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      多層陶瓷電容器的制作方法

      文檔序號(hào):7100144閱讀:168來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:多層陶瓷電容器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器,更具體地說(shuō),涉及一種具有優(yōu)異可靠性的高電容多層陶瓷電容器。
      背景技術(shù)
      通常,利用陶瓷材料制造的電子器件(諸如電容器、電感器、壓電器件、壓敏電阻器、熱敏電阻器等)通常具有由陶瓷材料制成的陶瓷主體、設(shè)置在陶瓷主體中的內(nèi)電極以及設(shè)置在陶瓷主體的表面上用于連接到相應(yīng)內(nèi)電極的外電極(即,端子電極)。在陶瓷電子器件中,多層陶瓷電容器具有諸如小尺寸但是高電容、易于安裝等有 益特征,因此被廣泛地用作移動(dòng)通訊裝備(諸如計(jì)算機(jī)、PDA、移動(dòng)電話等)的組件。近來(lái),隨著多功能電子產(chǎn)品尺寸減小的趨勢(shì),電子部件傾向于具有較小尺寸和高性能。為此,需要一種在具有小尺寸的同時(shí)具有大電容的高電容多層陶瓷電容器。因此,當(dāng)前制造了一種介電層和內(nèi)電極的厚度減小從而介電層和內(nèi)電極是高度層疊的多層陶瓷電容器。然而,在每單位厚度的電壓隨著介電層的厚度減小而增加的情況下,即使在施加低電壓時(shí)仍可容易發(fā)生介電擊穿。通常,當(dāng)將電壓施加到多層陶瓷電容器時(shí),電場(chǎng)沿長(zhǎng)度方向集中在內(nèi)電極的兩端而不是在的內(nèi)電極的中央,且如果在多層陶瓷電容器中央的介電層沒(méi)有缺陷,則絕緣擊穿可發(fā)生在多層陶瓷電容器的端部處。具體地,在內(nèi)電極的端部形成為與層疊方向平行的矩形圖案的情況下,端部之間的層疊距離小且電場(chǎng)強(qiáng)度增加,導(dǎo)致絕緣擊穿電壓(BDV)性質(zhì)劣化。同時(shí),內(nèi)電極的引出部分(“內(nèi)電極引出部分”)的端部是這樣的部分,即,外電極以最小涂覆厚度應(yīng)用到該部分,因此,內(nèi)電極的引出部分可容易地被鍍覆溶液滲透。如果內(nèi)電極引出部分的寬度大而介電層余留部分的寬度小,則鍍覆溶液可在內(nèi)電極和介電層之間的界面處滲透,結(jié)果,可引起諸如裂縫的結(jié)構(gòu)缺陷并可極大地增加可靠性劣化的可能性。因此,在高電容多層陶瓷電容器的開(kāi)發(fā)及其微型化方面存在限制。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明的一方面提供一種具有高可靠性性的多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器能夠?qū)崿F(xiàn)多層陶瓷電容器的微型化和多層陶瓷電容器的電容增加。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器包括多層主體,具有交替層疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)電極層,其中,內(nèi)電極層的寬度從內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央朝向內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端部逐漸減小,M2與L2的比率(M2/L2)在O. 2到O. 3的范圍內(nèi),其中,L2表示內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部處的內(nèi)電極層的最小寬度,M2表示介電層的余留部分M的與內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部對(duì)應(yīng)的部分的寬度,余留部分M被限定為介電層的在寬度方向上的沒(méi)有形成內(nèi)電極層的部分。當(dāng)余留部分的與內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央對(duì)應(yīng)的部分的寬度可被限定為最小寬度Ml時(shí),Ml超過(guò)30 μ m。每個(gè)介電層的平均厚度可為O. 65 μ m或更小。內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央可具有預(yù)定的曲率半徑。內(nèi)電極層的沿長(zhǎng)度方向延伸的側(cè)邊可具有橢圓的形狀。內(nèi)電極層可包括第一內(nèi)電極層和面對(duì)第一內(nèi)電極層的第二內(nèi)電極層,在第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層之間設(shè)置有介電層,第一內(nèi)電極層可包括第一引線,被引出至多層主體的第一短側(cè)面;第一前端部分,在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì);第一側(cè)邊,連接第一引線和第一前端部分,第二內(nèi)電極層可包括第二引線,被引出至多層主體的第二短側(cè)面;第二 前端部分,沿長(zhǎng)度方向與第二引線相對(duì);第二側(cè)邊,連接第二引線和第二前端部分,第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣被布置在通過(guò)將第二內(nèi)電極層投影到設(shè)置第一內(nèi)電極層所處的平面上而限定的區(qū)域中。多層陶瓷電容器可分別具有O. 6±0· 09mm的長(zhǎng)度以及O. 3±0· 09mm的寬度。內(nèi)電極可具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器包括第一內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第一短側(cè)面的第一引線、在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì)的第一前端部分、以及連接第一引線和第一前端部分的第一側(cè)邊;以及第二內(nèi)電極,通過(guò)設(shè)置在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間的具有O. 65 μ m或更小的厚度的介電層而布置為面對(duì)第一內(nèi)電極,其中,當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為M2時(shí),M2與L2的比率(M2/L2)在O. 2到O. 3的范圍內(nèi)。當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度可被限定為Ml時(shí),Ml超過(guò)30 μ m。第二內(nèi)電極可包括被引出至多層主體的第二短側(cè)面的第二引線、在長(zhǎng)度方向上與第二引線相對(duì)的第二前端部分、以及連接第二引線和第二前端部分的第二側(cè)邊,第一內(nèi)電極的寬度可從第一內(nèi)電極的在長(zhǎng)度方向上的中央到第一內(nèi)電極的兩端逐漸減小,第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣可被布置在通過(guò)將被第二內(nèi)電極的第二引線、第二前端部分和第二側(cè)邊圍繞的區(qū)域投影到設(shè)置第一內(nèi)電極所處的平面而限定的區(qū)域中。內(nèi)電極的沿長(zhǎng)度方向延伸的側(cè)邊可具有橢圓的形狀。多層陶瓷電容器可分別具有O. 6±0. 09mm的長(zhǎng)度以及O. 3±0. 09mm的寬度。內(nèi)電極可具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例,提供一種多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器包括第一內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第一短側(cè)面的第一引線、在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì)的第一前端部分、以及連接第一引線和第一前端部分的第一側(cè)邊;第二內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第二短側(cè)面的第二引線、在長(zhǎng)度方向上與第二引線相對(duì)的第二前端部分、以及連接第二引線和第二前端部分的第二側(cè)邊;以及介電層,設(shè)置在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間,且具有O. 65 μ m或更小的厚度,其中,第一內(nèi)電極的寬度從長(zhǎng)度方向的中央朝著第一內(nèi)電極的兩端逐漸減小,第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣被布置在通過(guò)將第二內(nèi)電極投影到設(shè)置第一內(nèi)電極所處的平面而限定的區(qū)域中。當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度可被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度可被限定為M2時(shí),M2與L2的比率(M2/L2)在O. 2到O. 3的范圍內(nèi)。當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多 層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度可被限定為Ml時(shí),Ml超過(guò)30 μ m。當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度可被限定為Ml、第一內(nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度可被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度可被限定為M2時(shí),Ml超過(guò)30 μ m,且M2與L2的比率(M2/L2)在O. 2到O. 3的范圍內(nèi)。多層陶瓷電容器可分別具有O. 6±0. 09mm的長(zhǎng)度以及O. 3±0. 09mm的寬度。內(nèi)電極可具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。


      通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述,本發(fā)明的上述和其他方面、特點(diǎn)和其他優(yōu)點(diǎn)將被更加清楚地理解,附圖中圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的外觀的透視圖;圖2是圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿A-A’方向截取的截面圖;圖3是圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿B-B’方向截取的截面圖;圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的沿長(zhǎng)度-寬度方向截取的多層陶瓷電容器的截面圖。
      具體實(shí)施例方式現(xiàn)在,將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而,應(yīng)該理解的是,本發(fā)明的精神不限于在此描述的實(shí)施例,且理解本發(fā)明的本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠在相同的精神下通過(guò)要素的添加、修改和去除而容易地實(shí)現(xiàn)包括在本發(fā)明的精神內(nèi)的退步的發(fā)明或其他實(shí)施例,且這些被理解為包括在本發(fā)明的精神內(nèi)。另外,在全部的每個(gè)實(shí)施例的附圖中,具有相同功能的組件由相同的標(biāo)號(hào)指示。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的外觀的透視圖。圖2是圖I示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的沿A-A’方向截取的截面圖。圖3是圖I示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的沿B-B’方向截取的截面圖。參照?qǐng)DI到圖3,根據(jù)本實(shí)施例的多層陶瓷電容器100可包括多層主體110和外電極 130。
      多層主體110可具有長(zhǎng)方體的形狀。在本發(fā)明的實(shí)施例中,在層疊方向上的表面分別被限定為頂面Tf和底面Bf,在長(zhǎng)度方向上的表面分別被限定為第一短側(cè)面Sfl和第二短側(cè)面Sf2,在寬度方向上的表面分別被限定為第一長(zhǎng)側(cè)面Lfl和第二長(zhǎng)側(cè)面Lf2。同時(shí),對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施例中的多層陶瓷電容器,“長(zhǎng)度方向”可以被限定為圖I中示出的“L”方向。同樣,“寬度方向”可以被限定為“W”方向,“厚度方向”可以被限定為“T”方向。這里,“厚度方向”可具有與堆疊介電層的方向的概念相同的概念,即,“層疊方向”。多層主體110可通過(guò)沿厚度方向T層疊多個(gè)介電層而被形成。構(gòu)成多層主體110的多個(gè)介電層可被燒制且可一體地形成在一起,從而相鄰的介電層之間的邊界可以不被區(qū)分開(kāi)。每個(gè)介電層可由具有高介電常數(shù)的陶瓷粉體形成,在此使用的陶瓷粉體可包括但 不限于鈦酸鋇(BaTiO3)粉體、鈦酸鍶(SrTiO3)粉體等。在本發(fā)明的實(shí)施例中,在燒制陶瓷粉體以形成介電層后,多個(gè)介電層中的一個(gè)介電層可具有O. 65 μ m或更小的厚度。在本發(fā)明的實(shí)施例中,介電層的厚度可以指的是設(shè)置在內(nèi)電極121和122之間的介電層的平均厚度。如圖2所示,可以通過(guò)掃描電子顯微鏡(SEM)對(duì)截面進(jìn)行沿多層主體110的長(zhǎng)度方向的圖像掃描來(lái)測(cè)量介電層的平均厚度。例如,可以通過(guò)從介電層的提取的圖像沿介電層的長(zhǎng)度方向L測(cè)量介電層在以相等間隔定位的30個(gè)位置處的介電層的厚度,而后對(duì)測(cè)量的厚度的值平均化,來(lái)獲得平均厚度,其中,由通過(guò)SEM(放大10000倍)沿長(zhǎng)度方向掃描在多層主體110的中央處的沿寬度-厚度(W-T)方向截取的截面,來(lái)得到介電層的提取的圖像??梢栽陔娙菪纬刹糠痔幋_定所述以相等間隔定位的30個(gè)位置,電容形成部分指第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122疊置所處的區(qū)域。另外,在對(duì)10個(gè)介電層或更多個(gè)介電層來(lái)執(zhí)行測(cè)量平均值的步驟的情況下,每個(gè)介電層的平均厚度可以更具有代表性。另外,介電層的厚度可以被限定為相鄰的內(nèi)電極121和122的中央之間的平均距離。例如,可以從通過(guò)掃描內(nèi)電極121和122的中央而獲得的圖像測(cè)量在沿內(nèi)電極的長(zhǎng)度方向上間隔相等的30個(gè)位置處的相鄰的內(nèi)電極121和122之間的距離,由此可以計(jì)算相鄰的內(nèi)電極121和122之間的平均距離。另外,當(dāng)針對(duì)10對(duì)或更多對(duì)相鄰的內(nèi)電極來(lái)執(zhí)行這種平均距離的測(cè)量時(shí),相鄰的內(nèi)電極之間的平均距離可以更具有代表性。多個(gè)內(nèi)電極120可以設(shè)置在多層主體110中。內(nèi)電極120可以被設(shè)置在介電層上,且被布置為沿介電層的層疊方向彼此面對(duì),同時(shí)具有通過(guò)燒制而設(shè)置在內(nèi)電極之間的介電層。多個(gè)內(nèi)電極120可由導(dǎo)電金屬形成,例如,Ni或Ni合金。Ni合金可包含Mn、Cr、Co或Al以及Ni??赏ㄟ^(guò)將包含諸如Ni等的金屬粉體的導(dǎo)電膏以預(yù)定圖案印刷到陶瓷綠片(ceramic green sheet)的表面上來(lái)制造內(nèi)電極120。在沒(méi)有具體地限制于此的情況下,每個(gè)內(nèi)電極120的厚度可以是O. 7μπι或更小。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,多層陶瓷電容器可分別具有O. 6±0. 09mm的長(zhǎng)度以及O. 3±0. 09mm 的寬度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,可以層疊均設(shè)置有內(nèi)電極的200個(gè)或更多個(gè)介電層,或者500個(gè)或更多個(gè)介電層。多個(gè)內(nèi)電極120可包括具有相反極性的多個(gè)第一內(nèi)電極121和多個(gè)第二內(nèi)電極122。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122中的每個(gè)內(nèi)電極可以被層疊為沿層疊方向彼此面對(duì),同時(shí)具有設(shè)置在內(nèi)電極之間的介電層。如圖3所示,第一內(nèi)置電極121可包括暴露到多層主體110的第一短側(cè)面Sfl的第一引線121a、第一側(cè)邊121b以及沿長(zhǎng)度方向面對(duì)第一引線121a的第一前端部分121c。同樣,第二內(nèi)電極122可包括暴露到多層主體110的第二短側(cè)面Sf2的第二引線122a、第二側(cè)邊122b以及沿長(zhǎng)度方向面對(duì)第二引線122a的第二前端部分122c。因此,多個(gè)第一內(nèi)電極121和多個(gè)第二內(nèi)電極122可在多層主體110的一面處連接到外電極130。即,多個(gè)第一內(nèi)電極121可通過(guò)暴露到第一短側(cè)面Sfl的第一引線121a而連接到第一外電極131,多個(gè)第二內(nèi)電極122可通過(guò)暴露到第二短側(cè)面Sf2的第二引線122a連接到第二外電極132。第一內(nèi)電極121的第一側(cè)邊121b的寬度可從長(zhǎng)度方向的中央向第一引線121a和 第一前端部分121c逐漸減小。同樣,第二內(nèi)電極122的第二側(cè)邊122b的寬度可從長(zhǎng)度方向的中央向第二引線122a和第二前端部分122c逐漸減小。結(jié)果,多個(gè)內(nèi)電極層120可形成為具有從長(zhǎng)度方向的中央向其兩端(即,內(nèi)電極的引線及前端)逐漸減小的寬度。根據(jù)本實(shí)施例,第一側(cè)邊121b和第二側(cè)邊122b可形成為在長(zhǎng)度方向的中央中具有預(yù)定的曲率半徑“R”,內(nèi)電極的寬度可從中央到引線和前端逐漸減小。然而,本發(fā)明不具體地限于前述內(nèi)容,可替代地,第一側(cè)邊121b和第二側(cè)邊122b可具有沿整個(gè)長(zhǎng)度方向的平滑彎曲的形狀,例如,橢圓的形狀或斜線的形狀,從而內(nèi)電極的寬度從長(zhǎng)度方向的中央到內(nèi)電極的引線和前端減小。第一前端部分121c和第二前端部分122c可以是第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的沒(méi)有連接到外電極的端部,并可以分別設(shè)置在第一引線121a和第二引線122a的沿長(zhǎng)度方向的相對(duì)側(cè)處。在第一前端部分121c與第一側(cè)邊121b相交處的邊緣以及在第二前端部分122c與第二側(cè)邊122b相交處的另一邊緣可被形成為具有鈍角。在第一側(cè)邊121b與第一前端部分121c相交處的第一邊緣El可位于通過(guò)將第二內(nèi)電極122投影到設(shè)置有第一內(nèi)電極121的平面上而限定的區(qū)域“PA”中。第一引線121a和第一前端部分121c可被形成為具有相同的寬度。同樣,第二引線122a和第二前端部分122c可被形成為具有相同的寬度。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可具有在沿層疊方向的疊置部分(Ca)中形成的電容,同時(shí)在它們間設(shè)置有介電層111。在疊置部分Ca中,可以形成第一內(nèi)電極121的側(cè)邊和第二內(nèi)電極122側(cè)邊彼此交叉的交叉點(diǎn)“X”。在疊置部分Ca中,第一側(cè)邊121b中的從交叉點(diǎn)X到第一前端部分121c與第一側(cè)邊121b相交的邊緣的部分不與第二內(nèi)電極122的第二側(cè)邊122b疊置。同樣,在疊置部分Ca中,第二側(cè)邊122b中的從交叉點(diǎn)X到第二前端部分122c與第二側(cè)邊122b相交的邊緣的部分不與第一內(nèi)電極121的第一側(cè)邊121b疊置。如此,因?yàn)樽鳛榈谝粋?cè)邊121b與第一前端部分121c相交的部分的邊緣和/或作為第二側(cè)邊122b與第二前端部分122c相交的部分的邊緣被布置在第二內(nèi)電極122和/或第一內(nèi)電極121中,所以電場(chǎng)不會(huì)集中在邊緣上,從而防止BDV性質(zhì)的劣化。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的長(zhǎng)度方向的中央可具有最大寬度LI,而長(zhǎng)度方向的端部(諸如引線或前端)可具有最小寬度L2。例如,在第一內(nèi)電極121中的長(zhǎng)度方向的中央的寬度可被限定為L(zhǎng)I,在第一內(nèi)電極121中的第一引線121a和第一前端部分121c的寬度可被限定為L(zhǎng)2。同時(shí),關(guān)于介電層111的在寬度方向上沒(méi)有形成內(nèi)電極層120的余留部分M,余留部分M的與內(nèi)電極120的長(zhǎng)度方向的中央對(duì)應(yīng)的一部分可具有最小寬度Ml。另外,余留部分M的與內(nèi)電極層120的長(zhǎng)度方向的兩端(即,內(nèi)電極的引線和前端)對(duì)應(yīng)的另一部分可具有最大寬度M2。即,余留部分M被限定為介電層的在寬度方向上沒(méi)有形成內(nèi)電極層的一部分,M2被限定為介電層111的與內(nèi)電極層120的沿長(zhǎng)度方向的端部對(duì)應(yīng)的余留部分M的一部分的寬度。例如,從第一內(nèi)電極121具有最大寬度LI處的第一側(cè)邊121b的中央到多層主體的寬度方向的表面(即,第二長(zhǎng)側(cè)面Lf2)的寬度可被限定為Ml。可選地,從第一側(cè)邊121b與第一引線121a或第一前端部分121c相交的位置到多層主體的寬度方向的表面(即,第二長(zhǎng)側(cè)面Lf2)的寬度可被限定為M2。根據(jù)本實(shí)施例,余留部分的最大寬度M2與內(nèi)電極層的最小寬度L2的比率可在從O. 2到O. 3的范圍內(nèi)。 就此,L2表示第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的最小寬度,即,長(zhǎng)度方向的兩端(例如,引線或前端)的寬度。另外,M2表示余留部分M的最大寬度,S卩,余留部分M的與第一內(nèi)電極121或第二內(nèi)電極122的長(zhǎng)度方向的端部對(duì)應(yīng)的一部分處的寬度。根據(jù)一實(shí)施例,當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極在第一引線或第一前端部分處的寬度被限定為L(zhǎng)2且從第一側(cè)邊與第一引線或第一前端部分相交所處的位置到多層主體的寬度方向的表面的寬度被限定為M2時(shí),M2與L2的比率(M2/L2)的范圍可為從O. 2到O. 3。如果M2/L2小于O. 2,則在耐濕測(cè)試中可發(fā)生劣化,從而降低可靠性。當(dāng)M2/L2超過(guò)O. 3,S卩,M2增加,則在內(nèi)電極中的疊置部分Ca的面積可減小,從而引起電容的減小。根據(jù)本實(shí)施例,余留部分M的最小寬度Ml可超過(guò)30 μ m。如果Ml是30 μ m或更小,則切割錯(cuò)誤可能在縮短余留部分的寬度的同時(shí)迅速增加,結(jié)果,導(dǎo)致耐濕測(cè)試中NG(nogood)率快速增加等,從而可靠性劣化。外電極130可包括布置在多層主體110的兩個(gè)相對(duì)側(cè)處的第一外電極131和第二外電極132。如圖I所示,第一外電極131可形成為覆蓋多層主體110的第一短側(cè)面Sfl,第二外電極132可形成為覆蓋多層主體110的第二短側(cè)面Sf2。根據(jù)本實(shí)施例,雖然第一外電極131和第二外電極132已經(jīng)形成為覆蓋多層主體110的兩個(gè)短側(cè)面Sfl和Sf2,但是本發(fā)明不具體地限制于此。可選地,第一外電極131和第二外電極132可被設(shè)置為覆蓋多層主體110的兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)面Lfl和Lf2。在這種情況下,可選地,第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可沿寬度方向暴露到兩個(gè)長(zhǎng)側(cè)面Lfl和Lf2,而后分別連接到第一外電極131和第二外電極132。第一外電極131和第二外電極132可彼此獨(dú)立地電隔離。第一外電極131可電連接到暴露到多層主體Iio的第一短側(cè)面Sfl的第一內(nèi)電極121的一端,即,第一引線121a,而第二外電極132可電連接到暴露到沿長(zhǎng)度方向面對(duì)多層主體110的第一短側(cè)面Sfl的第二短側(cè)面Sf2的第二內(nèi)電極122的一端,即,第二引線122a。如上所述地制造的外電極130可作為外部端子。外電極130可利用銅(Cu)或銅合金等形成。圖4是根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的沿長(zhǎng)度-寬度方向截取的多層陶瓷電容器的截面圖。如圖4所示,根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的多層陶瓷電容器對(duì)根據(jù)先前實(shí)施例的內(nèi)電極進(jìn)行了修改,該多層陶瓷電容器的技術(shù)構(gòu)造與根據(jù)圖I到圖3示出的先前實(shí)施例的多層陶瓷電容器的技術(shù)構(gòu)造基本相同。因此,將省略其詳細(xì)描述,相反,將在下面描述根據(jù)另一實(shí)施例的(多層陶瓷電容器的)區(qū)別。參照?qǐng)D4,在根據(jù)另一實(shí)施例的多層陶瓷電容器中,第一內(nèi)電極121的第一側(cè)邊121b和第二內(nèi)電極122的第二側(cè)邊122b可以橢圓的形狀形成。即,第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的寬度可以從第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122的長(zhǎng)度方向的中央向其兩端(即,內(nèi)電極的引線和前端)以橢圓的形式逐漸減小。第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122可具有在沿層疊方向的疊置部分(Ca)中形 成的電容,同時(shí)具有在它們之間設(shè)置的介電層111。在疊置部分Ca中,可以形成第一內(nèi)電極121和第二內(nèi)電極122各自的側(cè)邊彼此交叉的交叉點(diǎn)X。在疊置部分Ca中,第一側(cè)邊121b中的從交叉點(diǎn)X到第一前端部分121c與第一側(cè)邊121b相交所處的邊緣的一部分不與第二內(nèi)電極122的第二側(cè)邊122b疊置。同樣,在疊置部分Ca中,第二側(cè)邊122b中的從交叉點(diǎn)X到第二前端部分122c與第二側(cè)邊122b相交所處的邊緣的一部分不與第一內(nèi)電極121的第一側(cè)邊121b疊置。因此,電場(chǎng)可以不集中在邊緣上,從而防止BDV性質(zhì)的劣化。下文中,將參照下面的發(fā)明示例和對(duì)比示例來(lái)詳細(xì)地描述本發(fā)明,然而,本發(fā)明的范圍不限于此。[示例]如下制造根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器。在將包含諸如鈦酸鋇(BaTiO3)的粉體的漿料涂覆于載體膜而后進(jìn)行干燥以準(zhǔn)備多個(gè)均具有約I. 25μπι厚度的陶瓷綠片之后,利用這些片形成介電層。接下來(lái),準(zhǔn)備包含具有O. 05 μ m到O. 2 μ m的平均尺寸的鎳顆粒的用于內(nèi)電極的導(dǎo)電膏。由通過(guò)利用絲網(wǎng)印刷工藝將上面的用于內(nèi)電極的導(dǎo)電膏涂覆于每個(gè)陶瓷綠片來(lái)形成內(nèi)電極。可堆疊200層的內(nèi)電極,以制造陶瓷疊層。根據(jù)本示例,將內(nèi)電極制造為具有圖3中示出的形狀。以85°C使準(zhǔn)備的陶瓷層疊經(jīng)歷lOOOkgf/cm2的壓強(qiáng)條件的等靜壓制。在壓制陶瓷疊層的步驟后,將該陶瓷疊層切割成單獨(dú)的芯片。在大氣條件下以230°C將切割的芯片保持60小時(shí),以實(shí)現(xiàn)去結(jié)合(debinding)。然后,為了防止內(nèi)電極氧化,在還原氣氛以及低于Ni/NiO平衡氧分壓的IO-Ilatm到IO-IOatm的氧分壓條件下,以1200°C執(zhí)行煅燒。在煅燒之后,介電層的平均厚度分別為Ι.ΟΟμπι和0. 85μπι,而內(nèi)電極層的平均厚度為0.65μπι。每個(gè)煅燒后的芯片滿足的尺寸為0. BmmXO. 3mmX0. 3mm(LXWXT)。接下來(lái),使上面準(zhǔn)備的芯片經(jīng)歷設(shè)置外電極、鍍覆等工藝,從而制造多層陶瓷電容器。下面的表I示出多層陶瓷電容器的根據(jù)多層陶瓷電容器中的內(nèi)電極的寬度和余留部分的寬度之間的比率的電特性的對(duì)比結(jié)果,具體地說(shuō),BDV性質(zhì)、靜電容量、切割錯(cuò)誤率、高溫加速測(cè)試中的NG率以及耐濕測(cè)試中的NG率。[表 I]
      權(quán)利要求
      1.一種多層陶瓷電容器,所述多層陶瓷電容器包括 多層主體,具有交替層疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)電極層, 其中,內(nèi)電極層的寬度從內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央朝向內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的兩個(gè)端部逐漸減小, M2與L2的比率M2/L2在0. 2到0. 3的范圍內(nèi),其中,L2表示內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部處的內(nèi)電極層的最小寬度,M2表示介電層的余留部分的與內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部對(duì)應(yīng)的部分的寬度,余留部分被限定為介電層的在寬度方向上的沒(méi)有形成內(nèi)電極層的部分。
      2.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,當(dāng)余留部分的與內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央對(duì)應(yīng)的部分的寬度被限定為最小寬度Ml時(shí),Ml超過(guò)30 u m。
      3.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,每個(gè)介電層的平均厚度為0.65 y m或更小。
      4.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央具有預(yù)定的曲率半徑。
      5.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極層的沿長(zhǎng)度方向延伸的側(cè)邊具有橢圓的形狀。
      6.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中, 內(nèi)電極層包括第一內(nèi)電極層和面對(duì)第一內(nèi)電極層的第二內(nèi)電極層,在第一內(nèi)電極層和第二內(nèi)電極層之間設(shè)置有介電層, 第一內(nèi)電極層包括 第一引線,被引出至多層主體的第一短側(cè)面; 第一前端部分,在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì); 第一側(cè)邊,連接第一引線和第一前端部分, 第二內(nèi)電極層包括 第二引線,被引出至多層主體的第二短側(cè)面; 第二前端部分,沿長(zhǎng)度方向與第二引線相對(duì); 第二側(cè)邊,連接第二引線和第二前端部分, 第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣被布置在通過(guò)將第二內(nèi)電極層投影到設(shè)置第一內(nèi)電極層所處的平面上而限定的區(qū)域中。
      7.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器分別具有0.6±0.09mm的長(zhǎng)度以及0. 3±0. 09mm的寬度。
      8.如權(quán)利要求7所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。
      9.一種多層陶瓷電容器,所述多層陶瓷電容器包括 第一內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第一短側(cè)面的第一引線、在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì)的第一前端部分、以及連接第一引線和第一前端部分的第一側(cè)邊;以及 第二內(nèi)電極,通過(guò)設(shè)置在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間的具有0. 65 ii m或更小的厚度的介電層而布置為面對(duì)第一內(nèi)電極, 其中,當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為M2時(shí),M2與L2的比率M2/L2在0. 2到0. 3的范圍內(nèi)。
      10.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器,其中,當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為Ml時(shí),Ml超過(guò)30iim。
      11.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器,其中,第二內(nèi)電極包括被引出至多層主體的第二短側(cè)面的第二引線、在長(zhǎng)度方向上與第二引線相對(duì)的第二前端部分、以及連接第二引線和第二前端部分的第二側(cè)邊, 第一內(nèi)電極的寬度從第一內(nèi)電極的在長(zhǎng)度方向上的中央到第一內(nèi)電極的兩端逐漸減小,第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣被布置在通過(guò)將被第二內(nèi)電極的第二引線、第二前端部分和第二側(cè)邊圍繞的區(qū)域投影到設(shè)置第一內(nèi)電極所處的平面而限定的區(qū)域中。
      12.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極的沿長(zhǎng)度方向延伸的側(cè)邊具有橢圓的形狀。
      13.如權(quán)利要求9所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器分別具有0.6±0. 09謹(jǐn)?shù)拈L(zhǎng)度以及0. 3±0. 09謹(jǐn)?shù)膶挾取?br> 14.如權(quán)利要求13所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。
      15.一種多層陶瓷電容器,所述多層陶瓷電容器包括 第一內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第一短側(cè)面的第一引線、在長(zhǎng)度方向上與第一引線相對(duì)的第一前端部分、以及連接第一引線和第一前端部分的第一側(cè)邊; 第二內(nèi)電極,包括被引出至多層主體的第二短側(cè)面的第二引線、在長(zhǎng)度方向上與第二引線相對(duì)的第二前端部分、以及連接第二引線和第二前端部分的第二側(cè)邊;以及 介電層,設(shè)置在第一內(nèi)電極和第二內(nèi)電極之間,且具有0. 65 ii m或更小的厚度, 其中,第一內(nèi)電極的寬度從長(zhǎng)度方向的中央朝著第一內(nèi)電極的兩端逐漸減小,第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的第一邊緣被布置在通過(guò)將第二內(nèi)電極投影到設(shè)置第一內(nèi)電極所處的平面而限定的區(qū)域中。
      16.如權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器,其中,當(dāng)?shù)谝粌?nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為M2時(shí),M2與L2的比率M2/L2在0. 2到0. 3的范圍內(nèi)。
      17.如權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器,其中,當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為Ml時(shí),Ml超過(guò)30 u m0
      18.如權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器,其中,當(dāng)從第一側(cè)邊的具有第一內(nèi)電極的最大寬度LI的中央到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為Ml、第一內(nèi)電極的在第一引線處或第一前端部分處的寬度被限定為L(zhǎng)2、且從第一側(cè)邊與第一引線相交所處的位置或第一側(cè)邊與第一前端部分相交所處的位置到多層主體的在寬度方向上的側(cè)面的寬度被限定為M2時(shí),Ml超過(guò)30 ii m,且M2與L2的比率M2/L2在0. 2到0. 3的范圍內(nèi)。
      19.如權(quán)利要求15所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器分別具有0.6±0. 09謹(jǐn)?shù)拈L(zhǎng)度以及0. 3±0. 09謹(jǐn)?shù)膶挾取?br> 20.如權(quán)利要求19所述的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)電極具有200個(gè)或更多個(gè)的層疊的層。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器,該多層陶瓷電容器包括多層主體,具有交替層疊的多個(gè)介電層和多個(gè)內(nèi)電極層,其中,每個(gè)內(nèi)電極層的寬度從內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的中央朝向內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向的兩端逐漸減小,當(dāng)每個(gè)內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部處的內(nèi)電極層的寬度被限定為最小寬度L2、且在每個(gè)介電層中的余留部分M的一部分的寬度被限定為最大寬度M2時(shí),余留部分M的所述一部分沒(méi)有設(shè)置有內(nèi)電極層,且與每個(gè)內(nèi)電極層的在長(zhǎng)度方向上的端部對(duì)應(yīng),M2與L2的比率(M2/L2)在0.2到0.3的范圍內(nèi)。
      文檔編號(hào)H01G4/30GK102810396SQ201210162629
      公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
      發(fā)明者金相赫, 金亨俊, 徐珠明, 李章鎬, 金俊熙, 李旼坤 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社
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