專利名稱：一種基于dfn、qfn的新型led封裝件及其制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，屬于電子信息自動化元器件制造技術領域。
背景技術：
DFN是ー種最新的的電子封裝エ藝.采用先進的雙邊扁平無鉛封裝(DFN)。DFN平臺是最新的表面貼裝封裝技木。印刷電路板(PCB)的安裝墊、阻焊層和模版樣式設計以及組裝過程，都需要遵循相應的原則。DFN平臺具有多功能性，可以讓ー個或多個半導體器件在無鉛封裝內連接。QFN (Quad Flat No-lead Package,方形扁平無引腳封裝)是ー種焊盤尺寸小、體 積小、以塑料作為密封材料的新興的表面貼裝芯片封裝技木。由于底部中央大暴露的焊盤被焊接到PCB的散熱焊盤上，使得QFN具有極佳的電和熱性能。QFN是ー種無引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝底部中央位置一個大面積裸露的焊盤，具有導熱的作用，在大焊盤的封裝外圍有實現電氣連接的導電焊盤。由于QFN封裝不像傳統(tǒng)的SOIC與TSOP封裝那樣具有鷗翼狀引線，內部引腳與焊盤之間的導電路徑短，自感系數以及封裝體內布線電阻很低，所以，它能提供卓越的電性能。此外，它還通過外露的引線框架焊盤提供了出色的散熱性能，該焊盤具有直接散熱的通道，用于釋放封裝內的熱量。通常，將散熱焊盤直接焊接在電路板上，并且PCB中的散熱過孔有助于將多余的功耗擴散到銅接地板中，從而吸收多余的熱量。由于體積小、重量輕，加上杰出的電性能和熱性能，這種封裝特別適合任何ー個對尺寸、重量和性能都有要求的應用。LED (Light-Emitting-Diode,為發(fā)光二極管)是ー種能夠將電能轉化為光能的半導體，它改變了白熾燈鎢絲發(fā)光與節(jié)能燈三基色粉發(fā)光的原理，而采用電場發(fā)光。據分析，LED的特點非常明顯，壽命長、光效高、無輻射與低功耗。LED的光譜幾乎全部集中于可見光頻段，其發(fā)光效率可超過1501m/W(2010年)。將LED與普通白熾燈、螺旋節(jié)能燈及T5三基色熒光燈進行對比，結果顯示普通白熾燈的光效為121m/W，壽命小于2000小時，螺旋節(jié)能燈的光效為601m/W，壽命小于8000小時，T5熒光燈則為961m/W，壽命大約為10000小時，而直徑為5毫米的白光LED光效理論上可以超過1501m/W，壽命可大于100000小時。有人還預測，未來的LED壽命上限將無窮大。然而，LED燈的工作原理使得在大功率LED照明行業(yè)里散熱問題變得非常突出，許多LED照明方案不夠重視散熱，或者是技術水平有限，所以目前量產的大功率LED燈普遍存在實際使用壽命遠遠不如理論值，性價比低于傳統(tǒng)燈具的尷尬情況，目前還沒有真正做到適合商業(yè)化的量產。傳統(tǒng)的LEDエ藝有著污染物焊接。焊點損傷變形等常見缺陷，封裝過程次品率較高，而且產品尺寸較大，應用有局限。

發(fā)明內容
針對上述基于DFN、QFN封裝的新型LED封裝件的缺點，提供一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，可有效縮小產品尺寸，且屬于載體外露的高密度封裝，不但降低了成本，而且擴大了產品的應用范圍，提高封裝可靠性。本發(fā)明采用的技術方案封裝件包括引線框架載體1，粘片膠2，IC芯片3，鍵合線4，塑封體5，引線框架載體I上固定粘片膠2，粘片膠2上固定IC芯片3，IC芯片3的PAD鍵合線4與引線框架載體I相連，構成了電路的電流和信號通道，塑封料5包圍了引線框架載體I、粘片膠2、TC芯片3、IC芯片3上的PAD與引線框架載體I連接的鍵合線4構成電路整體。所述的粘片膠2為導電膠或絕緣。所述的ー種基于DFN、QFN的新型LED封裝件的制作方法按照以下步驟進行第一歩、晶圓減?。痪A減薄厚度為50μηι 200μηι,粗糙度Ra O. IOum O.30um ；第二步、劃片；第三步、采用粘片膠上芯；第四歩、壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封；第六步、后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。所述的方法中的第二步中150μπι以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150μπι以下晶圓，采用雙刀劃片機及其エ藝；所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換；第五步中傳統(tǒng)塑封料采用9220進行塑封。所述的方法中的第四步、第五步、第六步均與常規(guī)AAQFNエ藝相同。本發(fā)明的有益效果可有效縮小產品尺寸，且屬于載體外露的高密度封裝，不但降低了成本，而且擴大了產品的應用范圍，提高封裝可靠性。


圖I為本發(fā)明的框架剖面圖；圖2為本發(fā)明的上芯后廣品首I]面圖；圖3為本發(fā)明的壓焊后產品剖面圖；圖4為本發(fā)明的塑封后產品剖面圖。圖中1_引線框架載體、2-粘片膠、3-IC芯片、4-鍵合線、5-塑封體。
具體實施例方式下面結合附圖對本發(fā)明進行詳細說明。如圖4所示本發(fā)明包括引線框架載體1，粘片膠2，IC芯片3，鍵合線4，塑封體5，引線框架載體I上是粘片膠2，粘片膠2為導電膠或絕緣膠，粘片膠2上是IC芯片3，IC芯片3上的PAD鍵合線4與引線框架載體I相連，構成了電路的電流和信號通道。塑封料5圍了引線框架載體I、粘片膠2、IC芯片3、IC芯片3上的PAD與引線框架載體I連接的鍵合線4構成電路整體，對IC芯片3和鍵合線4到支撐和保護作用。實施例I一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件的制作方法按照以下步驟進行
第一歩、晶圓減??；晶圓減薄厚度為50 μ m,粗糙度Ra O. IOum ；第二步、采用雙刀劃片機及其エ藝進行劃片；第三步、采用粘片膠上芯；第四步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料9220進行塑封；第六步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例2一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件的制作方法按照以下步驟進行第一歩、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為130 μ m,粗糙度Ra O. 20um ；第二步、采用雙刀劃片機及其エ藝進行劃片；第三步、采用膠膜片(DAF)上芯；第四步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料9220進行塑封；第六步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。實施例3一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件的制作方法按照以下步驟進行第一歩、晶圓減薄；晶圓減薄厚度為160 μ m,粗糙度Ra O. 30um ；第二步、采用普通QFN劃片エ藝；第三步、采用膠膜片(DAF)上芯；第四步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行壓焊；第五步、采用傳統(tǒng)塑封料9220進行塑封；第六步、采用常規(guī)AAQFNエ藝進行后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。
權利要求
1.一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于封裝件包括引線框架載體，粘片膠，IC芯片，鍵合線，塑封體，引線框架載體上固定粘片膠，粘片膠上固定IC芯片，IC芯片的PAD鍵合線與引線框架載體相連，構成了電路的電流和信號通道，塑封料包圍了引線框架載體、粘片膠、IC芯片、IC芯片上的PAD與引線框架載體連接的鍵合線構成電路整體。
2.根據權利要求I所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于所述的粘片膠為導電膠或絕緣。
3.根據權利要求I所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件的生產方法按照以下步驟進行 第一步、晶圓減??；晶圓減薄厚度為50 μ m 200 μ m,粗糙度Ra O. IOum O. 30um ； 第二步、劃片； 第三步、采用粘片膠上芯； 第四步、壓焊； 第五步、采用傳統(tǒng)塑封料進行一次塑封； 第六步、后固化、磨膠、錫化、打印、產品分離、檢驗、包裝、入庫。
4.根據權利要求3所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于所述的方法中的第二步中150 μ m以上的晶圓采用普通QFN劃片工藝；厚度在150 μ m以下晶圓，采用雙刀劃片機及其工藝。
5.根據權利要求3所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于所述的方法中的第三步中上芯時采用的粘片膠可以用膠膜片(DAF)替換。
6.根據權利要求3所述的一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，其特征在于第五步中傳統(tǒng)塑封料采用9220進行塑封。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種基于DFN、QFN的新型LED封裝件及其制作方法，屬于電子信息自動化元器件制造技術領域。封裝件包括引線框架載體，粘片膠，IC芯片，鍵合線，塑封體，引線框架載體上固定粘片膠，粘片膠上固定IC芯片，IC芯片的PAD鍵合線與引線框架載體相連，構成了電路的電流和信號通道，塑封料包圍了引線框架載體、粘片膠、IC芯片、IC芯片上的PAD與引線框架載體連接的鍵合線構成電路整體；本發(fā)明可有效縮小產品尺寸，且屬于載體外露的高密度封裝，不但降低了成本，而且擴大了產品的應用范圍，提高封裝可靠性。
文檔編號H01L33/54GK102738365SQ20121018220
公開日2012年10月17日 申請日期2012年6月5日 優(yōu)先權日2012年6月5日
發(fā)明者劉建軍, 崔夢, 郭小偉 申請人:華天科技(西安)有限公司