專利名稱：發(fā)光二極管裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及發(fā)光二極管裝置，尤其是涉及一種抗靜電能力強，光通量大的發(fā)光二極管裝置。
背景技術：
發(fā)光二極管(LED)由于其功率小，耗電低，壽命長等優(yōu)點而廣受人們關注。隨著LED技術的發(fā)展，LED發(fā)光裝置被用于越來越多的領域，其光通量和可靠性也越來越受到人 \ 3的關注。LED裝置通常在靜電或反向電壓下是很脆弱的，如附圖I所示，傳統(tǒng)技術的發(fā)光二極管裝置，為了保護發(fā)光二極管芯片3不被靜電或反向電壓擊穿，通常設計穩(wěn)壓二極管4，使電流可以反向流動。穩(wěn)壓二極管4通常采用齊納二極管，齊納二極管與發(fā)光二極管芯片3平行固定于發(fā)光二極管基板I上。這種結構的發(fā)光二極管裝置，齊納二極管4雖然降低了LED芯片3被靜電擊穿的風險，但是吸收了部分LED芯片3的出光，同時也遮擋了部分光線的傳播通路，從而在保護LED避免靜電擊穿的同時，也降低了產(chǎn)品的光通量，光強等指標。因此，有必要提出一種新的發(fā)光二極管裝置以克服上述缺陷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種抗靜電能力強，光通量大的發(fā)光二極管裝置。為了實現(xiàn)上述目的本發(fā)明采用以下技術方案
一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層；發(fā)光二極管芯片保護件，所述發(fā)光二極管芯片保護件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接；并且所述基板上設有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護件置于所述凹槽中。作為一種優(yōu)選的技術方案，所述發(fā)光二極管芯片保護件為穩(wěn)壓二極管。作為進一步優(yōu)選，所述穩(wěn)壓二極管包括從齊納二極管、雪崩二極管、開關二極管和肖特基二極管所組成的組中選取的二極管。本發(fā)明的發(fā)光二極管裝置，由于發(fā)光二極管芯片保護件的設計，可以有效提高發(fā)光二極管的抗靜電和抗反向電流能力，并且，由于所述發(fā)光二極管芯片保護件置于基板凹槽中，可以避免芯片保護件吸收LED芯片的出光以及對光線傳播通路的阻擋，在保證發(fā)光二極管抗靜電能力的基礎上，提高了發(fā)光二極管裝置的光通量。


圖I為傳統(tǒng)技術發(fā)光二極管裝置的剖面圖。圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管裝置實施例剖面圖。
具體實施例方式下面結合附圖，詳細說明本發(fā)明發(fā)光二極管裝置。請參閱圖2，發(fā)光二極管裝置包括，基板1，基板I包括絕緣層和設置于絕緣層上方的導電層，導電層與外部電路電連接；支架2，支架2形成內(nèi)凹開口并與基板I配合形成發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ；發(fā)光二極管芯片3，發(fā)光二極管芯片3設置在基板I上，并與基板I導電層電連接；發(fā)光二極管芯片保護件4，發(fā)光二極管芯片保護件4與基板I導電層電連接，為了起到保護發(fā)光二極管芯片3的作用，芯片保護件4通常與發(fā)光二極管芯片3并聯(lián)；硅膠層6，硅膠層6填充支架2與基板I形成的碗杯結構，并涂覆發(fā)光二極管芯片3和發(fā)光二極管芯片保護件4,娃膠層6根據(jù)發(fā)光二極管發(fā)光要求,混合有突光粉。如圖2所示，基板I上設有凹槽5，上述發(fā)光二極管芯片保護件4設置于凹槽5內(nèi)，凹槽5可以完全容納發(fā)光二極管芯片保護件4，從而保證發(fā)光二極管芯片保護件4不吸收發(fā) 光二極管芯片3發(fā)出的光線，亦不阻擋光線傳播路線。本發(fā)明發(fā)光二級管裝置，采用了芯片保護件4來保護發(fā)光二級管芯片3，避免發(fā)光二極管芯片3被靜電或反向電流擊穿，提高了發(fā)光二極管裝置抗靜電能力，同時，芯片保護件4置于基板凹槽5內(nèi)，避免了芯片保護件4對光線的吸收和阻擋，提高了發(fā)光二極管裝置的光通量。本發(fā)明發(fā)光二極管裝置所述芯片保護件4通常采用穩(wěn)壓二極管；齊納二極管、雪崩二極管、開關二極管和肖特基二極管作為幾種常見的穩(wěn)壓二極管，皆可應用于本發(fā)明發(fā)光二極管裝置，不影響本發(fā)明發(fā)光二極管裝置優(yōu)點體現(xiàn)。以上僅為本發(fā)明實施案例而已，并不用于限制本發(fā)明，但凡本領域普通技術人員根據(jù)本發(fā)明所揭示內(nèi)容所作的等效修飾或變化，皆應納入權利要求書中記載的保護范圍內(nèi)。
權利要求
1.一種發(fā)光二極管裝置，包括 基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層； 支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口 ； 發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層； 發(fā)光二極管芯片保護件，所述發(fā)光二極管芯片保護件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接； 其特征在于所述基板上設有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護件置于所述凹槽中。
2.根據(jù)權利要求I所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述發(fā)光二極管芯片保護件為穩(wěn)壓二極管。
3.根據(jù)權利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其特征在于所述穩(wěn)壓二極管包括從齊納二極管、雪崩二極管、開關二極管和肖特基二極管所組成的組中選取的二極管。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管裝置，包括基板，所述基板上設置有絕緣層以及設置在所述絕緣層上的導電層；支架，所述支架形成內(nèi)凹開口并與所述基板配合形成所述發(fā)光二極管裝置碗杯結構的投光口；發(fā)光二極管芯片，所述發(fā)光二極管芯片設置在所述基板上并電連接所述導電層；發(fā)光二極管芯片保護件，所述發(fā)光二極管芯片保護件與所述發(fā)光二極管芯片采用并聯(lián)方式電連接；并且所述基板上設有凹槽，所述發(fā)光二極管芯片保護件置于所述凹槽中。本發(fā)明發(fā)光二極管裝置具有抗靜電能力強，光通量大的優(yōu)點。
文檔編號H01L25/16GK102664231SQ20121016763
公開日2012年9月12日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權日2012年5月28日
發(fā)明者安國順, 張道峰 申請人:歌爾聲學股份有限公司