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      多層陶瓷電容器的制作方法

      文檔序號(hào):7100524閱讀:202來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):多層陶瓷電容器的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種多層陶瓷電容器,更具體地講,涉及一種可靠性?xún)?yōu)異并且即使在高壓情況下也能夠經(jīng)受住絕緣擊穿的大容量多層陶瓷電容器。
      背景技術(shù)
      通常,使用陶瓷材料制成的電子組件,例如,電容器、感應(yīng)器、壓電裝置、變阻器、熱敏電阻等通常具有陶瓷體,由陶瓷材料制成;內(nèi)部電極,設(shè)置在陶瓷體中;外部電極(即,端子電極(termination el ectrode)),放置在陶瓷體的表面上,以連接到對(duì)應(yīng)的內(nèi)部電極。 在陶瓷電子組件中,多層陶瓷電容器具有有利的特點(diǎn),例如,尺寸小但容量大、易于安裝等,因此,被廣泛用作移動(dòng)通信設(shè)備(例如,計(jì)算機(jī)、PDA、移動(dòng)電話(huà)等)的組件。近年來(lái),隨著朝著小尺寸多功能的電子產(chǎn)品發(fā)展的趨勢(shì),電子部件朝著具有更小的尺寸和更好的性能的趨勢(shì)發(fā)展。相應(yīng)地,需要具有大容量且尺寸小的大容量多層陶瓷電容器。因此,目前正在制造這樣的多層陶瓷電容器,其中,內(nèi)部電極和介電層的厚度減小,從而介電層和內(nèi)部電極被高度多層化。然而,隨著介電層的厚度減小以及多層的介電層的數(shù)量增加,內(nèi)部電極形成在其上的有效容量部分與內(nèi)部電極不形成在其上的邊緣部分之間的密度差明顯增加。結(jié)果,邊緣部分會(huì)被分層或者裂開(kāi),使得鍍覆溶液(plating solution)滲入邊緣部分中,從而會(huì)使得多層陶瓷電容器的可靠性降低。同時(shí),在介電層的厚度減小從而每單位厚度的電壓增加的情況下,即使當(dāng)將低電壓施加給介電層,也可能使介電層發(fā)生介電擊穿。具體地講,由于內(nèi)部電極在壓縮期間延伸,所以當(dāng)沿著寬度和厚度方向觀看電容器的截面時(shí),內(nèi)部電極的沿著寬度方向的兩端可具有楔形形狀,從而在所述兩端的電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)由于切口效應(yīng)(notch effect)而顯著增加。此外,在相鄰的內(nèi)部電極的所述端部,高的電場(chǎng)強(qiáng)度沿著層壓方向疊加,從而容易發(fā)生介電擊穿。因此,大容量多層陶瓷電容器在開(kāi)發(fā)及小型化方面受到限制。

      發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明一方面提供一種可靠性高的多層陶瓷電容器,所述多層陶瓷電容器能夠?qū)崿F(xiàn)小型化,并且容量增加,此外,即使在高壓情況下,所述多層陶瓷電容器也能夠不發(fā)生絕緣擊穿。根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種多層陶瓷電容器,所述電容器包括多層體,具有介電層;第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,介電層介于第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間,其中,在沿著多層體的寬度-厚度方向截取的截面中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極沿著寬度方向平移,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極彼此不疊置的部分,其中,平移部分的寬度與介電層的厚度td的比率t/td為I至10。寬度可被限定為平移部分的最小寬度,介電層的厚度^被限定為介電層的平均厚度。介電層的厚度td可以為0.65 μ m或者更小。第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極可沿著寬度方向向左和向右交替地平移。最小寬度的范圍可以為O. 8 μ m至5. 8 μ m。多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度可分別為O. 6±0. 09mm和O. 3±0. 09_。
      200個(gè)或者更多個(gè)介電層可被層壓。 根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種多層陶瓷電容器,所述電容器包括多層體,具有第一側(cè)和第二側(cè);第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極分別具有暴露到第一側(cè)和第二側(cè)的端部;介電層,設(shè)置在第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間,并且介電層的厚度td為O. 65 μ m或者更小,其中,在多層體的寬度-厚度的截面中,平移部分的最小寬度h與介電層的平均厚度td的比率t/h為I至10,其中,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極彼此不疊置而平移的部分。介電層的厚度td可以是被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離。第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極可沿著寬度方向向左和向右交替地平移。最小寬度的范圍可以為O. 8 μ m至5. 8 μ m。多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度可分別為O. 6±0. 09mm和O. 3±0. 09_。200個(gè)或者更多個(gè)介電層可被層壓。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種多層陶瓷電容器,所述電容器包括多層體,具有第一側(cè)和第二側(cè);第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極分別具有暴露到第一側(cè)和第二側(cè)的端部,其中,在多層體的基本上垂直于多層體的第一方向的截面中,平移部分的寬度A與被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離、的比率t/tdS I至10,其中,平移部分為被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極沿著基本上垂直于第一方向的第二方向彼此平移的部分。被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離td可以為0.65 μ m或者更小。第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極可沿著寬度方向向左和向右交替地平移。平移部分的寬度的范圍可以為O. 8 μ m至5. 8 μ m。寬度h可被限定為平移部分的最小寬度。多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度可分別為O. 6±0. 09mm和O. 3±0. 09_。200個(gè)或者更多個(gè)介電層可被層壓。


      通過(guò)下面結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)描述,本發(fā)明的上述和其他方面、特點(diǎn)和其他優(yōu)點(diǎn)將會(huì)被更清楚地理解,其中
      圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的外部的透視圖;圖2是在圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿著A-A'方向截取的截面圖;圖3是在圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿著B(niǎo)-B'方向截取的截面圖;圖4是在圖3中示出的C部分的放大圖。
      具體實(shí)施例方式以下,將參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而,可對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行各種變型,并且本發(fā)明的范圍不限于下面描述的實(shí)施例。為了充分解釋本發(fā)明,提供這些實(shí)施例以使本領(lǐng)域普通技術(shù)人員更清楚地理解本發(fā)明。

      此外,為了清楚起見(jiàn),在附圖中示出的各個(gè)元件的形狀和/或尺寸可被放大,并且在所有附圖中,相同的標(biāo)號(hào)指示基本上具有相同的構(gòu)造或者執(zhí)行相似功能和作用的元件。圖I是示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器的外部的透視圖。圖2是在圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿著A-A'方向截取的截面圖。圖3是在圖I中示出的根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器沿著B(niǎo)-B'方向截取的截面圖。圖4是在圖3中示出的C部分的放大圖。參照?qǐng)DI至圖3,根據(jù)本實(shí)施例的多層陶瓷電容器100可包括多層體110和外部電極 130。多層體110可具有矩形平行六面體形狀。在本發(fā)明的實(shí)施例中,沿著層壓方向的表面分別被限定為頂面Tf和底面Bf,沿著長(zhǎng)度方向的表面分別被限定為第一短面Sfl和第二短面Sf2,沿著寬度方向的表面分別被限定為第一長(zhǎng)面Lfl和第二長(zhǎng)面Lf2。同時(shí),針對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例中的多層陶瓷電容器,‘長(zhǎng)度方向’可被限定為在圖I中示出的‘L’方向,類(lèi)似地,‘寬度方向’可被限定為‘W’方向,‘厚度方向’可被限定為‘T’方向。這里,‘厚度方向’可具有與層疊的介電層的方向(即,‘層壓方向’)的概念相同的概念。然而,在內(nèi)部電極沿著水平方向被層壓的情況下,上面描述的‘寬度方向’和‘厚度方向’可被彼此顛倒。此外,上面描述的‘長(zhǎng)度方向’、‘寬度方向’和‘厚度方向’也可被限定為相互垂直的第一方向、第二方向和第三方向,而與它們的順序無(wú)關(guān)??赏ㄟ^(guò)沿著厚度方向T層壓多個(gè)介電層而形成多層體110。組成多層體110的多個(gè)介電層可被燒制,并且一體地一起形成,使得相鄰的介電層之間的邊界不可區(qū)分。每個(gè)介電層可由具有高的介電常數(shù)的陶瓷粉末形成,這里使用的陶瓷粉末可包括,但不限于,鈦酸鋇(BaTiO3)粉末、鈦酸鍶(SrTiO3)粉末等。在本發(fā)明的實(shí)施例中,在燒制陶瓷粉末以形成介電層之后,多個(gè)介電層中的一個(gè)可具有O. 65 μ m或者更小的平均厚度。在本發(fā)明的實(shí)施例中,每個(gè)介電層的厚度可指設(shè)置在內(nèi)部電極121和122之間的介電層的平均厚度。如圖4所示,可通過(guò)利用掃描電子顯微鏡(SEM)沿著多層體110的長(zhǎng)度方向?qū)孛孢M(jìn)行圖像掃描來(lái)測(cè)量介電層的平均厚度。例如,可通過(guò)從通過(guò)利用SEM(放大10000倍)對(duì)在多層體110的沿著長(zhǎng)度方向的中部在寬度-厚度方向(W-T)上截取的截面進(jìn)行掃描而獲得的介電層的提取的圖像在沿著介電層的寬度W方向的30個(gè)位置測(cè)量介電層的厚度,然后對(duì)測(cè)量的厚度值取平均值而獲得平均厚度,所述30個(gè)位置按照等間隔布置。所述等間隔布置的30個(gè)位置可基于容量形成部分而被確定,所述容量形成部分指第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122疊置的區(qū)域。此外,在針對(duì)10個(gè)或者更多個(gè)介電層進(jìn)行平均值的測(cè)量的情況下,每個(gè)介電層的平均厚度可更加具有普適性。此外,介電層的厚度可被限定為相鄰的內(nèi)部電極121和122的之間的平均距離。例如,可從通過(guò)掃描內(nèi)部電極121和122的中部獲得的圖像,在沿著內(nèi)部電極的寬度方向按照等間隔布置的30個(gè)位置測(cè)量相鄰的內(nèi)部電極121和122之間的距離,從而可計(jì)算相鄰的內(nèi)部電極121和122之間的平均距離。此外,當(dāng)針對(duì)10對(duì)或者更多對(duì)內(nèi)部電極進(jìn)行平均距離的測(cè)量時(shí),相鄰的內(nèi)部電極之間的平均距離可更加具有普適性。在多層體110中可設(shè)置多個(gè)內(nèi)部電極120。內(nèi)部電極120可置于介電層上并被布置成在介電層的層壓方向上彼此面對(duì),同時(shí)介電層通過(guò)燒制而設(shè)置在內(nèi)部電極之間。多個(gè)內(nèi)部電極120可由導(dǎo)電金屬,例如,鎳或者鎳合金形成。鎳合金除包含鎳之 夕卜,還可包含錳、鉻、鈷或者鋁??赏ㄟ^(guò)將含有金屬粉末(例如,鎳等)的導(dǎo)電膏按照預(yù)定圖案印制在生陶瓷片(ceramic green sheet)的表面上而制造內(nèi)部電極120。每個(gè)內(nèi)部電極120的厚度可以是O. 7 μ m或者更小,但是并不特別局限于此。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,可層壓200個(gè)或者更多個(gè)介電層,或者500個(gè)或者更多個(gè)介電層,在每個(gè)介電層上設(shè)置有內(nèi)部電極。多個(gè)內(nèi)部電極120可包括極性相反的多個(gè)第一內(nèi)部電極121和多個(gè)第二內(nèi)部電極122。每個(gè)第一內(nèi)部電極121和每個(gè)第二內(nèi)部電極122可被層壓成在層壓方向上彼此面對(duì),同時(shí)使得介電層設(shè)置在第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間。多個(gè)第一內(nèi)部電極121可具有暴露到多層體110的第一短面Sfl的一端,而多個(gè)第二內(nèi)部電極122可具有在長(zhǎng)度方向上與第一內(nèi)部電極121的暴露端相對(duì)的一端,并暴露到第二短面Sf2。暴露到第一短面Sfl的多個(gè)第一內(nèi)部電極121的一端可連接到第一外部電極131,而暴露到第二短面Sf2的多個(gè)第二內(nèi)部電極122的一端可連接到第二外部電極132。如圖3和圖4中所示,當(dāng)從沿著根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層體110的寬度-厚度方向(W-T)的截面觀看時(shí),多個(gè)第一內(nèi)部電極121和多個(gè)第二內(nèi)部電極122可沿著寬度方向平移。即,相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的一部分彼此疊置,而相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的其它部分彼此不疊置。以下,疊置部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122彼此疊置的部分,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122彼此不疊置的部分(即,相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122彼此平移的部分)。具體地講,參照?qǐng)D4,在寬度-厚度方向(W-T)的截面中,限定了如圖4所示的介電層的厚度td、第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的疊置部分的寬度t2以及平移部分的寬度h,如圖4所示。介電層的厚度td可被限定為介電層的平均厚度。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,沿著寬度-厚度方向(W-T)的截面可指在多層體110的沿著長(zhǎng)度方向(L)的中部基本上垂直地截取的截面。沿著寬度-厚度方向(W-T)的截面可基本上垂直于多層體Iio的長(zhǎng)度方向。第一內(nèi)部電極121可包括第一平移部分121a和第二平移部分121b,第一平移部分121a相對(duì)于與第一內(nèi)部電極121相鄰的第二內(nèi)部電極122沿著寬度方向平移,同時(shí),介電層設(shè)置在第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間,第一疊置部分121b與第二內(nèi)部電極122疊置。類(lèi)似地,第二內(nèi)部電極122可包括第二平移部分122a和第二疊置部分122b,第二平移部分122a相對(duì)于與第二內(nèi)部電極122相鄰的第一內(nèi)部電極121沿著寬度方向平移,同時(shí),介電層設(shè)置在第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間,第二疊置部分122b與第一內(nèi)部電極121疊置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,第一平移部分121a和第二平移部分122a的寬度I1可被設(shè)置為0.811111至5.811111,因此,改善了擊穿電壓(BDV)特性,并防止高溫加速(hightemperature acceleration)以及防潮性能變差。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施,平移部分的寬度h可以是通過(guò)平移相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122而形成的平移部分的最小寬度V為此,在厚度方向上彼此相鄰的第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122具有沿著內(nèi)部電極的長(zhǎng)度方向延伸的橫側(cè)部,所述橫側(cè)部彼此不疊置,其中,介電層設(shè)置在第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122之間。結(jié)果,會(huì)抑制橫側(cè)部的電場(chǎng)集中。即,對(duì)于第一內(nèi)部電極121和第二內(nèi)部電極122的沿著寬度方向的疊置部分,第一內(nèi)部電極121的橫側(cè)部可沿著寬度方向在一個(gè)邊緣與第二內(nèi)部電極122的一個(gè)面疊置,而第二內(nèi)部電極122的橫側(cè)部可沿著寬度方向在另一個(gè)邊緣與第一內(nèi)部電極121的一個(gè)面疊置。根據(jù)實(shí)施例,第一內(nèi)部電極121固定在適當(dāng)?shù)奈恢茫诙?nèi)部電極122可相對(duì)于第一內(nèi)部電極121沿著寬度方向交替地左右平移。然而,本發(fā)明不具體局限于此,根據(jù)設(shè)計(jì)條件,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極可按照多種平移方式被布置。例如,(I)第一內(nèi)部電極固定在適當(dāng)?shù)奈恢?,而第二?nèi)部電極可沿著第一內(nèi)部電極在向右方向或者向左方向上平移;(2)在將第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極層疊成層壓組之后,第一組沿著層壓方向從頂側(cè)到底側(cè)朝著左側(cè)平移,而第二組沿著層壓方向從頂側(cè)到底側(cè)朝著右側(cè)平移;(3)內(nèi)部電極每?jī)蓚€(gè)相鄰的電極在左側(cè)和右側(cè)上交替地平移,或者也可應(yīng)用其他各種變型。第一平移部分121a和第二平移部分122a的最小寬度h與介電層的平均厚度td的比率(ti/td)的范圍可以在I至10之間。如果t/td小于I,則當(dāng)從沿著寬度-厚度方向(W-T)的截面觀看時(shí),第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極沿著寬度方向的端部之間的距離會(huì)相對(duì)較小。結(jié)果,電場(chǎng)強(qiáng)度會(huì)增加,導(dǎo)致BDV特性變差,從而在高溫加速測(cè)試中NG率增加。此夕卜,由于邊緣部分(邊緣部分中不存在內(nèi)部電極)和疊置部分之間的密度差大,所以在防潮性能測(cè)試中NG率會(huì)增加。另一方面,當(dāng)h/td超過(guò)10時(shí),第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的疊置部分的面積減小,從而使得容量減小。此外,平移部分的寬度增加,導(dǎo)致邊緣部分的寬度減小,最終使得切割故障率增加。外部電極130可包括形成在多層體110的相對(duì)的兩側(cè)的第一外部電極131和第二外部電極132。如圖I中所不,第一外部電極131可被設(shè)置成覆蓋多層體110的第一短面Sfl,而第二外部電極132可被設(shè)置成覆蓋第二短面Sf2。根據(jù)實(shí)施例,雖然第一外部電極131和第二外部電極132可形成為覆蓋多層體110的兩個(gè)短面,但是本發(fā)明不限于此??蛇x地,第一外部電極131和第二外部電極132可被設(shè)置成覆蓋多層體110的兩個(gè)長(zhǎng)面Lfl和Lf2。
      第一外部電極131和第二外部電極132可彼此電絕緣。第一外部電極131可電連接到第一內(nèi)部電極121的暴露到多層體110的第一短面Sfl的一端,而第二外部電極132可電連接到第二內(nèi)部電極122的暴露到第二短面Sf2的一端,所述第二短面Sf2在長(zhǎng)度方向上與多層體110的第一短面Sfl相對(duì)。如上所述制造的外部電極130可用作外部端子。可使用銅(Cu)或者銅合金等來(lái)形成外部電極130。以下,將參照下面的發(fā)明的示例和對(duì)比示例來(lái)詳細(xì)描述本發(fā)明,然而,本發(fā)明的范圍不限于此。[示例]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的多層陶瓷電容器按照以下方法被制造。在包含粉末(例如,鈦酸鋇(BaTiO3))的漿被施加到載體膜上并且干燥以制備出多個(gè)生陶瓷片之后,使用這些片形成介電層,其中,每個(gè)生陶瓷片的厚度為I. 25 μ m、I. I μ m 和 O. 95 μ m。接著,制備用于內(nèi)部電極的包含平均尺寸為O. 05 μ m至O. 2 μ m的鎳顆粒的導(dǎo)電膏。通過(guò)利用絲網(wǎng)印刷將制備的用于內(nèi)部電極的導(dǎo)電膏施加在每個(gè)生陶瓷片而形成內(nèi)部電極。層疊230層(這是個(gè)示例)的內(nèi)部電極以制造層壓陶瓷(ceramic laminate)。在層壓期間,為了改變內(nèi)部電極的平移程度,平移部分的寬度在Oym至IOym范圍內(nèi)被變化,接著,
      進(jìn)行層壓。在壓強(qiáng)條件為lOOOkgf/cm2溫度為85° C的情況下,使得制備的層壓陶瓷均衡受壓。在對(duì)層壓陶瓷進(jìn)行壓縮之后,將其切割成單獨(dú)的片。被切割的片在大氣中按照230° C保持60個(gè)小時(shí),以進(jìn)行脫脂(debinding)。之后,在還原氣氛中以及氧分壓(oxygenpartial pressure)為l(Tnatm至l(r1Qatm的情況下按照1200° C執(zhí)行燒制,以防止內(nèi)部電極氧化,其中,所述氧分壓低于Ni/Ni0均衡氧分壓。在燒制之后,介電層的平均厚度分別為0. 85 μ m、0. 65 μ m和0. 55 μ m,而內(nèi)部電極的平均厚度為0. 65 μ m。每個(gè)燒制的片的尺寸滿(mǎn)足下面的尺寸(0· 6±0. 09mm) X (0. 3±0· 09mm) X (0. 3±0· 09mm),即(LXWXT)。接著,上述制備的片經(jīng)歷外部電極的設(shè)置,鍍覆等,從而制造成多層陶瓷電容器。根據(jù)內(nèi)部電極中平移部分的寬度,多種多層陶瓷電容器樣本被制造。下面的表I示出了根據(jù)內(nèi)部電極中平移部分的寬度的多種多層陶瓷電容器的電特性比較結(jié)果,具體地講,所述電特性指BDV特性、靜電容量、切割故障率、高溫加速測(cè)試中的NG率和防潮性能測(cè)試中的NG率。[表 I]
      權(quán)利要求
      1.一種多層陶瓷電容器,包括 多層體,具有介電層; 第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,介電層介于第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間, 其中,在沿著多層體的寬度-厚度方向截取的截面中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極沿著寬度方向平移,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極彼此不疊置的部分, 其中,平移部分的寬度ti與介電層的厚度td的比率ti/td為I至10。
      2.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,寬度h被限定為平移部分的最小寬度,介電層的厚度td被限定為介電層的平均厚度。
      3.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,介電層的厚度td為0.65 y m或者更小。
      4.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極沿著寬度方向向左和向右交替地平移。
      5.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,寬度L的范圍為0.8iim至5. 8iim。
      6.如權(quán)利要求I所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度分別為0.6 ± 0. OQmni 和 0. 3 土 0. 09mm。
      7.如權(quán)利要求6所述的多層陶瓷電容器,其中,200個(gè)或者更多個(gè)介電層被層壓。
      8.一種多層陶瓷電容器,包括 多層體,具有第一側(cè)和第二側(cè); 第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極分別具有暴露到第一側(cè)和第二側(cè)的端部; 介電層,設(shè)置在第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間,并且介電層的厚度td為0. 65 ii m或者更小, 其中,在多層體的寬度-厚度的截面中,平移部分的最小寬度h與介電層的平均厚度td的比率ti/td為I至10, 其中,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極彼此不疊置而平移的部分。
      9.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器,其中,介電層的厚度td是被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離。
      10.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器,其中,第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極沿著寬度方向向左和向右交替地平移。
      11.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器,其中,最小寬度h的范圍為0.8iim至5.8 u m0
      12.如權(quán)利要求8所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度分別為0.6 ± 0. OQmni 和 0. 3 土 0. 09mm。
      13.如權(quán)利要求12所述的多層陶瓷電容器,其中,200個(gè)或者更多個(gè)介電層被層壓。
      14.一種多層陶瓷電容器,包括 多層體,具有第一側(cè)和第二側(cè); 第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極分別具有暴露到第一側(cè)和第二側(cè)的端部, 其中,在多層體的基本上垂直于多層體的第一方向的截面中,平移部分的寬度ti與被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離td的比率t/td為I至10,其中,平移部分為被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極沿著基本上垂直于第一方向的第二方向彼此平移的部分。
      15.如權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器,其中,被設(shè)置為彼此相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間的距離td為0. 65iim或者更小。
      16.如權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器,其中,第二內(nèi)部電極相對(duì)于第一內(nèi)部電極沿著寬度方向向左和向右交替地平移。
      17.如權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器,其中,平移部分的寬度^的范圍為0.8至 5. 8 u m。
      18.如權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器,其中,寬度A被限定為平移部分的最小寬度。
      19.如權(quán)利要求14所述的多層陶瓷電容器,其中,多層陶瓷電容器長(zhǎng)度和寬度分別為0.6 ± 0. OQmni 和 0. 3 土 0. 09mm。
      20.如權(quán)利要求19所述的多層陶瓷電容器,其中,200個(gè)或者更多個(gè)介電層被層壓。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種多層陶瓷電容器。所述電容器包括多層體,具有介電層;第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極,設(shè)置在多層體中,介電層介于第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極之間,其中,在沿著多層體的寬度-厚度方向截取的截面中,平移部分被限定為相鄰的第一內(nèi)部電極和第二內(nèi)部電極彼此不疊置的部分,其中,平移部分的寬度t1與介電層的厚度td的比率t1/td為1至10。
      文檔編號(hào)H01G4/30GK102810399SQ20121017153
      公開(kāi)日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2012年5月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月31日
      發(fā)明者金相赫, 樸宰成, 崔圣赫, 宋璿基, 張澣娜, 金柄秀 申請(qǐng)人:三星電機(jī)株式會(huì)社
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