專利名稱：基板處理方法和基板處理單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理方法和一種基板處理單元，尤其涉及一種基板處理方法和一種被用來執(zhí)行處理的處理單元，該處理例如為以非接觸方式清潔或干燥諸如半導(dǎo)體晶片的基板。
背景技術(shù)：
一種雙向噴射(2FJ)清潔方法被認(rèn)為是一種用于以非接觸方式清潔基板表面的清潔法。這種清潔法涉及將包含微小的液滴(液霧)的高速氣體從雙相噴嘴朝向基板表面噴射，并使微小液滴撞擊基板表面。該清潔法利用通過微小的液滴撞擊基板表面所產(chǎn)生的沖擊波以使微粒等從基板表面移除(清潔)。利用IPA (異丙醇)蒸汽的干燥法被認(rèn)為是用于以非接觸方式干燥基板表面的干 燥法。這種干燥法涉及將包含IPA蒸汽的氣體從流體噴嘴朝基板表面的氣液界面吹出。該干燥法通過利用在基板表面上的液膜的表面張力的梯度和由IPA蒸汽促進(jìn)的蒸發(fā)，使液膜從基板表面汽化和除去。在傳統(tǒng)的雙向噴射清潔方法中，通常的做法是將混合流體從雙相噴嘴朝基板表面噴射同時(shí)通過以恒定的角速度搖動(dòng)擺臂使雙向噴嘴以恒速且平行于基板表面移動(dòng)，該雙向噴嘴被安裝在擺臂的前端。因此，隨著該雙向噴嘴朝基板的外周移動(dòng)，被供給到基板的每單位面積的液滴量逐漸地減少，并且撞擊基板表面的液滴的密度減小，從而導(dǎo)致清潔效果變差。在利用IPA蒸汽的干燥法中，存在以下情況改變擺臂的角速度以改變被安裝在擺臂的前端部的流體噴嘴的移動(dòng)速度。在大多情況下，流體噴嘴的移動(dòng)速度的改變的程度是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)來確定的。這樣有時(shí)會(huì)出現(xiàn)流體噴嘴的移動(dòng)速度不連續(xù)，這樣的不連續(xù)可能導(dǎo)致對(duì)基板表面的干燥不均勻。為了減小基板表面的清潔效果的變化，已經(jīng)提出了一種關(guān)于隨著與基板的中心的距離增加，逐漸減小諸如清潔噴嘴的流體噴嘴的移動(dòng)速度的方法，(參見例如，日本平開專利公報(bào) Hll-47700, Hl 1-307492 和 2005-93694)。然而，在被提出的該方法中，沒有考慮因素之間的關(guān)系，諸如處理時(shí)間(處理量)和諸如清潔噴嘴的流體噴嘴的移動(dòng)速度之間的關(guān)系。因此，必須要考慮重新設(shè)定諸如清潔噴嘴的流體噴嘴的移動(dòng)速度以例如縮短清潔或者干燥時(shí)間，從而增加處理量。已經(jīng)有申請(qǐng)人提出了用于清潔經(jīng)過拋光后的基板表面的各種雙向噴射清潔方法，該清潔方法將氣液混合物噴射到基板表面，和用于利用IPA蒸汽干燥基板表面的各種干燥法(參見，例如國(guó)際公布號(hào)2007/108315的刊物和日本平開專利公報(bào)2010-50436和2010-238850)。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于背景技術(shù)中的上述問題，提出了本發(fā)明。因此，本發(fā)明的目的是提供一種基板處理方法和一種基板處理單元，能夠容易地和最佳地控制流體噴嘴的移動(dòng)速度，同時(shí)考慮到與諸如處理時(shí)間(處理量)的因素的關(guān)系，從而能夠在基板表面的整個(gè)表面上進(jìn)行均勻地處理,例如清潔或者干燥。為了達(dá)到上述目標(biāo)，本發(fā)明提供了一種基板處理方法，該處理方法包括，當(dāng)將流體噴嘴從旋轉(zhuǎn)基板的中心移動(dòng)到外周的同時(shí)，從流體噴嘴朝旋轉(zhuǎn)的基板表面噴射至少一種流體，以處理該表面。流體噴嘴以恒定的初始移動(dòng)速度被從基板的中心移動(dòng)到預(yù)定點(diǎn)。流體噴嘴隨后以移動(dòng)速度V (r)從預(yù)定點(diǎn)移動(dòng)，該V (r)滿足以下關(guān)系式V(r)Xr°=C(常數(shù))，其中，V(r)表示，當(dāng)流體噴嘴經(jīng)過與基板表面上且與所述基板的中心相距距離“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，流體噴嘴的移動(dòng)速度，和a表示冪指數(shù)。上述關(guān)系式中，冪指數(shù)a的優(yōu)選范圍是0〈 a ( I。
冪指數(shù)a理想地被設(shè)置為1，以便縮短處理時(shí)間和增加處理量。如果冪指數(shù)a超過I ( a >1)，流體噴嘴朝著基板的外周移動(dòng)的移動(dòng)速度的減小率很大，導(dǎo)致過長(zhǎng)的處理時(shí)間。另一方面，如果冪指數(shù)a被設(shè)定為零(a =0)，流體噴嘴朝著基板的外周移動(dòng)的移動(dòng)速度保持不變。因此冪指數(shù)a優(yōu)選的為0〈a ( I。冪指數(shù)a可以通過用于使流體噴嘴從處理開始位置移動(dòng)到處理結(jié)束位置所必需的允許處理時(shí)間而確定。當(dāng)處理時(shí)間(處理量)限制時(shí)，冪指數(shù)a和流體噴嘴的移動(dòng)速度V (r)可以基于允許處理時(shí)間而被確定。當(dāng)響應(yīng)處理時(shí)間的請(qǐng)求時(shí)，就能夠在基板的整個(gè)表面均勻地執(zhí)行處理。在本發(fā)明的優(yōu)選方面中，當(dāng)流體噴嘴到達(dá)與基板的外周端對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，流體噴嘴被暫時(shí)停止。通過將流體噴嘴暫時(shí)停止在與基板的外周端對(duì)應(yīng)的位置，同時(shí)允許噴嘴保持噴射流體，基本上最臟的基板的外周端區(qū)域能夠被更徹底地清潔。本發(fā)明還提供了一種基板處理單元，該基板處理單元包含流體噴嘴，用于噴射至少一種流體；移動(dòng)機(jī)構(gòu)，用于使流體噴嘴從旋轉(zhuǎn)的基板的中心朝著基板的外周移動(dòng)；和控制部，用于控制移動(dòng)機(jī)構(gòu)。移動(dòng)機(jī)構(gòu)使流體噴嘴以恒定的初始移動(dòng)速度從基板的中心移動(dòng)到預(yù)定點(diǎn)，并隨后使流體噴嘴以移動(dòng)速度V (r)從預(yù)定點(diǎn)移動(dòng)，移動(dòng)速度V (r)滿足以下關(guān)系式V(r) Xra=C (常數(shù))，其中，V Cr)表示，當(dāng)流體噴嘴經(jīng)過與基板表面上并且與基板的中心相距距離“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，流體噴嘴的移動(dòng)速度；并且a表示冪指數(shù)?？刂撇扛鶕?jù)初始移動(dòng)速度的輸入值和用于使流體噴嘴從處理開始位置移動(dòng)到處理結(jié)束位置所必需的允許處理時(shí)間的輸入值來確定冪指數(shù)a和移動(dòng)速度V (r)。在處理基板時(shí)，當(dāng)流體噴嘴經(jīng)過與基板表面上且與基板的中心相距“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，流體噴嘴的移動(dòng)速度V Cr)能夠通過輸入流體噴嘴的初始移動(dòng)速度和用于流體噴嘴從處理開始位置移動(dòng)到處理結(jié)束位置所必需的允許處理時(shí)間而被容易地確定。根據(jù)本發(fā)明，通過任意設(shè)置冪指數(shù)a，例如基于預(yù)期的處理時(shí)間(處理量)，當(dāng)所述流體噴嘴經(jīng)過與基板表面上且與基板的中心相距“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，噴嘴的移動(dòng)速度能夠被確定。在響應(yīng)處理時(shí)間的請(qǐng)求的同時(shí)能夠在基板表面的整個(gè)表面均勻地執(zhí)行處理。


圖I是顯示根據(jù)本實(shí)施例的實(shí)施例的結(jié)合有基板處理單元的基板處理設(shè)備的總體構(gòu)造的平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明的基板處理單元的示意性的透視圖，該基板處理單元被用作圖I顯示的基板處理設(shè)備中的第二清潔單元；圖3是顯示圖2的基板處理單元的主要部分的平面圖；圖4是顯示與基板的中心相距的距離(半徑)“r”和流體噴嘴沿著流體噴嘴的移動(dòng)軌跡的移動(dòng)速度V (r)之間的關(guān)系，X軸表示距離(半徑)“r”，Y軸表示流體噴嘴的移動(dòng)速 度V Cr)；圖5是顯示冪指數(shù)a與初始移動(dòng)速度Vtl和允許清潔時(shí)間“t” (V0Xt)的積之間的關(guān)系的圖表；圖6是顯示與基板的中心相距的距離“r”和流體噴嘴的移動(dòng)速度V(r)之間的關(guān)系的圖表，該關(guān)系根據(jù)變化的冪指數(shù)a被確定；圖7是顯示與基板的中心相距的距離“r”和被供應(yīng)到基板表面的每個(gè)單位面積的微小液滴的量(密度)之間的關(guān)系，該關(guān)系根據(jù)變化的冪指數(shù)a被確定；圖8是顯示用于確定冪指數(shù)a和流體噴嘴的移動(dòng)速度V(r)之間的關(guān)系的圖表；圖9是顯示實(shí)例I中的殘留在基板表面上的污物(defects)的數(shù)量與實(shí)例I和2的比較的圖表；圖10是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的基板處理單元(干燥單元)的縱向截面圖；圖11是顯示圖10的基板處理單元的平面圖；圖12是圖10中的基座的平面圖；圖13A是顯示圖12中的基座和基板支撐構(gòu)件的一部分的平面圖，圖13B是沿圖12的線A-A的截面圖，和圖13C是沿著圖13B的線B-B的截面圖；圖14是顯示第二磁體和第三磁體483排列的示意性視圖，該視圖是從基板支撐構(gòu)件的軸線方向觀察；和圖15A是顯示當(dāng)基板支撐構(gòu)件通過提升機(jī)構(gòu)被升高時(shí)基板支撐構(gòu)件和臂的部分截面圖，圖15B是當(dāng)基板支撐構(gòu)件通過提升機(jī)構(gòu)被升高時(shí)沿圖12的線A-A的截面圖，和圖15C是沿圖15B的線C-C的截面圖。
具體實(shí)施例方式以下將參考附圖對(duì)本發(fā)明的最優(yōu)實(shí)施例加以說明。圖I是顯示根據(jù)本實(shí)施例的結(jié)合有基板處理單元的基板處理設(shè)備的總體構(gòu)造的平面圖。如圖I所示，基板處理設(shè)備包括基本長(zhǎng)方形的殼體10和用于在其上安放基板盒的裝載口 12，該基板盒用于儲(chǔ)存大量諸如半導(dǎo)體晶片的基板。裝載口 12被設(shè)置成鄰近殼體10，并能夠被安裝有打開的盒、SMIF (標(biāo)準(zhǔn)加工接口)或FOUP (前端開口片盒)。每個(gè)SMIF和FOUP是氣密容器，該氣密容器在其中容納基板盒并且通過利用分隔壁覆蓋該氣密容器而能夠保持內(nèi)部環(huán)境不受外部環(huán)境影響。在殼體10設(shè)置有四個(gè)拋光單元14a_14d、每個(gè)都用于清潔被拋光后的基板的第一清潔單元16和第二清潔單元18，和用于干燥被清潔后的基板的干燥單元20。拋光單元14a-14d被排列在基板處理設(shè)備的縱向上，清潔單元16、18和干燥單元20也被安排在基板處理設(shè)備的縱向。第二清潔單元18和干燥單元20每個(gè)都是根據(jù)本發(fā)明的基板處理單元。第一基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)(first substrate transport robot)22被設(shè)置在被裝載口12、靠近裝載口 12的拋光單元14a和干燥單元20圍繞的區(qū)域中。更進(jìn)一步，基板運(yùn)送裝置24被設(shè)置成與拋光單元14a-14d平行。第一基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)22在從裝載口 12接收未被拋光的基板并將該基板傳送到基板運(yùn)送裝置24，和從干燥單元20接收被干燥后的基板并將該基板返回到裝載口 12?；暹\(yùn)送裝置24在從第一基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)22接收到基板后運(yùn)送該基板并將該基板在基板運(yùn)送裝置24自身和拋光單元14a-14d中的一個(gè)之間運(yùn)送。第二基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)26被設(shè)置在第一清潔單元16和第二清潔單元18之間，第二 基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)26用于將基板在第二基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)26自身和清潔單元16之間傳送。更進(jìn)一步，第三基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)28被設(shè)置在第二清潔單元18和干燥單元20之間，第三基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)28用于將基板在第三基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)28自身和清潔單元18之間及第三基板運(yùn)送自動(dòng)機(jī)28自身和干燥單元20之間傳送。在殼體10中還設(shè)置有用于控制基板處理設(shè)備的裝置的操作的控制部30。例如，如下所述，控制部30控制被設(shè)置在第二清潔單元(基板處理單元)18中的擺臂44的移動(dòng)，并由此控制流體噴嘴46的移動(dòng)速度。在本實(shí)施例中，第一清潔單元16是通過將滾動(dòng)清潔構(gòu)件在具有清潔液的基板的前后表面上摩擦的滾動(dòng)清潔單元，滾動(dòng)清潔構(gòu)件縱向地延伸。第一清潔單元(滾動(dòng)清潔單元)16被設(shè)置成也使用兆聲波清潔，兆聲波清潔涉及將以頻率大約為IMHz的超聲波施加到清潔液，并使得通過振動(dòng)加速產(chǎn)生的清潔液的力作用到粘附在基板表面的微粒上。第二清潔單元18是根據(jù)本發(fā)明的基板處理單元。干燥單元20是旋轉(zhuǎn)干燥單元，其通過將IPA蒸汽從正在移動(dòng)的噴嘴朝基板噴射，并進(jìn)一步通過高速旋轉(zhuǎn)基板所產(chǎn)生的離心力干燥該基板。能夠使用由被豎直地排列在兩部分上的清潔單元16、18組成的清潔單元16，18。因此，在該情況下，清潔部由兩個(gè)豎直排列的基板處理單元組成。圖2是根據(jù)本發(fā)明的基板處理單元的示意性的透視圖，基板處理單元被用作圖I中所示的第二清潔單元18 ;圖3是顯示圖2中的基板處理單元的主要部分的平面圖。如圖2和3所示，作為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的基板處理單元的第二清潔單元18包括清潔槽40、可旋轉(zhuǎn)的支撐軸42和水平地延伸的擺臂44，該清潔槽40圍繞基板W的圓周，該基板W通過例如未顯示的夾具保持和通過例如夾具的旋轉(zhuǎn)而被旋轉(zhuǎn)，該支撐軸42被設(shè)置在清潔槽40的旁邊，該擺臂44在其基端被聯(lián)接到支撐軸42的上端。流體噴嘴(雙向噴嘴)46被安裝在擺臂44的自由端(前端)并可豎直地移動(dòng)。用于供應(yīng)諸如N2氣體的載氣供應(yīng)線50和用于供應(yīng)諸如純凈水或者含有溶解的CO2氣體的水的清潔液的清潔液供應(yīng)線52被連接到流體噴嘴46。通過從流體噴嘴46噴射諸如N2氣體的載氣和供應(yīng)到流體噴嘴46內(nèi)的諸如純凈水或者含有溶解的CO2氣體的水的洗滌液的混合物，可以產(chǎn)生包含有微小的清潔液的液滴(霧)的載氣的雙向噴射流。通過使由流體噴嘴46產(chǎn)生的雙向噴射流撞擊旋轉(zhuǎn)的基板W的表面，能夠利用由微小的液滴撞擊基板表面而產(chǎn)生的沖擊波，從基板表面除去(清潔)微粒等。支撐軸42被連接到作為用于旋轉(zhuǎn)支撐軸42的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)的馬達(dá)54，由此在支撐軸42上擺動(dòng)擺臂44。馬達(dá)54的轉(zhuǎn)速通過來自控制部30的信號(hào)控制，以此擺臂44的角速度和流體噴嘴46的移動(dòng)速度得到控制。在本實(shí)施例中，由PVA海綿組成的筆型清潔工具60被可旋轉(zhuǎn)地和可豎直移動(dòng)地安裝到擺臂44的前端。更進(jìn)一步，在清潔槽40的旁邊和上方設(shè)置有漂洗液供應(yīng)噴嘴62和化學(xué)品供應(yīng)噴嘴64，該漂洗液供應(yīng)噴嘴62用于將漂洗液供應(yīng)到旋轉(zhuǎn)的基板W的表面，該基板W例如通過夾具被保持，化學(xué)品供給噴嘴64用于將液體化學(xué)品供應(yīng)到該基板表面。在操作期間，在保持筆型清潔工具60的下端與旋轉(zhuǎn)的基板W的表面以預(yù)定壓力接觸的同時(shí)，筆型清潔工具60通過擺臂44的搖擺被移動(dòng)，同時(shí)漂洗液或者液體化學(xué)品被供應(yīng)到基板W的表面，由此清潔該基板W的表面?；錡的表面的接觸型清潔是可選的，并可以根據(jù)需要進(jìn)行。如圖3所示，隨著擺臂44在基板W的表面清潔期間移動(dòng)，液體噴嘴46沿著弧形軌 跡從偏置位置A，經(jīng)過基板W的中心0的正上方的位置并經(jīng)過與該中心0相距預(yù)定距離的預(yù)定點(diǎn)B的正上方的位置，移動(dòng)到位于基板W外部的清潔結(jié)束位置C。在該清潔期間，包含微小的洗滌液的液滴的載氣的雙向噴射流被不斷地從流體噴嘴46朝旋轉(zhuǎn)基板W的表面噴射。圖3顯示了流體噴嘴位于預(yù)定點(diǎn)B的正上方的位置時(shí)的流體噴嘴。在本實(shí)施例中，當(dāng)流體噴嘴46經(jīng)過對(duì)應(yīng)于基板W的表面的位置的位置(正上方)，在與基板W的中心相距距離“r”的位置上，流體噴嘴46的移動(dòng)速度V(r)的確定滿足下列關(guān)系表達(dá)式V(r) Xra=C(常數(shù))，其中，a表示冪指數(shù)。流體噴嘴46的移動(dòng)速度隨著距基板W的中心的距離的變化而變化。這樣有可能使從流體噴嘴46供應(yīng)到基板的表面的微小的液滴的量(密度)在基板的整個(gè)表面上的每個(gè)單位面積上都均勻分布。當(dāng)流體噴嘴46以移動(dòng)速度V Cr)移動(dòng)，在流體噴嘴46經(jīng)過對(duì)應(yīng)于基板的中心的位置(正上方)時(shí)，移動(dòng)速度V(r=0)最大。因此，在本實(shí)施例中，流體噴嘴46以恒定的初始速度被從偏置位置A (清潔開始位置)移動(dòng)到對(duì)應(yīng)于預(yù)定點(diǎn)B的位置，并隨后以從初始移動(dòng)速度逐漸減小的移動(dòng)速度V (r)移動(dòng)。因此，流體噴嘴46以由以下方程(I)表示的移動(dòng)速度V(r)移動(dòng)。
Y UaV(r) - °a.....(1 )
r其中，“b”是從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離，V0是流體噴嘴46的初始移動(dòng)速度。圖4顯示了與基板W的中心0相距的距離(半徑)“r”和流體噴嘴46沿著流體噴嘴46的移動(dòng)軌跡的移動(dòng)速度V (r)的關(guān)系，該移動(dòng)速度由上述方程(I)確定。X軸表示距離(半徑)“r”，Y軸表示流體噴嘴46的移動(dòng)速度V (r)。在圖4中，“h”表示從基板W的中心0到偏置位置A的距離，“b”表示從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離，“c”表示從基板W的中心0到清潔結(jié)束位置C的距離。
根據(jù)本實(shí)施例，當(dāng)流體噴嘴46經(jīng)過對(duì)應(yīng)于基板表面上與基板的中心0相距距離“r”的位置的位置時(shí)，流體噴嘴46的移動(dòng)速度V (r)能夠例如，基于預(yù)計(jì)的處理時(shí)間(處理量)且通過任意地設(shè)定冪指數(shù)a來確定。這樣例如在響應(yīng)處理時(shí)間的請(qǐng)求的同時(shí)，能夠在整個(gè)基板表面上均勻地執(zhí)行處理。冪指數(shù)a理想地被設(shè)定為I ( a =1)，以便縮短處理時(shí)間和增加處理量。如果冪指數(shù)a大于I ( a >1)，流體噴嘴46向基板的外周移動(dòng)的移動(dòng)速度的減小率則太大，導(dǎo)致過長(zhǎng)的處理時(shí)間。如果冪指數(shù)a被設(shè)定為零(a =0)，則另一方面，流體噴嘴46向基板的外周移動(dòng)的移動(dòng)速度是恒定的。因此建議冪指數(shù)設(shè)定在0〈 a < I的范圍內(nèi)。冪指數(shù)a能夠，例如，通過以下方程(2) IlJ (4)并利用作為輸入?yún)?shù)的流體噴嘴46的初始移動(dòng)速度Vtl、從基板W的中心0到偏置位置A的距離“h”、從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離“b”和流體噴嘴46從偏置位置A (清潔開始位置)移動(dòng)到清潔結(jié)束位置C所必須的允許清潔時(shí)間“t”來確定。在以下方程中，“tb”是從預(yù)定點(diǎn)B到清潔結(jié)束位置C的運(yùn)動(dòng)時(shí)間。h + bt=—— + tb^2)tb =(3)
Jb V(r)V0 =-[/ + b +-/廣)](4)
I(a + I (Zr例如，當(dāng)流體噴嘴46的初始移動(dòng)速度Vtl被設(shè)定在30毫米/秒、從基板W的中心0至IJ偏置位置A的距離“h”被設(shè)定在10毫米、從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離“b”被設(shè)定在10毫米和允許清潔時(shí)間被設(shè)定在22秒時(shí)，計(jì)算出的冪指數(shù)a是0. 75 ( a =0. 75)。圖5顯示了冪指數(shù)a與初始移動(dòng)速度Vtl和允許清潔時(shí)間HVciXt)的積之間的關(guān)系，當(dāng)從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離“b”和從基板W的中心0到偏置位置A的距離“h”都設(shè)為10毫米時(shí)，該關(guān)系通過方程(2)到(4)確定。冪指數(shù)a (=0.75)能夠通過圖5所示的關(guān)系并基于初始移動(dòng)速度Vtl (30毫米/秒)和允許清潔時(shí)間t (=22秒)的積而被確定。圖6顯示與基板W的中心0相距的距離“r”與流體噴嘴46的移動(dòng)速度V (r)之間的關(guān)系，當(dāng)從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離被設(shè)定在10毫米時(shí)該關(guān)系隨著冪指數(shù)變化而被確定。在圖6中，初始移動(dòng)速度Vtl被設(shè)定在I (任意單位)。圖7顯示了與基板W的中心0相距的距離“r”和被供應(yīng)到基板表面的每一個(gè)單位面積的微小的液滴的量(密度)之間的關(guān)系，當(dāng)從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離“b”被設(shè)定在10毫米時(shí)，該關(guān)系隨著冪指數(shù)的變化而被確定。在圖7中，被供應(yīng)到基板W的中心處的微小的液滴的量(密度)被設(shè)定為1(任意單位)。如圖6和7所示，冪指數(shù)越接近1，微小的液滴的密度的分配沿著基板的徑向更均勻；因此處理時(shí)間“t”在處理量允許情況下應(yīng)當(dāng)被設(shè)定地盡可能長(zhǎng)。在本實(shí)施例中，冪指數(shù)a和流體噴嘴46的移動(dòng)速度V (r)通過輸入流體噴嘴46的初始移動(dòng)速度Vtl、從基板W的中心0到偏置位置A的距離“h”、從基板W的中心0到預(yù)定點(diǎn)B的距離“b”和允許清潔時(shí)間“t”而確定。馬達(dá)54的轉(zhuǎn)速被控制以便流體噴嘴46以移動(dòng)速度V(r)移動(dòng)。圖8顯示了用于確定冪指數(shù)a和移動(dòng)速度V(r)的步驟。第一，初始移動(dòng)速度Vtl被輸入。其次，從基板中心到偏置位置的距離，例如10毫米(固定值)，和從基板中心到預(yù)定點(diǎn)的距離被輸入。多個(gè)點(diǎn)，例如，三個(gè)點(diǎn)(10毫米、50毫米和90毫米)可以被作為距離“b”選擇和輸入。接著，允許清潔時(shí)間被輸入。冪指數(shù)a從輸入值中計(jì)算，流體噴嘴46的移動(dòng)速度V(r)由計(jì)算出的冪指數(shù)a計(jì)算。如果當(dāng)處理時(shí)間(處理量)是有限度時(shí)，因此，冪指數(shù)a和流體噴嘴46的移動(dòng)速度V(r)基于流體噴嘴46從偏置位置A (清潔開始位置)移動(dòng)到清潔結(jié)束位置C所必須的允許清潔時(shí)間而被確定。這樣在響應(yīng)處理時(shí)間的要求的同時(shí)就能夠在整個(gè)基板表面上更均勻地執(zhí)行處理。在被說明的基板處理設(shè)備中，基板在裝載口 12中從基板盒取出，該基板被傳送到拋光單元14a_14d中的一個(gè)，并在其中被拋光。拋光后的基板表面在第一清潔單元(滾動(dòng)清潔單元)16中被清潔，之后在第二清潔單元(基板處理單元)18中利用雙向噴射流被清潔。當(dāng)在第二清潔單元(基板處理單元)18中清潔基板表面時(shí)，當(dāng)流體噴嘴46以如上所述的受 控速度移動(dòng)時(shí)，雙向噴射流被從流體噴嘴46朝旋轉(zhuǎn)基板的表面噴射。更具體地說，在執(zhí)行第一清潔單元16中基板的滾動(dòng)清潔后，基板被傳送到第二清潔單元18。在第二清潔單元18中，在旋轉(zhuǎn)基板的同時(shí)，漂洗液被從漂洗液供應(yīng)噴嘴62供應(yīng)到基板的表面，以對(duì)基板表面進(jìn)行幾秒(例如，3秒)漂洗。隨后，筆型清潔工具60被允許掃過基板表面預(yù)定次數(shù)(例如，兩或三次)，同時(shí)將液體化學(xué)品從化學(xué)品供應(yīng)噴嘴64朝著基板表面噴射，以執(zhí)行對(duì)基板表面的射束清潔。射束清潔一結(jié)束，對(duì)基板表面的雙向噴射清洗在同一個(gè)第二清潔單元18中執(zhí)行?；灞砻娴那鍧嵤褂秒p向噴射流，其通過將擺臂44搖擺預(yù)定次數(shù)(例如，一次到四次)以在旋轉(zhuǎn)的基板的上移動(dòng)流體噴嘴46并噴射雙向噴射流。擺臂44的角速度，即流體噴嘴46的移動(dòng)速度，其通過基于允許處理時(shí)間和掃描次數(shù)被計(jì)算出。在對(duì)基板表面的雙向噴射流清潔的期間，基板的轉(zhuǎn)速不需要等于通過筆型清潔工具60對(duì)基板表面的清潔時(shí)基板的轉(zhuǎn)速。流體噴嘴46到達(dá)對(duì)應(yīng)于基板W的外周端的位置時(shí)，流體噴嘴46可以被暫時(shí)的停止。通過將流體噴嘴46暫時(shí)停止在對(duì)應(yīng)于基板W的外周端的位置的同時(shí)，允許流體噴嘴46保持噴射液體，可能是最臟的基板W的外周端區(qū)域能夠被更徹底地清洗。在清潔之后的基板被從第二清潔單元18取出并被攜帶進(jìn)入干燥單元20，基板在干燥單元20中被旋轉(zhuǎn)式地干燥。干燥后的基板被返回到裝載口 12中的基板盒中。通過使用上述的基板處理設(shè)備，進(jìn)行實(shí)驗(yàn)(實(shí)例I及比較例I和2)。在實(shí)例I中，TEOS有圖形芯片(基板)在拋光單兀14a—14d的一個(gè)中被拋光60秒。在拋光后,基板表面在第一清潔單元(滾動(dòng)清潔單元)16中被清潔30秒，然后基板表面在第二清潔單元(基板處理單元)18中進(jìn)一步被清潔22秒，同時(shí)以上述方式控制流體噴嘴46的移動(dòng)速度。清潔后的基板在干燥單元20中被旋轉(zhuǎn)式地干燥。在基板被干燥后，基板將進(jìn)行對(duì)遺留在其表面且尺寸不少于80nm的顆粒(污物)的數(shù)目的測(cè)量。在比較例I中，相同的基板(TE0S有圖形芯片)以與實(shí)例I中相同的方式處理，除了基板不受第二清潔單元18中的雙向噴射流清潔以夕卜。在比較例2中，相同的基板以與實(shí)例I中相同的方式處理，除了在以勻速移動(dòng)流體噴嘴46的同時(shí)在第二清潔單元18中進(jìn)行雙向噴射流清潔以外。對(duì)于比較例中獲得的被干燥后的基板，對(duì)顆粒的數(shù)目進(jìn)行相同的測(cè)量。測(cè)量的結(jié)果如圖9所示。實(shí)例I及比較例I和2的比較數(shù)據(jù)如圖9所示，在根據(jù)本發(fā)明的雙向噴射流清潔中，控制流體噴嘴46的移動(dòng)速度和噴射雙向噴射流能夠顯著地減少(例如，大約10%到50%)的遺留在被清潔后的基板表面上的污物的數(shù)目。圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的用作干燥單元的基板處理單元400的豎直截面圖，圖11是圖10的基板處理單元的平面圖。這個(gè)實(shí)施例的干燥單元(基板處理單元)400包括基座401和四個(gè)圓柱形的基板支撐構(gòu)件402，該基板支撐構(gòu)件402被基座401支撐?；?01被緊固到旋轉(zhuǎn)桿405的上端，該旋轉(zhuǎn)桿405被軸承406可旋轉(zhuǎn)地支撐。軸承406被緊固到圓柱形構(gòu)件407的內(nèi)表面，該圓柱形構(gòu)件407與旋轉(zhuǎn)桿405平行。圓柱形構(gòu)件407的下端被安裝到安裝基座409上并且被固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。旋轉(zhuǎn)桿405通過滑輪411和412及傳動(dòng)帶414被連接到電動(dòng)機(jī)415，以便基座401通過驅(qū)動(dòng)電動(dòng)機(jī)415而繞著自身的軸線旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)蓋450被緊固到基座401的上表面。圖10顯示了旋轉(zhuǎn)蓋450的豎直截面。旋 轉(zhuǎn)蓋450被排列成圍繞基板W。旋轉(zhuǎn)蓋450的豎直截面在徑向上向內(nèi)傾斜并且具有平滑的弧度。旋轉(zhuǎn)蓋450的上端緊鄰基板W，旋轉(zhuǎn)蓋450的上端的內(nèi)徑稍大于基板W的直徑。旋轉(zhuǎn)蓋450的上端具有凹口 450a，每個(gè)凹口 450a的形狀為沿著基板支撐構(gòu)件402的圓周表面。凹口 450a位于與基板支架構(gòu)件402對(duì)應(yīng)的位置。傾斜地延伸的排出孔451被形成在旋轉(zhuǎn)蓋450的底部。用于將作為洗滌液的純凈水供應(yīng)到基板W的表面(前表面)的前噴嘴454被設(shè)置在基板W的上方。前噴嘴454被定位成朝向基板W的中心。前噴嘴454被連接到未在圖中顯示的純凈水供應(yīng)源(即，洗滌液供應(yīng)源)并將純凈水供應(yīng)到基板W的前表面的中心。除了純凈水以外，液體化學(xué)品也可以用作洗滌液。用于執(zhí)行Rotagoni干燥的兩個(gè)平行的流體噴嘴460和461被設(shè)置在基板W的上方。流體噴嘴460被用于將IPA蒸氣(異丙醇和氮?dú)獾幕旌衔?供應(yīng)到基板W的前表面。流體噴嘴461被用于將純凈水供應(yīng)到基板W的前表面，以免基板W的前表面被干燥。這些流體噴嘴460和461被安裝到被連接到支撐軸500的上端的擺臂502的自由端(前端)，該支撐軸500位于基座401的旁邊，流體噴嘴460和461通過支撐軸500的旋轉(zhuǎn)而擺動(dòng)。支撐軸500被連接到電動(dòng)機(jī)504，該電動(dòng)機(jī)504作為用于使支撐軸500旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，從而使擺臂502在支撐軸500上搖擺。電動(dòng)機(jī)504的旋轉(zhuǎn)速度通過來自控制部506的信號(hào)控制，由此擺臂502的角速度和流體噴嘴460、461的移動(dòng)速度得以被控制。旋轉(zhuǎn)桿405中設(shè)置有后噴嘴463和噴氣頭464，該后噴嘴463被連接到洗滌液供應(yīng)源465，該噴氣頭464被連接到干燥氣體供應(yīng)源466。洗滌液供應(yīng)源465中存儲(chǔ)有作為洗滌液的純凈水，并將純凈水經(jīng)過后噴嘴463供應(yīng)到基板W的后表面。干燥氣體供應(yīng)源466中存儲(chǔ)有作為干燥氣體的氮?dú)饣蚋稍锟諝?，并將干燥氣體經(jīng)由噴氣頭464供應(yīng)到基板W的后表面。用于提升基板支撐構(gòu)件402的提升機(jī)構(gòu)470被設(shè)置在圓柱形構(gòu)件407的周圍。提升機(jī)構(gòu)470被構(gòu)造成能夠在垂直方向上相對(duì)于圓柱形構(gòu)件407滑動(dòng)。提升機(jī)構(gòu)470包括被設(shè)置成與基板支撐構(gòu)件402的下端接觸的接觸板470a。第一氣室471和第二氣室472被形成在圓柱形構(gòu)件407的外周表面和提升機(jī)構(gòu)470的內(nèi)周表面之間。第一氣室471和第二氣室472分別與第一氣體通道474和第二氣體通道475流體連通。第一氣體通道474和第二氣體通道475具有被連接到加壓氣體供應(yīng)源(沒有在圖中顯示)的端部。當(dāng)?shù)谝粴馐?71的壓力被增加到高于第二氣室472中的壓力，提升機(jī)構(gòu)470被升高。另一方面，當(dāng)?shù)诙馐?72中的壓力被增加到高于第一氣室471中的壓力，提升機(jī)構(gòu)470被降低。在圖10中，提升機(jī)構(gòu)470位于下降位置。圖12是圖10中的基座401的平面圖。如圖12所示，基座401包括四個(gè)臂401a，基板支撐構(gòu)件402通過臂401a的頂端被可垂直移動(dòng)地支撐。圖13A是顯示圖12中的基板支撐構(gòu)件402和基座401的一部分的平面圖，圖13B是沿著圖12的線A— A的截面圖，圖13C是沿著線B— B的截面圖?；?01的臂401a具有被構(gòu)造成可滑動(dòng)地保持基板支撐構(gòu)件402的保持器401。保持器401b可以與臂401a整體地形成。垂直延伸的貫穿孔被形成在保持器401b中，基板支撐構(gòu)件402被插入到該貫穿孔中。貫穿孔的直徑稍大于基板支撐構(gòu)件402的直徑。因此，基板支撐構(gòu)件402在垂直方向上相對(duì)于基座401可移動(dòng)，基板支撐構(gòu)件402可以圍繞自身的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)。彈簧架402a被附接到基板支撐構(gòu)件402的下部分。彈簧478被設(shè)置在基板支撐 構(gòu)件402的周圍，彈簧478通過彈簧支架402a被支撐。彈簧478的上端按壓保持器401b(其為基座的一部分)。因此，彈簧478對(duì)基板支撐構(gòu)件402施加向下的力。停止件402b被形成在基板支撐構(gòu)件402的圓周表面上。停止件402b的直徑大于貫穿孔的直徑。因此，基板支撐構(gòu)件402的向下移動(dòng)被停止件402b限制，如圖13B所示。在其上安放有基板W的支撐銷479和作為基板保持部分并與基板W的外周接觸的圓柱形夾具480被設(shè)置在基板支撐構(gòu)件402的上端。支撐銷479被排列在基板支撐構(gòu)件402的軸線上。另一方面，夾具480被設(shè)置成遠(yuǎn)離基板支撐構(gòu)件402的軸線。因此，隨著基板支撐構(gòu)件402的旋轉(zhuǎn)，夾具480繞著基板支撐構(gòu)件402的軸線旋轉(zhuǎn)。為了防止產(chǎn)生靜電電荷，晶片接觸部分優(yōu)選地由導(dǎo)電材料(優(yōu)選地為鐵、鋁、SUS)或碳樹脂(例如PEEK或PVC)制成。第一磁體481被附接到基座401的保持器401b以面對(duì)基板支撐構(gòu)件402的側(cè)表面。另一方面，第二磁體482和第三磁體483被設(shè)置在基板支撐構(gòu)件402中。第二磁體482和第三磁體483被設(shè)置成在豎直方向上相互遠(yuǎn)離。釹磁體被優(yōu)選地用作第一磁體481、第二磁體482和第三磁體483。圖14是顯示當(dāng)從基板支撐構(gòu)件402的軸線方向看時(shí)第二磁體482和第三磁體483的配置的示意圖。如圖14所示，第二磁體482和第三磁體483被排列在基板支撐構(gòu)件402的圓周方向上的不同位置上。具體來說，連接第二磁體482和基板支撐構(gòu)件402的中心的線，及連接第三磁體483和基板支撐構(gòu)件402的中心的線相交呈預(yù)定角度a。當(dāng)基板支撐構(gòu)件402位于如圖13B所示的下降位置時(shí)，第一磁體481和第二磁體482相對(duì)。此時(shí)，第一磁體481和第二磁體482之間產(chǎn)生吸引力。吸引力產(chǎn)生使基板支撐構(gòu)件402繞著自身軸線在使夾具480按壓基板W的外周的方向上旋轉(zhuǎn)W。因此，如圖13B所示的下降位置是基板W被保持(夾住)的夾持位置。第一磁體481和第二磁體482并不需要在保持基板W的時(shí)候一直彼此面對(duì)，只要它們彼此足夠接近以提供足夠的保持力。例如，即使當(dāng)?shù)谝淮朋w481和第二磁體482相互傾斜，只要它們相互靠近，這些磁體之間就能夠產(chǎn)生磁力。因此，第一磁體481和第二磁體482并不需要在保持基板W的時(shí)候一直彼此面對(duì)，只要磁力足夠大以旋轉(zhuǎn)基板支撐構(gòu)件402從而保持基板W。圖15A是顯示當(dāng)基板支撐構(gòu)件402被提升機(jī)構(gòu)470升高時(shí)基板支撐構(gòu)件402和臂401a的一部分的平面圖。圖15B是當(dāng)基板支撐構(gòu)件402被提升機(jī)構(gòu)470升高時(shí)沿著圖12的線A— A的截面圖。圖15C是沿著圖15B的線C-C的截面圖。當(dāng)基板支撐構(gòu)件402被提升機(jī)構(gòu)470升高到如圖15B所述的上升位置時(shí)，第一磁體481和第三磁體483相互面對(duì)，第二磁體482遠(yuǎn)離第一磁體481。此時(shí)，第一磁體481和第三磁體483產(chǎn)生引力。該引力產(chǎn)生使基板支撐構(gòu)件402繞著自身軸線在使夾具480移動(dòng)遠(yuǎn)離基板W的方向上旋轉(zhuǎn)W的力。因此，如圖15B所示的上升位置是基板W被釋放(沒有被夾住)的非夾持位置。在這種情況下，當(dāng)釋放基板W時(shí)，第一磁體481和第三磁體483并不總是相互面對(duì)，只要它們足夠靠近以產(chǎn)生足夠使基板支撐構(gòu)件402在夾具480移動(dòng)遠(yuǎn)離基板W的方向上旋轉(zhuǎn)的力(磁力)。因?yàn)榈诙朋w482和第三磁體483被配置在基板支撐構(gòu)件402的圓周方向上的不 同位置上，隨著基板支撐構(gòu)件402的上下移動(dòng)，旋轉(zhuǎn)力作用在基板支撐構(gòu)件402上。該旋轉(zhuǎn)力為夾具480提供了保持基板W的力和釋放基板W的力。因此，僅僅通過豎直地移動(dòng)基板支撐構(gòu)件402，夾具480能夠保持和釋放基板W。用這樣的方式，第一磁體481、第二磁體482和第三磁體483起到保持機(jī)構(gòu)(旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu))的作用，該保持機(jī)構(gòu)(旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu))使基板支撐構(gòu)件402繞著自身軸線旋轉(zhuǎn)從而使夾具480保持基板W。保持機(jī)構(gòu)(旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu))通過基板支撐構(gòu)件402的豎直運(yùn)動(dòng)而被操作。提升機(jī)構(gòu)470的接觸板470a被定位在基板支撐構(gòu)件402的下方。當(dāng)接觸板470a向上移動(dòng)，接觸板470a的上表面與基板支撐構(gòu)件402的下端接觸，基板支撐構(gòu)件402通過接觸板470a克服彈簧478的按壓力而被升高。每個(gè)接觸板470a的上表面是平坦表面，另一方面，每個(gè)基板支撐構(gòu)件402的下端具有半球體的形狀。在本實(shí)施例中，提升機(jī)構(gòu)470和彈簧478組成用于使基板支撐構(gòu)件402在豎直方向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。需要主要的是，驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)并不局限于該實(shí)施例。例如，伺服電動(dòng)機(jī)可以被用作驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)。凹槽484被形成在每個(gè)基板支撐構(gòu)件402的側(cè)表面上。凹槽484沿著基板支撐構(gòu)件402的軸線延伸，并具有弓形形狀的水平橫截面。朝著凹槽484突出的突起485被形成在基座401的臂401a (在本實(shí)施例中為保持器401b)上。突起485的頂端位于凹槽484，突起485基本與凹槽484接合。凹槽484和突起485被設(shè)置用來限制基板支撐構(gòu)件402的旋轉(zhuǎn)角。其次，以下將描述具有上述結(jié)構(gòu)的干燥單元(基板處理單元)400的操作。首先，基板W和旋轉(zhuǎn)蓋450通過電動(dòng)機(jī)415同步旋轉(zhuǎn)。在該狀態(tài)，前噴嘴454和后噴嘴463將純凈水供應(yīng)到基板W的前表面(上表面)和后表面(下表面)上，以用純凈水沖洗整個(gè)基板W。被供應(yīng)到基板W的純凈水通過離心力在前表面和后表面的上擴(kuò)散，從而沖洗基板W的整個(gè)表面。從旋轉(zhuǎn)的基板W甩出的純凈水被旋轉(zhuǎn)蓋450接住并流進(jìn)排水孔451。當(dāng)基板W被沖洗，雙向噴嘴460、461在它們的特定非工作位置并遠(yuǎn)離基板W。然后，前噴嘴454停止供應(yīng)純凈水，前噴嘴454被移動(dòng)到它的特定非工作位置并遠(yuǎn)離基板W。雙向噴嘴460、461被移動(dòng)到基板W上方的偏置位置(清潔開始位置)。當(dāng)基板W被以從30到150/分鐘范圍內(nèi)的低速旋轉(zhuǎn)時(shí)，流體噴嘴460將IPA蒸氣且液體噴嘴461將純凈水供應(yīng)到基板W的前表面上。在該操作期間，后噴嘴463將純凈水供應(yīng)到基板W的后表面。正如第二清潔單元(基板處理單元)18擺臂44，電動(dòng)機(jī)504的旋轉(zhuǎn)速度通過控制部506被控制，由此擺臂502的角速度和雙向噴嘴460、461的移動(dòng)速度得以被控制，雙向噴嘴460,461同時(shí)沿著基板W的徑向移動(dòng)到基板W外的位置。用這樣的方式，基板W的前表面(上表面)被干燥。之后，雙向噴嘴460、461被移動(dòng)到它們的非工作位置，停止從后噴嘴463的純凈水供應(yīng)。然后，基板W被以從1000至1500/分鐘范圍的高速旋轉(zhuǎn)，從而從基板W的后表面除去純凈水。在該操作期間，噴氣頭464將干燥氣體供應(yīng)到基板W的后表面。用這樣的方式，基板W的后表面被干燥。提供本實(shí)施例的上述描述是為了使本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠制造和使用本發(fā)明。此夕卜，本領(lǐng)域的技術(shù)人員很容易可以想到對(duì)上述實(shí)施例的各種修改，在此限定的基本原理和具體實(shí)例也可以應(yīng)用在其他實(shí)施方式中。因此，本發(fā)明并不限制在上述的實(shí)施例中，而是基 于權(quán)利要求以及與權(quán)利要求等同的內(nèi)容而限定更廣泛的范圍。
權(quán)利要求
1.一種基板處理方法，其特征在于，包含將流體噴嘴從旋轉(zhuǎn)的基板的中心朝著所述基板的外周移動(dòng)的同時(shí)，從所述流體噴嘴朝向旋轉(zhuǎn)的所述基板的表面噴射至少一種流體，以處理所述表面； 其中，所述流體噴嘴以恒定的初始移動(dòng)速度從所述基板的所述中心移動(dòng)到預(yù)定點(diǎn)；并且 其中，所述流體噴嘴隨后以移動(dòng)速度V (r)從所述預(yù)定點(diǎn)移動(dòng)，所述移動(dòng)速度V (r)滿足以下關(guān)系式V (r) Xra=C (常數(shù))， 其中，V Cr)表示，當(dāng)所述流體噴嘴經(jīng)過與位于所述基板的所述表面上并且與所述基板的所述中心相距距離“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，所述流體噴嘴的所述移動(dòng)速度；并且a表示冪指數(shù)。
2.如權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，所述冪指數(shù)a處于范圍0〈a內(nèi)。
3.如權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，所述冪指數(shù)a通過用于使所述流體噴嘴從處理開始位置移動(dòng)到處理結(jié)束位置所必需的允許處理時(shí)間而被確定。
4.如權(quán)利要求I所述的基板處理方法，其特征在于，當(dāng)所述流體噴嘴到達(dá)與所述基板的所述外周端部對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，所述流體噴嘴被暫時(shí)停止。
5.一種基板處理單元，其特征在于，包含 流體噴嘴，所述流體噴嘴用于噴射至少一種流體； 移動(dòng)機(jī)構(gòu)，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)用于使所述流體噴嘴從旋轉(zhuǎn)的基板的中心朝著所述基板的外周移動(dòng)；和 控制部，所述控制部用于控制所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)； 其中，所述移動(dòng)機(jī)構(gòu)使所述流體噴嘴以恒定的初始移動(dòng)速度從所述基板的所述中心移動(dòng)到預(yù)定點(diǎn)，并隨后使所述流體噴嘴以移動(dòng)速度V Cr)從所述預(yù)定點(diǎn)移動(dòng)，所述移動(dòng)速度V(r)滿足以下關(guān)系式 V(r) Xra=C (常數(shù))， 其中，V Cr)表示，當(dāng)所述流體噴嘴經(jīng)過與所述基板的所述表面上并且與所述基板的所述中心相距距離“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，所述流體噴嘴的所述移動(dòng)速度；并且a表示冪指數(shù)；和 其中，所述控制部根據(jù)所述初始移動(dòng)速度的輸入值和用于使所述流體噴嘴從處理開始位置移動(dòng)到處理結(jié)束位置所必需的允許處理時(shí)間的輸入值來確定所述冪指數(shù)a和所述移動(dòng)速度V (r)。
6.如權(quán)利要求5所述的基板處理單元，其特征在于，所述冪指數(shù)a處于范圍0〈a( I內(nèi)。
全文摘要
提供一種基板處理方法，其能夠容易地和最佳地控制流體噴嘴的移動(dòng)速度，同時(shí)考慮到與諸如處理時(shí)間(處理量)的因素的關(guān)系，從而能夠在基板表面的整個(gè)表面上均勻地進(jìn)行例如清潔或者干燥的處理。該處理方法包括，當(dāng)將流體噴嘴從旋轉(zhuǎn)基板的中心移動(dòng)到外周的同時(shí)，從流體噴嘴朝旋轉(zhuǎn)的基板表面噴射至少一種流體，以處理該表面。流體噴嘴以恒定的初始移動(dòng)速度被從基板的中心移動(dòng)到預(yù)定點(diǎn)。流體噴嘴隨后以移動(dòng)速度V(r)從預(yù)定點(diǎn)移動(dòng)，該V(r)滿足以下關(guān)系式V(r)×rα=C(常數(shù)),其中，V(r)表示，當(dāng)流體噴嘴經(jīng)過與基板表面上且與所述基板的中心相距距離“r”的位置相對(duì)應(yīng)的位置時(shí)，流體噴嘴的移動(dòng)速度，和α表示冪指數(shù)。
文檔編號(hào)H01L21/02GK102825020SQ20121019316
公開日2012年12月19日 申請(qǐng)日期2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月16日
發(fā)明者宮崎充, 王新明, 松下邦政 申請(qǐng)人:株式會(huì)社荏原制作所