專利名稱：基板處理裝置、基板保持裝置及基板保持方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及保持半導(dǎo)體基板、印刷基板、濾色用基板、液晶顯示裝置和等離子顯示裝置的平板顯示器用玻璃基板、光盤用基板、太陽能電 池用面板等各種基板(下面，簡稱為“基板”)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
在對基板實(shí)施各種處理(例如，向形成在基板上的感光材料照射光，將各種涂敷液涂敷在基板上等)的各種基板處理裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)I)，或者用于移送基板的基板搬運(yùn)裝置等中需要保持基板的技術(shù)。關(guān)于該技術(shù)，例如在專利文獻(xiàn)2、3中，公開了使用真空吸嘴來吸附保持基板的下表面?zhèn)鹊慕Y(jié)構(gòu)。另外，例如在專利文獻(xiàn)4至7中公開了如下的結(jié)構(gòu)使用應(yīng)用了伯努利(Bernouilli)原理的伯努利嘴(通過從形成在保持面上的孔噴出氣體來利用伯努利效應(yīng)吸附基板的嘴)來吸附保持基板。另外，例如在專利文獻(xiàn)8中公開了一邊利用伯努利嘴來抬起基板一邊利用真空吸嘴進(jìn)行固定以不使基板移動的結(jié)構(gòu)。另外，例如在專利文獻(xiàn)9中公開了并用伯努利嘴和真空吸嘴來吸附保持基板的結(jié)構(gòu)。專利文獻(xiàn)I :日本特開平5-150175號公報專利文獻(xiàn)2 日本特開2008-270626號公報專利文獻(xiàn)3 日本特開2005-19637號公報專利文獻(xiàn)4 日本特開2009-28863號公報專利文獻(xiàn)5 日本特開2005-142462號公報專利文獻(xiàn)6 日本特開2002-64130號公報專利文獻(xiàn)7 :日本特開2010-52051號公報專利文獻(xiàn)8 :日本特開2004-193195號公報專利文獻(xiàn)9 :日本特開2006-80289號公報例如，在通過向形成在基板上的感光材料照射光來在基板上形成電路等的圖案的描畫裝置等中，若在處理過程中基板相對于保持面發(fā)生錯位則會降低描畫精度。因此，需要可靠地對載置在保持面上的基板進(jìn)行保持，以免發(fā)生錯位。但是，基板在載置在保持面上的狀態(tài)下，并不一定是平坦形狀。例如，利用在保持面上載置了基板的搬運(yùn)裝置的手部來支撐基板的中央附近的情況下，載置在保持面上的基板可能會彎曲成凸形狀。另外，在該搬運(yùn)裝置的手部支撐基板的外緣的情況下，載置在保持面上的基板可能會彎曲成凹形狀。近年來，隨著基板的薄型化，基板非常容易彎曲，因而在載置在保持面上的狀態(tài)下，基板彎曲的可能性非常高。如在上述各專利文獻(xiàn)2至9公開的結(jié)構(gòu)那樣，通過在基板和保持面之間形成負(fù)壓來將基板吸附保持在保持面上的方式中，要可靠地保持彎曲的基板則非常難。這是因?yàn)?，在載置在保持面上的基板發(fā)生了彎曲的情況下，在基板的背面的一部分與保持面之間產(chǎn)生間隙，該間隙會破壞負(fù)壓。若在保持面和基板的背面之間不能形成足夠的吸引壓(suctionforce)，則會產(chǎn)生吸附不良，從而基板相對于保持面發(fā)生錯位的可能性會變高。另一方面，若要不發(fā)生這樣的吸附不良而可靠地吸附保持基板，則需要對基板施加非常大的吸引力，因此需要設(shè)置例如大型真空泵及大規(guī)模的配管系統(tǒng)等，從而不可避免裝置的大型化和成本上升等。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而作出的，其目的在于提供即使是彎曲的基板也能夠以簡單的結(jié)構(gòu)可靠地保持的技術(shù)。第一技術(shù)方案是一種用于對基板實(shí)施規(guī)定的處理的基板處理裝置，該基板處理裝置具有保持板，形成有與基板的背面相向的保持面，一個以上的真空吸引口，形成在所述保持面上，通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上，多個伯努利吸引口，形成在所述保持面上，通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上；在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。 第二技術(shù)方案的基板處理裝置，在第一技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，還具有堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第三技術(shù)方案的基板處理裝置，在第一技術(shù)方案或第二技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口 ；配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。第四技術(shù)方案的基板處理裝置，在第一技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，具有多個所述真空吸引口 ；在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口 ；該基板處理裝置具有堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域中；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第五技術(shù)方案的基板處理裝置，在第四技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。第六技術(shù)方案的基板處理裝置，在第一技術(shù)方案至第五技術(shù)方案中的任一技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，具有用于對所述保持面上的壓力進(jìn)行檢測的壓力傳感器，在所述保持面上一載置基板，就開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引；如果在從開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始利用所述伯努利吸引口來進(jìn)行吸引。第七技術(shù)方案的的基板處理裝置，在第六技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，在開始利用所述伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力時，停止利用所述伯努利吸引口的吸引。第八技術(shù)方案的基板處理裝置，在第一技術(shù)方案至第七技術(shù)方案中任一技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，具有凹部，形成在所述保持板的背面?zhèn)?，該凹部在深度方向上的底面處與所述伯努利吸引口相連通，伯努利吸引單元，配置在所述凹部的內(nèi)部；所述伯努利吸引單元具有主體部，形成有圓柱狀的凹入空間，噴嘴，向所述圓柱狀的凹入空間噴出氣體，從而在所述圓柱狀的凹入空間形成旋流；在所述主體部與所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之間形成有間隙，并且所述主體部以固定的方式被支撐在所述凹部內(nèi)。第九技術(shù)方案的基板處理裝置，在第八技術(shù)方案所涉及的基板處理裝置中，所述伯努利吸引口的直徑尺寸小于所述圓柱狀的凹入空間的直徑尺寸。第十技術(shù)方案是一種用于保持基板的基板保持裝置，具有保持板，形成有與基板的背面相向的保持面，一個以上的真空吸引口，形成在所述保持面上，通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上，多個伯努利吸引口，形成在所述保持面上，通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上；在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心 的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。第十一技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，具有堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第十二技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十技術(shù)方案或第十一技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口，配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。第十三技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，具有多個所述真空吸引口，在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口，該基板保持裝置具有堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域中；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第十四技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十三技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。第十五技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十技術(shù)方案至第十四技術(shù)方案中任一技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，具有用于對所述保持面上的壓力進(jìn)行檢測的壓力傳感器，在所述保持面上一載置基板，就開始利用所述真空吸引口進(jìn)行吸引；如果在從開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始利用所述伯努利吸引口來進(jìn)行吸引。第十六技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十五技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，在開始利用所述伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力時，停止利用所述伯努利吸引口的吸引。第十七技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十技術(shù)方案至第十六技術(shù)方案中的任一技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，具有凹部，形成在所述保持板的背面?zhèn)?，該凹部在深度方向上的底面處與所述伯努利吸引口相連通，伯努利吸引單元，配置在所述凹部的內(nèi)部；所述伯努利吸引單元具有主體部，形成有圓柱狀的凹入空間，噴嘴，向所述圓柱狀的凹入空間噴出氣體，從而在所述圓柱狀的凹入空間形成旋流；在所述主體部與所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之間形成有間隙，并且所述主體部以固定的方式被支撐在所述凹部內(nèi)。第十八技術(shù)方案的基板保持裝置，在第十七技術(shù)方案所涉及的基板保持裝置中，所述伯努利吸引口的直徑尺寸小于所述圓柱狀的凹入空間的直徑尺寸。第十九技術(shù)方案是一種保持基板的基板保持方法，包括a工序，在使基板的背面與形成在保持板上的保持面相向的狀態(tài)下，將所述基板載置在所述保持面上，b工序，通過真空吸引，在形成在所述保持面上的一個以上的真空吸引口形成吸引壓，c工序，通過伯努利吸引，在形成在所述保持面上的多個伯努利吸引口中的至少一個伯努利吸引口形成吸引壓；在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引□。第二十技術(shù)方案的基板保持方法，在第十九技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中， 具有堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第二十一技術(shù)方案的基板保持方法，在第十九技術(shù)方案或第二十技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中，在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口 ；配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。第二十二技術(shù)方案的基板保持方法，在第十九技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中，具有多個所述真空吸引口，在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口，具有堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域；所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。第二十三技術(shù)方案的基板保持方法，在第二十二技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。第二十四技術(shù)方案的基板保持方法，在第十九技術(shù)方案至第二十三技術(shù)方案中的任一技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中，在所述保持面上一載置基板，就開始進(jìn)行所述b工序，如果在從開始進(jìn)行所述b工序起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而在所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始進(jìn)行所述c工序。第二十五技術(shù)方案的基板保持方法，在第二十四技術(shù)方案所涉及的基板保持方法中，在開始進(jìn)行所述c工序之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)榈陀谝?guī)定值的壓力時，停止所述伯努利吸引。根據(jù)第一技術(shù)方案、第十技術(shù)方案、第十九技術(shù)方案，由于伯努利吸引口分別配置在保持面上規(guī)定的圓形區(qū)域和圓環(huán)狀區(qū)域中，因而無論基板彎曲為凸形狀、凹形狀中的任意形狀，都能夠通過利用伯努利吸引口進(jìn)行吸引來使基板的彎曲平坦化。因此，即使是彎曲的基板也能夠以簡單的結(jié)構(gòu)來可靠地吸附保持該基板。根據(jù)第二技術(shù)方案、第i^一技術(shù)方案、第二十技術(shù)方案，基板在與堤部的頂部和突起部的頂部相抵接的狀態(tài)下被吸附保持。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于基板在其背面與保持面距離堤部的高度的狀態(tài)下吸附保持在保持面上，因而不擔(dān)心在基板的背面形成真空吸引口的吸引痕跡。根據(jù)第三技術(shù)方案、第十二技術(shù)方案、第二十一技術(shù)方案，沿著保持面的圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列有多個伯努利吸引口。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使在基板彎曲為凹形狀的情況下，也能夠借助來自配置在圓環(huán)狀區(qū)域的各伯努利吸引口的吸引壓，使基板的彎曲平坦化，從而能夠可靠地吸附保持基板。根據(jù)第四技術(shù)方案、第十三技術(shù)方案、第二十二技術(shù)方案，在保持面內(nèi)規(guī)定的多個部分區(qū)域(多個弧狀區(qū)域及圓形區(qū)域)各自區(qū)域配置有真空吸引口和伯努利吸引口，并且形成有包圍該各部分區(qū)域的堤部。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在各部分區(qū)域和基板的背面之間形成密閉空間，由此能夠以該部分區(qū)域?yàn)閱挝华?dú)立地吸附保持基板的背面，因而不浪費(fèi)且有效地使基板的彎曲平坦化，從而能夠可靠地吸附保持基板。另外，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于基板在其背面與保持面距離堤部的高度的狀態(tài)下吸附保持在保持面上，因而不擔(dān)心在基板的背面形成真空吸引口的吸引痕跡?！じ鶕?jù)第五技術(shù)方案、第十四技術(shù)方案、第二十三技術(shù)方案，多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于在各弧狀區(qū)域和基板的背面之間形成的密閉空間的體積相等，因而能夠在各弧狀區(qū)域向基板作用相等的吸引力。根據(jù)第六技術(shù)方案、第十五技術(shù)方案、第二十四技術(shù)方案，如果在利用真空吸引口進(jìn)行吸引而保持面上的吸引壓未變?yōu)榈陀谝?guī)定值的低壓，則開始利用伯努利吸引口進(jìn)行吸弓丨。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如在載置在保持面上的基板最初是未彎曲的平坦形狀的情況下，不從伯努利吸引口進(jìn)行吸引，因而能夠抑制消耗多余的空氣。根據(jù)第七技術(shù)方案、第十六技術(shù)方案、第二十五技術(shù)方案，在開始從伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓時，停止從伯努利吸引口的吸引。即，若通過從伯努利吸引口進(jìn)行吸引使基板的彎曲平坦化而能夠恰當(dāng)?shù)匚奖３只澹瑒t在這以后僅通過利用真空吸引口進(jìn)行吸引來吸附保持基板。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于將利用伯努利吸引口的吸引抑制在需要的最小限度，因而能夠抑制消耗多余的空氣。根據(jù)第八技術(shù)方案、第十七技術(shù)方案，在伯努利吸引單元所具備的主體部與形成在保持板上的凹部的深度方向上的底面及壁面之間形成有間隙，并且主體部以固定的方式被支撐在該凹部內(nèi)，因而從圓柱狀的凹入空間內(nèi)溢出的氣體沿著主體部的周圍的間隙流動而排出至保持板的背面?zhèn)?。根?jù)該結(jié)構(gòu)，即使在伯努利吸引口被基板的背面堵塞的狀態(tài)下，也能夠持續(xù)維持伯努利吸引口的吸引壓。根據(jù)第九技術(shù)方案、第十八技術(shù)方案，伯努利吸引口的直徑尺寸小于凹部空間的直徑尺寸。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于基板背面的被作用吸引壓的區(qū)域變小，因而不擔(dān)心通過利用伯努利吸引口進(jìn)行吸引而使基板的平面度惡化。


圖I是描畫裝置的側(cè)視圖。圖2是描畫裝置的俯視圖。圖3是基板保持部的俯視圖。圖4是在真空吸引口的形成位置剖開了基板保持部的局部剖視圖。圖5是在伯努利吸引口的形成位置剖開了基板保持部的局部剖視圖。
圖6是示意性地表示基板保持部所具備的配管系統(tǒng)的圖。圖7是表示控制部的硬件結(jié)構(gòu)的框圖。圖8是表示由描畫裝置執(zhí)行的對基板的處理流程的圖。圖9是表示基板保持部將基板吸附保持在保持面上的處理流程的圖。圖10是用于說明描畫處理的圖。圖11是第二實(shí)施方式所涉及的基板保持部的俯視圖。圖12是示意性表示第二實(shí)施方式所涉及的基板保持部所具備的配管系統(tǒng)的圖。圖13是用于說明依次在伯努利吸引口形成負(fù)壓的方式的一例的圖。 圖14是示意性表示變形例所涉及的基板保持部所具備的配管系統(tǒng)的圖。圖15是變形例所涉及的基板保持部的俯視圖。
具體實(shí)施例方式下面，參照附圖，對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。下面的實(shí)施方式是對本發(fā)明進(jìn)行具體化的一例，并不限定本發(fā)明的技術(shù)范圍。《第一實(shí)施方式》〈I.裝置結(jié)構(gòu)>參照圖I、圖2，對第一實(shí)施方式所涉及的描畫裝置I的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖I是示意性地表示描畫裝置I的結(jié)構(gòu)的側(cè)視圖。圖2是示意性地表示描畫裝置I的結(jié)構(gòu)的俯視圖。描畫裝置I是對形成有抗蝕劑等感光材料的層的基板W的上表面照射光來曝光圖案的裝置。此外，基板W可以是半導(dǎo)體基板、印刷基板、濾色用基板、液晶顯示裝置和等離子顯示裝置所具備的平板顯示器用玻璃基板、光盤用基板、太陽能電池用面板等各種基板中的任一種基板。圖中示出了圓形的半導(dǎo)體基板。描畫裝置I在主體內(nèi)部和主體外部配置了各種結(jié)構(gòu)要素，其中，主體內(nèi)部是通過在由主體機(jī)架101構(gòu)成的骨架的頂面及周圍面安裝蓋板(省略圖示)而形成的，主體外部是主體機(jī)架101的外側(cè)。描畫裝置I的主體內(nèi)部劃分為處理區(qū)域102和交接區(qū)域103。在處理區(qū)域102主要配置有基板保持部10、工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20、計測部30、兩個光學(xué)單元40、40以及拍攝單元50。在交接區(qū)域103配置有搬運(yùn)裝置60和預(yù)調(diào)節(jié)部70，其中，搬運(yùn)裝置60將基板W搬出或搬入處理區(qū)域102。描畫裝置I的主體外部配置有對拍攝單元50供給照明光的照明單元80。另外，在描畫裝置I的主體外部，在與交接區(qū)域103相鄰的位置配置有用于載置裝載盒(Cassette)C的裝載盒載置部104。配置在交接區(qū)域103的搬運(yùn)裝置60，取出載置在裝載盒載置部104上的裝載盒C中所容置的未處理基板W將其搬入至處理區(qū)域102，并且從處理區(qū)域102搬出處理完的基板W將其容置在裝載盒C中。由外部搬運(yùn)裝置(省略圖示)向裝載盒載置部104交接裝載盒C。另外，描畫裝置I上配置有控制部90，該控制部90與描畫裝置I所具備的各部分電連接，用于對各部分的動作進(jìn)行控制。下面，對描畫裝置I所具備的各部分的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。<1-1.基板保持部10>
基板保持部10是用于將基板W吸附保持成水平姿勢的裝置。除了圖I、圖2之外，還參照圖3 圖6，來對基板保持部10的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖3是基板保持部10的俯視圖。圖4是在在真空吸引口 12的形成位置剖開了基板保持部10的局部剖視圖。圖5是在伯努利吸引口 13的形成位置剖開了基板保持部10的局部剖視圖。圖6是示意性地表示基板保持部10所具備的配管系統(tǒng)的圖?；灞３植?0具有保持板11，該保持板11具有平板狀的外形，并且該保持板11的上表面形成有與基板W的背面相向的保持面111。保持面111的平面度形成為相對于光學(xué)單元40的焦點(diǎn)深度非常小的值(例如大約2 μ m以下)。另外，保持面111形成至少能夠覆蓋基板W的曝光區(qū)域的尺寸。其中，在本實(shí)施方式中，基板W為圓形狀，且俯視時，保持面111也為圓形狀。
〈吸引口12、13、13、...、13>保持面111上形成有多個吸引口 12、13、13、…、13。多個吸引口 12、13、13、…、13中的一個吸引口 12是通過真空吸引來將基板W吸引在保持面111上的吸引口(下面，稱之為“真空吸引口”)12，其余的各吸引口 13是通過伯努利吸引(即，利用伯努利效應(yīng)來進(jìn)行吸引)來將基板W吸引在保持面111上的吸引口(下面，稱之為“伯努利吸引口”)13。伯努利吸引口 13形成有多個(在圖示的例子中是7個)。在這里，對多個伯努利吸引口 13、13、…、13的布局進(jìn)行說明。在保持面111上規(guī)定有圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2，其中，圓形區(qū)域Ml配置成與保持面111的中心(幾何學(xué)中心)同心，圓環(huán)狀區(qū)域M2配置成與圓形區(qū)域Ml同心，并且，伯努利吸引口 13在圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2至少分別配置一個。其中，優(yōu)選在圓環(huán)狀區(qū)域M2配置多個伯努利吸引口 13、…、13。另外，在圓環(huán)狀區(qū)域M2配置有多個伯努利吸引口 13、…、13的情況下，優(yōu)選上述的多個伯努利吸引口 13、…、13沿著圓環(huán)狀區(qū)域M2的周向排列。在本實(shí)施方式中，在圓形區(qū)域Ml的中心配置有一個伯努利吸引口 13。另外，在圓環(huán)狀區(qū)域M2，6個伯努利吸引口 13沿著圓環(huán)狀區(qū)域M2的周向以等間隔排列。接著，對真空吸引口 12進(jìn)行具體的說明。真空吸引口 12經(jīng)由配管121與用于吸引氣體的氣體吸引部(例如真空泵)122相連接。另外，在配管121的非末端位置配置有開閉閥(例如電磁閥)123。當(dāng)氣體吸引部122運(yùn)轉(zhuǎn)并開閉閥123打開時，經(jīng)由配管121在真空吸引口 12形成負(fù)壓(吸引壓)。接著，對伯努利吸引口 13進(jìn)行具體的說明。在保持板11的背面?zhèn)龋诜謩e與多個伯努利吸引口 13相對應(yīng)的各位置上形成有凹部112。凹部112朝向保持板11的背面?zhèn)乳_口，在深度方向上的底面與相對應(yīng)的伯努利吸引口 13相連通。在凹部112的內(nèi)部配置有伯努利吸引單元130的主體部131。其中，凹部112的尺寸比主體部131的尺寸大一圈，因此，主體部131的端面133及側(cè)面與凹部112的深度方向上的底面及壁面之間形成有微小的間隙(例如，幾百ym左右的間隙)Q，并且主體部131以固定的方式支撐在凹部112內(nèi)。主體部131的位于與凹部112的深度方向上的底面相向的一側(cè)的端面133為平坦的形狀，并且，在該端面133上形成有圓柱狀的凹入空間(圓柱狀凹入空間)132。其中，主體部131以使圓柱狀凹入空間132的中心部與伯努利吸引口 13相向的姿勢配置在凹部112內(nèi)。在這里，伯努利吸引口 13的直徑尺寸dl3小于圓柱狀凹入空間132的直徑尺寸dl32。
伯努利吸引單元130還具有沿圓柱狀凹入空間132的內(nèi)周壁而開口的一對噴嘴134、134。各噴嘴134經(jīng)由配管135與用于供給壓縮空氣等氣體的氣體供給部(例如壓縮機(jī))136相連接。另外，在配管135的非端部位置配置有開閉閥(例如電磁閥)137和過濾器(省略圖示)。當(dāng)氣體供給部136運(yùn)轉(zhuǎn)并開閉閥137打開時，經(jīng)由配管135從各噴嘴134噴出壓縮氣體。從一對噴嘴134、134沿圓柱狀凹入空間132的內(nèi)周壁噴出的氣體，以沿著圓柱狀凹入空間132的內(nèi)周壁的方式流動，由此形成強(qiáng)的旋流(swirl flow)而從圓柱狀凹入空間132的開放端流出。此時，基于伯努利定理，在旋流的中心部(即，圓柱狀凹入空間132的中心部)形成負(fù)壓，由此，在伯努利吸引口 13形成負(fù)壓(吸引壓)。此外，從圓柱狀凹入空間132溢出的氣體沿著形成在主體部131和凹部112之間的間隙Q流動而排出到保持板11的背面?zhèn)取?lt;堤部14、突起部15、環(huán)狀突起部16>在保持面111上沿著其外緣立起設(shè)置有堤部14。另外，在被堤部14包圍 的保持面111內(nèi)，在整個區(qū)域上立起設(shè)置有多個突起部15(圖4、圖5)。并且，沿著各伯努利吸引口13的外緣及后述的各銷孔18的外緣立起設(shè)置有環(huán)狀的突起部(環(huán)狀突起部)16。其中，在圖3中，省略了突起部15的圖示。堤部14的頂部、各突起部15的頂部和各環(huán)狀突起部16的頂部均形成在同一平面內(nèi)，并且配置有這些頂部的平面的平面度為相對于光學(xué)單元40的焦點(diǎn)深度非常小的值(例如2 μ m左右)。當(dāng)在保持面111上載置平坦的基板W時，該基板W的背面與堤部14的頂部的整個區(qū)域、所有的突起部15的頂部以及所有的環(huán)狀突起部16的頂部相抵接，由此在堤部14、被堤部14包圍的保持面111內(nèi)的區(qū)域與基板W的背面之間形成密閉空間。在該狀態(tài)下，若在保持面111上形成開口的真空吸引口 12形成負(fù)壓，則該密閉空間被減壓，由此基板W(具體而言，至少基板W的包括曝光區(qū)域的部分)在其背面與保持面111距離堤部14的高度的位置上，以平坦的狀態(tài)吸附保持在保持面111上?！磯毫鞲衅?7>在保持面111上配置有壓力傳感器17。壓力傳感器17對保持面111上的壓力進(jìn)行檢測。< 銷孔 18>基板保持部10具有多個升降銷181，多個升降銷181用于使基板W相對于保持面111升降。另外，在保持面111上形成有能夠穿過各升降銷181的銷孔18。各升降銷181與升降銷驅(qū)動機(jī)構(gòu)(省略圖示)相連接，并且這些升降銷181設(shè)置為經(jīng)由各銷孔18相對于保持面111同步出沒。在搬運(yùn)裝置60和保持面111之間交接基板W時，各升降銷181在其前端從保持面111突出的上方位置(突出位置)和前端位于保持面111以下的下方位置(待避位置)之間往復(fù)移動。<吸附控制部19>基板保持部10還具有用于對基板保持部10所具備的各部分進(jìn)行控制的吸附控制部19。通過在后面具體說明的控制部90中，例如CPU91按照程序P進(jìn)行規(guī)定的運(yùn)算處理來構(gòu)成吸附控制部19，或者，通過專用的邏輯電路等以硬件的方式構(gòu)成吸附控制部19(圖7)。吸附控制部19與壓力傳感器17電連接，能夠獲取來自壓力傳感器17的檢測信號。另外，吸附控制部19分別與開閉閥123及開閉閥137電連接，基于從壓力傳感器17得到的檢測信號等，來獨(dú)立地對各開閉閥123、137進(jìn)行開閉控制。即，吸附控制部19基于從壓力傳感器17得到的檢測信號等，控制形成在保持面111上的多個吸引口(真空吸引12及多個伯努利吸引口 13、13、…、13)各自的吸引壓的形成。在后面，對該控制方式進(jìn)行具體的說明。<1-2.工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20>再次參照圖I及圖2。工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20是使基板保持部10相對于基臺105移動的機(jī)構(gòu)，使基板保持部10在主掃描方向(Y軸方向)、副掃描方向(X軸方向)以及旋轉(zhuǎn)方向(圍繞Z軸的旋轉(zhuǎn)方向(Θ軸方向))上移動。具體而言，工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20具有使基板保持部10旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)21 (圖I)。工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20還具有支撐板22，其經(jīng)由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)21支撐基板保持部10 ;副掃描機(jī)構(gòu)23，其使支撐板22在副掃描方向上移動。工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20還具有基座板24，其經(jīng)由副掃描機(jī)構(gòu)23支撐支撐板22 ;主掃描機(jī)構(gòu)25，其使基座板24在主掃描方向上移動。
·
如圖I所示，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)21使基板保持部10以穿過基板保持部10的上表面(保持面111)的中心且垂直于保持面111的旋轉(zhuǎn)軸A為中心旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)21例如包括旋轉(zhuǎn)軸部211，其上端固定在保持面111的背面?zhèn)?，并沿鉛垂軸延伸；驅(qū)動部(例如旋轉(zhuǎn)馬達(dá))212，其設(shè)在旋轉(zhuǎn)軸部211的下端，用于使旋轉(zhuǎn)軸部211旋轉(zhuǎn)。在該結(jié)構(gòu)中，通過驅(qū)動部212使旋轉(zhuǎn)軸部211旋轉(zhuǎn)，基板保持部10在水平面內(nèi)以旋轉(zhuǎn)軸A為中心旋轉(zhuǎn)。副掃描機(jī)構(gòu)23具有線性馬達(dá)231，該線性馬達(dá)231由安裝在支撐板22的下表面上的移動件和鋪設(shè)在基座板24的上表面上的固定件。另外，在基座板24上鋪設(shè)有沿著副掃描方向延伸的一對引導(dǎo)構(gòu)件232，在各引導(dǎo)構(gòu)件232和支撐板22之間設(shè)有球軸承233，球軸承233能夠一邊在引導(dǎo)構(gòu)件232上滑動，一邊沿該引導(dǎo)構(gòu)件232移動。S卩，支撐板22經(jīng)由該球軸承233被支撐在一對引導(dǎo)構(gòu)件232上。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)使線性馬達(dá)231動作時，支撐板22在被引導(dǎo)構(gòu)件232引導(dǎo)的狀態(tài)下沿著副掃描方向順暢地移動。主掃描機(jī)構(gòu)25具有線性馬達(dá)251，該線性馬達(dá)251由安裝在基座板24的下表面上的移動件和鋪設(shè)在描畫裝置I的基臺105上的固定件構(gòu)成。另外，在基臺105上鋪設(shè)有沿著主掃描方向延伸的一對引導(dǎo)構(gòu)件252，在各引導(dǎo)構(gòu)件252和基座板24之間設(shè)有空氣軸承253。從公用設(shè)備始終向空氣軸承253供給空氣，基座板24通過空氣軸承253以非接觸方式，被引導(dǎo)構(gòu)件252支撐而浮起。在該結(jié)構(gòu)中，當(dāng)使線性馬達(dá)251動作時，基座板24在被引導(dǎo)構(gòu)件252引導(dǎo)的狀態(tài)下沿著主掃描方向無摩擦而順暢地移動。<1-3.計測部 30>計測部30是用于計測基板保持部10的位置的機(jī)構(gòu)，由干涉式激光測長器構(gòu)成，該干涉式激光測長器，從基板保持部10的外部向基板保持部10出射激光，并且接收該激光的反射光，根據(jù)該反射光和出射光之間的干涉來計測基板保持部10的位置(具體而言，在主掃描方向上的Y位置以及在旋轉(zhuǎn)方向上的Θ位置)。計測部30例如具有平面鏡31，其安裝在基板保持部10的-Y側(cè)的側(cè)面上，并且在-Y側(cè)的面上具有垂直于主掃描方向的反射面；在工作臺的-Y側(cè)固定在基臺105上的各部分(具體為激光源32、分光器33、第一線性干涉儀34、第一接收器35、第二線性干涉儀36及第二接收器37)。在該計測部30中，從激光源32出射的激光被分光器33分為兩部分，其中的一部分激光經(jīng)由第一線性干涉儀34入射至平面鏡31上的第一部位，來自平面鏡31的反射光在第一線性干涉儀34中與原來的激光的一部分(將該部分作為參照光來利用)發(fā)生干涉并被第一接收器35接收?；诘谝唤邮掌?5中的反射光與參照光發(fā)生干涉之后的強(qiáng)度變化，來確定第一線性干涉儀34和平面鏡31在主掃描方向上的距離。由專門的運(yùn)算電路(省略圖不)，基于來自該第一接收器35的輸出，求出基板保持部10在主掃描方向上的位置。另一方面，從激光源32出射而被分光器33分出的另一部分激光的一部分，在安裝臺38的內(nèi)部從+X側(cè)向-X側(cè)穿過，經(jīng)由第二線性干涉儀36入射至平面鏡31。在這里，來自第二線性干涉儀36的激光，入射至平面鏡31上的第二部位，該第二部位是在副掃描方向上與平面鏡31上的第一部位距離一定距離的部位。來自平面鏡31的反射光在第二線性干涉儀36中與原來的激光的一部分發(fā)生干涉并被第二接收器37接收?；诘诙邮掌?7中的反射光與參照光發(fā)生干涉之后的強(qiáng)度變化，來確定第二線性干涉儀36和平面鏡31在主掃描方向上的距離?；趤碜缘诙邮掌?7的輸出和上述的來自第一接收器35的輸出，由專門的運(yùn)算電路(省略圖示)求出基板保持部10的旋轉(zhuǎn)角度。<1-4.光學(xué)單元 40>光學(xué)單元40是用于向保持在基板保持部10上的基板W的上表面照射光來進(jìn)行曝光的機(jī)構(gòu)。如上所述，描畫裝置I具有兩個光學(xué)單元40、40。一個光學(xué)單元40對基板W的+X側(cè)的一半的部分進(jìn)行曝光，另一個光學(xué)單元40對基板W的-X側(cè)的一半的部分進(jìn)行曝光。兩個光學(xué)單元40、40隔開間隔地固定設(shè)置在機(jī)架107上，該機(jī)架107以跨過基板保持部10及工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20的方式架設(shè)在基臺105上。此外，兩個光學(xué)單元40、40的間隔不是必 須恒定，也可以設(shè)置能夠變更光學(xué)單元40、40中的一個或兩者的位置的機(jī)構(gòu)，來調(diào)整兩者的間隔。兩個光學(xué)單元40、40具有相同的結(jié)構(gòu)。即，各光學(xué)單元40具有配置在形成頂板的箱體的內(nèi)部的激光驅(qū)動部41、激光振蕩器42及照明光學(xué)系統(tǒng)43 ;容置在安裝于機(jī)架107的+Y側(cè)的附設(shè)箱體的內(nèi)部的頭部400。頭部400主要具有空間光調(diào)制部44和投影光學(xué)系統(tǒng)45。激光振蕩器42被激光驅(qū)動部41驅(qū)動而從輸出鏡(省略圖示)出射激光。照明光學(xué)系統(tǒng)43將從激光振蕩器42出射的光(點(diǎn)光束(spot beam))變換為強(qiáng)度分布均勻的線狀的光(光束截面為線狀的光即線光束(line beam))。從激光振蕩器42出射并被照明光學(xué)系統(tǒng)43變換為線光束的光入射至頭部400，并對其實(shí)施與圖案數(shù)據(jù)D (參照圖7)相對應(yīng)的空間調(diào)制之后照射至基板W上。具體而言，入射至頭部400的光經(jīng)由反射鏡46而以所規(guī)定的角度入射至空間光調(diào)制部44。空間光調(diào)制部44對該入射光進(jìn)行空間調(diào)制，來將用于圖案描畫中的光和不用于圖案描畫中的光反射至互不相同的方向。其中，具體而言，對光進(jìn)行空間調(diào)制指，變更光的空間分布(振幅、相位及偏振光等)。具體而言，空間光調(diào)制部44具有通過電控制來對入射光進(jìn)行空間調(diào)制的空間光調(diào)制器441?？臻g光調(diào)制器441配置為，其反射面的法線相對于經(jīng)由反射鏡46入射的入射光的光軸傾斜，基于控制部90的控制來對該入射光進(jìn)行空間調(diào)制?？臻g光調(diào)制器441例如由衍射光柵式空間調(diào)制器(例如，GLV(Grating Light Valve :光柵光閥)(“GLV”為注冊商標(biāo))等構(gòu)成。衍射光柵式空間調(diào)制器是能夠變更光柵的深度的衍射光柵，例如利用半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)來制造?？臻g光調(diào)制器441是一維排列多個空間光調(diào)制元件的結(jié)構(gòu)。通過接通(on)/斷開(off)電壓來對各空間光調(diào)制元件的動作進(jìn)行控制。即，例如在斷開(off)電壓的狀態(tài)下，空間光調(diào)制元件的表面變?yōu)槠矫?，在該狀態(tài)下向空間光調(diào)制元件入射光時，該入射光正反射，而不衍射。由此，生成正反射光(O次衍射光)。另一方面，例如在接通(on)電壓的狀態(tài)下，在空間光調(diào)制元件的表面上形成有多條以周期性排列的平行的溝槽。在該狀態(tài)下向空間光調(diào)制元件入射光時，正反射光(O次衍射光)相互抵消而消失，而生成其他次的衍射光(±1次衍射光、±2次衍射光及更高次的衍射光)，而。更準(zhǔn)確地講，O次衍射光的強(qiáng)度最小，其他次的衍射光的強(qiáng)度最大?？臻g光調(diào)制器441具有驅(qū)動電路單元，該驅(qū)動電路單元能夠獨(dú)立地分別對多個空間光調(diào)制元件施加電壓， 由此能夠獨(dú)立地切換各空間光調(diào)制元件的電壓。投影光學(xué)系統(tǒng)45將通過空間光調(diào)制器441進(jìn)行了空間調(diào)制的光中的不用于圖案描畫的不需要的光隔斷，并且僅將用于進(jìn)行圖案描畫的需要的光引導(dǎo)到基板W的表面，來在該表面成像。其中，在通過空間光調(diào)制器441進(jìn)行了空間調(diào)制的光中包括O次衍射光和O次以外的次數(shù)的衍射光(具體而言，±1次衍射光、±2次衍射光及較微量的±3次以上的高次衍射光)，其中，O次衍射光是用于進(jìn)行圖案描畫的需要的光，而O次衍射光以外的衍射光是不用于進(jìn)行圖案描畫的不需要的光。這些需要的光和不需要的光向彼此不相同的方向出射。即，需要的光沿著Z軸向-Z方向出射，不需要的光沿著從Z軸向±x方向略傾斜的軸向-Z方向出射。投影光學(xué)系統(tǒng)45例如通過隔斷板來隔斷沿著從Z軸向±X方向略傾斜的軸出射的不需要的光，并且僅使沿Z軸出射的需要的光通過。除了該隔斷板之外，投影光學(xué)系統(tǒng)45還能夠包括構(gòu)成使入射光的寬度變寬(或者變窄)的變焦部的多個透鏡；將入射光變?yōu)樗鶝Q定的倍率并在基板W上成像的物鏡等。在使光學(xué)單元40執(zhí)行描畫動作的情況下，控制部90驅(qū)動激光驅(qū)動部41來從激光振蕩器42出射光。出射的光由照明光學(xué)系統(tǒng)43變換為線光束，并經(jīng)由反射鏡46入射至空間光調(diào)制部44的空間光調(diào)制器441。在空間光調(diào)制器441中，沿著副掃描方向(X軸方向)排列配置有多個空間光調(diào)制元件，入射光以使其線狀的光束截面沿著空間光調(diào)制元件的排列方向的方式，入射至排成一列的多個空間光調(diào)制元件?？刂撇?0基于圖案數(shù)據(jù)D來向驅(qū)動電路單元發(fā)送指示，驅(qū)動電路單元對所指示的空間光調(diào)制元件施加電壓。由此,形成分別由各空間光調(diào)制元件進(jìn)行了空間調(diào)制的光，該光向基板W出射。若假設(shè)空間光調(diào)制器441所具備的空間光調(diào)制元件的個數(shù)是“N個”，則從空間光調(diào)制器441出射副掃描方向的N個像素的進(jìn)行了空間調(diào)制的光。由空間光調(diào)制器441進(jìn)行了空間調(diào)制的光入射至投影光學(xué)系統(tǒng)45，在這里，不需要的光被隔斷，僅需要的光被引導(dǎo)到基板W的表面，并變?yōu)樗鶝Q定的倍率來在基板W的表面成像。如后述，光學(xué)單元40 —邊如上述那樣持續(xù)進(jìn)行照射動作，即斷續(xù)地照射沿著副掃描方向排列的N個像素的已空間調(diào)制過的光的動作(即，持續(xù)地向基板W的表面反復(fù)投影脈沖光)，一邊沿著主掃描方向(Y軸方向)相對于基板W移動。因此,若光學(xué)單兀40在主掃描方向上橫穿一次基板W,則在基板W的表面上描畫一條在副掃描方向具有N個像素的寬度的圖案組。在下面的說明中，將一個具有N個像素的寬度的圖案描畫區(qū)域稱之為“一個條紋的區(qū)域”。
此外，也可以在頭部400中的空間光調(diào)制部44和投影光學(xué)系統(tǒng)45之間設(shè)置光路修正部，該光路修正部用于使由空間光調(diào)制部44進(jìn)行了調(diào)制的光的路徑在副掃描方向上稍微偏移。此時，使光路修正部根據(jù)需要對光的路徑偏移，能夠沿著副掃描方向微調(diào)照射到基板W上的光的位置。例如能夠由兩個楔形棱鏡(具備非平行的光學(xué)面而能夠變更入射光的光路的棱鏡)和楔形棱鏡移動機(jī)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)光路修正部，其中，楔形棱鏡移動機(jī)構(gòu)使一個楔形棱鏡相對于另一個楔形棱鏡沿著入射光的光軸方向(Z軸方向)進(jìn)行直線移動。在該結(jié)構(gòu)中，對楔形棱鏡移動機(jī)構(gòu)進(jìn)行驅(qū)動控制來對兩個楔形棱鏡之間的分離距離進(jìn)行調(diào)整，由此能夠使入射光偏移所需要的量。<1-5.拍攝單元 50>拍攝單元50用于拍攝形成在基板W的上表面上的定位標(biāo)記。拍攝單元50具有鏡筒、物鏡及CCD圖像傳感器(均省略圖示)，該CCD圖像傳感器例如由區(qū)域圖像傳感器(二維圖像傳感器)構(gòu)成。另外，拍攝單元50與從照明單元80延伸出的光纖81相連接。從照明單元80出射的光通過光纖81引導(dǎo)至鏡筒，并經(jīng)由鏡筒引導(dǎo)至基板W的上表面。并且，弓丨導(dǎo)至基板W的上表面上的光的反射光經(jīng)由物鏡而由CXD圖像傳感器接收。由此，獲取基板·W的上表面的拍攝數(shù)據(jù)。CCD圖像傳感器根據(jù)來自控制部90的指示來獲取拍攝數(shù)據(jù)，并且將獲取的拍攝數(shù)據(jù)發(fā)送至控制部90。此外，拍攝單元50還可以具有能夠自動聚焦的自動聚焦單元。<1-6.搬運(yùn)裝置 60>搬運(yùn)裝置60具有用于支撐基板W的兩個手部61、61和使手部61、61獨(dú)立地移動的手部驅(qū)動機(jī)構(gòu)62。由手部驅(qū)動機(jī)構(gòu)62對各手部61進(jìn)行驅(qū)動，由此使各手部61進(jìn)退移動及升降移動，而與基板保持部10的保持面111交接基板W?！?-7.預(yù)調(diào)節(jié)部 70>預(yù)調(diào)節(jié)部70是用于對基板W的旋轉(zhuǎn)位置進(jìn)行粗略修正的裝置。預(yù)調(diào)節(jié)部70例如能夠由以下構(gòu)件構(gòu)成載置臺，其能夠旋轉(zhuǎn)；傳感器，其對形成在載置臺上所載置的基板W的外周緣的一部分上的切口部(例如，缺口、定向平面等)的位置進(jìn)行檢測；旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)，其使載置臺旋轉(zhuǎn)。此時，預(yù)調(diào)節(jié)部70中的預(yù)調(diào)節(jié)處理，首先由傳感器對載置在載置臺上的基板W的切口部的位置進(jìn)行檢測，接著由旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)以使該切口部的位置處于所規(guī)定的位置的方式(例如，以使切口的方向與基板保持部10的移動方向(例如，X方向))平行的方式)使載置臺旋轉(zhuǎn)?！?-8.控制部 90>控制部90與描畫裝置I所具備的各部分電連接，該控制部90 —邊執(zhí)行各種運(yùn)算處理，一邊對描畫裝置I的各部分的動作進(jìn)行控制。圖7是表示控制部90的硬件結(jié)構(gòu)的框圖?？刂撇?0例如由CPU (CentralProcessing Unit :中央處理單兀)91、R0M (Read Only Memory :只讀存儲器)92、RAM (RandomAccess Memory :隨機(jī)存取存儲器)93、外部存儲裝置94等經(jīng)由總線95相互連接而成的通常的計算機(jī)構(gòu)成。R0M92保存基本程序等，RAM93提供CPU91進(jìn)行規(guī)定處理時的工作區(qū)域。外部存儲裝置94由閃存器構(gòu)成，或者，由硬盤裝置等非易失性存儲裝置構(gòu)成。外部存儲裝置94中保存有程序P，通過作為主控制部的CPU91按照該程序P中的順序來進(jìn)行運(yùn)算處理，由此實(shí)現(xiàn)各種功能。程序P通常預(yù)先保存在外部存儲裝置94等存儲器中來使用，但也可以以記錄到 CD-ROM (Compact Disk Read-Only Memory:只讀光盤)或者 DVD-ROM (digitalversatile disk Read-Only Memory :數(shù)字多功能只讀光盤)、外部閃存器等記錄介質(zhì)中的方式(程序產(chǎn)品)來提供(或者，經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)從外部服務(wù)器下載等來提供)，程序P可以以追加或替換的方式保存到外部存儲裝置94等存儲器中。此外，也可以利用專用的邏輯電路等來以硬件的方式實(shí)現(xiàn)在控制部90中實(shí)現(xiàn)的一部分或全部的功能。另外，在控制部90中，輸入部96、顯示部97、通信部98都與總線95相連接。輸入部96由各種開關(guān)、觸摸面板等構(gòu)成，用于接受操作人員的各種輸入設(shè)定指示。顯示部97由液晶顯示裝置、指示燈等構(gòu)成，在CPU91的控制下顯示各種信息。通信部98具有經(jīng)由LAN等來進(jìn)行數(shù)據(jù)通信的功能。在外部存儲裝置94中保存有記述了用于對基板W進(jìn)行曝光的圖案的數(shù)據(jù)(圖案數(shù)據(jù))D。圖案數(shù)據(jù)D例如是對使用CAD (computer aided design計算機(jī)輔助設(shè)計)生成的CAD數(shù)據(jù)進(jìn)行光柵化的數(shù)據(jù)，表示電路圖案等。在對基板W進(jìn)行一系列處理 之前，控制部90先獲取圖案數(shù)據(jù)D并保存在外部存儲裝置94中。此外，圖案數(shù)據(jù)D的獲取，例如可以通過從經(jīng)由網(wǎng)絡(luò)等連接的外部終端裝置接收來實(shí)現(xiàn)，也可以通過從記錄介質(zhì)讀取來實(shí)現(xiàn)。<2.處理基板W的流程〉接著，參照圖8，說明在描畫裝置I中執(zhí)行的對基板W的一系列處理的流程。圖8是表示該處理的流程的圖。在控制部90的控制下，進(jìn)行在下面說明的一系列的動作。首先，搬運(yùn)裝置60從載置在裝載盒載置部104上的裝載盒C中取出未處理基板W并搬入描畫裝置I (具體而言，是預(yù)調(diào)節(jié)部70)(步驟SI)。接著，由預(yù)調(diào)節(jié)部70對基板W進(jìn)行預(yù)調(diào)節(jié)處理(步驟S2)。如上所述，例如通過由傳感器對載置在載置臺上的基板W的切口部的位置進(jìn)行檢測，并以使該切口部的位置處于所規(guī)定的位置的方式使載置臺旋轉(zhuǎn)，由此進(jìn)行預(yù)調(diào)節(jié)處理。由此，成為載置在載置臺上的基板W和所規(guī)定的旋轉(zhuǎn)位置大致對位的狀態(tài)。接著，搬運(yùn)裝置60從預(yù)調(diào)節(jié)部70搬出預(yù)調(diào)節(jié)處理完的基板W并將其載置在基板保持部10的保持面111上(步驟S3)。具體而言，如下進(jìn)行該處理。首先，工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20將基板保持部10移動至所規(guī)定的交接位置。當(dāng)基板保持部10配置在交接位置時，接著升降銷驅(qū)動機(jī)構(gòu)(省略圖示)使一組升降銷181從下方位置移動至上方位置。由此，成為一組升降銷181從保持面111突出的狀態(tài)。接著，搬運(yùn)裝置60沿保持面111插入支撐有預(yù)調(diào)節(jié)處理完的基板W的手部61，再使手部61向下方移動。由此，將載置在手部61上的基板W移載在一組升降銷181上。接著，當(dāng)拔出手部61時，升降銷驅(qū)動機(jī)構(gòu)14使一組升降銷181從上方位置移動至下方位置。由此，成為基板W載置在保持面111上的狀態(tài)。在保持面111上載置了基板W，接著基板保持部10吸附保持基板W (步驟S4)。參照圖9，對該處理的流程進(jìn)行具體的說明。圖9是表示該處理的流程的圖。在保持面111上一載置基板W，吸附控制部19首先打開開閉閥123。于是，在真空吸引口 12形成負(fù)壓(吸引壓)(步驟S41)。在基板W是沒有彎曲的平坦的形狀的情況下，堤部14的頂部的整個區(qū)域、所有的突起部15的頂部以及所有的環(huán)狀突起部16的頂部分別與基板W的背面相抵接，由此在堤部14、被堤部14包圍的保持面111和基板W的背面之間形成密閉空間。因此，此時在真空吸引口 12形成負(fù)壓時，該密閉空間的壓力降低，由此基板W在其背面與保持面111距離堤部14的高度的位置上，以平坦的狀態(tài)吸附保持在保持面111上。如果根據(jù)壓力傳感器17的輸出信息確認(rèn)保持面111上的吸引壓為小于規(guī)定值的低壓(真空壓側(cè))(即，當(dāng)壓力傳感器17的檢測壓力小于規(guī)定值(例如_60kPa))(步驟S42 是”)，則吸附控制部19判斷基板W被恰當(dāng)?shù)匚奖３?從而結(jié)束吸附保持基板W的一系列處理。另一方面，在基板W產(chǎn)生了彎曲而不是平坦的形狀的情況下，在基板W的背面與堤部14的頂部的至少一部分之間形成間隙。因此，此時即使在真空吸引口 12形成負(fù)壓，會由該間隙破壞負(fù)壓，由此保持面111上的壓力不容易降低。在即使開始從真空吸引口 12吸引起經(jīng)過了一定時間而根據(jù)壓力傳感器17的輸出信息不能確認(rèn)保持面111上的吸引壓為小于規(guī)定值的低壓的情況下(即，壓力傳感器17的檢測壓力在規(guī)定值(例如_60kPa)以上的情況)(步驟S42 否”)，吸附控制部19判斷基板W未恰當(dāng)?shù)匚奖３衷诒３置?11上(吸附不良)，由此打開開閉閥137。于是，多個伯努利吸引口 13、13、· 3都形成負(fù)壓(吸引壓)(步驟S43)。
如上所述，伯努利吸引口 13在保持面111上規(guī)定的圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2各至少配置一個(參照圖3)。在基板W彎曲為凸形狀的情況下，借助配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13形成的負(fù)壓，基板W的中心部附近向保持面111被強(qiáng)力地吸引。另一方面，在基板W彎曲為凹形狀的情況下，借助配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的伯努利吸引口 13形成的負(fù)壓，基板W的周緣附近向保持面111被強(qiáng)力地吸引。因此，無論在基板W彎曲為凸形狀、凹形狀中的任一形狀的情況下，都能夠借助伯努利吸引口 13形成的負(fù)壓而使基板W平坦化。若基板W變?yōu)槠教沟男螤?，則如上所述，基板W的背面與堤部14的頂部的整個區(qū)域、所有的突起部15的頂部以及所有的環(huán)狀突起部16的頂部相抵接，由此在堤部14、被堤部14包圍的保持面111和基板W的背面之間形成密閉空間。于是，通過在真空吸引口 12及各伯努利吸引口 13形成的負(fù)壓降低該密閉空間的壓力，由此基板W在其背面與保持面111距離堤部14的高度的位置上，以平坦的狀態(tài)吸附保持在保持面111上。當(dāng)根據(jù)壓力傳感器17的輸出信息確認(rèn)保持面111上的吸引壓為小于規(guī)定值的低壓時(即，壓力傳感器17的檢測壓力小于規(guī)定值(例如_60kPa)時)(步驟S44:“是”)，吸附控制部19關(guān)閉開閉閥137而使各伯努利吸引口 13停止吸引(步驟S45)。如上所述，由于基板W已成為平坦的形狀，并且在堤部14、被堤部14包圍的保持面111和基板W的背面之間形成了密閉空間，因而即使停止從各伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引，也能夠借助形成在真空吸引口 12的負(fù)壓維持基板W被恰當(dāng)?shù)匚奖３值臓顟B(tài)。通過上面的處理，吸附控制部19結(jié)束用于吸附保持基板W的一系列處理。再次參照圖8。當(dāng)成為基板W被吸附保持的狀態(tài)時，接著進(jìn)行精密對位的處理(精調(diào)節(jié))，以使該基板W位于適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)位置(步驟S5)。具體而言，首先工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20使基板保持部10從交接位置移動至拍攝單元50的下方位置。當(dāng)基板保持部10配置在拍攝單元50的下方時，接著，拍攝單元50拍攝基板W上的定位標(biāo)記而獲取該拍攝數(shù)據(jù)。接著，控制部90對由拍攝單元50獲取的拍攝數(shù)據(jù)進(jìn)行圖像解析來檢測定位標(biāo)記的位置，并基于該檢測位置來算出基板W相對于旋轉(zhuǎn)位置的適當(dāng)位置的偏移量。當(dāng)計算出偏移量時，旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)21使基板保持部10旋轉(zhuǎn)該計算出的偏移量。由此，由此使基板W對位而位于適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)位置。當(dāng)基板W處于恰當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)位置時，接著進(jìn)行圖案的描畫處理(步驟S6)。參照圖10，對描畫處理進(jìn)行說明。圖10是用于說明描畫處理的圖。通過工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20 —邊使載置在基板保持部10上的基板W相對于光學(xué)單元40,40移動，一邊從每個光學(xué)單元40、40向基板W的上表面照射進(jìn)行了空間調(diào)制的光，來進(jìn)行描畫處理。具體而言，工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20，首先使配置在拍攝單元50的下方位置的基板保持部10沿著主掃描方向(Y軸方向)向+Y方向移動，由此使基板W相對于光學(xué)單元40、40沿著主掃描方向相對移動(主掃描)。若從基板W的角度觀察該動作,則各光學(xué)單兀40沿著主掃描方向向-Y方向在基板W的上方橫穿(箭頭AR11)。在進(jìn)行主掃描期間，各光學(xué)單元40將進(jìn)行了根據(jù)圖案數(shù)據(jù)D的空間調(diào)制而形成的光(具體而言，沿著副掃描方向的N個像素的進(jìn)行了空間調(diào)制的光)，持續(xù)地以斷續(xù)的方式照射在基板W上(即，持續(xù)向基板W的表面反復(fù)投影脈沖光)。即，各光學(xué)單元40 —邊持續(xù)地以斷續(xù)的方式照射沿著副掃描方向的N個像素的進(jìn)行了空間調(diào)制的光，一邊沿著主掃描方向在基板W的上方橫穿。因此，若光學(xué)單兀40沿著主掃描方向橫穿一次基板W,則在基板W的表面上描畫一條副掃描方向上具有·N個像素的寬度的圖案組。在這里，由于兩個光學(xué)單元40同時橫穿基板W，因而通過進(jìn)行一次主掃描而描畫兩條圖案組。當(dāng)一次主掃描結(jié)束時，工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20使基板保持部10沿著副掃描方向(X軸方向)向+X方向移動相當(dāng)于一個條紋的寬度的距離，由此使基板W相對于光學(xué)單元40、40沿著副掃描方向相對移動(副掃描)。若從基板W的角度觀察該動作，則各光學(xué)單元40沿著副掃描方向向-X方向移動一個條紋的寬度(箭頭AR12)。當(dāng)副掃描結(jié)束時，再次進(jìn)行主掃描。即，工作臺移動機(jī)構(gòu)20使基板保持部10沿著主掃描方向向-Y方向移動，來使基板W相對于光學(xué)單兀40、40沿著主掃描方向相對移動。若從基板W的角度觀察該動作,貝U各光學(xué)單兀40沿著主掃描方向向+Y方向移動而橫穿基板W上的特定區(qū)域(箭頭AR13)，該特定區(qū)域是指，通過之前的主掃描描畫的一個條紋的描畫區(qū)域的相鄰區(qū)域。在這里，各光學(xué)單元40—邊持續(xù)地向基板W以斷續(xù)的方式照射進(jìn)行了根據(jù)圖案數(shù)據(jù)D的空間調(diào)制而形成的光，一邊沿著主掃描方向在基板W的上方橫穿。由此，在通過之前的主掃描描畫的一個條紋的描畫區(qū)域的相鄰區(qū)域，再描畫一個條紋的區(qū)域。這以后，同樣地反復(fù)進(jìn)行主掃描和副掃描，當(dāng)在基板W的表面的整個區(qū)域上描畫了圖案時結(jié)束描畫處理。再次參照圖8。當(dāng)描畫處理結(jié)束時，工作臺驅(qū)動機(jī)構(gòu)20使基板保持部10移動至交接位置。當(dāng)基板保持部10配置在交接位置時，吸附控制部19關(guān)閉開閉閥123而停止從真空吸引口 12進(jìn)行吸引。由此，氣體從真空吸引口 12流入密閉空間而解除基板W的吸附狀態(tài)(步驟S7)。當(dāng)解除了基板W相對于保持面111的吸附狀態(tài)時，接著搬運(yùn)裝置60接收載置在保持面111上的處理完的基板W而從描畫裝置I中搬出，并將該基板W容置在載置于裝載盒載置部104上的裝載盒C中(步驟S8)。具體而言，如下進(jìn)行搬運(yùn)裝置60從保持面111接收基板W的處理。首先，升降銷驅(qū)動機(jī)構(gòu)(省略圖示)使一組升降銷181從下方位置移動至上方位置。由此，基板W的下表面被一組升降銷181支撐而從基板保持部10抬起，從而變?yōu)閺谋３置?11剝下的狀態(tài)。接著，搬運(yùn)裝置60將手部61插入保持面111和基板W的下表面之間，再使手部61上升。由此，支撐在一組升降銷181上的基板W移載至手部61上。接著，當(dāng)拔出手部61時，升降銷驅(qū)動機(jī)構(gòu)14使一組升降銷181從上方位置移動至下方位置。<3.效果〉在第一實(shí)施方式中，由于伯努利吸引口 13分別配置在形成于保持面111上的圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2中，因而無論基板W彎曲成凸形狀、凹形狀中的任一形狀，都能夠通過從伯努利吸引口 13進(jìn)行的吸引而使基板W的彎曲平坦化。因此，即使是彎曲的基板W，也能夠以簡單的結(jié)構(gòu)可靠地吸附保持基板W(具體而言，至少是基板W的包括曝光區(qū)域的部分)。因此，在對基板W進(jìn)行一系列處理期間，能夠避免發(fā)生基板W相對于保持面111錯位這樣的情況，從而能夠恰當(dāng)?shù)貙錡進(jìn)行一系列處理。即，能夠保證高精度的描畫處理。
另外，在第一實(shí)施方式中，基板W在與堤部14的頂部及突起部15的頂部等相抵接的狀態(tài)下被吸附保持。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于基板W在其背面與保持面111距離堤部14的高度的位置上，以平坦的狀態(tài)吸附保持在保持面111上，因而不擔(dān)心在基板W的背面形成真空吸引口 12的吸引痕跡。另外，在第一實(shí)施方式中，沿著保持面111的圓環(huán)狀區(qū)域M2的周向排列有多個伯努利吸引口 13。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，即使在基板W彎曲成凹形狀的情況下，也能夠通過來自配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的各伯努利吸引口 13的吸引壓而使基板W的彎曲平坦化，從而能夠可靠地吸附保持基板W。另外，在第一實(shí)施方式中，在即使從真空吸引口 12進(jìn)行吸引而保持面111上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓的情況下，開始從伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，例如在載置在保持面111上的基板W最初是沒有彎曲的平坦的形狀的情況下，不從伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引，因而能夠抑制消耗多余的空氣。另外，也不存在基板W的背面被污染的危險。另外，在第一實(shí)施方式中，當(dāng)從伯努利吸引口 13開始吸引之后保持面111上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓時，停止從伯努利吸引口 13的吸引。即，當(dāng)通過從伯努利吸引口 13進(jìn)行的吸引使基板W的彎曲平坦化而基板W被恰當(dāng)吸附保持時，之后僅通過從真空吸引口 12進(jìn)行吸引來吸附保持基板W。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于伯努利吸引口 13的吸引被抑制在需要的的最小限度，因而能夠抑制消耗多余的空氣。另外，也降低基板W的背面被污染的危險。另外，在第一實(shí)施方式中，在從真空吸引口 12進(jìn)行吸引的狀態(tài)(S卩，借助來自真空吸引口 12的吸引壓，基板W的至少一部分被吸引在保持面111上的狀態(tài))下，開始從各伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在開始從各伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引的情況下，不易發(fā)生基板W錯位等的情況。另外，在第一實(shí)施方式中，在伯努利吸引單元130的主體部131和形成在保持板11上的凹部112之間形成有間隙Q，從圓柱狀凹入空間132溢出的氣體沿間隙Q流動而被排出到保持板11的背面?zhèn)?。因此，即使在變?yōu)榛錡的背面與形成在伯努利吸引口 13的外緣的環(huán)狀突起部16的頂部相抵接的狀態(tài)(即，伯努利吸引口 13被基板W的背面堵塞的狀態(tài))下，也能夠在圓柱狀凹入空間132內(nèi)持續(xù)形成強(qiáng)的旋流。即，能夠持續(xù)維持伯努利吸引口 13的負(fù)壓。另外，在第一實(shí)施方式中，伯努利吸引口 13的直徑尺寸dl3小于圓柱狀凹入空間132的直徑尺寸dl32。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，由于基板W的背面的吸引壓作用的區(qū)域變小，因而不擔(dān)心由于從伯努利吸引口 13進(jìn)行吸引而使基板W的平面度惡化?！兜诙?shí)施方式》對第二實(shí)施方式所涉及的描畫裝置進(jìn)行說明。本實(shí)施方式所涉及的描畫裝置與第一實(shí)施方式的描畫裝置之間的不同點(diǎn)在于，將基板W吸附保持為水平姿勢的基板保持部所具備的保持面的結(jié)構(gòu)和將基板W吸附保持在保持面上的方式。下面，對與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)進(jìn)行說明，而對相同的結(jié)構(gòu)則省略說明，并且標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記來表示相同的結(jié)構(gòu)?！碔.基板保持部10a>參照圖11、圖12，對基板保持部IOa的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。圖11是基板保持部IOa的 俯視圖。圖12是示意性地表示基板保持部IOa所具備的配管系統(tǒng)的圖。與第一實(shí)施方式所涉及的基板保持部10同樣地，基板保持部IOa具有保持板11a，該保持板Ila具有平板狀的外形，并且在該保持板Ila的上表面形成有與基板W的背面相向的保持面111a。在本實(shí)施方式中，保持面Illa的平面度也形成相對于光學(xué)單元40的焦點(diǎn)深度非常小的值。另外，保持面Illa形成為至少能夠覆蓋基板W的曝光區(qū)域的尺寸。另夕卜，在本實(shí)施方式中，基板W是圓形狀，并且俯視時，保持面Illa是圓形狀?！次?2a、...、12a、13a、…、13a>保持面Illa上形成有多個吸引口 12a、…、12a、13a、…、13a。該多個吸引口12a、…、12a、13a、…、13a中的一半的吸引口 12a、…、12a是通過真空吸引來將基板W吸引在保持面Illa上的真空吸引口 12a。另外，剩余的一半吸引口 13a、…、13a是通過伯努利吸引來將基板W吸引在保持面Illa上的伯努利吸引口 13a。真空吸引口 12a和伯努利吸引口 13a個數(shù)相等(在圖示的例子中是各7個)。在這里，對多個真空吸引口 12a、…、12a以及多個伯努利吸引口 13a、…、13a的布局進(jìn)行說明。與上述的第一實(shí)施方式同樣地，在這里，在保持面Illa上規(guī)定有圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2，其中，圓形區(qū)域Ml配置為與保持面Illa的中心同心，圓環(huán)狀區(qū)域M2配置為與圓形區(qū)域Ml同心。而且，圓環(huán)狀區(qū)域M2沿著其周向分割為多個(在圖示的例子中是6個)弧狀區(qū)域M22、M22、…、M22。即，在本實(shí)施方式所涉及的保持面Illa上規(guī)定有圓形區(qū)域Ml及多個弧狀區(qū)域M22、M22、…、M22。下面，將圓形區(qū)域Ml及各弧狀區(qū)域M22統(tǒng)稱為“部分區(qū)域Mi”。真空吸引口 12a和伯努利吸引口 13a在保持面Illa上所規(guī)定的多個部分區(qū)域Mi中各至少配置一個(圖示的例子中是各一個)。其中，優(yōu)選各弧狀區(qū)域M22的面積彼此相同。另外，還優(yōu)選各弧狀區(qū)域M22的面積和圓形區(qū)域Ml的面積彼此相同(即，各部分區(qū)域Mi的面積相同)。并且，在各部分區(qū)域Mi的面積相同的情況下，優(yōu)選在各部分區(qū)域Mi各配置相同個數(shù)的真空吸引口 12a和伯努利吸引口 13a。各真空吸引口 12a分別與分支為真空吸引口 12a的數(shù)量的分支配管121a的各分支側(cè)端部相連接。另一方面，分支配管121a的合流側(cè)端部與氣體吸引部122相連接。另外，在分支配管121a的非端部位置(合流側(cè)的部分)配置有開閉閥123a。在氣體吸引部122運(yùn)轉(zhuǎn)且開閉閥123a打開時，經(jīng)由分支配管121a分別在多個真空吸引口 12a、…、12a形成負(fù)壓(吸引壓)。各伯努利吸引口 13a與配置有伯努利吸引單元130的凹部112相連通。伯努利吸引單元130的結(jié)構(gòu)如上所述。各伯努利吸引單元130所具備的一對噴嘴134、134分別與分支為伯努利吸引口 13a的數(shù)量的分支配管135a的各分支側(cè)端部相連接。另一方面，分支配管135a的合流側(cè)端部與氣體供給部136相連接。另外，在分支配管135a的非端部位置(分支側(cè)的各部分)配置有開閉閥137a。并且，在分支配管135a的非端部位置(合流側(cè)的部分)配置有過濾器(省略圖示)。當(dāng)氣體供給部136運(yùn)轉(zhuǎn)并多個開閉閥137a、…、137a中的某個打開時，經(jīng)由分支配管135a向與配置有該開閉閥137a的分支部相連接的的伯努利吸引單元130供給壓縮氣體(具體而言，分別從該伯努利吸引單元130所具備的一對噴嘴134、134噴出壓縮氣體)。由此，在與配置有該伯努利吸引單元130的凹部112相連通的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓。即，在該結(jié)構(gòu)中，能夠獨(dú)立地在多個伯努利吸引口 13a、…、13a形成負(fù)壓?！吹滩?4a>在保持面Illa上，沿著各部分區(qū)域Mi的邊界立起設(shè)置有堤部14a。即，在保持面Illa上設(shè)置有包圍各部分區(qū)域Mi的堤部14a。另外，與第一實(shí)施方式同樣地，在被堤部14a包圍的各部分區(qū)域Mi內(nèi)，在整個區(qū)域上立起設(shè)置有多個突起部15(參照圖4、圖5)。并且，·沿著各伯努利吸引口 13a的外緣及各銷孔18的外緣立起設(shè)置有環(huán)狀突起部16。其中，在圖11中，省略了突起部15的圖示。與第一實(shí)施方式同樣地，堤部14a的頂部、各突起部15的頂部和各環(huán)狀突起部16的頂部均形成在同一平面內(nèi)，并且配置有這些頂部的平面的平面度也為相對于光學(xué)單元40的焦點(diǎn)深度非常小的值。當(dāng)在保持面Illa上載置平坦的基板W時，該基板W的背面與所有的堤部14a的頂部整個區(qū)域、所有的突起部15的頂部以及所有的環(huán)狀突起部16的頂部相抵接，由此在各堤部14a、被各堤部14a包圍的各部分區(qū)域Mi和基板W的背面之間形成密閉空間。在該狀態(tài)下，當(dāng)在各部分區(qū)域Mi形成開口的真空吸引口 12a形成負(fù)壓時，各密閉空間被減壓，由此基板W(具體而言，至少基板W的包含曝光區(qū)域的部分)在其背面與保持面Illa距離堤部14a的高度的位置上，以平坦的狀態(tài)吸附保持在保持面Illa上?！磯毫鞲衅?7a>在保持面Illa上配置有多個壓力傳感器17a、17a、…、17a。壓力傳感器17a在保持面Illa上規(guī)定的多個部分區(qū)域Mi中各配置一個，用于對該配置位置處的保持面Illa上的壓力進(jìn)行檢測?！瓷典N181〉與第一實(shí)施方式所涉及的基板保持部10同樣地，基板保持部IOa具有多個升降銷181和銷孔18，其中，這些多個升降銷181用于使基板W相對于保持面11 Ia升降，該銷孔18形成在保持面Illa上，且能夠穿過各升降銷181。升降銷181及銷孔18的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式所涉及的升降銷181相同?！次娇刂撇?9a>與第一實(shí)施方式所涉及的基板保持部10同樣地，基板保持部IOa具有吸附控制部19a，該吸附控制部19a用于對基板保持部IOa所具備的各部分進(jìn)行控制。通過在控制部90中例如由CPU91按照程序P進(jìn)行規(guī)定的運(yùn)算處理來實(shí)現(xiàn)吸附控制部19a的功能，或者，通過專用的邏輯電路等來以硬件的方式實(shí)現(xiàn)吸附控制部19a的功能(參照圖7)。吸附控制部19a分別與多個壓力傳感器17a、17a、…、17a電連接，能夠獲取來自各壓力傳感器17a的檢測信號。另外，吸附控制部19a分別與開閉閥123a及多個開閉閥137a、137a、…、137a電連接，基于從各壓力傳感器17a得到的檢測信號來獨(dú)立地對各開閉閥123a、137a、137a、…、137a進(jìn)行開閉控制。S卩，吸附控制部19a基于從各壓力傳感器17a得到的檢測信號等，來控制形成在保持面Illa上的多個吸引口(多個真空吸引口 12a、12a、…、12a及多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a)各自的吸引壓的形成。在后面，對該控制方式進(jìn)行具體的說明?！?.吸附保持基板W的處理的流程>對基板保持部IOa將基板W吸附保持在保持面Illa上的處理的流程(圖8的步驟S4的處理的流程)進(jìn)行說明。由于該處理與第一實(shí)施方式所涉及的步驟S4的處理的流程大體上相同，因而參照之前參照的圖8進(jìn)行說明。當(dāng)在保持面Illa上載置基板W時，吸附控制部19a首先打開開閉閥123a。于是，在多個真空吸引口 12a、12a、…12a分別形成負(fù)壓(步驟S41)。
在保持面Illa上規(guī)定的部分區(qū)域Mi中，在包圍該部分區(qū)域Mi的堤部14a的頂部的整個區(qū)域和基板W的背面相抵接的情況下，在堤部14a、被該堤部14a包圍的部分區(qū)域Mi和基板W的背面之間形成密閉空間。因此，此時，當(dāng)在配置在該部分區(qū)域Mi的真空吸引口12a形成負(fù)壓時，該密閉空間的壓力降低。在基板W是沒有彎曲的平坦的形狀的情況下，在所有的部分區(qū)域Mi (即，保持面Illa的整個區(qū)域)中，保持面Illa上的壓力降低。若根據(jù)多個壓力傳感器17a、17a、…、17a各自的輸出信息確認(rèn)在所有的部分區(qū)域Mi保持面Illa上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓時(步驟S42 是”)，吸附控制部19a判斷基板W恰當(dāng)?shù)匚奖３衷诒３置鍵lla上而結(jié)束吸附保持基板W的一系列處理。另一方面，在基板W產(chǎn)生了彎曲而不是平坦的形狀的情況下，至少在一個部分區(qū)域Mi，在包圍該部分區(qū)域Mi的堤部14a的頂部的至少一部分和基板W的背面之間產(chǎn)生間隙。因此，此時，即使配置在該部分區(qū)域Mi的真空吸引口 12a形成負(fù)壓，也會由該間隙破壞負(fù)壓，由此該部分區(qū)域Mi的保持面Illa上的壓力不容易降低。在開始從真空吸引口 12a進(jìn)行吸引起經(jīng)過了一定的時間而根據(jù)多個壓力傳感器17a、17a、…、17a各自的輸出信息不能確認(rèn)在所有的部分區(qū)域Mi中保持面Illa上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓的情況下(即，吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓的部分區(qū)域Mi存在一個以上的情況)(步驟S42 “否”)，吸附控制部19a判斷基板W未恰當(dāng)?shù)匚奖３衷诒３置鍵lla上(吸附不良)，由此接著打開開閉閥137a來在伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓(步驟S43)。對步驟S43的處理進(jìn)行具體的說明。如上所述，基板保持部IOa具有多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a，吸附控制部19a對開閉閥137a、137a、…、137a獨(dú)立地進(jìn)行開閉控制，而能夠獨(dú)立地在各伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓。在這里，若對在打開了所有的開閉閥137a、137a、…、137a的情況下在各伯努利吸引口 13a形成的吸引壓與在僅打開一個開閉閥137a而關(guān)閉其他的開閉閥137a、…、137a的情況下在與該打開的開閉閥137a相對應(yīng)的伯努利吸引口 13a形成的吸引壓進(jìn)行比較，則后者的壓力更低。即，后者的吸引力強(qiáng)。這是因?yàn)?，在后者的情況下，從氣體供給部136供給的壓縮氣體不會分散，能夠向一個伯努利吸引單元130集中供給大量的壓縮氣體。因此，吸附控制部19a例如以依次選擇多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a中的一部分(優(yōu)選每次選擇一個)來僅在選擇的一部分的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓的方式，對各開閉閥137a進(jìn)行開閉控制。即，吸附控制部19a首先選擇多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a中的一部分，使與被選擇的伯努利吸引口 13a相對應(yīng)的開閉閥137a(具體而言，是安裝在與特定的伯努利吸引單元130相連接的分支配管135a的分支部分上的開閉閥137a，其中，該特定的伯努利吸引單元130配置在與該伯努利吸引口 13a相連通的凹部112中)形成打開狀態(tài)，使其他的各開閉閥137a形成關(guān)閉狀態(tài)。當(dāng)在該狀態(tài)下經(jīng)過了所規(guī)定的時間時，吸附控制部19a接著選擇其他的伯努利吸引口 13a，僅使與該選擇的伯努利吸引口13a相對應(yīng)的開閉閥137a形成打開狀態(tài)，使其他的各開閉閥137a形成關(guān)閉狀態(tài)。之后也同樣地依次切換開閉閥137a。由此，順次在多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a分別形成負(fù)壓。在這里，可以任意規(guī)定在各伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓的順序(S卩，選擇伯努利吸引口 13a的順序)。例如，如在圖13中示意性地表示的，可以采用如下方式首先，在配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓(nl)，接著以逆時針(或者，也可以順時針)的順序，在配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的多個伯努利吸引口 13a分別形成負(fù)壓 (n2 —n3 —n4—…一n7)，再次在配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓(nl)
(即，nl — n2 — n3 — n4 —----- n7 — nl — n2 —…)。在該結(jié)構(gòu)中,例如在基板W產(chǎn)生了
凸形狀的彎曲的情況下，即使在配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a進(jìn)行第一次吸引的時刻未能可靠地吸附基板W的中心附近，也在其他伯努利吸引口 13a依次進(jìn)行吸引的過程中基板W從容易被吸附的部分(彎曲量小的部分)起逐漸平坦化，因而配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a在第二次以后進(jìn)行吸引的時刻，能夠可靠地吸附基板W的中心附近。另外，例如也可以采用以下方式在配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a始終形成負(fù)壓，另一方面，按照逆時針(或者順時針)的順序，在配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的多個伯努利吸引口 13a依次形成負(fù)壓。另外，例如也可以采用以下方式優(yōu)先在配置在保持面Illa上的吸引壓小的部分區(qū)域Mi的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓。此時，吸附控制部19a首先選擇與配置在保持面Illa上的多個壓力傳感器17a、17a、…、17a中的檢測出最小的吸引壓的壓力傳感器17a相對應(yīng)的伯努利吸引口 13a(即，在配置有該壓力傳感器17a的部分區(qū)域Mi所配置的伯努利吸引口 13a)，接著選擇與檢測出第二小的吸引壓的壓力傳感器17a相對應(yīng)的伯努利吸引口13a，之后也以同樣的方式選擇伯努利吸引口 13a。若吸附控制部19以上述方式對多個開閉閥137a、137a、…、137a進(jìn)行開閉控制，則借助依次在各伯努利吸引口 13形成的負(fù)壓，逐漸使基板W平坦化。如上所述，伯努利吸引口 13a在保持面Illa上規(guī)定的圓形區(qū)域Ml和圓環(huán)狀區(qū)域M2各至少配置一個。因此，無論基板W上形成有凸形狀、凹形狀中的任一形狀的彎曲的情況下，都能夠通過依次在各伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓來使基板W平坦化。當(dāng)基板W成為平坦的形狀時，如上所述，在所有的部分區(qū)域Mi (B卩，保持面Illa的整個區(qū)域)，保持面Illa上的壓力降低。當(dāng)根據(jù)多個壓力傳感器17a、17a、…、17a各自的輸出信息確認(rèn)在所有的部分區(qū)域Mi保持面Illa上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的低壓(步驟S44 是”)時，吸附控制部19a關(guān)閉所有的開閉閥137a、137a、…、137a而使所有的伯努利吸引口 13a、13a、…、13a停止吸引(步驟S45)。如上所述，在基板W已成為平坦的形狀，在所有的部分區(qū)域Mi，在堤部14a、被堤部14a包圍的部分區(qū)域Mi和基板W的背面之間形成密閉空間，因而即使各伯努利吸引口 13a停止吸引，也能夠通過在各真空吸引口 12a形成的負(fù)壓來維持基板W吸附保持在保持面Illa上的狀態(tài)。通過上面的處理，吸附控制部19a結(jié)束吸附保持基板W的一系列處理。<3.效果〉在第二實(shí)施方式中，能夠得到與第一實(shí)施方式同樣的效果。另外，在第二實(shí)施方式中，在保持面Illa上規(guī)定的多個部 分區(qū)域Mi(多個弧狀區(qū)域M22及圓形區(qū)域Ml)分別配置真空吸引口 12a和伯努利吸引口 13a，并且形成包圍該各部分區(qū)域Mi的堤部14a。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在各部分區(qū)域Mi和基板W的背面之間形成密閉空間，而能夠以該部分區(qū)域Mi為單位獨(dú)立地吸附保持基板W的背面，因而能夠不浪費(fèi)而高效地使基板W的彎曲平坦化，從而能夠可靠地吸附保持基板W。特別地，只要使多個弧狀區(qū)域M22各自的面積彼此相等，則形成于各弧狀區(qū)域M22和基板W的背面之間的密閉空間的體積相等，因而能夠在各弧狀區(qū)域M22對基板W施加相等的吸引力。由此，即使在基板W上產(chǎn)生任一形狀的彎曲，都能夠可靠地使基板W平坦化來吸附保持該基板W?！蹲冃卫贰碔.第一變形例〉在第二實(shí)施方式中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)例如經(jīng)由輸入部96(圖7)接受操作人員的輸入，來獲取表示作為處理對象的基板W的彎曲形狀的信息(彎曲形狀信息)(或者，利用配置在保持面Illa的附近的光學(xué)傳感器等來對載置在保持面Illa上的基板W的彎曲形狀進(jìn)行計測，由此獲取表示基板W的彎曲形狀的信息)，吸附控制部19a根據(jù)該彎曲形狀信息來對各開閉閥137a進(jìn)行開閉控制。具體而言，例如，在作為處理對象的基板W彎曲為凹形狀的情況下，吸附控制部19a以僅使配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓的方式對各開閉閥137a進(jìn)行開閉控制。于是，借助形成在該伯努利吸引口 13a的負(fù)壓，使基板W順暢地平坦化。另一方面，在作為處理對象的基板W彎曲為凸形狀的情況下，吸附控制部19a以僅使配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓的方式對各開閉閥137a進(jìn)行開閉控制。于是，借助形成在該伯努利吸引口 13a的負(fù)壓，使基板W順暢地平坦化?！?.第二變形例〉在上述的各實(shí)施方式中，也可以采用能夠?qū)φ婵瘴?12、12a的負(fù)壓(吸引壓)、伯努利吸引口 13、13a的負(fù)壓(吸引壓)進(jìn)行調(diào)整的結(jié)構(gòu)。具體而言，例如在第二實(shí)施方式中，在連接多個真空吸引口 12a、…、12a和氣體吸引部122的分支配管121a的非端部位置(合流側(cè)的部分)，除了配置開閉閥123a之外，還可以配置流量調(diào)整閥124a(圖14)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過與流量調(diào)整閥124a電連接的吸附控制部19a對流量調(diào)整閥124a進(jìn)行控制，能夠?qū)⒎种涔?21a內(nèi)的氣體的吸引量變更為任意值。由此，能夠?qū)⒃诙鄠€真空吸引口 12a、…、12a各自形成的負(fù)壓(吸引壓)變更為任意值。另外，例如在第二實(shí)施方式中，可以在連接多個伯努利吸引單元130、…、130和氣體供給部136的分支配管135a的非端部位置(分支側(cè)的各部分)，配置流量調(diào)整閥138a (圖14)。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，通過與各流量調(diào)整閥138a電連接的吸附控制部19a對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制，能夠?qū)⒁蚋鞑龁卧?30供給的壓縮氣體的流量變更為任意值。由此，能夠?qū)⒃诟鞑?13a形成的負(fù)壓(吸引壓)獨(dú)立地變更為任意值。例如，在圖14所示的結(jié)構(gòu)例中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)例如經(jīng)由輸入部96(圖7)接受操作人員的輸入，來獲取表示作為處理對象的基板W的厚度信息(厚度信息)(或者，利用配置在保持面Illa的附近的光學(xué)傳感器等來對載置在保持面Illa上的基板W的厚度進(jìn)行計測，由此獲取表示基板W的厚度的信息)，吸附控制部19a根據(jù)該厚度信息來對形成于各吸引口 12a、13a的負(fù)壓的值進(jìn)行調(diào)整。此時，例如在作為處理對象的基板W的厚度比基準(zhǔn)值薄的情況下，吸附控制部19a對流量調(diào)整閥124a進(jìn)行控制而使分支配管121a內(nèi)的氣體的吸引量小于基準(zhǔn)值。于是，在各真空吸引口 12a中形成的吸引壓變?yōu)榇笥诨鶞?zhǔn)值的高壓(S卩，各真空吸引口 12a的吸引力變?nèi)?，從而能夠安全地吸附保持基板W，而不會使薄的基板W破損。另一方面，在作為處理對象的基板W的厚度比基準(zhǔn)值厚的情況下，吸附控制部19a對流量調(diào)整閥124a進(jìn)行控制而使分支配管121a內(nèi)的氣體的吸引量大于基準(zhǔn)值。于是，在各真空吸引口 12a形成的吸引·壓變?yōu)樾∮诨鶞?zhǔn)值的低壓(即，各真空吸引口 12a的吸引力變強(qiáng))，從而能夠可靠地吸附保持厚的基板W。另外，在作為處理對象的基板W的厚度比基準(zhǔn)值薄的情況下，吸附控制部19a除了對流量調(diào)整閥124a進(jìn)行控制之外(或者，代替該控制)，還對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制而使分支配管135a內(nèi)的壓縮氣體的流量小于基準(zhǔn)值。于是，在各伯努利吸引口 13a形成的吸引壓變?yōu)榇笥诨鶞?zhǔn)值的高壓，從而能夠安全地吸附保持基板W，而不會使薄的基板W破損。另一方面，在作為處理對象的基板W的厚度比基準(zhǔn)值厚的情況下，吸附控制部19a除了對流量調(diào)整閥124a進(jìn)行控制之外(或者，代替該控制)，還對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制而使分支配管135a內(nèi)的壓縮氣體的流量大于基準(zhǔn)值。于是，在各伯努利吸引口 13a形成的吸引壓變?yōu)樾∮诨鶞?zhǔn)值的低壓，從而也能夠良好地吸附保持厚的基板W。此外，在作為處理對象的基板W的厚度非常薄的情況下，可以采用如下方式吸附控制部19a對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制，使分支配管135a內(nèi)的壓縮氣體的流量小于基準(zhǔn)值，來使在各伯努利吸引口 13a形成的吸引壓變?yōu)榇笥诨鶞?zhǔn)值更的高壓，并且關(guān)閉開閉閥123a而停止從真空吸引口 12a進(jìn)行吸引。此時，由于僅通過在各伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓來將基板W吸附保持在保持面Illa上，因而即使是非常薄的基板W，也能夠安全地將基板W吸附保持在保持面11 Ia上，而不會使基板W破損。另外，在圖14所示的結(jié)構(gòu)例中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)例如經(jīng)由輸入部96(圖7)接受操作人員的輸入，來獲取表示作為處理對象的基板W的彎曲量的信息(彎曲量信息)(或者，利用配置在保持面Illa的附近的光學(xué)傳感器等來對載置在保持面Illa上的基板W的彎曲量進(jìn)行計測，由此獲取表示基板W的彎曲量的信息)，吸附控制部19a不僅按照厚度信息(或者，代替厚度信息)，還按照該彎曲量信息來對伯努利吸引口 13a、真空吸引口 12a的負(fù)壓進(jìn)行調(diào)整。此時，例如在作為處理對象的基板W的彎曲量小于基準(zhǔn)值的情況下，吸附控制部19a對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制而使分支配管135a內(nèi)的壓縮氣體的流量小于基準(zhǔn)值。在彎曲量小的情況下，即使各伯努利吸引口 13a的吸引力較弱(即，即使在各伯努利吸引口13a形成的負(fù)壓為大于基準(zhǔn)值的高壓)，也能夠使基板W平坦化，因而根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠有效地抑制空氣的消耗，并且能夠?qū)⒒錡可靠地吸附保持在保持面Illa上。另一方面，在作為處理對象的基板W的彎曲量大于基準(zhǔn)值的情況下，吸附控制部19a對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制而使分支配管135a內(nèi)的壓縮氣體的流量大于基準(zhǔn)值。于是，在各伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓為小于基準(zhǔn)值的低壓，從而也能夠良好地吸附保持彎曲量大的基板W。另外，在圖14所示的結(jié)構(gòu)例中，也可以采用如下結(jié)構(gòu)例如經(jīng)由輸入部96(圖7)接受操作人員的輸入，來獲取表示作為處理對象的基板W的彎曲形狀的信息(彎曲形狀信息)(或者，利用配置在保持面Illa的附近的光學(xué)傳感器等來對載置在保持面Illa上的基板W的彎曲形狀進(jìn)行計測，由此獲取表示彎曲形狀的信息)，吸附控制部19a除了按照厚度信息、彎曲量信息之外(或者，代替這些各信息)，還按照該彎曲形狀信息來對各伯努利吸引口 13a、真空吸引口 12a的負(fù)壓進(jìn)行調(diào)整。此時，例如在作為處理對象的基板W彎曲為凸形狀的情況下，吸附控制部19a以使配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓低于配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的伯努利吸 引口 13a形成的負(fù)壓的方式對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制。于是，借助配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成的較大的吸引力，使基板W順暢地平坦化。另一方面，在作為處理對象的基板W彎曲為凹形狀的情況下，吸附控制部19a以使配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓低于配置在圓形區(qū)域Ml的伯努利吸引口 13a形成的負(fù)壓的方式對各流量調(diào)整閥138a進(jìn)行控制。于是，借助配置在圓環(huán)狀區(qū)域M2的伯努利吸引口 13a形成的較大的吸引力，使基板W順暢地平坦化?！?.第三變形例〉在上述的各實(shí)施方式中，為了提高吸引力而使伯努利吸引口 13、13a的直徑尺寸dl3小于圓柱狀凹入空間132的直徑尺寸dl32，但也可以使伯努利吸引口 13、13a的直徑尺寸與圓柱狀凹入空間132的直徑尺寸dl32大致相同。在圖15中示出了第一實(shí)施方式所涉及的伯努利吸引口 13的直徑尺寸與圓柱狀凹入空間132的直徑尺寸dl32大致相同的情況下的保持面111。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠?qū)⑿纬稍趫A柱狀凹入空間132的中心部的負(fù)壓無變化地施加到保持面IllUlla上。〈4.第四變形例〉在上述的各實(shí)施方式中，當(dāng)確認(rèn)通過從伯努利吸引口 13、13a進(jìn)行吸引而基板W被恰當(dāng)?shù)匚奖３衷诒３置鍵llUlla上(步驟S44:“是”)時，停止從各伯努利吸引口 13、13a的吸引(步驟S45)，也可以在確認(rèn)基板W被吸附保持在保持面IllUlla上之后還繼續(xù)從各伯努利吸引口 13、13a進(jìn)行吸引。其中，如上所述，若早期停止從各伯努利吸引口 13、13a進(jìn)行吸引，則能夠抑制空氣的消耗量，并且保持面IllUlla上的基板W被污染的危險也變小，因而優(yōu)選盡量早期停止從伯努利吸引口 13、13a的吸引?！?.第五變形例〉在上述的各實(shí)施方式中，圓環(huán)狀區(qū)域M2的內(nèi)徑與圓形區(qū)域Ml的外徑相一致，但也可以使圓環(huán)狀區(qū)域M2的內(nèi)徑大于圓形區(qū)域Ml的外徑。另外，在上述的各實(shí)施方式中，在保持面IllUlla上形成一個圓環(huán)狀區(qū)域M2，但也可以進(jìn)一步將圓環(huán)狀區(qū)域M2分割為多個圓環(huán)狀區(qū)域，沿著各圓環(huán)狀區(qū)域的周向等間隔地排列多個伯努利吸引口。
〈6.第六變形例〉在第二實(shí)施方式中，在判斷為吸附不良的情況下，吸附控制部19a逐個地依次選擇多個伯努利吸引口 13a、13a、一、13a(或者，一次選擇多個)，并以使僅選擇的一部分伯努利吸引口 13a形成負(fù)壓的方式對各開閉閥137a進(jìn)行開閉控制(例如圖13參照)，也可以在判斷為吸附不良的情況下，吸附控制部19a使多個開閉閥137a、137a、…、137a都形成為開放狀態(tài)，從而在多個伯努利吸引口 13a、13a、…、13a都形成負(fù)壓。此外，在該情況下，可以在合流側(cè)的部分僅設(shè)置一個開閉閥137a，而不在分支配管135a的各分支部上分別設(shè)置各開閉閥137a。<7.第七變形例>在第二實(shí)施方式中，在連接多個真空吸引口 12a、12a、…、12a中的各真空吸入口12a和氣體吸引部122的分支配管121a上，在分支配管121a的合流側(cè)的部分配置開閉閥123a，但也可以在分支側(cè)的各部分分別配置開閉閥，由此吸附控制部19a獨(dú)立地對各開閉 閥進(jìn)行開閉控制。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在多個真空吸引口 12a、…、12a各自獨(dú)立地形成負(fù)壓。在該結(jié)構(gòu)中，吸附控制部19a也可以逐個地依次選擇多個真空吸引口 12a、12a、…、12a(或者，一次選擇多個)，并以使僅選擇的一部分的真空吸引口 12a形成負(fù)壓的方式對各開閉閥進(jìn)行開閉控制。<8.其他的變形例>在上述的各實(shí)施方式中，利用GLV來作為空間光調(diào)制器441，該GLV是作為調(diào)制單位的固定帶和可動帶一維配設(shè)的衍射光柵式空間光調(diào)制器，但空間光調(diào)制器441并不限定于這樣的方式。例如，也可以采用反射鏡那樣的調(diào)制單位一維排列的空間光調(diào)制器，而不限定于GLV。另外,例如也可以利用如DMD(Digital Micromirror Device :數(shù)字微鏡器件,德州儀器公司制造)那樣的作為調(diào)制單位的微鏡二維排列的空間光調(diào)制器。另外，在上述的各實(shí)施方式中，示出了基板保持部10、10a安裝在用于對基板W照射光來形成圖案的描畫裝置I上的方式，但基板保持部10、10a也可以組裝在描畫裝置I以外的各種基板處理裝置或基板搬運(yùn)裝置等上。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，用于對基板實(shí)施規(guī)定處理，其特征在于， 具有: 保持板，形成有與基板的背面相向的保持面， 一個以上的真空吸引口，形成在所述保持面上，通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上， 多個伯努利吸引口，形成在所述保持面上，通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上； 在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。
2.根據(jù)權(quán)利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有 堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置， 多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2記載的基板處理裝置，其特征在于， 在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口， 配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置具有多個所述真空吸引口， 在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口 ； 該基板處理裝置具有 堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置， 多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域中； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4記載的基板處理裝置，其特征在于，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。
6.根據(jù)權(quán)利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有用于對所述保持面上的壓力進(jìn)行檢測的壓力傳感器， 在所述保持面上一載置基板，就開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引； 如果在從開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始利用所述伯努利吸引口來進(jìn)行吸引。
7.根據(jù)權(quán)利要求6記載的基板處理裝置，其特征在于，在開始利用所述伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力時，停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
8.根據(jù)權(quán)利要求I記載的基板處理裝置，其特征在于， 該基板處理裝置還具有 凹部，形成在所述保持板的背面?zhèn)?，該凹部在深度方向上的底面處與所述伯努利吸引口相連通， 伯努利吸引單元，配置在所述凹部的內(nèi)部； 所述伯努利吸引單元具有 主體部，形成有圓柱狀的凹入空間， 噴嘴，向所述圓柱狀的凹入空間噴出氣體，從而在所述圓柱狀的凹入空間形成旋流；在所述主體部與所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之間形成有間隙，并且所述主體部以固定的方式被支撐在所述凹部內(nèi)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8記載的基板處理裝置，其特征在于，所述伯努利吸引口的直徑尺寸小于所述圓柱狀的凹入空間的直徑尺寸。
10.一種基板保持裝置，用于保持基板，其特征在于， 具有 保持板，形成有與基板的背面相向的保持面， 一個以上的真空吸引口，形成在所述保持面上，通過真空吸引來將所述基板吸引在所述保持面上， 多個伯努利吸引口，形成在所述保持面上，通過伯努利吸引來將所述基板吸引在所述保持面上； 在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。
11.根據(jù)權(quán)利要求10記載的基板保持裝置，其特征在于， 該基板保持裝置具有 堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置， 多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10或11記載的基板保持裝置，其特征在于， 在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口， 配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。
13.根據(jù)權(quán)利要求10記載的基板保持裝置，其特征在于， 該基板保持裝置具有多個所述真空吸引口， 在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口 ； 該基板保持裝置具有 堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置， 多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域中； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13記載的基板保持裝置，其特征在于，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。
15.根據(jù)權(quán)利要求10記載的基板保持裝置，其特征在于， 該基板保持裝置還具有用于對所述保持面上的壓力進(jìn)行檢測的壓力傳感器，在所述保持面上一載置基板，就開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引； 如果在從開始利用所述真空吸引口來進(jìn)行吸引起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始利用所述伯努利吸引口來進(jìn)行吸引。
16.根據(jù)權(quán)利要求15記載的基板保持裝置，其特征在于，在開始利用所述伯努利吸引口進(jìn)行吸引之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力時，停止利用所述伯努利吸引口的吸引。
17.根據(jù)權(quán)利要求10記載的基板保持裝置，其特征在于， 該基板保持裝置還具有 凹部，形成在所述保持板的背面?zhèn)?，該凹部在深度方向上的底面處與所述伯努利吸引口相連通， 伯努利吸引單元，配置在所述凹部的內(nèi)部； 所述伯努利吸引單元具有 主體部，形成有圓柱狀的凹入空間， 噴嘴，向所述圓柱狀的凹入空間噴出氣體，從而在所述圓柱狀的凹入空間形成旋流；在所述主體部與所述凹部的深度方向上的底面及所述凹部的壁面之間形成有間隙，并且所述主體部以固定的方式被支撐在所述凹部內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17記載的基板保持裝置，其特征在于，所述伯努利吸引口的直徑尺寸小于所述圓柱狀的凹入空間的直徑尺寸。
19.一種基板保持方法，用于保持基板，其特征在于， 包括 a工序，在使基板的背面與形成在保持板上的保持面相向的狀態(tài)下，將所述基板載置在所述保持面上， b工序，通過真空吸引，在形成在所述保持面上的一個以上的真空吸引口形成吸引壓，c工序，通過伯努利吸引，在形成在所述保持面上的多個伯努利吸引口中的至少一個伯努利吸引口形成吸引壓； 在所述保持面上規(guī)定有配置成與所述保持面的中心同心的圓形區(qū)域和配置成與所述圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域，在所述圓形區(qū)域和所述圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有所述伯努利吸引口。
20.根據(jù)權(quán)利要求19記載的基板保持方法，其特征在于， 具有 堤部，沿著所述保持面的外緣立起設(shè)置， 多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的區(qū)域； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20記載的基板保持方法，其特征在于， 在所述圓環(huán)狀區(qū)域配置有多個所述伯努利吸引口， 配置在所述圓環(huán)狀區(qū)域的多個伯努利吸引口沿著所述圓環(huán)狀區(qū)域的周向排列。
22.根據(jù)權(quán)利要求19記載的基板保持方法，其特征在于， 具有多個所述真空吸引口， 在將所述圓環(huán)狀區(qū)域沿著周向分割來規(guī)定的多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域各自的區(qū)域，分別配置有所述真空吸引口和所述伯努利吸引口， 具有: 堤部，以分別包圍所述多個弧狀區(qū)域及所述圓形區(qū)域的方式立起設(shè)置，多個突起部，立起設(shè)置在被所述堤部包圍的所述保持面內(nèi)的各區(qū)域； 所述堤部的頂部和所述多個突起部的頂部位于同一平面內(nèi)。
23.根據(jù)權(quán)利要求22記載的基板保持方法，其特征在于，所述多個弧狀區(qū)域各自的面積彼此相等。
24.根據(jù)權(quán)利要求19記載的基板保持方法，其特征在于，在所述保持面上一載置基板，就開始進(jìn)行所述b工序，如果在從開始進(jìn)行所述b工序起經(jīng)過了所規(guī)定的時間而在所述保持面上的吸引壓未變?yōu)樾∮谝?guī)定值的壓力，則開始進(jìn)行所述c工序。
25.根據(jù)權(quán)利要求24記載的基板保持方法，其特征在于，在開始進(jìn)行所述c工序之后所述保持面上的吸引壓變?yōu)榈陀谝?guī)定值的壓力時，停止所述伯努利吸引。
全文摘要
本發(fā)明提供基板處理裝置、基板保持裝置及基板保持方法，尤其涉及即使是彎曲的基板也能夠以簡單的結(jié)構(gòu)可靠地保持的技術(shù)。對基板實(shí)施描畫處理的描畫裝置(1)具有保持板(11)，形成有與基板(W)的背面相向的保持面(111)；真空吸引口(12)，形成在保持面(111)上，通過真空吸引來將基板(W)吸引在保持面(111)上；多個伯努利吸引口(13)，形成在保持面(111)上，通過伯努利吸引來將基板(W)吸引在保持面(111)上。在保持面(111)上規(guī)定有配置成與該保持面(111)的中心同心的圓形區(qū)域(M1)和配置成與圓形區(qū)域同心的圓環(huán)狀區(qū)域(M2)，并且在圓形區(qū)域和圓環(huán)狀區(qū)域分別配置有伯努利吸引口。
文檔編號H01L21/683GK102903658SQ20121015862
公開日2013年1月30日 申請日期2012年5月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月29日
發(fā)明者水端稔 申請人:大日本網(wǎng)屏制造株式會社