一種裝有墊片的射頻線圈連接器的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種裝有墊片的射頻線圈連接器,包含:連接器,該連接器連接射頻電纜與射頻線圈,該連接器與射頻線圈支撐座之間具有空隙;墊片,該墊片卡設(shè)在連接器與射頻線圈支撐座之間。本發(fā)明能夠防止射頻線圈連接器產(chǎn)生電弧,從而避免拱頂溫度錯(cuò)誤。
【專利說明】一種裝有墊片的射頻線圈連接器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種連接器,特別涉及一種裝有墊片的射頻線圈連接器。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有技術(shù)中,在設(shè)計(jì)時(shí),射頻線圈連接器具有一定的自由空間,但是,射頻線圈連接器會隨著時(shí)間的流逝而下垂,或者,射頻線圈連接器會在等離子加工時(shí)被上拱頂溫度控制單元(DT⑶)壓住,因此,如果射頻線圈連接器和其下面的射頻線圈支撐座的距離縮短,則會產(chǎn)生電弧。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0003]本發(fā)明的目的是提供一種裝有墊片的射頻線圈連接器,能夠防止射頻線圈連接器產(chǎn)生電弧,從而避免拱頂溫度錯(cuò)誤。
[0004]為了實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明是通過以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的:
一種裝有墊片的射頻線圈連接器,包含:
連接器,所述的連接器連接射頻電纜與射頻線圈,該連接器與射頻線圈支撐座之間具有空隙;
墊片,所述的墊片卡設(shè)在連接器與射頻線圈支撐座之間。
[0005]所述的墊片的材料為聚四氟乙烯。
[0006]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比,具有以下優(yōu)點(diǎn):
能夠防止射頻線圈連接器產(chǎn)生電弧,避免拱頂溫度錯(cuò)誤。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0007]圖1為本發(fā)明一種裝有墊片的射頻線圈連接器的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0008]以下結(jié)合附圖,通過詳細(xì)說明一個(gè)較佳的具體實(shí)施例,對本發(fā)明做進(jìn)一步闡述。
[0009]如圖1所示,一種裝有墊片的射頻線圈連接器,包含:連接器1、墊片2。其中,連接器I連接射頻電纜與射頻線圈4,該連接器I與射頻線圈支撐座3之間具有空隙;墊片2卡設(shè)在連接器I與射頻線圈支撐座3之間,在本實(shí)施例中,該墊片2選用聚四氟乙烯,絕緣的同時(shí)保證了支撐強(qiáng)度,確保連接器I能夠被該墊片2頂住。
[0010]當(dāng)使用時(shí),隨著時(shí)間的流逝,連接器I會慢慢下垂,由于其下垂,會導(dǎo)致其與射頻線圈支撐座3之間的空隙變?。换蛘?,當(dāng)進(jìn)行等離子加工時(shí),連接器I會被外部的上DTCU壓住,也會使得連接器I與射頻線圈支撐座3之間的空隙變小,由于這個(gè)空隙的減小,會產(chǎn)生電弧,該電弧的產(chǎn)生就會導(dǎo)致紅外傳感器的誤報(bào),從而導(dǎo)致拱頂溫度錯(cuò)誤。但是,由于墊片2的使用,從而保證了連接器I與射頻線圈支撐座3之間的空隙保持不變,從而避免了電弧的產(chǎn)生,進(jìn)而避免紅外傳感器誤報(bào)所導(dǎo)致的拱頂溫度錯(cuò)誤。[0011]綜上所述,本發(fā)明一種裝有墊片的射頻線圈連接器,能夠防止射頻線圈連接器產(chǎn)生電弧,從而避免拱頂溫度錯(cuò)誤。
[0012]盡管本發(fā)明的內(nèi)容已經(jīng)通過上述優(yōu)選實(shí)施例作了詳細(xì)介紹,但應(yīng)當(dāng)認(rèn)識到上述的描述不應(yīng)被認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。在本領(lǐng)域技術(shù)人員閱讀了上述內(nèi)容后,對于本發(fā)明的多種修改和替代都將是顯而易見的。因此,本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)由所附的權(quán)利要求來限定。
【權(quán)利要求】
1.一種裝有墊片的射頻線圈連接器,其特征在于,包含: 連接器(1),所述的連接器(I)連接射頻電纜與射頻線圈(4),該連接器(I)與射頻線圈支撐座(3)之間具有空隙; 墊片(2 ),所述的墊片(2 )卡設(shè)在連接器(I)與射頻線圈支撐座(3 )之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝有墊片的射頻線圈連接器,其特征在于,所述的墊片(2)的材料為聚四氟乙烯。
【文檔編號】H01R13/53GK103457118SQ201210170664
【公開日】2013年12月18日 申請日期:2012年5月29日 優(yōu)先權(quán)日:2012年5月29日
【發(fā)明者】陳路橋, 包中誠, 陳超 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司