專利名稱：一種類單晶硅片的燒結(jié)方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明屬于太陽能電池領域，具體涉及到一種類單晶硅片的燒結(jié)方法。
背景技術(shù)：
在太陽能電池領域中，常規(guī)晶體硅電池有單晶電池和多晶電池兩種。單晶電池缺陷少，通過堿絨的各向異性腐蝕原理形成金字塔形織構(gòu)化表面，增加光的吸收次數(shù)，提高轉(zhuǎn)換效率，效率要比多晶高I. 5%以上；多晶電池產(chǎn)量大，成本低，衰減小。隨著鑄錠技術(shù)的發(fā)展，現(xiàn)多晶爐生產(chǎn)出的類單晶集合了大部分單晶和多晶的優(yōu)勢。但是在生產(chǎn)過程中，該類硅片除了大部分面積是(100)晶向外，不可避免的存在一部分其它各種晶向的晶粒，該晶粒經(jīng)、過堿絨后，織構(gòu)化效果要比(100)晶向的單晶差很多。對于晶體硅電池，燒結(jié)是最后一道工序，燒結(jié)的目的就是使得Ag-Si形成良好的歐姆接觸。類單晶多晶區(qū)域堿絨形成的表面形貌與單晶(100)晶向堿絨后的形貌有著明顯的區(qū)別，而不同的表面織構(gòu)化對Ag-Si的接觸有一定的影響，常規(guī)的雙溫區(qū)低溫燒結(jié)會使得Ag-Si接觸不良，產(chǎn)生顯著的電池功率損耗，因此對于類單晶硅片，影響Ag-Si燒結(jié)工藝需要選擇合適的燒結(jié)工藝。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種簡單的、適合類單晶多晶區(qū)域的燒結(jié)方法，對8、9溫區(qū)進行溫度調(diào)整，找到適合類單晶多晶區(qū)域絨面的燒結(jié)方式，使得Ag-Si接觸牢固，同時又不破壞P-N結(jié)，該方法工藝簡單，燒結(jié)效果好。一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行1%_2%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。由于類單晶電池絨面不是很均勻，在常規(guī)工藝下接觸不是很好，因此通過降低8區(qū)溫度，提高9區(qū)溫度，延長液態(tài)Ag更充分接觸到類單晶硅表面，然后進行短時間高溫迅速加熱，使得Ag與Si能更好的成為合金，為了有一定的溫度梯度，所以在降低8區(qū)的溫度的同時時，降低了 7區(qū)的溫度。因此本發(fā)明的燒結(jié)方式是高溫、快速，多晶區(qū)域的接觸電阻有明顯的改善，電池效率還有O. 5%左右的提高。
具體實施例下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明做進一步的說明，以助于理解本發(fā)明的內(nèi)容。實施例I :一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行1%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規(guī)156X156單晶的擴散、 刻蝕、PECVD；
3、燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。實施例2
一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。實施例3
一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行2%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。實施例4:
傳統(tǒng)的一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，具體步驟如下
1、采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨；
2、采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD；
3、燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度620°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度825°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度870°C持續(xù)時間2. 8s。采用各實施例的燒結(jié)方法得到的類單晶電池性能參數(shù)如下表所示
權(quán)利要求
1.一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，其特征在于 具體步驟如下 (1)采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行1%_2%濃度的NaOH制絨； (2)采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD； (3)燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。
2.如權(quán)利要求I所述的一種類單晶硅片的燒結(jié)方法，其特征在于具體步驟如下 (1)采用有一定多晶區(qū)域156X156的P型類單晶硅片，進行I.5%濃度的NaOH制絨； (2)采用常規(guī)156X156單晶的擴散、刻蝕、PECVD； (3)燒結(jié)把單晶放入燒結(jié)爐中，燒結(jié)爐中的烘干區(qū)I區(qū)溫度330°C持續(xù)時間7.6s，2區(qū)溫度320°C持續(xù)時間7. 6s，3區(qū)溫度350°C持續(xù)時間7. 6s，4區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，5區(qū)溫度520°C持續(xù)時間7. 6s，6區(qū)溫度530°C持續(xù)時間7. 6s，7區(qū)溫度550°C持續(xù)時間7. 6s，燒結(jié)區(qū)8區(qū)溫度615°C持續(xù)時間4. 7s，9區(qū)溫度895°C持續(xù)時間2. 8s。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種簡單的、適合類單晶多晶區(qū)域的燒結(jié)方法，通過降低8區(qū)溫度，提高9區(qū)溫度，延長液態(tài)Ag更充分接觸到類單晶硅表面，然后進行短時間高溫迅速加熱，使得Ag與Si能更好的成為合金，為了有一定的溫度梯度，所以在降低8區(qū)的溫度的同時時，降低了7區(qū)的溫度。因此本發(fā)明的燒結(jié)方式是高溫、快速，Ag-Si接觸牢固，同時又不破壞P-N結(jié)，多晶區(qū)域的接觸電阻有明顯的改善，電池效率還有0.5%左右的提高，該方法工藝簡單，燒結(jié)效果好。
文檔編號H01L21/324GK102737989SQ20121017717
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月1日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月1日
發(fā)明者包兵兵, 柳杉, 梅超, 王鵬, 范亞妮, 蔡理洋, 黃治國 申請人:上饒光電高科技有限公司