發(fā)光二極管封裝及其所使用的散熱模塊的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝及其所使用的散熱模塊，散熱模塊包含：一承載基板其是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構(gòu)成；一絕緣層其是對承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在表面上生成一由承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化或氮化反應(yīng)所構(gòu)成的絕緣層，使絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種構(gòu)成，并具有電性絕緣耐壓功能及熱傳導(dǎo)功能；及一線路層其是形成于絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與發(fā)光二極管晶?？衫酶簿Щ?qū)Ь€方式電性連接以完成一LED封裝；其中當(dāng)至少一LED晶粒發(fā)光并產(chǎn)生熱能時，通過絕緣層以將熱能傳導(dǎo)至承載基板以向外散熱。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝及其所使用的散熱模塊
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)一種發(fā)光二極管封裝(LED package)及其所使用的散熱模塊，尤指一種利用一線路層、一絕緣層及一承載基板且其是選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板以構(gòu)成一散熱模塊，其中該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化或氮化反應(yīng)所構(gòu)成的對應(yīng)絕緣層，供一 LED晶粒能以覆晶方式或?qū)Ь€方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝，以達(dá)成良好的電性絕緣耐壓及散熱功效。
【背景技術(shù)】
[0002]一般而言，一 LED晶?？呻S工藝需要而選擇以覆晶方式(Flip Chip)或?qū)Ь€方式(Wire bond)但不限制，以電性連接在一散熱基板上以完成一 LED封裝(LED package),該LED封裝再連接固設(shè)在一發(fā)光裝置的散熱器(heat sink)的表面上，以組成一 LED發(fā)光裝置；通常而言，現(xiàn)有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一基板(如鋁基板或陶瓷基板)依序壓合形成，其中該線路層是配合LED晶粒的布局而設(shè)具有適當(dāng)?shù)膱D案(pattern)用以安排并提供該些LED晶粒發(fā)光所須的正負(fù)極電源。當(dāng)LED晶粒在發(fā)光時會產(chǎn)生熱能，該熱能一般是通過該散熱載板及所連接的發(fā)光裝置的散熱器(heat sink)以向外散熱，以避免熱能存積過多以致影響該LED封裝或LED發(fā)光裝置的使用效率及壽命。
[0003]以現(xiàn)有的散熱基板而言，現(xiàn)有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一鋁基板依序壓合形成，因此產(chǎn)生的熱能是通過線路層(銅層)及絕緣層之后才傳導(dǎo)至基板；然而，現(xiàn)有散熱基板所使用的絕緣層大部分是以導(dǎo)熱膠片構(gòu)成，該導(dǎo)熱膠片的導(dǎo)熱系數(shù)較差，且厚度較厚，致相對降低現(xiàn)有散熱基板的使用效率，無法滿足目前使用上的需求。因此在LED封裝或所使用的散熱載板或LED發(fā)光裝置等相關(guān)頜域中，長久以來一直都存在的問題就是如何在線路層不會發(fā)生短路的狀況下而又能使散熱基板達(dá)到良好散熱功效。
[0004]再以現(xiàn)有的覆晶式(Flip Chip)或?qū)Ь€式(Wire bond) LED封裝為例說明，其中每一 LED晶粒是利用二不同的電極接點以電性連接在一線路層上的二分開且電性絕緣的連接點上；該線路層是預(yù)設(shè)在一鋁基板上；該線路層與該鋁基板的表面之間通常設(shè)有一絕緣連接層以使該線路層能絕緣地連接地固設(shè)在該鋁基板的表面上且不易剝離；完成后的LED封裝再由各種連接方式如焊接或緊密貼合但不限制以固設(shè)在一 LED發(fā)光裝置的散熱器(heat sink)的表面上；然而，在上述傳統(tǒng)的LED封裝中，該絕緣連接層一般是利用散熱貼片或散熱膏構(gòu)成，其導(dǎo)熱系數(shù)較低(約4W/m-k)，且厚度較厚(約60微米(μ m))，以致熱傳導(dǎo)功能不佳，無法將該LED晶粒在發(fā)光時所產(chǎn)生的熱能有效地傳導(dǎo)至該鋁基板及/或LED發(fā)光裝置的散熱器(heat sink)上以向外散熱。
[0005]有關(guān)LED封裝及其所使用的散熱基板，或覆晶式LED元件(fiip-chip lightemitting diode)或覆晶式LED封裝或適用于覆晶式LED的反射結(jié)構(gòu)等【技術(shù)領(lǐng)域】中，目前已存在多種先前技術(shù)，如 TW573330、TW M350824, CN201010231866.5 (公布號 CN101924175A)、US6, 914，268、US8, 049，230、US7, 985，979、US7, 939，832、US7, 713，353、US7, 642，121、US7, 462，861、US7, 393，411、US7, 335，519、US7, 294，866、US7, 087，526、US5, 557，115、US6, 514，782、US6, 497，944、US6, 791，119 ;US2002/0163302、US2004/0113156 等。然而，上述先前技術(shù)并未提出有效的解決方案，以克服線路層不會發(fā)生短路且能達(dá)到良好散熱功效的問題。
[0006]由上可知，上述先前技術(shù)的結(jié)構(gòu)尚難以符合實際使用時的要求，因此在LED封裝或散熱基板的相關(guān)頜域中，仍存在進(jìn)一步改進(jìn)的需要性。本發(fā)明乃是在此技術(shù)發(fā)展空間有限的領(lǐng)域中，提出一種LED封裝及其所使用的散熱模塊，以使該LED封裝及/戎該發(fā)光裝置能達(dá)成良好的散熱功效，并可避免造成短路的困擾。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明主要目的是在于提供一種LED封裝及其所使用的散熱模塊，該散熱模塊是包含一線路層、一絕緣層及一承載基板，其中該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構(gòu)成，其中該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化或氮化反應(yīng)所構(gòu)成的對應(yīng)絕緣層；由此當(dāng)至少一 LED晶粒以覆晶方式或?qū)Ь€方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝時，該LED封裝即能達(dá)成良好的電性絕緣耐壓效果及良好的散熱功效。
[0008]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的散熱模塊的一優(yōu)選實施例包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，其中該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構(gòu)成；其中該絕緣層是形成在該承載基板的一表面上，其形成方式是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化反應(yīng)或氮化反應(yīng)而對應(yīng)構(gòu)成的絕緣層，使該絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種所構(gòu)成，又該絕緣層是設(shè)于該線路層的下面并具有電性絕緣耐壓及熱傳導(dǎo)功能；其中該線路層是形成于該絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與該至少一 LED晶粒所設(shè)的不同電極的焊墊能對應(yīng)電性連接，以使該至少一LED晶粒能電性連接并設(shè)置在該散熱模塊上；其中當(dāng)該至少一LED晶粒發(fā)光并產(chǎn)生熱能時，通過該絕緣層以將該熱能傳導(dǎo)至該承載基板以向外散熱。
[0009]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層是利用選自微弧電漿氧化方法、大氣電漿氧化方法、真空電衆(zhòng)氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應(yīng)形成一選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦的族群中一種材質(zhì)的絕緣層。
[0010]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層是利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電衆(zhòng)氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應(yīng)形成一選自氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材質(zhì)的該絕緣層。
[0011]所述的散熱模塊，其中所述的線路層是利用選自印刷線路板(PCB)線路工藝、網(wǎng)版印刷工藝、半導(dǎo)體工藝的族群中一種工藝以形成在該絕緣層的表面上。
[0012]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層的厚度是依據(jù)該絕緣層所欲達(dá)成電性絕緣耐壓的程度而預(yù)先設(shè)定。
[0013]所述的散熱模塊，其中所述的絕緣層的厚度是設(shè)定為f 50微米(μ m)，以使電性絕緣耐壓的程度達(dá)到300伏特(V)或以上。[0014]所述的散熱模塊，其中所述的至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上的方式包含覆晶(Flip Chip)方式及導(dǎo)線(Wire bond)方式。
[0015]為達(dá)成上述目的，本發(fā)明的發(fā)光二極管(LED)封裝的一優(yōu)選實施例包含:至少一LED晶粒，各晶粒上設(shè)有至少二不同電極的焊墊；及一散熱模塊，其是利用所述的散熱模塊所構(gòu)成，包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，供該至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝；其中當(dāng)該至少一 LED晶粒發(fā)光并產(chǎn)生熱能時，通過該散熱模塊的絕緣層以將該熱能傳導(dǎo)至該散熱模塊的承載基板并向外散熱。
[0016]所述的發(fā)光二極管(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板上進(jìn)一步設(shè)有至少一散熱導(dǎo)孔(thermal via)，該散熱導(dǎo)孔是在該承載基板上設(shè)置至少一貫穿孔，并在該貫穿孔內(nèi)填滿熱導(dǎo)材所構(gòu)成，又該散熱導(dǎo)孔的上端是與該絕緣層連接。
[0017]所述的發(fā)光二極管(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板的相對于該絕緣層的另一表面上更設(shè)置一金屬接著層，以使該散熱模塊由該金屬接著層以貼合于一散熱器(heat sink)的表面上，其中所述的金屬接著層是包含散熱貼片、散熱膏。
[0018]所述的發(fā)光二極管(LED)封裝，其中所述的散熱模塊是緊密貼合于一散熱器(heatsink)的表面上。
[0019]所述的發(fā)光二極管(LED)封裝，其中所述的散熱模塊的承載基板是以一散熱器(heat sink)的表面所取代。
[0020]本發(fā)明的有益效果在于:本發(fā)明的散熱模塊的散熱功能優(yōu)于現(xiàn)有的散熱基板，且厚度也較薄，足以滿足目前使用上的需求。
[0021]并且本發(fā)明的該絕緣層是對該承載基板的一表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化或氮化反應(yīng)所構(gòu)成的對應(yīng)絕緣層，供一 LED晶粒能以覆晶方式或?qū)Ь€方式電性連接在該散熱模塊上以完成一 LED封裝，進(jìn)而達(dá)成良好的電性絕緣耐壓及散熱功效。
[0022]為使本發(fā)明更加明確詳實，將本發(fā)明的結(jié)構(gòu)及技術(shù)特征，配合下列圖示詳述如后:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0023]圖1是本發(fā)明的散熱模塊、所組成的覆晶式(Flip Chip)LED封裝及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)表面的一實施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0024]圖2是本發(fā)明的散熱模塊、所組成的導(dǎo)線式(Wire bond)LED封裝及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)表面的一實施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0025]圖3是本發(fā)明的散熱模塊、所組成的覆晶式(Flip Chip)LED封裝及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)表面的另一實施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0026]圖4是本發(fā)明的散熱模塊、所組成的導(dǎo)線式(Wire bond)LED封裝及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)表面的另一實施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。
[0027]附圖標(biāo)記說明:
[0028]10-散熱模塊；11-承載基板；110-表面；111-散熱導(dǎo)孔；112-表面；12-絕緣層；13-線路層；130-表面；131a、131b-電性連接點；20_LED晶粒；30、40_LED封裝；50_散熱器(heat sink) ;51_表面;60_金屬接著層;70_散熱模塊;80、90_LED封裝?！揪唧w實施方式】
[0029]參考圖1-2所示，其分別是本發(fā)明的散熱模塊、所組成的LED封裝及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)表面的兩個實施例的結(jié)構(gòu)剖面示意圖。本發(fā)明的散熱模塊10主要是包含一承載基板11、一絕緣層12及一線路層13，供一 LED晶粒20能以覆晶(Flip Chip)方式如圖1所示或?qū)Ь€(Wire bond)方式如圖2所示，電性連接在該散熱模塊10上以形成一 LED封裝如圖1所示的覆晶式LED封裝30或如圖2所示的導(dǎo)線式LED封裝40，以使該LED封裝30>40及進(jìn)一步與一散熱器(heat sink)50結(jié)合應(yīng)用時,能達(dá)成良好的散熱功效,并避免造成短路的困擾。
[0030]該承載基板11是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構(gòu)成。
[0031]該絕緣層12是形成在該承載基板11的一表面上；該絕緣層12的形成方法是對該承載基板11的一表面Iio施行氧化方法或氮化方法,供可在該表面110上直接生成一由該承載基板11的表面的金屬材料，即鋁基板或鎂基板或鋁鎂基板的基板材料，經(jīng)氧化反應(yīng)或氮化反應(yīng)而構(gòu)成的具有對應(yīng)材質(zhì)的絕緣層12，也就是該絕緣層12是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種所構(gòu)成，也就是當(dāng)該承載基板11為鋁基板時，即生成一以氧化鋁或氮化鋁構(gòu)成的絕緣層12 ;當(dāng)該承載基板11為鎂基板時，即生成一以氧化鎂或氮化鎂構(gòu)成的絕緣層12 ;當(dāng)該承載基板11為鈦基板時，即生成一以氧化鈦或氮化鈦構(gòu)成的絕緣層12。該絕緣層12是位于該線路層13的下面如圖1、2所示，并具有電性絕緣耐壓及熱傳導(dǎo)功能。當(dāng)該線路層13產(chǎn)生熱能時，該熱能即能通過該絕緣層12再傳導(dǎo)至其他地方如設(shè)在該絕緣層12下面的承載基板11。
[0032]此外，該絕緣層12可利用選自微弧電衆(zhòng)氧化(MAPO, Micro-Arc PlasmaOxidation)方法、大氣電漿氧化方法、真空電漿氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板11的表面110上形成一選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦的族群中一種材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣層12。
[0033]此外，該絕緣層12可利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電漿氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板11的表面110上形成一選自氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材質(zhì)所構(gòu)成的絕緣層12。
[0034]以實際的應(yīng)用而言，該絕緣層12的厚度是依據(jù)該絕緣層12所欲達(dá)成電性絕緣耐壓的程度而預(yù)先設(shè)定。在本實施例中，該絕緣層12的厚度是設(shè)定為廣50微米(ym)，以使該絕緣層12的電性絕緣耐壓程度能達(dá)到300伏特(V)或以上。
[0035]該線路層13是形成于該絕緣層12的相對于該承載基板11的另一表面130上；該線路層13的形成方式不限制，如利用印刷線路板(PCB)線路工藝，或網(wǎng)版印刷工藝，或半導(dǎo)體工藝，以形成在該絕緣層的表面上。該線路層13包含至少二分開且絕緣的電性連接點131a、131b供與該至少一 LED晶粒20所設(shè)的不同電極的焊墊能對應(yīng)電性連接，以使該至少一 LED晶粒20能電性連接并設(shè)置在該散熱模塊10上。該線路層13的線路布局(circuitlayout)并不限制，可隨LED封裝30、40或LED發(fā)光裝置的散熱器(heat sink) 50的需要而作出不同的布局設(shè)計，以供多個LED晶粒20電性連接，在圖1、2中以一 LED晶粒20為例說明但非用以限制本發(fā)明。當(dāng)該至少一 LED晶粒20發(fā)光并在該線路層13上產(chǎn)生熱能時，即可通過該絕緣層12的熱傳導(dǎo)功能以將該熱能傳導(dǎo)至該承載基板11并向外散熱。
[0036]再參考圖1、2所示的實施例，其中該散熱模塊10的承載基板11上進(jìn)一步可設(shè)置有至少一散熱導(dǎo)孔(thermal via) 111，該散熱導(dǎo)孔111的形成是在該承載基板11上設(shè)置至少一貫穿其上、下表面的貫穿孔111，并在該貫穿孔內(nèi)填滿熱導(dǎo)材所構(gòu)成，其中該散熱導(dǎo)孔111的上端是與該絕緣層12連接；通過該散熱導(dǎo)孔111的設(shè)置，可相對增進(jìn)該散熱模塊10的散熱效果。
[0037]該散熱導(dǎo)孔111如圖1-2所示的設(shè)置數(shù)目及位置并不限制，如圖1所示針對一 LED晶粒20設(shè)有兩個散熱導(dǎo)孔111但不限制，而如圖2所示針對一 LED晶粒20則設(shè)有三個散熱導(dǎo)孔111但不限制。但設(shè)置位置以能對應(yīng)連接至接近該線路層13與LED晶粒20電性連接之間的主要的熱能產(chǎn)生處為最佳，如圖1所示覆晶式(Flip Chip)的連接位置(131a、131b)，或如圖2所示導(dǎo)線式(Wire bond)的LED晶粒20的底部，因為該些連接位置(131a、131b)或LED晶粒20的底部即為覆晶式或?qū)Ь€式封裝的主要的熱能產(chǎn)生處，當(dāng)該些散熱導(dǎo)孔111設(shè)置在接近熱能產(chǎn)生處時，相對可增進(jìn)散熱作用。
[0038]再參考圖1、2所示的實施例，其中該散熱模塊10的承載基板11的相對于該絕緣層12的另一表面112上，進(jìn)一步可設(shè)置一金屬接著層60，以使該散熱模塊10由該金屬接著層60以貼合于一發(fā)光裝置(圖未不)所設(shè)的散熱器(heat sink) 50的表面51上,其中該金屬接著層60是包含散熱貼片或散熱膏。
[0039]此外，以圖1、2所示的實施例而言，該金屬接著層60并非必要結(jié)構(gòu)，因為該散熱模塊10亦可以通過鎖固方式以緊密貼合于一發(fā)光裝置(圖未示)所設(shè)的散熱器(heat sink)50的表面51上，也就是使該散熱模塊10的承載基板11的表面112能與該散熱器(heatsink)50的表面51緊密貼合，如此即能達(dá)成散熱效果，用以將該熱能由該散熱模塊10的承載基板11再傳導(dǎo)至該散熱器(heatsink) 50并向外散熱。由于該散熱模塊10或所組成的LED封裝30、40，其與一 LED發(fā)光裝置的散熱器(heat sink) 50之間，可利用多種不同的方式進(jìn)行組裝，且該散熱器(heat sink)50的結(jié)構(gòu)型態(tài)亦有多種不同的結(jié)構(gòu)型態(tài)，因此圖1、2所示的散熱器(heat sink) 50結(jié)構(gòu)并非用來限制本發(fā)明。
[0040]參考圖3-4所示，其分別是本發(fā)明的散熱模塊70、所組成的LED封裝80、90及應(yīng)用于一散熱器(heat sink)50表面的另外兩個實施例的結(jié)構(gòu)剖面不意圖。本實施例的散熱模塊70與圖1、2所示的散熱模塊10大致相同，主要也包含一承載基板11、一絕緣層12及一線路層13,供一 LED晶粒20能以覆晶(Flip Chip)方式如圖3所示或?qū)Ь€(Wire bond)方式如圖4所示，電性連接在該散熱模塊70上以形成一 LED封裝如圖3所示的覆晶式LED封裝80或如圖4所示的導(dǎo)線式LED封裝90，以使該LED封裝80、90能進(jìn)一步與一散熱器(heat sink) 50結(jié)合應(yīng)用，以達(dá)成良好的散熱功效,并避免造成短路的困擾。
[0041]而本實施例的散熱模塊70如圖3-4所示與圖1-2所示散熱模塊10之間的主要不同點在于:本實施例的散熱模塊70的承載基板11進(jìn)一步以該散熱器(heat sink) 50的表面51所取代，也就是本實施例的絕緣層12是直接形成在該散熱器(heat sink) 50的表面51上；由于該散熱器(heat sink)50或其表面51 —般是以鋁材制成但不限制，其相同或類似于圖1-2所示散熱模塊10的承載基板11所使用的材料，因此本實施例的絕緣層12的形成方法是相同于圖1-2所示散熱模塊10的絕緣層12形成在該承載基板11的一表面110上的工藝。[0042]此外，本發(fā)明的散熱模塊10與現(xiàn)有的散熱模塊(散熱基板)相較，現(xiàn)有的散熱基板是由一線路層(銅層)、一絕緣層及一鋁基板依序壓合形成，且現(xiàn)有的絕緣層大部分是以導(dǎo)熱膠片構(gòu)成；但本發(fā)明的絕緣層12的形成是對該承載基板11的一表面110施行氧化方法或氮化方法，供可在該表面110上直接生成一由該承載基板11的表面的金屬材料經(jīng)氧化反應(yīng)或氮化反應(yīng)而構(gòu)成的具有對應(yīng)材質(zhì)的絕緣層12,如以氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦構(gòu)成。因此，本發(fā)明的散熱模塊10的散熱功能優(yōu)于現(xiàn)有的散熱基板，且厚度也較薄，足以滿足目前使用上的需求。
[0043]此外，本實施例如圖3-4所示的散熱模塊70、所組成的LED封裝80、90及與一散熱器(heat sink) 50的結(jié)合應(yīng)用，與圖1_2所示的散熱模塊10、所組成的LED封裝30、40及與一散熱器(heat sink) 50的結(jié)合應(yīng)用相較，本實施例如圖3_4所示至少可減少圖1_2所示散熱模塊10的承載基板11，也相對可減少圖1-2中所示該金屬接著層60或圖1-2中該承載基板11與散熱器(heat sink)50之間緊密貼合的連接程序，有利于降低材料成本或作業(yè)成本。
[0044]以上所示僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，對本發(fā)明而言僅是說明性的，而非限制性的。在本專業(yè)【技術(shù)領(lǐng)域】具通常知識人員理解，在本發(fā)明權(quán)利要求所限定的精神和范圍內(nèi)可對其進(jìn)行許多改變，修改，甚至等效的變更，但都將落入本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，適用于發(fā)光二極管封裝，供至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝，該散熱模塊包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，其中: 該承載基板是以選自鋁基板、鎂基板、鋁鎂合金基板、鈦合金基板的族群中一種基板所構(gòu)成； 該絕緣層是形成在該承載基板的一表面上，其是對該承載基板的該表面施行氧化方法或氮化方法以直接在該表面上生成一由該承載基板的表面的金屬材料經(jīng)氧化反應(yīng)或氮化反應(yīng)而對應(yīng)構(gòu)成的絕緣層，其中該絕緣層是以選自氧化鋁、氧化鎂、氧化鈦、氮化鋁、氮化鎂、氮化鈦的族群中一種材料所構(gòu)成； 該線路層是形成在該絕緣層的表面上，包含至少二分開且絕緣的電性連接點供與該至少一 LED晶粒所設(shè)的不同電極的焊墊對應(yīng)電性連接，以使該至少一 LED晶粒能電性連接并設(shè)置在該散熱模塊上； 其中當(dāng)該至少一 LED晶粒發(fā)光并產(chǎn)生熱能時，通過該絕緣層以將該熱能傳導(dǎo)至該承載基板以向外散熱。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該絕緣層是利用選自微弧電漿氧化方法、大氣電漿氧化方法、真空電漿氧化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應(yīng)形成該絕緣層。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該絕緣層是利用選自微弧電漿氮化方法、大氣電漿氮化方法、真空電漿氮化方法的族群中一種方法用以在該承載基板的表面上對應(yīng)形成該絕緣層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該該線路層是利用選自印刷線路板線路工藝、網(wǎng)版印刷工藝、半導(dǎo)體工藝的族群中一種工藝以形成在該絕緣層的表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該絕緣層的厚度是依據(jù)該絕緣層所欲達(dá)成電性絕緣耐壓的程度而預(yù)先設(shè)定。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該絕緣層的厚度是設(shè)定為廣50微米，以使電性絕緣耐壓的程度達(dá)到300伏特或以上。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝所使用的散熱模塊，其特征在于，該至少一LED晶粒電性連接在該散熱模塊上的方式包含覆晶方式及導(dǎo)線方式。
8.一種發(fā)光二極管封裝，其特征在于，包含: 至少一 LED晶粒，各晶粒上設(shè)有至少二不同電極的焊墊；及 一散熱模塊，其是利用權(quán)利要求1至7中任一項所述的散熱模塊所構(gòu)成，包含一承載基板、一絕緣層及一線路層，供該至少一 LED晶粒電性連接在該散熱模塊上以形成一 LED封裝； 其中當(dāng)該至少一 LED晶粒發(fā)光并產(chǎn)生熱能時，通過該散熱模塊的絕緣層以將該熱能傳導(dǎo)至該散熱模塊的承載基板并向外散熱。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED封裝，其特征在于，該散熱模塊的承載基板上進(jìn)一步設(shè)有至少一散熱導(dǎo)孔，該散熱導(dǎo)孔是由該承載基板上所設(shè)的貫穿孔且該貫穿孔內(nèi)填滿熱導(dǎo)材所構(gòu)成，其中該散熱導(dǎo)孔的上端是與該絕緣層連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED封裝，其特征在于，該散熱模塊的承載基板的相對于該絕緣層的另一表面上更設(shè)置一金屬接著層，以使該散熱模塊通過該金屬接著層以貼合于一散熱器的表面上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的LED封裝，其特征在于，該金屬接著層是包含散熱貼片、散熱膏。
12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED封裝，其特征在于，該散熱模塊是緊密貼合于一散熱器的表面上。
13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的LED封裝，其特征在于，該散熱模塊的承載基板是以一散熱器的表面所取代。`
【文檔編號】H01L33/48GK103515508SQ201210208140
【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月19日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月19日
【發(fā)明者】宋大侖, 賴東昇 申請人:茂邦電子有限公司