專利名稱：一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)，具體是指一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)：
商業(yè)化的太陽(yáng)電池背面需要絲網(wǎng)印刷鋁漿，經(jīng)過(guò)高溫?zé)Y(jié)后背面形成一層P+的濃擴(kuò)散層，和襯底的形成P+P^結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生一個(gè)和pn結(jié)內(nèi)建電場(chǎng)方向相同電場(chǎng)強(qiáng)度較弱的內(nèi)建電場(chǎng)，對(duì)基區(qū)中少數(shù)載流子電子起到背面反射的作用，減少了向背表面的擴(kuò)散復(fù)合損失，因此P+P_結(jié)構(gòu)能提高光生電壓和短路電流。此外鋁背場(chǎng)還具有吸雜的作用，能吸除體內(nèi)的雜質(zhì)和缺陷。但是鋁背場(chǎng)具有高復(fù)合和低反射的特性，限制了商業(yè)化太陽(yáng)電池效率的提升， 因此出現(xiàn)了一些背面鈍化的高效晶體硅電池。在現(xiàn)有技術(shù)，太陽(yáng)電池生產(chǎn)方法簡(jiǎn)單，產(chǎn)能較大，但電池的效率不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其背面鈍化層采用二氧化硅或碳化硅或非晶硅的單層結(jié)構(gòu)或者背面鈍化層采用三氧化二鋁/氮化硅、二氧化硅/氮化硅、碳化硅/氮化硅、非晶硅/氮化硅、三氧化鋁/氮化硅疊層結(jié)構(gòu)，在鈍化層上絲網(wǎng)印刷具有腐蝕性的銀鋁漿料，燒結(jié)時(shí)同時(shí)實(shí)現(xiàn)對(duì)背面鈍化層開(kāi)口和在電極接觸點(diǎn)形成局域鋁背場(chǎng)，這樣一方面有效的降低了金屬半導(dǎo)體接觸點(diǎn)的接觸電阻，同時(shí)對(duì)接觸點(diǎn)金屬區(qū)域形成局域鋁背場(chǎng)進(jìn)行有效鈍化，降低了背表面復(fù)合速率，顯著提高了電池的轉(zhuǎn)換效率；此外由于背表面只有部分區(qū)域被金屬化覆蓋，從背面的入射光也可以用來(lái)發(fā)電，這就形成了雙面太陽(yáng)電池結(jié)構(gòu)，增加了實(shí)際發(fā)電量。本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)方案如下一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，包括如下步驟；
步驟I :對(duì)硅片進(jìn)行前清洗與制絨；前清洗以去除硅片表面的損傷層為準(zhǔn)，同時(shí)在電池正表面制成絨面；
步驟2 :以上述硅片作為硅襯底淀積摻雜源并進(jìn)行擴(kuò)散制備p-n結(jié)；
步驟3 :后清洗，以去除背結(jié)、周邊和磷硅玻璃為準(zhǔn)；
步驟4 :在硅片的正面蒸鍍減反膜；
步驟5 :在硅片的背面形成背面鈍化層，背面鈍化層采用硅化物作為鈍化層或者采用與硅片處理工藝相兼容且和硅片表面形成良好的鈍化特性的材料作為鈍化層；其中優(yōu)先選用三氧化二這種非硅化物的鈍化材料作為鈍化層，如果有硅化物，優(yōu)先選用硅化物作為鈍化層；
步驟6 :在硅片的背面采用局域絲網(wǎng)印刷方法形成柵線，然后燒結(jié)實(shí)現(xiàn)局鋁背場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)柵線和硅片的良好接觸為準(zhǔn)，所述柵線包括軸線互相垂直且接觸的背面主柵和細(xì)柵線，細(xì)柵線為高穿透性的銀鋁漿柵線；步驟7 :采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷的方法，在電池正面制作正面電極；
步驟8 :燒結(jié)火退火以便形成良好的歐姆接觸；
步驟9 :測(cè)試、分選。步驟2中的摻雜源為含磷摻雜劑的化合物或混合物；其淀積方法為噴涂或印刷或氣態(tài)源擴(kuò)散。在步驟5中，當(dāng)背面鈍化層的層數(shù)為I層時(shí)
背面鈍化層為三氧化二鋁鈍化層或者[11]
當(dāng)背面鈍化層為層數(shù)是2的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)
背面鈍化層的里層為三氧化二鋁鈍化層或二氧化硅鈍化層或碳化硅或非晶硅鈍化層， 外層為氮化娃鈍化層；
[12]其中里層位于硅片背面與外層之間。采用上述結(jié)構(gòu)作為鈍化層可大大降低了背表面復(fù)合速率，提高紅外光背反射率。在步驟5中，背面鈍化層的形成方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法(PECVD)或者濺射法或者溶膠凝膠法或者原子層沉積法(ALD)。在步驟6中，若先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線時(shí)，背面主柵為非穿透性銀漿柵線；若印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行時(shí)，背面主柵為穿透性銀鋁漿柵線。在步驟4中，所述減反膜采用氮化硅薄膜或者采用大折射率、且與硅處理工藝相兼容、與硅有良好界面特性的材料A。材料A為可見(jiàn)光透明的介電材料。材料A為TiO2材料或Al2O3材料或SiNxCy材料或SiNxOy材料。其特征在于所述硅片為P型硅片。在步驟3中，去除背結(jié)和周邊的方法為采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液去除背結(jié)和周邊，去除磷硅玻璃的方法為采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液去除磷硅玻璃。為降低光生載流子的復(fù)合速，需要對(duì)硅片進(jìn)行前清洗與制絨，去除硅片表面的損傷層，同時(shí)為了降低反射率，需要在電池正表面制成絨面。一般的具體操作時(shí)，一般先用化學(xué)溶液對(duì)P型硅片表面進(jìn)行前清洗，去除表面損傷層，同時(shí)形成減反絨面結(jié)構(gòu)；一般去除表面損傷層的厚度為3飛um。然后將P型硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐管中，采用三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散，形成p-n結(jié)，其擴(kuò)散方阻為30 120歐姆；
再采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液去除背結(jié)和周邊，采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液去除磷硅玻璃和金屬離子；
在電池的正面，PECVD制備雙層氮化硅減反射膜；
在電池的背面，ALD制備三氧化二鋁膜，厚度為25-35nm ;—般三氧化二鋁膜的厚度達(dá)到30nm即可。然后在硅片的背面采用局域絲網(wǎng)印刷方法形成柵線，形成柵線的方法為2種，一種是先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線，若先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線時(shí)，背面主柵采用非穿透性銀漿印刷形成非穿透性銀漿柵線，以此來(lái)制備背面電極；一種是印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行，若印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行，背面主柵采用穿透性銀鋁漿印刷形成穿透性銀鋁漿柵線；一般細(xì)柵線的寬度為70-90 ym，金屬化面積占背面面積3-10%,;在上述兩種方法中細(xì)柵線均采用穿透性銀鋁漿印刷形成穿透性銀鋁漿柵線，以此來(lái)形成局域鋁背場(chǎng)。在上兩種方法中，均進(jìn)行區(qū)域性印刷，因此形成后的電池背表面只有部分區(qū)域被金屬覆蓋，從電池背面入射的光同樣可以產(chǎn)生電能，這樣就形成雙面電池結(jié)構(gòu)，可有效增加實(shí)際工作發(fā)電效率。同時(shí)在背面鈍化層上絲網(wǎng)印刷高穿透性的銀鋁漿，形成自對(duì)準(zhǔn)的局域鋁背場(chǎng)，可實(shí)現(xiàn)好的歐姆接觸。然后絲網(wǎng)印刷正面電極；燒結(jié)以形成良好的歐姆接觸；
最后進(jìn)行測(cè)試和分選。在本發(fā)明中。相比常規(guī)的太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝，本發(fā)明太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝增加了背面鈍化層，可以大大降低背表面的復(fù)合速率，提高背反射，增加光生載流子的收集。本發(fā)明絲網(wǎng)印刷具有腐蝕性的銀鋁漿于背面鈍化層上，燒結(jié)時(shí)銀鋁漿穿透鈍化層 對(duì)背表面進(jìn)行反應(yīng)，與硅接觸自對(duì)準(zhǔn)形成局域鋁背場(chǎng)。與光刻、激光燒結(jié)、激光開(kāi)口等工藝相比，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)。電池背表面只有部分區(qū)域被金屬覆蓋，從電池背面入射的光同樣可以產(chǎn)生電能，這樣就形成雙面電池結(jié)構(gòu)，可有效增加實(shí)際工作發(fā)電效率。溶膠凝膠法為用含高化學(xué)活性組分的化合物作前驅(qū)體，在液相下將這些原料均勻混合，并進(jìn)行水解、縮合化學(xué)反應(yīng)，在溶液中形成穩(wěn)定的透明溶膠體系，溶膠經(jīng)陳化膠粒間緩慢聚合，形成三維空間網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的凝膠，凝膠網(wǎng)絡(luò)間充滿了失去流動(dòng)性的溶劑，形成凝膠，凝膠經(jīng)過(guò)干燥、燒結(jié)固化制備出分子乃至納米亞結(jié)構(gòu)的材料。等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD):等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)技術(shù)是借助于輝光放電等離子體使含有薄膜組成的氣態(tài)物質(zhì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)薄膜材料生長(zhǎng)的一種新的制備技術(shù)。濺射法利用帶電離子在電場(chǎng)中加速后具有一定的動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向被濺射的物資制成的靶材，入射的離子與靶面原子碰撞過(guò)程中將后者濺射出來(lái)，被濺射出來(lái)的原子將沿一定的方向射向沉底，從而實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的沉積，形成濺射法制備的薄膜。原子層沉積法(ALD):是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍?cè)诨妆砻娴姆椒āＴ訉映练e與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過(guò)程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。本發(fā)明使用的設(shè)備和傳統(tǒng)的太陽(yáng)電池設(shè)備相兼容，不需要增加設(shè)備，工藝成本較低，產(chǎn)能較大，具有非常好的產(chǎn)業(yè)前景。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以大大降低背表面的復(fù)合速率，提高背反射，增加光生載流子的收集。與光刻、激光燒結(jié)、激光開(kāi)口等工藝相比，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)?？捎行г黾訉?shí)際工作發(fā)電效率。本發(fā)明使用的設(shè)備和傳統(tǒng)的太陽(yáng)電池設(shè)備相兼容，不需要增加設(shè)備，工藝成本較低，產(chǎn)能較大，具有非常好的產(chǎn)業(yè)前景。


圖I是本發(fā)明形成后的背面絲網(wǎng)印刷圖形。圖中的標(biāo)號(hào)分別表示為1、背面主柵；2、細(xì)柵線。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例一
如圖I所示。實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的步驟可依次為前清洗、制絨一擴(kuò)散制PN結(jié)一周邊和背面刻蝕一蒸鍍正面SiNx減反膜一蒸鍍背面Al2O3鈍化膜或/和SiNx鈍化膜或其他鈍化膜一絲網(wǎng)印刷背電極一絲網(wǎng)印刷正電極一燒結(jié)。即，一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，
一般來(lái)說(shuō)包括如下步驟；
步驟I :對(duì)硅片進(jìn)行前清洗與制絨；前清洗以去除硅片表面的損傷層為準(zhǔn)，同時(shí)在電池正表面制成絨面；
步驟2 :以上述硅片作為硅襯底淀積摻雜源并進(jìn)行擴(kuò)散制備p-n結(jié)；
步驟3 :后清洗，以去除背結(jié)、周邊和磷硅玻璃為準(zhǔn)；
步驟4 :在硅片的正面蒸鍍減反膜；
步驟5 :在硅片的背面形成背面鈍化層，背面鈍化層采用硅化物作為鈍化層或者采用與硅片處理工藝相兼容且和硅片表面形成良好的鈍化特性的材料作為鈍化層；
步驟6 :在硅片的背面采用局域絲網(wǎng)印刷方法形成柵線，然后燒結(jié)實(shí)現(xiàn)局鋁背場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)柵線和硅片的良好接觸為準(zhǔn)，所述柵線包括軸線互相垂直且接觸的背面主柵和細(xì)柵線，細(xì)柵線為高穿透性的銀鋁漿柵線；
步驟7 :采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷的方法，在電池正面制作正面電極；
步驟8 :燒結(jié)火退火以便形成良好的歐姆接觸；
步驟9 :測(cè)試、分選。步驟2中的摻雜源為含磷摻雜劑的化合物或混合物；其淀積方法為噴涂或印刷或氣態(tài)源擴(kuò)散。在步驟5中，當(dāng)背面鈍化層的層數(shù)為I層時(shí)
背面鈍化層為三氧化二鋁鈍化層二氧化硅鈍化層或者碳化硅鈍化層或者非晶硅鈍化
層；
當(dāng)背面鈍化層為層數(shù)是2的疊層結(jié)構(gòu)時(shí)
背面鈍化層的里層為三氧化二鋁鈍化層或二氧化硅鈍化層、外層為氮化硅；
或者背面鈍化層的里層為碳化硅鈍化層、外層為氮化硅鈍化層；
或者背面鈍化層的里層為非晶硅鈍化層、氮化硅鈍化層；
其中里層位于硅片背面與外層之間。采用上述結(jié)構(gòu)作為鈍化層可大大降低了背表面復(fù)合速率，提高紅外光背反射率。在步驟5中，背面鈍化層的形成方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積法(PECVD)或者濺射法或者溶膠凝膠法或者原子層沉積法(ALD)。在步驟6中，若先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線時(shí)，背面主柵為非穿透性銀漿柵線；若印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行時(shí)，背面主柵為穿透性銀鋁漿柵線。在步驟4中，所述減反膜采用氮化硅薄膜或者采用大折射率、且與硅處理工藝相兼容、與硅有良好界面特性的材料A。材料A為可見(jiàn)光透明的介電材料。材料A為TiO2材料或Al2O3材料或SiNxCy材料或SiNxOy材料。
其特征在于所述硅片為P型硅片。在步驟3中，去除背結(jié)和周邊的方法為采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液去除背結(jié)和周邊，去除磷硅玻璃的方法為采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液去除磷硅玻璃。為降低光生載流子的復(fù)合速，需要對(duì)硅片進(jìn)行前清洗與制絨，去除硅片表面的損傷層，同時(shí)為了降低反射率，需要在電池正表面制成絨面?！愕木唧w操作時(shí)，一般先用化學(xué)溶液對(duì)P型硅片表面進(jìn)行前清洗，去除表面損傷層，同時(shí)形成減反絨面結(jié)構(gòu)；一般去除表面損傷層的厚度為3 5um。然后將P型硅片放進(jìn)擴(kuò)散爐管中，采用三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散，形成p-n結(jié)，其擴(kuò)散方阻為30 120歐姆；
再采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液去除背結(jié)和周邊，采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液去除磷硅玻璃和金屬離子；·
在電池的正面，PECVD制備雙層氮化硅減反射膜；
在電池的背面，ALD制備三氧化二鋁膜，厚度為30nm 般三氧化二鋁膜的厚度達(dá)到30nm即可。然后在硅片的背面采用局域絲網(wǎng)印刷方法形成柵線，先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線，背面主柵采用非穿透性銀漿印刷形成非穿透性銀漿柵線，以此來(lái)制備背面電極；柵線的條數(shù)為72根，一般細(xì)柵線的寬度為80 u m,金屬化面積占背面面積4%，；細(xì)柵線采用穿透性銀鋁漿印刷形成穿透性銀鋁漿柵線，以此來(lái)形成局域鋁背場(chǎng)。在上述方法中，進(jìn)行區(qū)域性印刷，因此形成后的電池背表面只有部分區(qū)域被金屬覆蓋，從電池背面入射的光同樣可以產(chǎn)生電能，這樣就形成雙面電池結(jié)構(gòu)，可有效增加實(shí)際工作發(fā)電效率。同時(shí)在背面鈍化層上絲網(wǎng)印刷高穿透性的銀鋁漿，形成自對(duì)準(zhǔn)的局域鋁背場(chǎng)，可實(shí)現(xiàn)好的歐姆接觸。然后絲網(wǎng)印刷正面電極；燒結(jié)以形成良好的歐姆接觸；
最后進(jìn)行測(cè)試和分選。在本發(fā)明中。相比常規(guī)的太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝，本發(fā)明太陽(yáng)電池生產(chǎn)工藝增加了背面鈍化層，可以大大降低背表面的復(fù)合速率，提高背反射，增加光生載流子的收集。本發(fā)明絲網(wǎng)印刷具有腐蝕性的銀鋁漿于背面鈍化層上，燒結(jié)時(shí)銀鋁漿穿透鈍化層對(duì)背表面進(jìn)行反應(yīng)，與硅接觸自對(duì)準(zhǔn)形成局域鋁背場(chǎng)。與光刻、激光燒結(jié)、激光開(kāi)口等工藝相比，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)。電池背表面只有部分區(qū)域被金屬覆蓋，從電池背面入射的光同樣可以產(chǎn)生電能，這樣就形成雙面電池結(jié)構(gòu)，可有效增加實(shí)際工作發(fā)電效率。本發(fā)明使用的設(shè)備和傳統(tǒng)的太陽(yáng)電池設(shè)備相兼容，不需要增加設(shè)備，工藝成本較低，產(chǎn)能較大，具有非常好的產(chǎn)業(yè)前景。實(shí)施例2，
本實(shí)施例與實(shí)施例I的區(qū)別在于先用化學(xué)溶液對(duì)P硅片進(jìn)行清洗和制絨，去除損傷層，形成織構(gòu)化減反結(jié)構(gòu)；在擴(kuò)散爐管中，采三氯氧磷液態(tài)源擴(kuò)散，形成P-N結(jié)；采用酸或堿的化學(xué)溶液清洗背結(jié)和周邊，采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液清洗磷硅玻璃；在電池的正面，PECVD制備氮化硅膜減反射膜；在電池的背面，PECVD制備三氧化二鋁/氮化硅疊層鈍化膜；然后進(jìn)行絲網(wǎng)印刷柵線，包括背面主柵和細(xì)柵線，印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行，背面主柵和印刷細(xì)柵線均采用穿透性銀鋁漿印刷形成穿透性銀鋁漿柵線；金屬化面積占總面積7% ；
最后絲網(wǎng)印刷正面電極；燒結(jié)以形成良好的歐姆接觸；測(cè)試、分選。本發(fā)明采用能穿透背面鈍化層的銀鋁漿對(duì)背表面進(jìn)行絲網(wǎng)印刷，形成背面柵線結(jié)構(gòu)，燒結(jié)后在柵線接觸區(qū)域形成局域鋁背場(chǎng)，實(shí)現(xiàn)低的電極接觸電阻，同時(shí)具有對(duì)柵線進(jìn)行鈍化的作用。太陽(yáng)電池工作時(shí)，電池產(chǎn)生的光生電流匯集到細(xì)柵線，再進(jìn)一步匯集背面主柵?；谏鲜鰞煞N方法，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的步驟可依次為前清洗、制絨一擴(kuò)散制PN結(jié)一周邊和背面刻蝕一蒸鍍正面SiNx減反膜一蒸鍍背面Al2O3或/和SiNx鈍化膜一絲網(wǎng)印刷背電極一絲網(wǎng)印刷正電極一燒結(jié)。
如上所述，則能很好的實(shí)現(xiàn)本發(fā)明。三氧化二鋁或者二氧化硅鈍化層或者碳化硅鈍化層或者非晶硅鈍化層 這里可以用以下兩種方式描述
(1)
背面鈍化層的里層為三氧化二鋁鈍化層或二氧化硅鈍化層或碳化硅或非晶硅、外層為氮化硅；
(2)
背面鈍化層的里層為三氧化二鋁鈍化層、外層為氮化硅；
背面鈍化層的里層為二氧化硅鈍化層、外層為氮化硅；
背面鈍化層的里層為碳化硅鈍化層、外層為氮化硅；
背面鈍化層的里層為非晶硅鈍化層、外層為氮化硅；
權(quán)利要求
1.一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于包括如下步驟； 步驟I:對(duì)硅片進(jìn)行前清洗與制絨；前清洗以去除硅片表面的損傷層為準(zhǔn)，同時(shí)在電池正表面制成絨面； 步驟2 :以上述硅片作為硅襯底淀積摻雜源并進(jìn)行擴(kuò)散制備p-n結(jié)； 步驟3 :后清洗，以去除背結(jié)、周邊和磷硅玻璃為準(zhǔn)； 步驟4 :在硅片的正面蒸鍍減反膜； 步驟5 :在硅片的背面形成背面鈍化層，背面鈍化層采用硅化物作為鈍化層或者采用與硅片處理工藝相兼容且和硅片表面形成良好的鈍化特性的材料作為鈍化層； 步驟6 :在硅片的背面采用局域絲網(wǎng)印刷方法形成柵線，然后燒結(jié)實(shí)現(xiàn)局鋁背場(chǎng)，以實(shí)現(xiàn)柵線和硅片的良好接觸為準(zhǔn)，所述柵線包括軸線互相垂直且接觸的背面主柵和細(xì)柵線，細(xì)柵線為高穿透性的銀鋁漿柵線； 步驟7 :采用常規(guī)的絲網(wǎng)印刷的方法，在電池正面制作正面電極； 步驟8 :燒結(jié)火退火以便形成良好的歐姆接觸； 步驟9 :測(cè)試、分選。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于步驟2中的摻雜源為含磷摻雜劑的化合物或混合物；其淀積方法為噴涂或印刷或氣態(tài)源擴(kuò)散。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于 在步驟5中，當(dāng)背面鈍化層的層數(shù)為I層時(shí) 背面鈍化層為三氧化二鋁鈍化層或者二氧化硅鈍化層或者碳化硅鈍化層或者非晶硅鈍化層； 當(dāng)背面鈍化層為層數(shù)是2的疊層結(jié)構(gòu)時(shí) 背面鈍化層的里層為三氧化二鋁鈍化層或二氧化硅鈍化層或碳化硅或非晶硅鈍化層，外層為氮化娃鈍化層； 其中里層位于硅片背面與外層之間。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于在步驟5中，背面鈍化層的形成方法為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)或者濺射法或者溶膠凝膠法或者原子層沉積法(ALD)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于在步驟6中，若先印刷背面主柵后印刷細(xì)柵線時(shí)，背面主柵為非穿透性銀漿柵線；若印刷背面主柵和印刷細(xì)柵線同時(shí)進(jìn)行時(shí)，背面主柵為穿透性銀鋁漿柵線。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于在步驟4中，所述減反膜采用氮化硅薄膜或者采用大折射率、且與硅處理工藝相兼容、與硅有良好界面特性的材料A。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于材料A為可見(jiàn)光透明的介電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于材料A為TiO2材料或Al2O3材料或SiNxCy材料或SiNxOy材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于所述硅片為P型硅片。
10.根據(jù)權(quán)利要求1-8中任意一項(xiàng)所述的一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，其特征在于在步驟3中，去除背結(jié)和周邊的方法為采用硝酸、氫氟酸和水的混合溶液去除背結(jié)和周邊，去除磷硅玻璃的方法為采用鹽酸、氫氟酸和水的混合溶液去除磷硅玻璃。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種背面鈍化雙面太陽(yáng)電池的生產(chǎn)方法，實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的步驟可依次為前清洗、制絨→擴(kuò)散制PN結(jié)→周邊和背面刻蝕→蒸鍍正面SiNx減反膜→蒸鍍背面鈍化膜或/和SiNx[l1] 鈍化膜或其他鈍化膜→絲網(wǎng)印刷背電極→絲網(wǎng)印刷正電極→燒結(jié)。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于可以大大降低背表面的復(fù)合速率，提高背反射，增加光生載流子的收集。與光刻、激光燒結(jié)、激光開(kāi)口等工藝相比，工藝過(guò)程簡(jiǎn)單，適合批量生產(chǎn)?？捎行г黾訉?shí)際工作發(fā)電效率。本發(fā)明使用的設(shè)備和傳統(tǒng)的太陽(yáng)電池設(shè)備相兼容，不需要增加設(shè)備，工藝成本較低，產(chǎn)能較大，具有非常好的產(chǎn)業(yè)前景。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102800745SQ20121022810
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2012年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2012年7月4日
發(fā)明者路忠林, 李麗, 許佳平, 吳昕, 王嵐, 盛雯婷, 張鳳鳴 申請(qǐng)人:天威新能源控股有限公司, 保定天威集團(tuán)有限公司