案包括多個識別部分。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，所述識別部分彼此相鄰設(shè)置。本發(fā)明所述的晶片封裝體的形成方法，所述識別部分彼此分離設(shè)置。本發(fā)明提供一種封裝晶圓，包括一半導(dǎo)體晶圓，定義有多條預(yù)定切割道，所述預(yù)定切割道將該半導(dǎo)體晶圓劃分成多個區(qū)域；多個半導(dǎo)體元件，分別位于所述區(qū)域之中；一絕緣層，位于該半導(dǎo)體晶圓之上；多個導(dǎo)電層，位于該絕緣層之上，且每一所述導(dǎo)電層分別電性連接對應(yīng)的其中一所述半導(dǎo)體元件；以及多個識別圖案，位于該絕緣層之上，其中所述識別圖案顯示每一所述區(qū)域與其他所述區(qū)域之間的相對位置信息。本發(fā)明通過識別圖案的設(shè)置可定位出每一特定晶片封裝體原處于未切割晶圓的位置，有助于找出制程問題，并提高晶片封裝體的良率。


圖IA至圖IB顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。圖2顯示一封裝晶圓的俯視圖。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例的封裝晶圓的俯視圖。圖4A至圖4F顯示本發(fā)明實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖。附圖中符號的簡單說明如下10 :晶片封裝體；100 :基底；100a>IOOb :表面；102 :兀件區(qū)；104 :絕緣層；106 :導(dǎo)電塾結(jié)構(gòu)；108 :間隔層；110 :承載基底；112 :孔洞；114 :絕緣層；116 :導(dǎo)電層；118 :防焊層;120 :導(dǎo)電結(jié)構(gòu)；A、B :位置；M:識別圖案；R:區(qū)域；SC:切割道。
具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)說明本發(fā)明實(shí)施例的制作與使用方式。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明提供許多可供應(yīng)用的發(fā)明概念，其可以多種特定型式實(shí)施。文中所舉例討論的特定實(shí)施例僅為制造與使用本發(fā)明的特定方式，非用以限制本發(fā)明的范圍。此外，在不同實(shí)施例中可能使用重復(fù)的標(biāo)號或標(biāo)示。這些重復(fù)僅為了簡單清楚地敘述本發(fā)明，不代表所討論的不同實(shí)施例及/或結(jié)構(gòu)之間必然具有任何關(guān)連性。再者，當(dāng)述及一第一材料層位于一第二材料層上或之上時，包括第一材料層與第二材料層直接接觸或間隔有一或更多其他材料層的情形。本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體可用以封裝各種晶片。例如，在本發(fā)明的晶片封裝體的實(shí)施例中，其可應(yīng)用于各種包含有源元件或無源元件(active or passiveelements)、數(shù)字電路或模擬電路(digital or analog circuits)等集成電路的電子元件(electronic components),例如是有關(guān)于光電兀件(opto electronic devices)、微機(jī)電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical System;MEMS)、微流體系統(tǒng)(micro fluidic systems) >或利用熱、光線及壓力等物理量變化來測量的物理感測器(Physical Sensor)。特別是可選擇使用晶圓級封裝(wafer scale package ;WSP)制程對影像感測元件、發(fā)光二極管(light-emitting diodes;LEDs)、太陽能電池(solar cells)、射頻兀件(RF circuits)、力口速計(accelerators)、陀螺儀(gyroscopes)、微制動器(micro actuators)、表面聲波元件(surface acoustic wave devices)、壓力感測器(process sensors)噴墨頭(ink printerheads)或功率晶片模組(power IC modules)等半導(dǎo)體晶片進(jìn)行封裝。其中上述晶圓級封裝制程主要指在晶圓階段完成封裝步驟后，再予以切割成獨(dú)立 的封裝體，然而，在一特定實(shí)施例中，例如將已分離的半導(dǎo)體晶片重新分布在一承載晶圓上，再進(jìn)行封裝制程，亦可稱之為晶圓級封裝制程。另外，上述晶圓級封裝制程亦適用于借堆疊(stack)方式安排具有集成電路的多片晶圓，以形成多層集成電路(multi-layerintegrated circuit devices)的晶片封裝體。圖IA至圖IB顯示本發(fā)明一實(shí)施例的晶片封裝體的制程剖面圖。在此實(shí)施例中，以影像感測晶片的封裝為例說明本發(fā)明實(shí)施例。應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例亦可用以封裝其他的晶片。如圖IA所不,提供基底100。基底100可為半導(dǎo)體晶圓,例如是娃晶圓?；?00上可定義有多個預(yù)定切割道SC，其將基底100劃分成多個區(qū)域。在后續(xù)封裝與切割制程之后，每一區(qū)域?qū)⒊蔀橐痪庋b體。每一區(qū)域中，形成有至少一元件區(qū)102。在一實(shí)施例中，元件區(qū)102可包括光電元件,例如是影像感測元件或發(fā)光元件。在基底100的表面IOOa上形成有多個導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106，其位于表面IOOa上的絕緣層104 (或稱介電層)之中。每一導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106可包括多個堆疊的導(dǎo)電墊。這些堆疊的導(dǎo)電墊可彼此電性連接(例如，通過形成于堆疊導(dǎo)電墊之間的垂直導(dǎo)電結(jié)構(gòu))?；蛘撸@些堆疊的導(dǎo)電墊可彼此不電性連接。在一實(shí)施例中，這些導(dǎo)電墊中的至少其中之一電性連接元件區(qū)102。接著，于基底100上設(shè)置承載基底110。承載基底110與基底100之間可設(shè)置有多個間隔層108。間隔層108及承載基底110可于基底100上圍出多個空腔，每一空腔下可包括有至少一元件區(qū)102。間隔層108可覆蓋于導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106之上。在元件區(qū)102中包括光電元件(例如，影像感測元件或發(fā)光元件)的實(shí)施例中，可選用透明基板(例如，玻璃基板、石英基板或透明高分子基板)作為承載基底110以利光線進(jìn)入元件區(qū)102或自元件區(qū)102發(fā)出。接著，可選擇性薄化基底100以利后續(xù)制程的進(jìn)行。例如，可以承載基底110為支撐，自基底100的表面IOOb薄化基底100。適合的薄化制程例如是機(jī)械研磨或化學(xué)機(jī)械研磨。接著，移除部分的基底100以形成自基底100的表面IOOb朝導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106延伸的孔洞112。例如，可采用光刻及蝕刻制程形成孔洞112。接著，可于基底100的表面IOOb上形成絕緣層114。絕緣層114的材質(zhì)例如包括氧化物、氮化物、氮氧化物、高分子材料或前述的組合。絕緣層114可以氣相沉積法、熱氧化法或涂布法形成。在一實(shí)施例中，絕緣層114大抵順應(yīng)性位于基底100的表面IOOb及孔洞112的側(cè)壁與底部上。接著，移除孔洞112底部上的部分的絕緣層114，并接著例如以光刻及蝕刻制程移除部分的絕緣層104而使導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106露出。接著，于基底100表面IOOb上的絕緣層104上形成圖案化導(dǎo)電層116。導(dǎo)電層116的材質(zhì)例如包括銅、招、鎳、金、鉬或前述的組合。導(dǎo)電層116的形成方式例如包括物理氣相沉積、化學(xué)氣相沉積、涂布法、電鍍、無電鍍或前述的組合。導(dǎo)電層116可自基底100的表面IOOb沿著孔洞112的側(cè)壁朝導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106延伸，并電性接觸導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106。在一實(shí)施例中，可于切割道SC所劃分的每一區(qū)域中的絕緣層104上分別形成識別 圖案。識別圖案包括相應(yīng)于所在區(qū)域的位置信息。在一實(shí)施例中，識別圖案可于形成圖案化導(dǎo)電層的過程中同時形成。例如，在一實(shí)施例中，可于絕緣層104上形成導(dǎo)電材料層，接著將導(dǎo)電材料層圖案化以形成電性接觸導(dǎo)電墊結(jié)構(gòu)106的導(dǎo)電層116及識別圖案。在此情形下，識別圖案由形成導(dǎo)電層116的材料層構(gòu)成。識別圖案不電性連接導(dǎo)電層116。在后續(xù)說明中將介紹識別圖案的用途。接著，于基底100之表面IOOb上形成防焊層118。在一實(shí)施例中，防焊層118可具有露出導(dǎo)電層116的開口，并可于露出的導(dǎo)電層116上形成導(dǎo)電結(jié)構(gòu)120,例如焊球。接著，可沿著預(yù)定切割道SC切割圖IA所示的結(jié)構(gòu)而形成多個彼此分離的晶片封裝體10,如圖IB所示。接著，將說明上述識別圖案的用途。請先參照圖2，其顯示一封裝晶圓的俯視圖，可對應(yīng)至圖1A。如圖2所示，基底(晶圓)100在封裝之后，可由多個預(yù)定切割道SC劃分成多個區(qū)域R。每一區(qū)域在后續(xù)沿切割道SC進(jìn)行切割制程之后，將成為單一的晶片封裝體，例如是圖IB所示的晶片封裝體10。所得的分離的多個晶片封裝體在后續(xù)拾取及/或運(yùn)送之后，往往已難以辨識某特定晶片封裝體原處于基底(晶圓)100中的哪一個特定位置。如此，當(dāng)后續(xù)需追蹤某特定晶片封裝體處于原晶圓中的特定位置時，將難以獲得所需信息。例如，當(dāng)發(fā)現(xiàn)一些品質(zhì)較差的晶片封裝體時，由于無法得知其來自封裝晶圓的哪一區(qū)域，如此將難以找出制程問題，造成良率提升的困難。有鑒于上述問題，本發(fā)明實(shí)施例提出于絕緣層上形成具有識別圖案的材料層。識別圖案可顯示特定晶片封裝體中的基底在未切割自晶圓之前，于該晶圓中的位置信息。在一實(shí)施例中，識別圖案可包括可編碼且可解碼信息，例如包括數(shù)字、文字、符號或前述的組合。在一實(shí)施例中，識別圖案所顯示的位置信息可包括X軸信息及Y軸信息。圖3顯示本發(fā)明一實(shí)施例的封裝晶圓的俯視圖。在此實(shí)施例中，是采用數(shù)字作為識別圖案M。例如，位置A處于第3行(column)第2列(row)，因此可選擇數(shù)字0302作為位置A處的晶片封裝體的識別圖案M，其中“03”代表X軸信息或行信息，“02”代表Y軸信息或列信息。例如，位置B處于第5行(column)第4列(row),因此可選擇數(shù)字0504作為位置B處的晶片封裝體的識別圖案M，其中“05”代表X軸信息或行信息，“04”代表Y軸信息或列信息。在一實(shí)施例中，識別圖案M與導(dǎo)電層圖案化自同一導(dǎo)電材料層。因此，在此實(shí)施例中，識別圖案M的形成大抵不需增加額外的制程。在圖3的實(shí)施例中，絕緣層上形成有多個識別圖案M，其中識別圖案M顯示每一區(qū)域與其他區(qū)域之間的相對位置信息。請參照圖IA及圖3，切割道SC所劃分的每一區(qū)域中的絕緣層114之上可形成有圖案化導(dǎo)電層116，其可電性連接該區(qū)域中的對應(yīng)的元件區(qū)102。此外，切割道SC所劃分的每一區(qū)域中的絕緣層114之上還可形成有具有識別圖案M的材料層，其例如為與圖案化導(dǎo)電層116材質(zhì)相同的導(dǎo)電層。在一實(shí)施例中，具有識別圖案M的材料層直接接觸防焊層118。圖4A至圖4F顯示本發(fā)明多個實(shí)施例的晶片封裝體的俯視圖，其中相同或相似的標(biāo)號用以標(biāo)示相同或相似的元件。在一實(shí)施例中，可通過光學(xué)顯微鏡直接觀察防焊層118下方的識別圖案M。在另一實(shí)施例中，可通過影像感測器觀察防焊層118下的識別圖案M，并可通過影像分析解讀出識別圖案M所代表的位置信息。因此，特定晶片封裝體原切割自 晶圓的哪一個特定位置的信息可輕易地通過觀察識別圖案M而得知。如圖4A所示，在一實(shí)施例中，識別圖案M可包括多個識別部分，這些識別部分可彼此相鄰設(shè)置。識別圖案M所包括的可編碼且可解碼信息例如為阿拉伯?dāng)?shù)字。如圖4A所示，在此實(shí)施例中，識別圖案M可包括第一識別部分“03”及第二識別部分“02”。第一識別部分與第二識別部分相鄰設(shè)置。在另一實(shí)施例中，識別圖案M所包括的可編碼且可解碼信息例如為羅馬數(shù)字。如圖4B所示，在一實(shí)施例中，識別圖案M可包括多個識別部分，這些識別部分可彼此分離設(shè)置。識別圖案M所包括的可編碼且可解碼信息例如為數(shù)字。如圖4B所示，在此實(shí)施例中，識別圖案M可包括第一識別部分“03”及第二識別部分“02”。第一識別部分與第二識別部分分離設(shè)置。此外，第一識別部分“03”還可包括次部分“0”及次部分“3”。第二識別部分“02”亦可包括次部分“0”及次部分“2”。如圖4C所示，在一實(shí)施例中，識別圖案M所包括的可編碼且可解碼信息例如為文字，例如可為中文、英文、日文、法文、德文、俄文、西班牙文等。相似地，識別圖案M可包括多個識別部分，這些識別部分可彼此分離設(shè)置或相鄰設(shè)置。如圖4D所示，在一實(shí)施例中，識別圖案M所包括的可編碼且可解碼信息例如為文字、數(shù)字、符號或前述的組合。相似地，識別圖案M可包括多個識別部分，這些識別部分可彼此分離設(shè)置或相鄰設(shè)置。圖4E至圖4F顯示其他可能實(shí)施例的俯視圖。然應(yīng)注意的是，本發(fā)明實(shí)施例不限于此。但凡可提供該晶片封裝體于原晶圓的位置信息的識別圖案皆在本發(fā)明實(shí)施例所揭露的范圍內(nèi)。例如，在圖4E實(shí)施例中，“丁”可代表“04”，而“戊”可代表“05 ”。在圖4F實(shí)施例中，“C”可代表“03”，而“二”可代表“02”。在一實(shí)施例中，識別圖案所包括的可編碼且可解碼信息可為二進(jìn)位、八進(jìn)位、十進(jìn)位或十六進(jìn)位等。識別圖案可形成于絕緣層上的任何不與導(dǎo)電層電性接觸且不影響晶片封裝體運(yùn)作的位置上。本發(fā)明實(shí)施例通過識別圖案的設(shè)置可定位出每一特定晶片封裝體原處于未切割晶圓的位置，有助于找出制程問題，并提高晶片封裝體的良率。在一實(shí)施例中，識別圖案于導(dǎo)電層的圖案化制程中同時形成，大抵不增加制程成本，且有助于提高產(chǎn)品可靠度。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。·
權(quán)利要求
1.一種晶片封裝體，其特征在于，包括 一基底，該基底切割自一晶圓； 一元件區(qū)，形成于該基底之中； 一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，且電性連接該元件區(qū)； 一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間；以及 一材料層，形成于該絕緣層之上，其中該材料層具有一識別圖案，該識別圖案顯示該基底在未切割自該晶圓之前于該晶圓中的一位置信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，該識別圖案包括一可編碼且可解碼息。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片封裝體，其特征在于，該可編碼且可解碼信息包括一數(shù)字、一文字、一符號或前述的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，該識別圖案包括多個識別部分。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，所述識別部分彼此相鄰設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的晶片封裝體，其特征在于，至少部分的所述識別部分分離設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，該位置信息包括一X軸位置信息及一 Y軸位置信息。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，該材料層的材質(zhì)與該導(dǎo)電層的材質(zhì)相同。
9.根據(jù)權(quán)利要求I所述的晶片封裝體，其特征在于，還包括 一防焊層，設(shè)置于該絕緣層及該導(dǎo)電層之上，其中該防焊層具有露出該導(dǎo)電層的一開口 ；以及 一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，形成于該開口之中，且電性接觸該導(dǎo)電層。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的晶片封裝體，其特征在于，該防焊層直接接觸該材料層。
11.一種晶片封裝體的形成方法，其特征在于，包括 提供一晶圓，其中該晶圓定義有多個預(yù)定切割道，所述預(yù)定切割道將該晶圓劃分成多個區(qū)域，該晶圓中形成有多個元件區(qū)，所述元件區(qū)分別位于其中一所述區(qū)域之中； 于該晶圓之上形成一絕緣層； 于該絕緣層之上形成多個圖案化導(dǎo)電層，其中每一所述圖案化導(dǎo)電層分別位于其中一所述區(qū)域之中，且分別電性連接對應(yīng)的所述區(qū)域中的對應(yīng)的元件區(qū)； 于該絕緣層上形成一材料層，該材料層具有多個識別圖案，所述識別圖案分別位于其中一所述區(qū)域之中，且分別顯示對應(yīng)的所述區(qū)域的位置信息；以及 沿著所述預(yù)定切割道進(jìn)行一切割制程以形成彼此分離的多個晶片封裝體。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該材料層與所述圖案化導(dǎo)電層的材質(zhì)相同。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該材料層的所述識別圖案與所述圖案化導(dǎo)電層同時形成。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，還包括 于所述圖案化導(dǎo)電層及該絕緣層之上形成一防焊層，其中該防焊層具有露出所述圖案化導(dǎo)電層的多個開口 ；以及 于露出的所述圖案化導(dǎo)電層之上分別形成一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，所述識別圖案包括一可編碼且可解碼信息。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該可編碼且可解碼信息包括一數(shù)字、一文字、一符號或前述的組合。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，該識別圖案包括多個識別部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，所述識別部分彼此相鄰設(shè)置。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶片封裝體的形成方法，其特征在于，所述識別部分彼此分離設(shè)置。
20.一種封裝晶圓，其特征在于，包括 一半導(dǎo)體晶圓，定義有多條預(yù)定切割道，所述預(yù)定切割道將該半導(dǎo)體晶圓劃分成多個區(qū)域； 多個半導(dǎo)體元件，分別位于所述區(qū)域之中； 一絕緣層，位于該半導(dǎo)體晶圓之上； 多個導(dǎo)電層，位于該絕緣層之上，且每一所述導(dǎo)電層分別電性連接對應(yīng)的其中一所述半導(dǎo)體元件；以及 多個識別圖案，位于該絕緣層之上，其中所述識別圖案顯示每一所述區(qū)域與其他所述區(qū)域之間的相對位置信息。
全文摘要
本發(fā)明提供一種晶片封裝體、晶片封裝體的形成方法以及封裝晶圓，該晶片封裝體包括一基底，該基底切割自一晶圓；一元件區(qū)，形成于該基底之中；一導(dǎo)電層，設(shè)置于該基底之上，且電性連接該元件區(qū)；一絕緣層，設(shè)置于該基底與該導(dǎo)電層之間；以及一材料層，形成于該絕緣層之上，其中該材料層具有一識別圖案，該識別圖案顯示該基底在未切割自該晶圓之前于該晶圓中的一位置信息。本發(fā)明通過識別圖案的設(shè)置可定位出每一特定晶片封裝體原處于未切割晶圓的位置，有助于找出制程問題，并提高晶片封裝體的良率。
文檔編號H01L21/50GK102800656SQ201210157448
公開日2012年11月28日 申請日期2012年5月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月20日
發(fā)明者劉滄宇, 林佳升, 鄭家明, 林柏伸 申請人:精材科技股份有限公司