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      大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片的制作方法

      文檔序號(hào):7102598閱讀:108來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種氮化鋁陶瓷衰減片,特別涉及一種大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片。
      背景技術(shù)
      目前大多數(shù)通訊基站都是應(yīng)用大功率陶瓷負(fù)載片來(lái)吸收通信部件中反向輸入功率,大功率陶瓷負(fù)載片只能單純地消耗吸收多余的功率,而無(wú)法對(duì)基站的工作狀況做實(shí)時(shí)的監(jiān)控,當(dāng)基站工作發(fā)生故障時(shí)無(wú)法及時(shí)地作出判斷,并對(duì)設(shè)備沒(méi)有保護(hù)作用。衰減片不但能在通信基站中可吸收通信部件中反向輸入的功率,而且能夠抽取通 信部件中部分信號(hào),對(duì)基站進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)控,對(duì)設(shè)備有保護(hù)作用,但目前國(guó)內(nèi)100瓦20dB的氮化鋁陶瓷衰減片,其衰減精度不僅大多只能做到IG頻率以內(nèi),少數(shù)能做到2G,且衰減精度和設(shè)備配備的VSWR較難控制,市場(chǎng)對(duì)衰減精度的要求高,當(dāng)衰減精度達(dá)不到要求時(shí)或VSWR達(dá)不到要求時(shí),輸出端得到的信號(hào)不符合實(shí)際要求。當(dāng)頻段高于2G時(shí),國(guó)內(nèi)的衰減片,其衰減精度更將滿足不了要求。我們希望的衰減器是一個(gè)功率消耗元件,不能對(duì)兩端電路有影響,也就是說(shuō),與兩端電路都是匹配的。目前市場(chǎng)上的衰減片當(dāng)使用頻段高于2G時(shí),其衰減精度達(dá)不到要求,回波損耗變大,滿足不了 2G以上的頻段應(yīng)用要求。出現(xiàn)上述問(wèn)題主要是因?yàn)閲?guó)內(nèi)100瓦20dB衰減片的設(shè)計(jì)原因,并且抗高低溫沖擊性能差,當(dāng)完成高低溫沖擊實(shí)驗(yàn)后,阻抗和衰減精度偏出了實(shí)際要求的范圍,這樣就使的衰減精度滿足不了要求。

      發(fā)明內(nèi)容
      針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種衰減精度高,能在3G頻段內(nèi)使用的大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片。為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其包括一氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層,所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線,所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路,所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。優(yōu)選的,所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。優(yōu)選的,所述導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。優(yōu)選的,所述衰減電路采用易焊接的大焊盤設(shè)計(jì)。優(yōu)選的,所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過(guò)低溫銀漿連接。上述技術(shù)方案具有如下有益效果該大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片增大了電阻面積,增大焊盤,這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加,焊接性便利性和強(qiáng)度也明顯提高,通過(guò)優(yōu)化電路設(shè)計(jì),產(chǎn)品性能指標(biāo)符合也符合要求。同時(shí)拉開(kāi)了電阻和焊盤的距離,避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷,避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn).
      上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,并可依照說(shuō)明書的內(nèi)容予以實(shí)施,以下以本發(fā)明的較佳實(shí)施例并配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如后。本發(fā)明的具體實(shí)施方式
      由以下實(shí)施例及其附圖詳細(xì)給出。


      圖I為本發(fā)明實(shí)施例正面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例背面的結(jié)構(gòu)示意圖。圖3為本發(fā)明實(shí)施例正面與背面連接的結(jié)構(gòu)示意圖。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)介紹。如圖I、2所示,該大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片包括一氮化鋁基板I,·氮化鋁基板I的背面印刷有導(dǎo)體層5,導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。氮化鋁基板I的正面印刷有電阻R1、R2、R3、R4、R5及銀漿導(dǎo)線2,銀漿導(dǎo)線2將電阻R1、R2、R3、R4、R5連接起來(lái)形成一 TT型結(jié)構(gòu)的衰減電路,電阻R1、R2、R3、R4、R5上均印刷有玻璃保護(hù)膜3,玻璃保護(hù)膜3用于保護(hù)電阻Rl、R2、R3、R4、R5。在整個(gè)電路即銀漿導(dǎo)線2及玻璃保護(hù)膜3的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜4,黑色保護(hù)膜4可對(duì)整個(gè)電路進(jìn)行包括,黑色保護(hù)膜4上還可印刷品牌和型號(hào)。如圖3所示,銀漿導(dǎo)線2與導(dǎo)體層5通過(guò)銀漿6連接,這樣整個(gè)電路即可導(dǎo)通。該大喊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片要求輸入端和接地的阻抗為50 ± I. 5 Q,輸出端和接地端的阻抗為50±1. 5Q。信號(hào)從輸入端進(jìn)入衰減片,經(jīng)過(guò)電阻Rl,R2,R5,R3,R4對(duì)功率的逐步吸收,使輸出端輸出實(shí)際所需要的信號(hào)。該大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片增大了 R3、R4面積,并且使電阻R3、R4和輸出端空出一段距離,這樣使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加,使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷,避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn),改善了電路的設(shè)計(jì)。以上對(duì)本發(fā)明實(shí)施例所提供的一種大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片進(jìn)行了詳細(xì)介紹,對(duì)于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員,依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的思想,在具體實(shí)施方式
      及應(yīng)用范圍上均會(huì)有改變之處,綜上所述,本說(shuō)明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對(duì)本發(fā)明的限制,凡依本發(fā)明設(shè)計(jì)思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
      權(quán)利要求
      1.一種大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其特征在于其包括一氮化鋁基板,所述氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層,所述氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線,所述銀漿導(dǎo)線連接所述電阻形成衰減電路,所述電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。
      2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其特征在于所述銀漿導(dǎo)線及玻璃保護(hù)膜的上表面還印刷有一層黑色保護(hù)膜。
      3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其特征在于所述導(dǎo)體層由印刷銀漿印刷而成。
      4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其特征在于所述衰減電路采用易焊接的大焊盤設(shè)計(jì)。
      5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其特征在于所述銀漿導(dǎo)線與所述導(dǎo)體層通過(guò)銀漿連接。
      全文摘要
      本發(fā)明公開(kāi)了一種大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片,其包括一氮化鋁基板,氮化鋁基板的背面印刷有導(dǎo)體層,氮化鋁基板的正面印刷有數(shù)個(gè)電阻及銀漿導(dǎo)線,銀漿導(dǎo)線連接電阻形成衰減電路,電阻上印刷有玻璃保護(hù)膜。該大焊盤氮化鋁陶瓷基板100瓦20dB衰減片增大了電阻面積,使得衰減片的抗高低溫沖擊性能增加,使產(chǎn)品性能指標(biāo)符合要求,其大焊盤設(shè)計(jì),比目前市場(chǎng)上的100瓦20dB具有更好的焊接性和更強(qiáng)的焊接強(qiáng)度。同時(shí)避免了在輸出端焊接引線時(shí)高溫對(duì)電阻淬傷,避免了因電阻被淬傷在實(shí)際使用過(guò)程中會(huì)壞掉的風(fēng)險(xiǎn),改善了電路的設(shè)計(jì),從而使得產(chǎn)品可以應(yīng)用于3G網(wǎng)絡(luò)。
      文檔編號(hào)H01P1/22GK102709649SQ20121021664
      公開(kāi)日2012年10月3日 申請(qǐng)日期2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年6月28日
      發(fā)明者陳建良 申請(qǐng)人:蘇州市新誠(chéng)氏電子有限公司
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