專利名稱：鍺硅hbt和cmos器件集成的制造方法和器件結構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體集成電路制造領域，特別是涉及一種鍺硅HBT(異質結雙極晶體管)和CMOS (互補金屬氧化物半導體)器件集成的制造方法。本發(fā)明還涉及一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構。
背景技術：
SiGe (鍺硅)HBT是超高頻器件的良好選擇，首先其利用SiGe與Si (硅)的能帶差別，提高發(fā)射區(qū)的載流子注入效率，增大器件的電流放大倍數；其次利用SiGe外基區(qū)的高摻雜，降低基區(qū)電阻，提高特征頻率；另外SiGe工藝基本與硅工藝相兼容，因此SiGe HBT已經成為超高頻器件的主流之一。SiGe HBT的大量使用需要實現SiGe HBT和CMOS器件集成，而集成工藝的改進將會SiGe雙極CMOS (BiCMOS)更具競爭力。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，能縮短工藝時間，使工藝簡化并降低工藝成本，能減少器件的面積，提高集成度。為此，本發(fā)明還提供一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供的鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法用于在同一硅片上形成鍺硅HBT和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，包括如下步驟 步驟一、采用光刻刻蝕工藝在所述硅片上形成淺溝槽，所述淺溝槽隔離出有源區(qū)；所述硅片上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域。步驟二、采用離子注入工藝在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成N型贗埋層，采用離子注入工藝在所述NMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成P型贗埋層。步驟三、在所述淺溝槽中填充二氧化硅形成淺槽場氧。步驟四、采用離子注入工藝在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成P阱，所述P阱的底部和所述P型贗埋層相連接；采用離子注入工藝在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成N阱，所述N阱的底部和所述N型贗埋層相連接。步驟五、在所述CMOS器件區(qū)域形成柵氧化層、第一多晶硅層和第二氧化層。步驟六、采用N型離子注入工藝在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成集電區(qū)，所述集電區(qū)的底部和所述N型贗埋層相連接。步驟七、在所述鍺硅HBT區(qū)域的所述有源區(qū)上形成基區(qū)，所述基區(qū)由P型鍺硅外延層刻蝕后形成，所述基區(qū)和所述集電區(qū)相接觸并延伸到所述有源區(qū)周側的所述淺槽場氧上。步驟八、在形成所述基區(qū)之后的所述硅片表面依次形成發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層和第三氮化娃層。步驟九、采用光刻刻蝕工藝對所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層和所述第三氮化硅層進行刻蝕，所述CMOS器件區(qū)域的所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層和所述第三氮化硅層都被去除，所述CMOS器件區(qū)域的所述第二氧化層也被去除從而將所述第一多晶硅層露出；所述鍺硅HBT區(qū)域中的所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層和所述第三氮化硅層部分被去除從而在所述基區(qū)上方形成一發(fā)射區(qū)窗口，該發(fā)射區(qū)窗口將所述基區(qū)表面露出用于定義出后續(xù)形成的發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)的接觸區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)窗口位于所述有源區(qū)的正上方且所述發(fā)射區(qū)窗口的橫向尺寸小于等于所述有源區(qū)的橫向尺寸。步驟十、在形成所述發(fā)射區(qū)窗口之后的所述硅片表面淀積發(fā)射區(qū)多晶硅。步驟十一、對位于所述鍺硅HBT區(qū)域的用于形成發(fā)射區(qū)的所述發(fā)射區(qū)多晶硅進行摻雜。步驟十二、采用光刻刻蝕工藝對所述發(fā)射區(qū)多晶硅和所述第一多晶硅層進行刻蝕形成所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和所述CMOS器件的多晶硅柵，所述CMOS器件的多晶硅柵由刻蝕后的所述發(fā)射區(qū)多晶硅和所述第一多晶硅層疊加而成。步驟十三、形成所述NMOS管的N型漏摻雜區(qū)、所述PMOS管的P型漏摻雜區(qū)；在所述多晶硅柵、所述發(fā)射區(qū)的側面同時形成側墻；形成所述NMOS管的N型源漏區(qū)、所述PMOS管的P型源漏區(qū)。步驟十四、在所述N型贗埋層和所述P型贗埋層的頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸，各所述深孔接觸和其底部對應所述N型贗埋層或所述P型贗埋層相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出P阱電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出N阱電極。為解決上述技術問 題，本發(fā)明提供的鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構中的鍺硅HBT和CMOS器件形成在同一硅片上，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，所述硅片上的有源區(qū)由淺槽場氧隔離；所述硅片上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域；在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧底部形成有N型贗埋層，在所述NMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧底部形成P型贗埋層。在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有P阱，所述P阱的底部和所述P型贗埋層相連接；在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有N阱，所述N阱的底部和所述N型贗埋層相連接；在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成有由N型離子注入區(qū)組成的集電區(qū)，所述集電區(qū)的底部和所述N型贗埋層相連接；在所述N型贗埋層和所述P型贗埋層的頂部的所述淺槽場氧中形成有深孔接觸，各所述深孔接觸和其底部對應所述N型贗埋層或所述P型贗埋層相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出P阱電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出N阱電極。所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)由發(fā)射區(qū)多晶硅刻蝕后形成，所述CMOS器件的多晶硅柵由第一多晶硅層和疊加于所述第一多晶硅層上的發(fā)射區(qū)多晶硅刻蝕后形成，所述發(fā)射區(qū)的發(fā)射區(qū)多晶硅和所述多晶硅柵的發(fā)射區(qū)多晶硅采用相同工藝條件形成。本發(fā)明方法中鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和CMOS器件的多晶硅柵同時刻蝕形成，且CMOS器件的多晶硅柵的位于頂層的多晶硅也采用和鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)多晶硅相同工藝且同時形成，這樣本發(fā)明方法能夠實現將鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和CMOS器件的多晶硅柵集成在一起形成；相對于現有技術中鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和CMOS器件的多晶硅柵分別形成的方法，本發(fā)明方法相對能夠節(jié)省一道CMOS器件的多晶硅柵的多晶硅淀積和刻蝕的工藝，能縮短工藝時間，使工藝簡化并降低工藝成本。同時本發(fā)明的鍺硅HBT的集電區(qū)、CMOS器件的N阱和P阱的電極都是通過形成于有源區(qū)周側的淺槽場氧底部的贗埋層引出，該電極引出結構不需要額外占用有源區(qū)的面積，所以能夠減少器件所占用的有源區(qū)的面積，并能提高集成度。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明圖1是本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法的流程圖；圖2A-圖21是本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法的各步驟中的器件截面圖。
具體實施例方式如圖1所示，是本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法的流程圖；如圖2A至圖21所示，是本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法的各步驟中的器件截面圖。本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法用于在同一硅片I上形成鍺硅HBT和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，包括如下步驟步驟一、如圖2A所示，在P型輕摻雜的所述硅片I上淀積一層二氧化硅和氮化硅作為有源區(qū)的阻擋層，以所述阻擋層為硬掩膜，采用光刻刻蝕工藝在所述硅片I上形成淺溝槽，所述淺溝槽隔離出有源區(qū)；所述硅片I上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域。 步驟二、如圖2A所示，采用離子注入工藝在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成N型贗埋層3，采用離子注入工藝在所述NMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成P型贗埋層4。進行熱退火，各所述有源區(qū)周側的所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4會擴散到對應的有源區(qū)中、且在所述有源區(qū)周側的所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4在擴散后會在對應的有源區(qū)中連接起來。所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4為重摻雜，用于作為一導電層將形成于所述有源區(qū)中的摻雜區(qū)引出。步驟三、如圖2A所示，在所述淺溝槽中填充二氧化硅形成淺槽場氧2。步驟四、如圖2A所示，采用離子注入工藝在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成P阱7，所述P阱7的底部和所述P型贗埋層4相連接；采用離子注入工藝在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成N阱6，所述N阱6的底部和所述N型贗埋層3相連接。步驟五、如圖2B所示，將位于所述有源區(qū)上方并作為所述有源區(qū)的阻擋層的所述二氧化硅和所述氮化硅去除。在整個所述硅片I的正面淀積柵氧化層8、第一多晶硅層9和第二氧化層8，，之后采用光刻刻蝕工藝將所述CMOS器件區(qū)域外的所述柵氧化層8、所述第一多晶硅層9和所述第二氧化層8'去除，而只在所述CMOS器件區(qū)域形成所述柵氧化層8、所述第一多晶硅層9和所述第二氧化層8'。步驟六、如圖2B所示，采用N型離子注入工藝在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成集電區(qū)5，所述集電區(qū)5的底部和所述N型贗埋層3相連接。步驟七、如圖2C所示，在所述硅片I的正面外延生長形成一層P型鍺硅外延層10，之后用光刻工藝形成光刻膠13定義出基區(qū)IOA窗口。如圖2D所示，已所述光刻膠13為掩模，采用刻蝕工藝在所述鍺硅HBT區(qū)域的所述有源區(qū)上形成基區(qū)10A，所述基區(qū)IOA和所述集電區(qū)5相接觸并延伸到所述有源區(qū)周側的所述淺槽場氧2上。步驟八、如圖2D所示，在形成所述基區(qū)IOA之后的所述硅片I表面依次形成發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層11和第三氮化娃層12。步驟九、如圖2E所示，采用光刻刻蝕工藝對所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層11和所述第三氮化硅層12進行刻蝕，所述CMOS器件區(qū)域的所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層11和所述第三氮化硅層12都被去除，所述CMOS器件區(qū)域的所述第二氧化層8'也被去除從而將所述第一多晶硅層9露出；所述鍺硅HBT區(qū)域中的所述發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層11和所述第三氮化硅層12部分被去除從而在所述基區(qū)IOA上方形成一發(fā)射區(qū)窗口，該發(fā)射區(qū)窗口將所述基區(qū)IOA表面露出用于定義出后續(xù)形成的發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)IOA的接觸區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)窗口位于所述有源區(qū)的正上方且所述發(fā)射區(qū)窗口的橫向尺寸小于等于所述有源區(qū)的橫向尺寸。步驟十、如圖2E所示，在形成所述發(fā)射區(qū)窗口之后的所述硅片I表面淀積發(fā)射區(qū)多晶硅14。步驟十一、如圖2F所示，對位于所述鍺硅HBT區(qū)域中且用于形成發(fā)射區(qū)的所述發(fā)射區(qū)多晶硅14進行摻雜，摻雜采用離子注入形成，其它區(qū)域用光刻膠13保護。步驟十二、如圖2G所示，采用光刻工藝定義出所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和所述CMOS器件的多晶硅柵，所述CMOS器件的多晶硅柵的形成區(qū)域，在各形成區(qū)域用光刻膠13保護，其它區(qū)域的暴露出所述發(fā)射區(qū)多晶硅14。采用刻蝕工藝對所述發(fā)射區(qū)多晶硅14和所述第一多晶硅層9進行形成所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和所述CMOS器件的多晶硅柵，所述CMOS器件的多晶硅柵由刻蝕后的所述發(fā)射區(qū)多晶硅14和所述第一多晶硅層9疊加而成。步驟十三、如圖2H所示，形成所述NMOS管的N型漏摻雜區(qū)17、所述PMOS管的P型漏摻雜區(qū)16 ;在所述多晶硅柵、所述發(fā)射區(qū)的側面形成側墻15 ;形成所述NMOS管的N型源漏區(qū)19、所述PMOS管的P型源漏區(qū)18。步驟十四、如圖21所示，之后形成層間膜20將所述硅片I上的器件和頂層金屬隔離，在所述N型贗埋層3和所述P型贗埋層4的頂部的所述淺槽場氧2中形成深孔接觸21，各所述深孔接觸21和其底部對應所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸21引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出P阱7電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出N阱6電極。最后在所述基區(qū)10A的外基區(qū)部分的上部形成金屬接觸22引出基極，在所述發(fā)射區(qū)的上方形成金屬接觸22引出發(fā)射極，在所述N型源漏區(qū)19和所P型源漏區(qū)18的上方形成金屬接觸22引出所述NMOS管或所述PMOS管的源極或漏極。如圖21所示，是本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構示意圖。本發(fā)明實施例鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構的鍺硅HBT和CMOS器件形成在同一硅片I上，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，所述硅片I上的有源區(qū)由淺槽場氧2隔離；所述硅片I上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域；在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧2底部形成有N型贗埋層3，在所述NMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧2底部形成P型贗埋層4。在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有P阱7，所述P阱7的底部和所述P型贗埋層4相連接；在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有N阱6，所述N阱6的底部和所述N型贗埋層3相連接；在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成有由N型離子注入區(qū)組成的集電區(qū)5，所述集電區(qū)5的底部和所述N型贗埋層3相連接；在所述N型贗埋層3和所述P型贗埋層4的頂部的所述淺槽場氧2中形成有深孔接觸21，各所述深孔接觸21和其底部對應所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸21引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出P阱7電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出N阱6電極。所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)由發(fā)射區(qū)多晶硅14刻蝕后形成，所述CMOS器件的多晶硅柵由第一多晶硅層9和疊加于所述第一多晶硅層9上的發(fā)射區(qū)多晶硅14刻蝕后形成，所述發(fā)射區(qū)的發(fā)射區(qū)多晶硅14和所述多晶硅柵的發(fā)射區(qū)多晶硅14采用相同工藝條件形成。所述鍺硅HBT的基區(qū)IOA由P型鍺硅外延層刻蝕后形成，所述基區(qū)IOA和所述集電區(qū)5相接觸并延伸到所述有源區(qū)周側的所述淺槽場氧2上。所述發(fā)射區(qū)位于所述基區(qū)IOA之上并相接觸，該接觸區(qū)域由發(fā)射區(qū)窗口定義，所述發(fā)射區(qū)窗口發(fā)射區(qū)窗口隔離介質層11和第三氮化硅層12刻蝕后形成，所述發(fā)射區(qū)窗口位于所述有源區(qū)的正上方且所述發(fā)射區(qū)窗口的橫向尺寸小于等于所述有源區(qū)的橫向尺寸。所述NMOS管的多晶硅柵的兩側的有源區(qū)中形成有N型漏摻雜區(qū)17和N型源漏區(qū)19，所述PMOS管的多晶硅柵的兩側的有源區(qū)中形成有N型漏摻雜區(qū)16和N型源漏區(qū)18。在所述多晶硅柵、所述發(fā)射區(qū)的側面形成有側墻15。層間膜20形成所述硅片I上的器件和頂層金屬隔離。在所述N型贗埋層3和所述P型贗埋層4的頂部的所述淺槽場氧2中形成有深孔接觸21，各所述深孔接觸21和其底部對應所述N型贗埋層3或所述P型贗埋層4相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸21引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出P阱7電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸21引出N阱6電極。最后在所述基區(qū)IOA的外基區(qū)部分的上部形成有金屬接觸22引出基極，在所述發(fā)射區(qū)的上方形成有金屬接觸22引出發(fā)射極，在所述N型源漏區(qū)19和所P型源漏區(qū)18的上方形成有金屬接觸22引出所述NMOS管或所述PMOS管的源極或漏極。以上通過具體實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發(fā)明的限制。在不脫離本發(fā)明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，用于在同一硅片上形成鍺硅HBT和CMOS器件，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，其特征在于，包括如下步驟 步驟一、采用光刻刻蝕エ藝在所述硅片上形成淺溝槽，所述淺溝槽隔離出有源區(qū)；所述硅片上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域； 步驟ニ、采用離子注入エ藝在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成N型贗埋層，采用離子注入エ藝在所述NMOS管區(qū)域的所述淺溝槽底部形成P型贗埋層； 步驟三、在所述淺溝槽中填充ニ氧化硅形成淺槽場氧； 步驟四、采用離子注入エ藝在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成P阱，所述P阱的底部和所述P型贗埋層相連接；采用離子注入エ藝在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成N講，所述N阱的底部和所述N型贗埋層相連接； 步驟五、在所述CMOS器件區(qū)域形成柵氧化層、第一多晶硅層和第二氧化層； 步驟六、采用N型離子注入エ藝在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成集電區(qū)，所述集電區(qū)的底部和所述N型贗埋層相連接； 步驟七、在所述鍺硅HBT區(qū)域的所述有源區(qū)上形成基區(qū)，所述基區(qū)由P型鍺硅外延層刻蝕后形成，所述基區(qū)和所述集電區(qū)相接觸并延伸到所述有源區(qū)周側的所述淺槽場氧上；步驟八、在形成所述基區(qū)之后的所述硅片表面依次形成發(fā)射區(qū)窗ロ隔離介質層和第三氮化娃層； 步驟九、采用光刻刻蝕エ藝對所述發(fā)射區(qū)窗ロ隔離介質層和所述第三氮化硅層進行刻蝕，所述CMOS器件區(qū)域的所述發(fā)射區(qū)窗ロ隔離介質層和所述第三氮化硅層都被去除，所述CMOS器件區(qū)域的所述第二氧化層也被去除從而將所述第一多晶硅層露出；所述鍺硅HBT區(qū)域中的所述發(fā)射區(qū)窗ロ隔離介質層和所述第三氮化硅層部分被去除從而在所述基區(qū)上方形成ー發(fā)射區(qū)窗ロ，該發(fā)射區(qū)窗ロ將所述基區(qū)表面露出用于定義出后續(xù)形成的發(fā)射區(qū)和所述基區(qū)的接觸區(qū)域，所述發(fā)射區(qū)窗ロ位于所述有源區(qū)的正上方且所述發(fā)射區(qū)窗ロ的橫向尺寸小于等于所述有源區(qū)的橫向尺寸； 步驟十、在形成所述發(fā)射區(qū)窗ロ之后的所述硅片表面淀積發(fā)射區(qū)多晶硅； 步驟十一、對位于所述鍺硅HBT區(qū)域的用于形成發(fā)射區(qū)的所述發(fā)射區(qū)多晶硅進行摻雜； 步驟十二、采用光刻刻蝕エ藝對所述發(fā)射區(qū)多晶硅和所述第一多晶硅層進行刻蝕形成所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和所述CMOS器件的多晶硅柵，所述CMOS器件的多晶硅柵由刻蝕后的所述發(fā)射區(qū)多晶硅和所述第一多晶硅層疊加而成； 步驟十三、形成所述NMOS管的N型漏摻雜區(qū)、所述PMOS管的P型漏摻雜區(qū)；在所述多晶硅柵、所述發(fā)射區(qū)的側面同時形成側墻；形成所述NMOS管的N型源漏區(qū)、所述PMOS管的P型源漏區(qū)； 步驟十四、在所述N型贗埋層和所述P型贗埋層的頂部的所述淺槽場氧中形成深孔接觸，各所述深孔接觸和其底部對應所述N型贗埋層或所述P型贗埋層相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出P阱電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出N阱電扱。
2.一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構，其特征在于鍺硅HBT和CMOS器件形成在同一硅片上，所述CMOS器件包括NMOS管和PMOS管，所述硅片上的有源區(qū)由淺槽場氧隔離；所述硅片上分成形成所述鍺硅HBT的鍺硅HBT區(qū)域、形成所述CMOS器件的CMOS器件區(qū)域，所述CMOS器件區(qū)域又分為形成NMOS管的NMOS管區(qū)域和形成PMOS管的PMOS管區(qū)域；在所述鍺硅HBT區(qū)域和所述PMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧底部形成有N型贗埋層，在所述NMOS管區(qū)域的所述淺槽場氧底部形成P型贗埋層； 在所述NMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有P阱，所述P阱的底部和所述P型贗埋層相連接；在所述PMOS管區(qū)域的所述有源區(qū)中形成有N阱，所述N阱的底部和所述N型贗埋層相連接；在所述鍺硅HBT區(qū)域的有源區(qū)中形成有由N型離子注入區(qū)組成的集電區(qū)，所述集電區(qū)的底部和所述N型贗埋層相連接；在所述N型贗埋層和所述P型贗埋層的頂部的所述淺槽場氧中形成有深孔接觸，各所述深孔接觸和其底部對應所述N型贗埋層或所述P型贗埋層相接觸，所述鍺硅HBT區(qū)域的所述深孔接觸引出集電極，所述NMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出P阱電極，所述PMOS管區(qū)域的所述深孔接觸引出N阱電扱； 所述鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)由發(fā)射區(qū)多晶硅刻蝕后形成，所述CMOS器件的多晶硅柵由第一多晶硅層和疊加于所述第一多晶硅層上的發(fā)射區(qū)多晶硅刻蝕后形成，所述發(fā)射區(qū)的發(fā)射區(qū)多晶硅和所述多晶硅柵的發(fā)射區(qū)多晶硅采用相同エ藝條件形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的制造方法，鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和CMOS器件的多晶硅柵同時刻蝕形成，且CMOS器件的多晶硅柵的位于頂層的多晶硅也采用和鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)多晶硅相同工藝且同時形成，這樣本發(fā)明方法能夠實現將鍺硅HBT的發(fā)射區(qū)和CMOS器件的多晶硅柵集成在一起形成，使得本發(fā)明方法能縮短工藝時間，使工藝簡化并降低工藝成本。本發(fā)明的鍺硅HBT的集電區(qū)、CMOS器件的N阱和P阱的電極都是通過形成于有源區(qū)周側的淺槽場氧底部的贗埋層引出，該電極引出結構不需要額外占用有源區(qū)的面積，所以能夠減少器件所占用的有源區(qū)的面積，并能提高集成度。本發(fā)明還公開了一種鍺硅HBT和CMOS器件集成的器件結構。
文檔編號H01L27/06GK103035576SQ201210170088
公開日2013年4月10日 申請日期2012年5月28日 優(yōu)先權日2012年5月28日
發(fā)明者段文婷, 劉冬華, 錢文生, 胡君, 石晶 申請人:上海華虹Nec電子有限公司