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      一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調q固體激光器的制作方法

      文檔序號:7100678閱讀:256來源:國知局
      專利名稱:一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調q固體激光器的制作方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及固體材料光學諧振器或其部件的結構或形狀,尤指一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器。
      背景技術
      調Q固體激光器由于其具有極窄的脈沖寬度、極高的峰值功率等優(yōu)點,在現(xiàn)代激光加工、光學測量、醫(yī)療衛(wèi)生等方面得到了廣泛的運用。傳統(tǒng)的固體激光器調Q方法分為主動調Q和被動調Q,主動調Q的方法可對輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率及脈沖寬度等激光參數(shù)進行精確控制,但其需要額外增加光學、電學等控制元件,且控元件體積大,成本高。被動調Q具有體積小、結構簡單的優(yōu)點,但由于其被動調Q晶體被動工作的特點,在一定的輸出功率情況下,其重復頻率、脈沖寬度由被動調Q晶體的特性決定,具有不可控性,極大地限制了其使用范圍。

      發(fā)明內容針對現(xiàn)有技術的缺點,本發(fā)明的目的在于提供一種具備輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率、脈沖寬度等參數(shù)可控的被動調Q固體激光器。本發(fā)明解決其技術問題所采用的技術方案是提供一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器,包括激光泵浦源、泵浦耦合裝置、光學諧振腔、激光增益介質、被動調Q晶體、主控半導體激光器(主控LD)及主控耦合裝置,所述光學諧振腔包括全反射腔鏡、反射鏡、耦合輸出鏡,主控半導體激光器出射光經(jīng)主控耦合裝置及反射鏡聚焦于被動調Q晶體,從而控制被動調Q晶體的漂白程度,通過對主控半導體激光器的出光時間、功率大小的調節(jié)及對激光泵浦源輸出功率大小的調節(jié),實現(xiàn)對被動調Q固體激光器輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率及脈沖寬度的控制。進一步地,主控半導體激光器的出射光經(jīng)主控耦合裝置及反射鏡后照射于被動調 Q晶體,被動調Q晶體被照射位置的范圍,包含光學諧振腔振蕩光在被動調Q晶體上的通光孔徑,這使得被動調Q晶體的漂白程度可以受到激光晶體發(fā)射的熒光和主控半導體激光器的雙重控制。進一步地,主控半導體激光器的出射光波長能夠引起被動調Q晶體的基態(tài)吸收,即主控半導體激光器的出射光具有漂白被動調Q晶體的能力。進一步地,主控半導體激光器的出光時間及出光功率大小可通過電源給以控制,主控半導體激光器的光進入被動調Q晶體,其耦合方式可以是經(jīng)光纖耦合,也可以是主控半導體激光器出光后,經(jīng)光學整形鏡片或自聚焦透鏡直接耦合。進一步地,泵浦源的出光功率大小可通過電源給以控制,其耦合方式可以是經(jīng)光纖耦合,也可以是通過光學整形鏡片或自聚焦透鏡直接耦合。進一步地,若不對激光泵浦源的出光功率大小進行控制,也可只利用主控半導體激光器控制激光器的出光參數(shù),只是參數(shù)調節(jié)范圍減小。
      進一步地,晶體的泵浦方式可以是側面泵浦,也可以是端面泵浦,其泵浦源可以是泵浦燈或LD。本發(fā)明的有益效果是利用添加主控半導體激光器的方法,實現(xiàn)了對被動調Q激光器輸出激光參數(shù)的控制,使得被動調Q固體激光器在保持其體積小、結構簡單等優(yōu)點的同時,具備了輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率、脈沖寬度等參數(shù)可控的特點,極大地拓展了其應用范圍。

      下面結合附圖對本發(fā)明作進一步的描述。圖I是本發(fā)明一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器原理圖;
      圖I中1_激光泵浦源、2-泵浦耦合裝置、3-光學諧振腔、31-全反射腔鏡、32-反射鏡、33-耦合輸出鏡、4-激光增益介質、5-被動調Q晶體、8-主控耦合裝置、9-主控半導體激光器、10-輸出激光。
      具體實施方式參見圖1,本發(fā)明一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器,包括激光泵浦源I、泵浦耦合裝置2、光學諧振腔3、激光增益介質4、被動調Q晶體5、主控半導體激光器(主控LD) 9及主控耦合裝置8,所述光學諧振腔3包括全反射腔鏡31、反射鏡32、耦合輸出鏡33,主控半導體激光器9出射光經(jīng)主控耦合裝置8及反射鏡32聚焦于被動調Q晶體,從而控制被動調Q晶體5的漂白程度,通過對主控半導體激光器9的出光時間、功率大小的調節(jié)及對激光泵浦源I輸出功率大小的調節(jié),實現(xiàn)對被動調Q固體激光器輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率及脈沖寬度的控制。參見圖1,本發(fā)明光學諧振腔3中,全反射腔鏡31為平面鏡,作為激光器全反射腔鏡,同時可以完全透射泵浦光;反射鏡32為平面鏡,在45度放置情況下,能夠對主控半導體激光器9的出射光起到全反射作用而對腔內振蕩的激光起到全透射作用;耦合輸出鏡33為平面鏡,對振蕩光部分透射部分反射,作為耦合輸出鏡。激光泵浦源I的泵浦光經(jīng)泵浦耦合裝置2后入射于激光增益介質4中。被動調Q晶體5有別于傳統(tǒng)被動調Q固體激光器的是,為使此被動調Q固體激光器可主動控制,這里我們選擇小信號透過率較低的被動調Q晶體,使得在主控半導體激光器9未開光情況下,即使激光泵浦源I以最大功率入射,激光增益介質4所產(chǎn)生的熒光仍不能使被動調Q晶體5開啟,因而無激光輸出。主控半導體激光器9出光時間及輸出功率大小可通過電源控制。若使激光泵浦源I以一定功率輸出泵浦光,主控半導體激光器9關閉,由于被動調Q晶體5較低的小信號透過率,激光增益介質4中產(chǎn)生的熒光不足以開啟被動調Q晶體5,所以無激光輸出;若使激光泵浦源I以一定功率輸出泵浦光,同時以一定輸出功率開啟主控半導體激光器9,則主控半導體激光器9的輸出光經(jīng)主控耦合裝置8及主控半導體激光器9出光反射鏡32后進入被動調Q晶體5并對其進行漂白,則被動調Q晶體5被開啟,從而產(chǎn)生激光輸出10。這樣,通過控制主控半導體激光器9的開關光,即實現(xiàn)了對輸出激光的開關光控制。另外,改變主控半導體激光器9的出光功率大小,控制其對被動調Q晶體5的輔助漂白作用,從而改變振蕩輸出激光的頻率及脈沖寬度,而輸出激光的平均功率可由增減激光泵浦源I的輸出功率進行控制。
      進一步地,若使主控半導體激光器9也以脈沖方式工作,且脈沖寬度小于一定的度量,則可使被動調Q激光器輸出單個脈沖,從而通過控制主控半導體激光器9輸入電脈沖,可實現(xiàn)對被動調Q固體激光器輸出激光的脈沖頻率及出光時間的精確控制。另外,如給主控半導體激光器9加上一定的偏置直流,使其出光(但此光功率的大小不足以其輔助漂白被動調Q晶體),再在此偏置直流上加上脈沖控制信號,這樣可以極大地減小輸出激光與給定出光信號間的延時。在本發(fā)明的實施例中,主控半導體激光器9的出射光經(jīng)主控耦合裝置8及反射鏡32后照射于被動調Q晶體5,被動調Q晶體5被照射位置的范圍,包含光學諧振腔振蕩光在被動調Q晶體5上的通光孔徑。在本發(fā)明的實施例中,主控半導體激光器9的出射光波長能夠引起被動調Q晶體5的基態(tài)吸收,即主控半導體激光器9的出射光具有漂白被動調Q晶體5的能力。 在本發(fā)明的實施例中,主控半導體激光器9的出光時間及出光功率大小通過電源給以控制。在本發(fā)明的實施例中,激光泵浦源I的出光功率大小通過電源給以控制。在本發(fā)明的第二實施例中,不對激光泵浦源I的出光功率大小進行控制,利用主控半導體激光器9控制激光器的出光參數(shù)。
      權利要求
      1.一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器,包括激光泵浦源(I)、泵浦耦合裝置(2)、光學諧振腔(3)、激光增益介質(4)、被動調Q晶體(5)、主控半導體激光器(9)及主控耦合裝置(8),所述光學諧振腔(3)包括全反射腔鏡(31)、反射鏡(32)、耦合輸出鏡(33),主控半導體激光器(9)出射光經(jīng)主控耦合裝置(8)及反射鏡(32)聚焦于被動調Q晶體,從而控制被動調Q晶體(5)的漂白程度,通過對主控半導體激光器(9)的出光時間、功率大小的調節(jié)及對激光泵浦源(I)輸出功率大小的調節(jié),實現(xiàn)對被動調Q固體激光器輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率及脈沖寬度的控制。
      2.根據(jù)權利要求I所述的,其特征在于,主控半導體激光器(9)的出射光經(jīng)主控耦合裝置(8)及反射鏡(32)后照射于被動調Q晶體(5),被動調Q晶體(5)被照射位置的范圍,包含光學諧振腔振蕩光在被動調Q晶體(5)上的通光孔徑。
      3.根據(jù)權利要求I所述的,其特征在于,主控半導體激光器(9)的出射光波長能夠引起被動調Q晶體(5)的基態(tài)吸收,即主控半導體激光器(9)的出射光具有漂白被動調Q晶體(5)的能力。
      4.根據(jù)權利要求I所述的,其特征在于,主控半導體激光器(9)的出光時間及出光功率大小通過電源給以控制。
      5.根據(jù)權利要求I所述的,其特征在于,激光泵浦源(I)的出光功率大小通過電源給以控制。
      6.根據(jù)權利要求I所述的,其特征在于,不對激光泵浦源(I)的出光功率大小進行控制,利用主控半導體激光器(9)控制激光器的出光參數(shù)。
      全文摘要
      一種輸出激光參數(shù)可控制的被動調Q固體激光器,包括激光泵浦源(1)、泵浦耦合裝置(2)、光學諧振腔(3)、激光增益介質(4)、被動調Q晶體(5)、主控半導體激光器(9)及主控耦合裝置(8),主控半導體激光器(9)出射光經(jīng)主控耦合裝置(8)及反射鏡(32)聚焦于被動調Q晶體,從而控制被動調Q晶體(5)的漂白程度,通過對主控半導體激光器(9)的出光時間、功率大小的調節(jié)及對激光泵浦源(1)輸出功率大小的調節(jié),實現(xiàn)對被動調Q固體激光器輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率及脈沖寬度的控制。其優(yōu)點是使被動調Q固體激光器具備了輸出激光的出光時間、功率大小、重復頻率、脈沖寬度等參數(shù)可控的特點,極大地拓展了其應用范圍。
      文檔編號H01S3/102GK102684053SQ20121017526
      公開日2012年9月19日 申請日期2012年5月31日 優(yōu)先權日2012年5月31日
      發(fā)明者程賢坤, 金朝龍 申請人:蘇州天弘激光股份有限公司
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