專利名稱：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，顯示裝置已經(jīng)被便攜式薄平板顯示裝置代替。在薄平板顯示裝置中，作為自發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光顯示裝置由于具有廣視角、高對比度以及短響應(yīng)時(shí)間這些優(yōu)點(diǎn)而有望成為下一代顯示裝置。有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機(jī)發(fā)光層。當(dāng)在第一電極和第二電極之間施加電壓時(shí)，有機(jī)發(fā)光層發(fā)射可見光線。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括產(chǎn)生電信號的驅(qū)動(dòng)電路單元和發(fā)射由驅(qū)動(dòng)電路單元產(chǎn)生的電信號的焊盤單元。關(guān)于這一方面，不容易執(zhí)行驅(qū)動(dòng)電路單元和焊盤單元之間的焊接處理，因此驅(qū)動(dòng)電路單元和焊盤單元之間的粘合特性以及驅(qū)動(dòng)電路單元和有機(jī)發(fā)光顯示裝置的基板之間的粘合特性變差。因此，在提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置的耐久性方面存在局限。在本背景技術(shù)中公開的上述信息僅用于增進(jìn)本發(fā)明的背景的理解，因此其可以包含不構(gòu)成本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面提供一種具有改進(jìn)的耐腐蝕性的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)方面還提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)本發(fā)明的方面，本發(fā)明提供了一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括:薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、絕緣層、源電極和漏電極，所述柵電極與所述有源層絕緣并且包括下柵電極和上柵電極，所述絕緣層覆蓋所述柵電極，并且所述源電極和所述漏電極形成在所述絕緣層上并且接觸所述有源層；有機(jī)發(fā)光二極管，與所述薄膜晶體管電連接并且包括像素電極、中間層和對置電極，所述像素電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述中間層包括發(fā)射層，其中所述像素電極、所述中間層和所述對置電極是順序地堆疊的；以及焊盤電極，包括下焊盤電極和上焊盤電極，所述下焊盤電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述上焊盤電極與所述上柵電極形成在相同的層級，其中所述絕緣層覆蓋所述上焊盤電極的上表面，其中在所述絕緣層和所述上焊盤電極中形成有開口，以暴露所述下焊盤電極的一部分。所述上焊盤電極可以具有底切的形狀，其中所述絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極上方。
所述底切的形狀可以形成為使得所述上焊盤電極比所述絕緣層更向里面。所述上焊盤電極具有完全由所述絕緣層包圍的表面，所述絕緣層的一部分延伸到所述上焊盤電極的表面以外。所述下焊盤電極的上表面可以通過所述開口暴露給外界，所述上焊盤電極的側(cè)面可以與驅(qū)動(dòng)集成電路(IC)電連接，所述驅(qū)動(dòng)IC供應(yīng)電流來使所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置工作。所述下焊盤電極的所述上表面可以通過所述開口暴露給外界，所述上焊盤電極的所述側(cè)面可以通過導(dǎo)電球與所述驅(qū)動(dòng)IC電連接。所述焊盤電極可以通過導(dǎo)線與所述薄膜晶體管或所述有機(jī)發(fā)光二極管電連接。所述下焊盤電極可以包括比所述上焊盤電極的材料更耐腐蝕的材料。所述下柵電極、所述像素電極和所述下焊盤電極可以包括透明導(dǎo)電金屬氧化物，并且所述上柵電極和所述上焊盤電極可以包括從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、Moff和銅(Cu)中選擇的至少一種。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括:電容器，包括下電容器電極和上電容器電極并且與所述薄膜晶體管電連接，所述下電容器電極與所述有源層形成在相同的層級，所述上電容器電極與所述柵電極形成在相同層級。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，本發(fā)明提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:第一掩膜工藝，在基板上形成薄膜晶體管的有源層；第二掩膜工藝，在所述基板上形成第一電極單元、柵電極和第二電極單元，所述第一電極單元用于形成像素電極，所述第二電極單元用于形成焊盤電極；第三掩膜工藝，形成暴露所述有源層的兩側(cè)的接觸孔、暴露所述第一電極單元的一部分的開口、暴露所述第二電極單元的一部分的開口，并且在所述第二電極單元上形成層間絕緣層，以暴露所述第二電極單元的一部分；第四掩膜工藝，形成通過所述接觸孔接觸所述有源層的源電極和漏電極，從所述第一電極單元中形成所述像素電極，以及從所述第二電極單元中形成具有底切的形狀的所述焊盤電極，其中所述絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極上方；以及第五掩膜工藝，形成暴露所述像素電極的至少一部分的像素限定層。所述第二掩膜工藝可以包括:在所述基板上順序地形成第一絕緣層、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，以覆蓋所述有源層；以及同時(shí)將所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層圖形化，以便形成所述柵電極，使得所述第一導(dǎo)電層的一部分是下柵電極并且所述第二導(dǎo)電層的一部分是上柵電極，以及以便形成所述第二電極單元，使得所述第一導(dǎo)電層的一部分是下焊盤電極并且所述第二導(dǎo)電層的一部分是上焊盤電極。所述第四掩膜工藝可以包括:在所述層間絕緣層上形成第三導(dǎo)電層；將所述第三導(dǎo)電層圖形化，以形成所述源電極和所述漏電極；以及除去所述第二導(dǎo)電層的構(gòu)成所述第一電極單元的一部分，以形成包括所述第一導(dǎo)電層的一部分的像素電極，以及部分地除去所述上焊盤電極的構(gòu)成所述第二電極單元的一部分，以通過形成暴露所述下焊盤電極的一部分的開口而形成所述焊盤電極。由于所述開口，所述層間絕緣層和所述上焊盤電極具有相同的蝕刻面。所述第三掩膜工藝可以包括:在所述第一電極單元上、所述柵電極和所述焊盤電極形成充當(dāng)所述層間絕緣層的第二絕緣層；以及將所述第二絕緣層圖形化，以形成暴露所述第一電極單元的一部分的開口和暴露所述第二電極單元的一部分的開口。所述第五掩膜工藝可以包括:在所述基板的整個(gè)表面上形成第三絕緣層，以覆蓋所述源電極和所述漏電極；以及將所述第三絕緣層圖形化，以形成所述像素限定層，并且除去在所述層間絕緣層上的所述第三絕緣層的形成在所述焊盤電極上的部分。在除去在所述層間絕緣層上的所述第三絕緣層的形成在所述焊盤電極上的部分時(shí)，在所述上焊盤電極中形成底切的形狀，其中所述層間絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極之上。所述第一掩膜工藝還可以包括在基板上在與所述有源層相同的層級形成下電容器電極，所述第二掩膜工藝還可以包括在所述下電容器電極的上表面上形成上電容器電極。在所述第五掩膜工藝以后，所述方法還可以包括在所述像素電極上形成包括發(fā)射層的中間層和對置電極。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其包括薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、絕緣層、源電極和漏電極，所述柵電極與所述有源層絕緣并且包括下柵電極和上柵電極，所述絕緣層覆蓋所述柵電極，并且所述源電極和所述漏電極形成在所述絕緣層上并且接觸所述有源層；有機(jī)發(fā)光二極管，電連接至所述薄膜晶體管并且包括像素電極、中間層和對置電極，所述像素電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述中間層包括發(fā)射層，所述像素電極、所述中間層和所述對置電極是順序地堆疊的；焊盤電極，包括下焊盤電極和上焊盤電極，所述下焊盤電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述上焊盤電極與所述上柵電極形成在相同的層級，所述絕緣層覆蓋所述上焊盤電極的上表面，所述上焊盤電極具有底切的形狀，其中所述絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極之上；驅(qū)動(dòng)1C，布置在所述絕緣層上，提供電流來使所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置工作；以及多個(gè)導(dǎo)電球，布置在所述底切的形狀的區(qū)域中，形成所述焊盤電極與所述驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接，其中在所述絕緣層和所述上焊盤電極中形成有開口，以暴露所述下焊盤電極的一部分。


本發(fā)明的更全面理解以及隨之產(chǎn)生的許多優(yōu)勢將顯而易見，因?yàn)楫?dāng)結(jié)合附圖理解本發(fā)明時(shí)通過參考下面的詳細(xì)描述，本發(fā)明變得更容易理解，附圖中相同的附圖標(biāo)記表示相同或類似的部件，其中:圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意平面圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沿圖1的線I1-1I'截取的剖面圖；圖3到圖11是順序地示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的示意剖面圖；以及圖12A到圖12C是具體示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置中包括的焊盤電極的視圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將對照附圖在結(jié)構(gòu)和功能方面詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例實(shí)施例。本領(lǐng)域的技術(shù)人員會(huì)認(rèn)識(shí)到，在均不背離本發(fā)明的原理的精神或范圍的情況下，可以以各種不同方式修改所描述的實(shí)施例。認(rèn)識(shí)到，為了更好地理解以及便于描述，附圖中示出的構(gòu)成部件的尺寸和厚度是隨意給出的，本發(fā)明不局限于所圖示的尺寸和厚度。在附圖中，為清楚起見，層、膜、面板和區(qū)域等的厚度被放大。在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記表示相同的要素。將理解，當(dāng)一要素，例如層、膜、區(qū)域或基板被稱為在另一要素“上”時(shí)，其可以直接在另一要素上或者還可以存在中間要素?？蛇x地，當(dāng)一要素稱為“直接”在另一要素“上”時(shí)，不存在中間要素。為了使本發(fā)明清楚，對描述來說無關(guān)緊要的要素從該描述的詳情中略去，并且在整個(gè)說明書中，相同的附圖標(biāo)記指相同的要素。在幾個(gè)示例實(shí)施例中，具有相同構(gòu)造的構(gòu)成要素通過使用相同附圖標(biāo)記在第一示例實(shí)施例中代表性地描述，僅除在第一示例實(shí)施例中描述的構(gòu)成要素以外的構(gòu)成要素會(huì)在其它實(shí)施例中描述。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的結(jié)構(gòu)的示意平面圖。參考圖1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I可以包括第一基板10和第二基板70，第一基板10包括多個(gè)發(fā)光像素，第二基板70通過密封連結(jié)到第一基板10。在第一基板10上可以形成薄膜晶體管(TFT)、有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)和電容器。第一基板10可以是低溫多晶硅(LTPS)基板、玻璃基板或塑料基板。第二基板70可以是布置在第一基板10上的封裝基板，用以防止外部水汽或空氣滲入在第一基板10上形成的TFT和發(fā)光像素內(nèi)。第二基板70面向第一基板10,并且第一基板10和第二基板70通過在它們邊緣上形成的密封構(gòu)件90彼此連結(jié)。第二基板70可以是玻璃基板、塑料基板或不銹鋼(SUS)基板。第一基板10可以包括發(fā)光區(qū)DA和發(fā)光區(qū)DA外部的非發(fā)光區(qū)NDA。在實(shí)施例中，密封構(gòu)件90位于發(fā)光區(qū)DA外部的非發(fā)光區(qū)NDA上，以連結(jié)第一基板10和第二基板70。如上面描述的，有機(jī)發(fā)光二極管、驅(qū)動(dòng)有機(jī)發(fā)光二極管的TFT以及與它們電連接的導(dǎo)線形成在第一基板10的發(fā)光區(qū)DA上。非發(fā)光區(qū)NDA可以包括焊盤區(qū)5，在焊盤區(qū)5中放置從發(fā)光區(qū)DA的導(dǎo)線延伸形成的焊盤電極PAD。圖2是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沿圖1的線I1-1I'截取的剖面圖。參考圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I包括晶體管區(qū)2、存儲(chǔ)區(qū)3、發(fā)光區(qū)4和焊盤區(qū)5。晶體管區(qū)2可以包括作為驅(qū)動(dòng)器件的TFT。TFT可以包括有源層21、柵電極20、源電極29和漏電極27。柵電極20可以包括下柵電極23和在下柵電極23上形成的上柵電極25。關(guān)于這一方面，下柵電極23可以由透明導(dǎo)電材料形成并且可以包括從由下列物質(zhì)組成的組中選擇的至少一種:銦錫氧化物(11'0)、銦鋅氧化物(120)、鋅的氧化物(2110)、銦的氧化物(In2O3)、銦鎵氧化物(IG0)和鋁鋅氧化物(AZ0)。上柵電極25可以呈例如Mo、MoW或鋁基合金(Al-based alloy)或者它們的合金的單層金屬形式或者具有至少兩層的多層形式，但不限于此。在柵電極20和有源層21之間可以插入作為柵絕緣層的第一絕緣層12，以使柵電極20與有源層21絕緣。此外，有源層21包括位于其兩側(cè)的源區(qū)21s和漏區(qū)21d，源區(qū)21s和漏區(qū)21d摻雜有高濃度的雜質(zhì)并且分別與源電極29和漏電極27連接。存儲(chǔ)區(qū)3可以包括電容器Cst。電容器Cst包括下電容器電極31、上電容器電極33和插入二者之間的第一絕緣層12。關(guān)于這一方面,下電容器電極31和TFT的有源層21形成在相同的層級上，下電容器電極31可以由半導(dǎo)體材料形成并且摻雜有雜質(zhì)，從而具有提高的電導(dǎo)率。上電容器電極33、TFT的下柵電極23以及OLED的像素電極43可以形成在相同的層級上。發(fā)光區(qū)4可以包括OLED。OLED可以包括像素電極43、對置電極45和中間層44，像素電極43與TFT的源電極29和漏電極27中的一個(gè)連接，對置電極45面向像素電極43。像素電極43可以由透明導(dǎo)電材料形成，并且像素電極43和TFT的下柵電極23可以在相同層級由相同材料形成。焊盤區(qū)5可以包括焊盤電極PAD。雖然圖2中未示出，但是焊盤電極PAD可以通過導(dǎo)線(未示出)與TFT或OLED電連接。此外，焊盤電極PAD可以與用于提供電流的驅(qū)動(dòng)IC(未示出)電連接，以操作有機(jī)發(fā)光顯示裝置I。因此，焊盤電極PAD向發(fā)光區(qū)(圖1的DA)中的TFT或OLED提供由驅(qū)動(dòng)IC (未示出)提供的電流。焊盤電極PAD可以包括下焊盤電極53和上焊盤電極55，下焊盤電極53與下柵電極23在相同層級由相同材料形成，上焊盤電極55與上柵電極25在相同層級由相同材料形成。也就是說，下焊盤電極53可以由例如銦錫氧化物(IT0)、銦鋅氧化物(IZ0)、鋅的氧化物(ZnO)、銦的氧化物(ln203)、銦鎵的氧化物(IGO)或鋁鋅的氧化物(AZO)等導(dǎo)電的金屬氧化物形成，并且上焊盤電極55可以由例如Mo、MoW或鋁基合金或者它們的合金的單層金屬形成或者由具有至少兩層的多層形成。焊盤電極PAD可以包括第一連接部分50a和第二連接部分50b，第一連接部分50a通過導(dǎo)線(未示出)連接至發(fā)光區(qū)(圖1的DA)，第二連接部分50b連接至驅(qū)動(dòng)IC (未示出)。第二連接部分50b可以通過開口 OP暴露于外部，以電連接至外部驅(qū)動(dòng)IC (未示出)。下焊盤電極53通過開口 OP暴露于外部，并且所暴露的下焊盤電極53由上面描述的例如ITO等金屬氧化物形成，從而具有改進(jìn)的耐腐蝕性。第一連接部分50a可以通過導(dǎo)線(未示出)電連接至內(nèi)部器件并且由作為層間絕緣層的第二絕緣層14覆蓋，以使第一連接部分50a與其它元件絕緣。換句話說，上焊盤電極55的上表面被第二絕緣層14覆蓋，因此上焊盤電極55的上表面未暴露于外部，上焊盤電極55與第二絕緣層14相比具有底切(undercut) UC形狀。這種底切形狀使第二絕緣層14的一部分能夠完全覆蓋上焊盤電極55并且突出于上焊盤電極55之上。換句話說，第二絕緣層14突出于上焊盤電極55之上。通過開口 OP暴露的下焊盤電極53的上表面以及上焊盤電極55的側(cè)面通過導(dǎo)電球80 (參考圖12)電連接至外部驅(qū)動(dòng)IC (未示出)。這將在下面對照圖12更詳細(xì)地進(jìn)行描述。下面將描述有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的結(jié)構(gòu)作用。例如，當(dāng)?shù)诙B接部分50b可以只包括下焊盤電極53時(shí)，即其中下焊盤電極53電連接至驅(qū)動(dòng)IC (未示出)，而上焊盤電極55未電連接至驅(qū)動(dòng)IC，40英寸以上的大屏幕面板的顯示質(zhì)量會(huì)由于電阻分布而變差。根據(jù)實(shí)驗(yàn)，僅由下焊盤電極53構(gòu)成的焊盤具有大約621 Q (歐姆)的平均電阻以及大約599 Q的標(biāo)準(zhǔn)差。當(dāng)?shù)诙B接部分50b被配置得僅使上焊盤電極55暴露，其中上焊盤電極55電連接至驅(qū)動(dòng)IC (未示出)時(shí)，即當(dāng)焊盤電極PAD僅包括上焊盤電極55而不包括下焊盤電極53時(shí)，僅由上焊盤電極55構(gòu)成的焊盤具有大約144Q的平均電阻以及大約2Q的標(biāo)準(zhǔn)差。換句話說，電阻分布得到改進(jìn)，但是構(gòu)成上焊盤電極55的金屬材料直接暴露于外部，因此該金屬容易銹蝕。因此，由于這種耐腐蝕性的下降，有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的可靠性下降。為了解決這些問題，根據(jù)圖2中示出的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的結(jié)構(gòu)，上焊盤電極55形成在下焊盤電極53上，因此可以改進(jìn)電阻分布和接觸電阻。此外，由例如ITO等金屬氧化物形成的下焊盤電極53通過開口 OP暴露，因此有機(jī)發(fā)光顯示裝置I可以具有改進(jìn)的耐腐蝕性。圖3到圖11是順序示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的制造圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的方法的示意剖面圖。下面將更詳細(xì)地描述圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的制造過程。參考圖3，首先在第一基板10上形成輔助層11。第一基板10可以是主要由SiO2構(gòu)成的透明玻璃。然而，第一基板10不局限于上面的示例，其可以由透明塑料或金屬形成。在第一基板10上可以形成例如勢壘層、阻擋層和/或緩沖層等輔助層11，以便防止雜質(zhì)離子擴(kuò)散到第一基板10內(nèi)，防止外界水汽或空氣滲入第一基板10內(nèi)以及使第一基板10的表面平整。輔助層11可以通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)、常壓CVD(APCVD)JgS CVD (LPCVD)等通過沉積SiO2和/或SiNx來形成。接下來參考圖4，在輔助層11上形成TFT的有源層21和下電容器電極31。詳細(xì)地說，首先在輔助層11上沉積非晶硅層(未示出)并且將非晶硅層結(jié)晶，以形成多晶硅層(未示出)。可以使用各種方法，例如快速熱退火(RTA)、固相結(jié)晶(SPC)、準(zhǔn)分子激光退火(ELA)、金屬誘導(dǎo)結(jié)晶(MIC)、金屬誘導(dǎo)橫向結(jié)晶(MILC)或者順序橫向固化(SLS)等對非晶硅層進(jìn)行結(jié)晶。通過執(zhí)行使用第一掩膜(未示出)的掩膜工藝，將多晶硅層圖形化成TFT的有源層21和下電容器電極31。在該實(shí)施例中，有源層21是與下電容器電極31分離地形成的，但是有源層21和下電容器電極31可以一體地形成。接下來參考圖5，在形成有有源層21和下電容器電極31的第一基板10的整個(gè)表面上，順序地形成第一絕緣層12、第一導(dǎo)電層13和第二導(dǎo)電層15。第一絕緣層12可以通過PECVD、APCVD或LPCVD形成為由SiNx或SiOx形成的無機(jī)絕緣層。第一絕緣層12插在TFT的有源層21和柵電極20之間，從而充當(dāng)TFT的柵絕緣層，以及插在上電容器電極33和下電容器電極31之間，從而充當(dāng)電容器Cst的介電層。第一導(dǎo)電層13可以包括從例如ITO、IZO、ZnO和In2O3等透明材料中選擇的至少一種。在后面的過程中，可以將第一導(dǎo)電層13圖形化成像素電極43、下柵電極23、上電容器電極33和下焊盤電極53。第二導(dǎo)電層15可以包括從銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鈣(Ca)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鎢(W)、MoW 和銅(Cu)中選擇的至少一種材料。特別地，第二導(dǎo)電層15可以形成為Mo-Al-Mo的三層結(jié)構(gòu)。在后面的過程中，可以將第二導(dǎo)電層15圖形化成上柵電極25和上焊盤電極55。然而，第一導(dǎo)電層13和第二導(dǎo)電層15不局限于上面的不例,第一導(dǎo)電層13可以包括比第二導(dǎo)電層15的材料更耐腐蝕的材料，并且第二導(dǎo)電層15可以包括具有比第一導(dǎo)電層13的電阻更低的電阻的導(dǎo)電材料，這符合本發(fā)明實(shí)施例的范圍。接下來，參考圖6，可以在第一基板10上形成柵電極20、第一電極單元40、第三電極單元30和第二電極單元50。詳細(xì)地說，通過使用第二掩膜(未示出)的掩膜工藝，對在第一基板10的整個(gè)表面上順序堆疊的第一導(dǎo)電層13和第二導(dǎo)電層15進(jìn)行圖形化。關(guān)于這一方面，在晶體管區(qū)2中，在有源層21上方形成柵電極20，并且柵電極20包括下柵電極23和上柵電極25,下柵電極23由第一導(dǎo)電層13的一部分形成,上柵電極25由第二導(dǎo)電層15的一部分形成。將柵電極20形成為對應(yīng)于有源層21的中央?yún)^(qū)域，并且通過使用柵電極20作為自對準(zhǔn)掩膜，對有源層21摻雜n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)，使得有源層21包括在其兩側(cè)形成的源區(qū)21s和漏區(qū)21d以及布置在二者之間的溝道區(qū)21c。關(guān)于這一方面，n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)可以是硼(B)離子或磷(P)離子。在存儲(chǔ)區(qū)3中，在下電容器電極31上方形成第三電極單元30，第三電極單元30用于在后面的過程中形成上電容器電極33。在發(fā)光區(qū)4中，形成第一電極單元40，第一電極單元40用于在后面的過程中形成像素電極43。在焊盤區(qū)5中，形成第二電極單元50，第二電極單元50用于在后面的過程中形成焊盤電極PAD。接下來參考圖7，形成第二絕緣層14，以覆蓋上面形成有柵電極20的第一基板10。第二絕緣層14可以使用旋轉(zhuǎn)涂布法由從選自下列材料組成的組中的至少一種有機(jī)絕緣材料形成:聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯和酚醛樹脂。第二絕緣層14可以形成得足夠厚，例如比第一絕緣層12厚，以便充當(dāng)TFT的柵電極20與源電極29和漏電極27之間的層間絕緣層。與第一絕緣層12—樣，第二絕緣層14可以由上面描述的有機(jī)絕緣材料和無機(jī)絕緣材料形成。此外，第二絕緣層14可以由交替堆疊的有機(jī)絕緣材料層和無機(jī)絕緣材料層形成。接下來參考圖8，可以將第二絕緣層14圖形化，以形成部分暴露第一電極單元40和第三電極單元30的開口 H3、H4和H5，暴露有源層21的源區(qū)21s的一部分和漏區(qū)21d的一部分的接觸孔H2和H1，以及部分暴露上焊盤電極55的開口 H6。詳細(xì)地說，通過使用第三掩膜(未示出)的掩膜工藝，可以將第二絕緣層14圖形化，以形成開口 H3、H4、H5及H6和接觸孔Hl及H2。關(guān)于這一方面，接觸孔H2和Hl分別暴露源區(qū)21s的一部分和漏區(qū)21d的一部分,并且開口 H3和H4至少暴露第二導(dǎo)電層15的構(gòu)成第一電極單元40的上面部分的一部分。開口 H5至少暴露第二導(dǎo)電層15的構(gòu)成第三電極單元30的上面部分的一部分。開口 H6至少暴露第二導(dǎo)電層15的構(gòu)成第二電極單元50的上面部分的一部分。此外，如圖8中所示，可以將開口 H5和H3形成為暴露第三電極單元30和第一電極單元40的一部分表面，但是不局限于此。接下來參考圖9，可以在圖8的掩膜工藝得到的結(jié)構(gòu)上形成第三導(dǎo)電層17，以覆蓋第二絕緣層14。第三導(dǎo)電層17可以由從第一導(dǎo)電層13的導(dǎo)電材料或第二導(dǎo)電層15的導(dǎo)電材料中選擇的材料形成，但是不局限于此。而且，將導(dǎo)電材料沉積到足以填充接觸孔Hl和H2以及開口 H3、H4、H5和H6的厚度。接下來參考圖10，可以將第三導(dǎo)電層17圖形化，以形成源電極29和漏電極27、像素電極43、上電容器電極33和上焊盤電極55。詳細(xì)地說，可以通過使用第四掩膜(未示出)的掩膜工藝將第三導(dǎo)電層17圖形化，以形成源電極29和漏電極27。關(guān)于這一方面，通過在構(gòu)成第一電極單元40的上面部分的第二導(dǎo)電層15上的在第二絕緣層14中形成的開口 H3，源電極29和漏電極27中的一個(gè)(在該實(shí)施例中是漏電極27)可以連接至像素電極43。在該實(shí)施例中，源電極29和漏電極27是與像素電極43和上電容器電極33同時(shí)形成的，但是不局限于此。例如，在形成源電極29和漏電極27以后，可以通過蝕刻形成像素電極43和上電容器電極33。詳細(xì)地說，除去第二導(dǎo)電層15的構(gòu)成第一電極單元40的上面部分(參考圖8)的一部分(其通過開口 H4暴露，以形成像素電極43，并且除去第二導(dǎo)電層15的構(gòu)成第三電極單元30的上面部分(參考圖8)的通過開口 H5暴露的部分，以形成上電容器電極33。形成第二電極單元50 (參考圖8)，使得除去上焊盤電極55的一部分，以暴露下焊盤電極53的一部分，并且形成將下焊盤電極53的這一部分暴露于外部的開口 H7。上焊盤電極55和第二絕緣層14具有相同的蝕刻表面。暴露于外部的下焊盤電極53構(gòu)成電連接至驅(qū)動(dòng)IC(未示出)的第二連接部分50b。因此，下柵電極23、上電容器電極33以及像素電極43可以在相同層級由相同材料形成。關(guān)于這一方面，可以通過開口 H5利用注入法向下電容器電極31摻雜n型雜質(zhì)或p型雜質(zhì)。在摻雜過程中注入的雜質(zhì)可以與有源層21的摻雜過程中使用的那些雜質(zhì)相同或不同。接下來參考圖11，在圖10的掩膜工藝得到的結(jié)構(gòu)上形成第三絕緣層16，即像素限定層(F1DL)tj詳細(xì)地說，可以形成第三絕緣層16，以覆蓋像素電極43、源電極29、漏電極27、上電容器電極33和焊盤電極PAD。關(guān)于這一方面，第三絕緣層16可以使用旋轉(zhuǎn)涂布法由選自下列材料組成的組中的至少一種有機(jī)絕緣材料構(gòu)成:聚酰亞胺、聚酰胺、丙烯酸樹脂、苯并環(huán)丁烯和酚醛樹脂。此外，第三絕緣層16可以由從Si02、SiNx、Al203、Cu0x、Tb407、Y203、Nb205和Pr2O3等中選擇的無機(jī)絕緣材料構(gòu)成。而且，第三絕緣層16可以具有有機(jī)絕緣材料層和無機(jī)絕緣材料層交替形成的多層結(jié)構(gòu)。第三絕緣層16可以是可選地形成的。通過使用第五掩膜(未示出)的掩膜工藝，將第三絕緣層16圖形化，以形成暴露像素電極43的中央?yún)^(qū)域的開口 HS，從而限定像素。當(dāng)在焊盤區(qū)5上形成第三絕緣層16時(shí)，通過使用第五掩膜的掩膜工藝，除去焊盤區(qū)5上的第三絕緣層16。當(dāng)除去第三絕緣層16時(shí)，在第二絕緣層14中形成開口 0P，并且上焊盤電極55具有底切形狀，在這種情況下，絕緣層完全覆蓋上焊盤電極并且突出于上焊盤電極之上。也就是說，當(dāng)對焊盤區(qū)5上的第三絕緣層16進(jìn)行蝕刻時(shí)，從上焊盤電極55的側(cè)面對其進(jìn)行蝕刻并且對第二絕緣層14蝕刻得比對上焊盤電極55蝕刻得少或者不對第二絕緣層14進(jìn)行蝕亥IJ，使得上焊盤電極55具有底切結(jié)構(gòu)。結(jié)果，上焊盤電極55的被除去的區(qū)域大于第二絕緣層14的被除去的區(qū)域，使得上焊盤電極55具有底切形狀，在這種情況下，絕緣層14完全覆蓋上焊盤電極55并且突出于上焊盤電極55之上。隨后，如圖2中所示，在部分暴露像素電極43的開口 H8中形成中間層44和對置電極45，中間層44包括發(fā)射層。中間層44可以包括有機(jī)發(fā)射層(EML)和從空穴傳輸層(HTL)、空穴注入層(HIL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等中選擇的單層或者這些層中的多層。有機(jī)EML可以包括低分子量有機(jī)材料或聞分子量有機(jī)材料。
當(dāng)有機(jī)EML由低分子量有機(jī)材料形成時(shí)，中間層44可以包括HTL和朝像素電極43在有機(jī)EML上堆疊的HIL，以及包括ETL和朝對置電極45在有機(jī)EML上堆疊的EIL。如果需要，中間層44可以進(jìn)一步包括多種其它層。關(guān)于這一方面，低分子量有機(jī)材料的示例包括酞菁銅(CuPc)、N' - 二(萘-1-基)-N (N' -di (naphthalene-l-yl)-N、N' _ 二苯基-聯(lián)苯胺(NPB)和三-8-羥基喹啉鋁(ALq3)等。另一方面，當(dāng)有機(jī)EML由高分子量有機(jī)材料形成時(shí)，中間層44可以只包括朝像素電極43的在有機(jī)EML上的HTL?？梢酝ㄟ^噴墨印刷或旋轉(zhuǎn)涂布聚-(2，4)-乙烯-二羥基噻吩(PEDOT)或者聚苯胺(PANI)在像素電極43上形成HTL。高分子量有機(jī)材料的示例包括聚苯亞乙烯(PPV)和聚芴(polyfluorene)，并且可以通過使用一般方法，例如噴墨印刷、旋轉(zhuǎn)涂布或激光熱轉(zhuǎn)印形成彩色圖案?？梢栽诘谝换?0的整個(gè)表面上形成對置電極45作為公共電極。在有機(jī)發(fā)光顯示裝置I中，像素電極43用作陽極，對置電極45用作陰極，然而，相反的情況也是可以的。如果有機(jī)發(fā)光顯示裝置I是朝第一基板10顯示圖像的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置，那么像素電極43可以形成為透明電極，對置電極45可以形成為反射電極。關(guān)于這一方面，反射電極可以由具有低功函數(shù)的金屬，例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al或者它們的復(fù)合物形成為具有較小的厚度。圖12A到圖12C是具體示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I中包括的焊盤電極PAD的圖。圖12A是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的焊盤電極PAD的示意平面圖，圖12B是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的沿圖12A的線1-1'截取的剖面圖，圖12C是示出驅(qū)動(dòng)IC 85連接至圖12B的結(jié)構(gòu)的狀態(tài)的剖面圖。參考圖12A到圖12C，下焊盤電極53可以通過開口 OP部分地暴露，并且上焊盤電極55比第二絕緣層14更多地被蝕刻，因此上焊盤電極55具有底切形狀，在這種情況下，上焊盤電極55比第二絕緣層14更向里面。上焊盤電極55具有被第二絕緣層14完全包圍的表面，第二絕緣層14的一部分延伸到上焊盤電極55的表面之外。因此，可以將導(dǎo)電球80注入底切形狀內(nèi)，以便焊盤電極PAD和驅(qū)動(dòng)IC 85之間更好地電連接。在用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置I的每個(gè)掩膜工藝中，可以通過干法蝕刻或濕法蝕刻除去所堆疊的層。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的底部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光顯示裝置中，在不增加或減少掩膜數(shù)量的情況下，可以在基板的底部表面上與像素電極分離地形成金屬層，從而使像素電極的發(fā)光效率升高并且獲得柵電極的蝕刻特征。因此，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有改進(jìn)的顯示質(zhì)量，可以簡化其制造過程，并且可以減少其缺陷。雖然已經(jīng)在本發(fā)明的實(shí)施例中描述了有機(jī)發(fā)光顯示裝置，但是還可以使用包括液晶顯示裝置在內(nèi)的多種顯示裝置。此外，為了便于解釋，在附圖中示出了單個(gè)TFT和單個(gè)電容器，然而，本發(fā)明不局限于此。只要掩膜工藝的數(shù)量不增加，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以包括多個(gè)TFT和多個(gè)電容器。如上面描述的，根據(jù)本發(fā)明一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以具有改進(jìn)的耐腐蝕性。
盡管已經(jīng)關(guān)于本發(fā)明的示例實(shí)施例具體示出和描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以對本發(fā)明進(jìn)行多種形式和細(xì)節(jié)上的改變。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、絕緣層、源電極和漏電極，所述柵電極與所述有源層絕緣并且包括下柵電極和上柵電極，所述絕緣層覆蓋所述柵電極，并且所述源電極和所述漏電極形成在所述絕緣層上并且接觸所述有源層； 有機(jī)發(fā)光二極管，電連接至所述薄膜晶體管并且包括像素電極、中間層和對置電極，所述像素電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述中間層包括發(fā)射層，所述像素電極、所述中間層和所述對置電極是順序地堆疊的；以及 焊盤電極，包括下焊盤電極和上焊盤電極，所述下焊盤電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述上焊盤電極與所述上柵電極形成在相同的層級， 其中所述絕緣層覆蓋所述上焊盤電極的上表面， 其中在所述絕緣層和所述上焊盤電極中形成有開口，以暴露所述下焊盤電極的一部分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述上焊盤電極具有底切的形狀，其中所述絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極之上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述底切的形狀被形成為使得所述上焊盤電極具有完全由所述絕緣層包圍的表面，所述絕緣層的一部分延伸到所述上焊盤電極的表面以外。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中通過所述開口暴露于外部的所述下焊盤電極的上表面和所述上焊盤電極的側(cè)面電連接至驅(qū)動(dòng)1C，所述驅(qū)動(dòng)IC供應(yīng)電流來使有機(jī)發(fā)光顯示裝置工作。`
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中通過所述開口暴露于外部的所述下焊盤電極的所述上表面和所述上焊盤電極的所述側(cè)面通過導(dǎo)電球電連接至所述驅(qū)動(dòng)1C。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述焊盤電極通過導(dǎo)線與所述薄膜晶體管或所述有機(jī)發(fā)光二極管電連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述下焊盤電極包括比所述上焊盤電極的材料更耐腐蝕的材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述下柵電極、所述像素電極和所述下焊盤電極包括透明導(dǎo)電金屬氧化物，并且所述上柵電極和所述上焊盤電極包括從Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、Mo、T1、W、MoW 和 Cu 中選擇的至少一種。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括: 電容器，包括下電容器電極和上電容器電極并且與所述薄膜晶體管電連接，所述下電容器電極與所述有源層形成在相同的層級，所述上電容器電極與所述柵電極形成在相同層級。
10.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 第一掩膜工藝，在基板上形成薄膜晶體管的有源層； 第二掩膜工藝，在所述基板上形成第一電極單元、柵電極和第二電極單元，所述第一電極單元用于形成像素電極，所述第二電極單元用于形成焊盤電極； 第三掩膜工藝，形成暴露所述有源層的兩側(cè)的接觸孔、暴露所述第一電極單元的一部分的開口、暴露所述第二電極單元的一部分的開口，以及位于所述第二電極單元上以暴露所述第二電極單元的一部分的層間絕緣層； 第四掩膜工藝，形成通過所述接觸孔接觸所述有源層的源電極和漏電極，源于所述第一電極單元的所述像素電極，以及源于所述第二電極單元的所述焊盤電極；以及第五掩膜工藝，形成暴露所述像素電極的至少一部分的像素限定層。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述 的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第二掩膜工藝包括: 在所述基板上順序地形成第一絕緣層、第一導(dǎo)電層和第二導(dǎo)電層，以覆蓋所述有源層；以及 同時(shí)將所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層圖形化，以便形成所述柵電極，使得所述第一導(dǎo)電層的一部分是下柵電極并且所述第二導(dǎo)電層的一部分是上柵電極，以及以便形成所述第二電極單元，使得所述第一導(dǎo)電層的一部分是下焊盤電極并且所述第二導(dǎo)電層的一部分是上焊盤電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第四掩膜工藝進(jìn)一步包括: 在所述層間絕緣層上形成第三導(dǎo)電層； 將所述第三導(dǎo)電層圖形化，以形成所述源電極和所述漏電極；以及除去構(gòu)成所述第一電極單元的所述第二導(dǎo)電層的一部分，以形成包括所述第一導(dǎo)電層的一部分的像素電極，并且部分地除去構(gòu)成所述第二電極單元的所述上焊盤電極的一部分，以通過形成暴露所述下焊盤電極的一部分的開口而形成所述焊盤電極， 其中由于所述開口，所述層間絕緣層和所述上焊盤電極具有相同的蝕刻面。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第三掩膜工藝包括: 在所述第一電極單元、所述柵電極和所述焊盤電極上形成充當(dāng)所述層間絕緣層的第二絕緣層；以及 將所述第二絕緣層圖形化，以形成暴露所述第一電極單元的一部分的開口和暴露所述第二電極單元的一部分的開口。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第五掩膜工藝進(jìn)一步包括: 在所述基板的整個(gè)表面上形成第三絕緣層，以覆蓋所述源電極和所述漏電極；以及將所述第三絕緣層圖形化，以形成所述像素限定層，并且除去在所述層間絕緣層上的所述第三絕緣層的形成在所述焊盤電極上的部分， 其中在除去在所述層間絕緣層上的所述第三絕緣層的形成在所述焊盤電極上的部分時(shí)，在所述上焊盤電極中形成底切的形狀，其中所述層間絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極之上。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述底切的形狀被形成為使得所述上焊盤電極是在側(cè)向被蝕刻的。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述底切的形狀被形成為使得所述上焊盤電極的被除去的區(qū)域大于所述層間絕緣層的被除去的區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制 造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述第一掩膜工藝還包括在基板上在與所述有源層相同的層級形成下電容器電極，所述第二掩膜工藝還包括在所述下電容器電極的上表面上形成上電容器電極。
18.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，還包括在所述第五掩膜工藝以后，在所述像素電極上形成包括發(fā)射層的中間層和對置電極。
19.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 薄膜晶體管，包括有源層、柵電極、絕緣層、源電極和漏電極，所述柵電極與所述有源層絕緣并且包括下柵電極和上柵電極，所述絕緣層覆蓋所述柵電極，并且所述源電極和所述漏電極形成在所述絕緣層上并且接觸所述有源層； 有機(jī)發(fā)光二極管，電連接至所述薄膜晶體管并且包括像素電極、中間層和對置電極，所述像素電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述中間層包括發(fā)射層，所述像素電極、所述中間層和所述對置電極是順序地堆疊的； 焊盤電極，包括下焊盤電極和上焊盤電極，所述下焊盤電極與所述下柵電極形成在相同的層級，所述上焊盤電極與所述上柵電極形成在相同的層級，所述絕緣層覆蓋所述上焊盤電極的上表面，所述上焊盤電極具有底切的形狀，其中所述絕緣層完全覆蓋所述上焊盤電極并且突出于所述上焊盤電極之上； 驅(qū)動(dòng)1C，布置在所述絕緣層上，提供電流來使所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置工作；以及 多個(gè)導(dǎo)電球，布置在所述底切的形狀的區(qū)域中，形成所述焊盤電極與所述驅(qū)動(dòng)IC之間的電連接， 其中在所述絕緣層和所述上焊盤電極中形成有開口，以暴露所述下焊盤電極的一部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述底切的形狀被形成為使得所述上焊盤電極具有由所述絕緣層完全包圍的表面，所述絕緣層的一部分延伸到所述上焊盤電極的表面以外。
全文摘要
本發(fā)明公開有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置具有包括有源層、包括下柵電極和上柵電極的柵電極、覆蓋柵電極的絕緣層以及在絕緣層上形成的且接觸有源層的源電極和漏電極的薄膜晶體管。有機(jī)發(fā)光二極管電連接至薄膜晶體管并且包括與下柵電極形成在相同層級的像素電極、包括發(fā)射層的中間層和對置電極。在與下柵電極相同的層級形成下焊盤電極，在與上柵電極相同的層級形成上焊盤電極。
文檔編號H01L27/32GK103107181SQ20121019322
公開日2013年5月15日 申請日期2012年6月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月14日
發(fā)明者樸鮮, 李律圭, 柳春基 申請人:三星顯示有限公司