專利名稱：一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器制造領(lǐng)域，尤其涉及一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置。
背景技術(shù)：
在TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display,薄膜場效應(yīng)晶體管液晶顯示器)行業(yè)中，主要是通過像素電極和公共電極之間產(chǎn)生的電場，來控制液晶分子的轉(zhuǎn)動(dòng)，達(dá)到所要顯示畫面的效果。像素電極的電位能否達(dá)到要求值，主要是由TFT(ThinFilm Transistor,薄膜場效應(yīng)晶體管，簡稱薄膜晶體管)的開啟電流Im決定的，理論上
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管，包括基板、所述基板上的柵極、覆蓋所述柵極的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上方的有源層，在所述有源層上方形成有源極和漏極，覆蓋所述源極和漏極的保護(hù)層，其中在所述源極和漏極之間形成有第一溝道，其特征在于， 所述漏極和所述源極為通過兩次構(gòu)圖工藝制作形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括位于所述漏極上方或所述漏極下方的輔助漏極，其中所述源極與所述輔助漏極之間形成有第二溝道。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極與所述漏極之間的第一溝道的長度小于所述源極與所述輔助漏極之間的第二溝道的長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的薄膜晶體管，其特征在于，所述源極與所述輔助漏極為經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝制作形成。
5.一種陣列基板，其特征在于，包括權(quán)利要求I 4所述的任一薄膜晶體管。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述漏極和所述像素電極經(jīng)過一次構(gòu)圖工藝制作形成。
7.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求5或6所述的陣列基板。
8.一種薄膜晶體管的制造方法，包括在基板上形成柵極，在所述柵極上方形成柵絕緣層，在所述柵絕緣層上形成有源層，其特征在于，還包括 制作覆蓋所述有源層的第一導(dǎo)電材料層，通過一次構(gòu)圖工藝形成漏極或源極； 制作第二導(dǎo)電材料層，通過一次構(gòu)圖工藝形成對應(yīng)所述漏極的源極或?qū)?yīng)所述源極的漏極； 在所述源極和所述漏極之間形成第一溝道； 在所述源極和漏極上方形成保護(hù)層。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，還包括通過和形成所述源極的同一次構(gòu)圖工藝形成輔助漏極，其中所述源極和所述輔助漏極之間形成有第二溝道。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種薄膜晶體管及其制造方法、陣列基板和顯示裝置，涉及顯示器制造領(lǐng)域，通過兩次曝光分別形成源極和漏極，可以實(shí)現(xiàn)溝道長度減小，達(dá)到提高薄膜晶體管充電能力的目的。一種薄膜晶體管，包括基板、所述基板上的柵極、覆蓋所述柵極的柵絕緣層、位于所述柵絕緣層上方的有源層，在所述有源層上方形成有源極和漏極，覆蓋所述源極和漏極的保護(hù)層，其中在所述源極和漏極之間形成有第一溝道，所述漏極和所述源極為通過兩次構(gòu)圖工藝制作形成。本發(fā)明實(shí)施例應(yīng)用于薄膜晶體管及陣列基板制造。
文檔編號H01L29/78GK102723365SQ20121018969
公開日2012年10月10日 申請日期2012年6月8日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月8日
發(fā)明者其他發(fā)明人請求不公開姓名, 李小和, 金在光 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 合肥京東方光電科技有限公司