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      微電流保護元件結構的制作方法

      文檔序號:7243247閱讀:168來源:國知局
      微電流保護元件結構的制作方法
      【專利摘要】一種微電流保護元件結構,包括:一絕緣基材,用以形成微電流保護元件結構的主體;至少一熔絲部,其由導電材料所制成,設于該基材的面上;二端電極,其設于該基材的端緣,分別與該熔絲部電連接,用以形成導電電極;至少一保護體,其覆蓋于該熔絲部上,用以達成保護作用。借助本發(fā)明而達到一種可使用于微電流電路中的微電流保護元件結構的目的。
      【專利說明】微電流保護元件結構
      【技術領域】
      [0001]本發(fā)明為一種電流保護元件結構,尤指一種可使用于微電流電路中的微電流保護元件結構。
      【背景技術】
      [0002]目前,傳統(tǒng)的電流保護元件,由于結構上的設計并不具由高阻值材料所制成的熔斷元素,產品精密度不高,可靠性也不足,因而不適合作為使用于微電流電路中的保險絲,此外,傳統(tǒng)的電流保護元件使用上還有易爆開而導致安全性不足的問題,以及無法控制保險絲的熔斷位置及熔斷特性等缺點,而上述均造成使用者的不便及困擾。
      [0003]故實有必要就此上述缺點重新設計,有鑒于此,如何將上述缺點加以摒除,即為本發(fā)明人所欲解決的技術困難點之所在;是而,本發(fā)明人基于多年從事相關產品設計的經驗,有感于上述傳統(tǒng)用品的不便,終于可以摒除傳統(tǒng)電流保護元件結構的諸多缺點,成功研發(fā)完成本發(fā)明,并使本發(fā)明得以誕生,以增進功效。

      【發(fā)明內容】

      [0004]有鑒于上述的缺點,本發(fā)明提供一種微電流保護元件結構,包括:一基材,用以形成微電流保護元件結構的主體;至少一熔絲部,其由導電材料所制成,設于該基材的面上;兩個端電極,其設于該基材的端緣,分別與該熔絲部電連接,用以形成導電電極;至少一保護體,其覆蓋于該熔絲部上,用以達成保護作用。
      [0005]如上述的微電流保護元件結構,所述熔絲部為兩個,分別設于該基材的上下兩個表面上,且在各該熔絲部外部設有一個該保護體。
      [0006]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是該導電材料為純金屬、金屬合金、混合金屬或聞分子導電材料。
      [0007]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是該基材的材料為低溫共燒陶瓷、氧化鋁、氮化鋁、玻璃纖維或高分子絕緣材料。
      [0008]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是該熔絲部可借助蝕刻、激光、點膠或印刷方式修整成預定形狀,而控制熔斷位置及熔斷特性。
      [0009]本發(fā)明另提供一種微電流保護元件結構,包括:一基材,其包括上層部及下層部,用以形成微電流保護元件結構的主體;一熔絲部,其由導電材料所制成,設于該上層部與下層部之間;兩個端電極,其設于該基材的端緣,分別與該熔絲部電連接,用以形成導電電極。
      [0010]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是,更進一步于相鄰該熔絲部的表面與該基材之間設有至少一空穴,用以形成該熔絲部的熔斷空間。
      [0011]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是,該高阻值材料為純金屬、金屬合金、混合金屬或高分子導電材料。
      [0012]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是,該基材的材料為低溫共燒陶瓷、氧化招、氮化招、玻璃纖維或高分子絕緣材料。[0013]如上述的微電流保護元件結構,較佳的是,該熔絲部可借助蝕刻、激光、點膠或印刷方式修整成預定形狀,而控制熔斷位置及熔斷特性。
      [0014]本發(fā)明的主要目的在于提供一種可使用于微電流電路中的微電流保護元件結構。
      [0015]本發(fā)明的次要目的在于提供一種更具安全性的微電流保護元件結構。
      [0016]本發(fā)明的另一目的在于提供一種可控制熔斷位置及熔斷特性的微電流保護元件結構。
      【專利附圖】

      【附圖說明】
      [0017]圖1為本發(fā)明的第一實施例示意圖。
      [0018]圖2為本發(fā)明的第二實施例示意圖。
      [0019]圖3為本發(fā)明的第三實施例示意圖。
      [0020]圖4為本發(fā)明的第四實施例示意圖。
      [0021]圖5為本發(fā)明的第五實施例示意圖。
      [0022]圖6為傳統(tǒng)電流保護元件與本發(fā)明的額定電流-電阻曲線示意圖。
      [0023]其中:
      10微電流保護元件結構11基材
      12熔絲部13端電極
      14保護體20微電流保護元件結構
      21基材211上層部
      212下層部22熔絲部
      23端電極24空穴
      a直線b直線
      A范圍B范圍。
      【具體實施方式】
      [0024]以下借助特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式,所屬【技術領域】中具有通常知識者可由本說明書所揭示的內容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點與功效。
      [0025]請參閱圖1,圖1為本發(fā)明的第一實施例示意圖,如圖所示,本發(fā)明的微電流保護元件結構10包括:一絕緣基材11,用以形成微電流保護元件結構10的主體;至少一熔絲部12,其由導電材料所制成,設于鄰近基材11的一個面上;二端電極13,其設于基材11的端緣,分別與熔絲部12電連接,用以形成導電電極;至少一保護體14,其覆蓋于熔絲部12上,用以達成保護作用,其中高阻值材料可為純金屬、金屬合金、混合金屬或高分子導電材料而成,而基材11的材料可為低溫共燒陶瓷(LTCC)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、玻璃纖維或高分子絕緣材料。借助本發(fā)明而達到一種可使用于微電流電路中的微電流保護元件結構的目的。
      [0026]請參閱圖2,圖2為本發(fā)明的第二實施例示意圖,如圖所示,本發(fā)明的微電流保護元件結構,其中熔絲部12,其可設于鄰近基材11的二個面上,而使基材11的上下二面均具有熔絲部12,再分別以保護體14覆蓋于熔絲部12上。
      [0027]請參閱圖3,圖3為本發(fā)明的第三實施例示意圖,如圖所示,本發(fā)明的微電流保護元件結構,其中熔絲部12可借助蝕刻、激光、點膠或印刷方式修整成預定形狀,而控制熔斷位置及熔斷特性。
      [0028]請參閱圖4,圖4為本發(fā)明的第四實施例示意圖,如圖所示,本發(fā)明的另一種微電流保護元件結構20,包括:一絕緣基材21,其由上層部211及下層部212組成,用以形成微電流保護元件結構的主體;一熔絲部22,其由導電材料所制成,設于上層部211與下層部212之間;二端電極23,其設于基材21的端緣,分別與熔絲部22電連接,用以形成導電電極,其中高阻值材料可為純金屬、金屬合金、混合金屬或高分子導電材料而成,而基材21的材料可為低溫共燒陶瓷(LTCC)、氧化鋁(Al2O3)、氮化鋁(AlN)、玻璃纖維或高分子材料。借助本發(fā)明而達到一種可使用于微電流電路中的微電流保護元件結構的目的。
      [0029]請參閱圖5,圖5為本發(fā)明的第五實施例示意圖,如圖所示,本發(fā)明的另一種微電流保護元件結構,其中相鄰熔絲部22的表面處設有至少一空穴24,用以形成熔絲部22的熔斷空間,而使得本發(fā)明微電流保護元件結構于熔斷時不會爆開,更具安全性。
      [0030]請參閱圖6,圖6為傳統(tǒng)電流保護元件與本發(fā)明的額定電流-電阻曲線示意圖,如圖所示,直線a表示傳統(tǒng)電流保護元件的額定電流-電阻曲線,直線b表示本發(fā)明的額定電流-電阻曲線,范圍A表示傳統(tǒng)電流保護元件的制程范圍,范圍B表示本發(fā)明的制程范圍,由圖6清楚可見本發(fā)明的微電流保護元件結構利用不同材料特性及結構而可運用于微電流電路中。
      [0031]但以上所述的具體實施例,僅用于例釋本發(fā)明的特點及功效,而非用以限定本發(fā)明的可實施范疇,在未脫離本發(fā)明上揭的精神與技術范疇下,任何運用本發(fā)明所揭示內容而完成的等效改變及修飾,均仍應為下述的權利要求所涵蓋。
      【權利要求】
      1.一種微電流保護元件結構,其特征在于,包括: 一個絕緣基材,用以形成微電流保護元件結構的主體; 至少一個熔絲部,其由導電材料所制成,設于該基材的一個面上; 兩個端電極,其設于該基材的端緣,分別與該熔絲部電連接,用以形成導電電極; 至少一個保護體,其覆蓋于該熔絲部上。
      2.如權利要求1所述的微電流保護元件結構,其特征在于,所述熔絲部為兩個,分別設于該基材的上下兩個表面上,且在各該熔絲部外部設有一個該保護體。
      3.如權利要求1或2所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該導電材料為純金屬、金屬合金、混合金屬或高分子導電材料。
      4.如權利要求1或2所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該絕緣基材的材料為低溫共燒陶瓷、氧化鋁、氮化鋁、玻璃纖維或高分子絕緣材料。
      5.如權利要求1或2所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該熔絲部借助蝕刻、激光、點膠或印刷方式修整成預定形狀。
      6.一種微電流保護元件結構,其特征在于,包括: 一個絕緣基材,其包括上層部及下層部,用以形成微電流保護元件結構的主體; 一個熔絲部,其由導電材料所制成,設于該上層部與下層部之間; 兩個端電極,其設于該基材的端緣,分別與該熔絲部電連接,用以形成導電電極。
      7.如權利要求6所述的微電流保護元件結構,其特征在于,更進一步于該熔絲部的表面與該基材之間設有至少一個空穴,用以形成該熔絲部的熔斷空間。
      8.如權利要求6所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該導電材料為純金屬、金屬合金、混合金屬或高分子導電材料。
      9.如權利要求6所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該絕緣基材的材料為低溫共燒陶瓷、氧化鋁、氮化鋁、玻璃纖維或高分子絕緣材料。
      10.如權利要求6所述的微電流保護元件結構,其特征在于,該熔絲部借助蝕刻、激光、點膠或印刷方式修整成預定形狀。
      【文檔編號】H01H85/05GK103515165SQ201210215678
      【公開日】2014年1月15日 申請日期:2012年6月27日 優(yōu)先權日:2012年6月27日
      【發(fā)明者】邱鴻智 申請人:功得電子工業(yè)股份有限公司
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