發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片以及熒光粉。該第一發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光具有第一波長(zhǎng)。該第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光具有第二波長(zhǎng)。該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)均分布在380納米至480納米之間，且該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)之差小于等于15納米。該熒光粉位于該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片的出光路徑上，該熒光粉的激發(fā)波長(zhǎng)分布在550納米至560納米之間，該熒光粉在第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的激發(fā)下，將該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
【專利說明】發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
【背景技術(shù)】
[0002]發(fā)光二極管(LED，Light Emitting Diode)以其亮度高、工作電壓低、功耗小、易與集成電路匹配、驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)，從而可作為光源而廣泛應(yīng)用于照明領(lǐng)域，具體可參見 Jos 印 h Bielecki 等人在文獻(xiàn) 2007 IEEE, 23rd IEEE SEM1-THERM Symposium 中的Thermal Considerations for LED Components in an Automotive Lamp 一文。發(fā)光二極管是一種可將電流轉(zhuǎn)換成特定波長(zhǎng)范圍的光的半導(dǎo)體元件。
[0003]一般發(fā)光二極管晶粒在磊晶制程中會(huì)因?yàn)闅怏w發(fā)散不均，導(dǎo)致單一晶圓的不同區(qū)域具有不同晶格質(zhì)量，即同一晶圓的不同區(qū)域的發(fā)光二極管晶粒具有不同晶格質(zhì)量。不同晶格質(zhì)量的發(fā)光二極管晶粒產(chǎn)生不同的波長(zhǎng)范圍。然而，現(xiàn)有技術(shù)為了獲得較純的出光，會(huì)使用波長(zhǎng)一致的發(fā)光二極管晶粒，如此一來，導(dǎo)致晶圓的利用率較低。
[0004]進(jìn)一步地，現(xiàn)有的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，為了增加其演色性，一般的白光發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)會(huì)包括多種發(fā)光二極管芯片或者多種熒光粉。然而，使用多種發(fā)光二極管芯片或者多種熒光粉會(huì)使成本增加。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，有必要提供一種成本較低且可以發(fā)出高演色性白光的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
[0006]一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括第一發(fā)光二極管芯片、第二發(fā)光二極管芯片以及熒光粉。該第一發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光具有第一波長(zhǎng)。該第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光具有第二波長(zhǎng)。該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)均分布在380納米至480納米之間，且該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)之差小于等于15納米。該熒光粉位于該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片的出光路徑上，該熒光粉的激發(fā)波長(zhǎng)分布在550納米至560納米之間，該熒光粉在第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的激發(fā)下，將該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
[0007]該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)通過對(duì)第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行限定，并搭配一種相應(yīng)的熒光粉，即可得到高演色性的白光。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)僅使用兩種發(fā)光二極管芯片與一種熒光粉，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且降低了成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是本發(fā)明第一實(shí)施例提供的照明裝置的剖面示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0009]請(qǐng)參照?qǐng)D1，為本發(fā)明實(shí)施例提供的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100的剖面示意圖。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)置100包括基座10、分別固定于基座10相對(duì)兩端的第一引腳20及第二引腳30、分別安裝于第一引腳20與第二引腳30的第一發(fā)光二極管40、第二發(fā)光二極管50、覆蓋該第一發(fā)光二極管40與第二發(fā)光二極管50的封裝體60。
[0010]上述基座10包括基底11及形成基底11上的反射杯12。所述反射杯12呈環(huán)狀，其中部形成一凹陷部(未標(biāo)示)。所述第一引腳20及第二引腳30均由金屬材料制成，并彎折成U型，分別穿置于基座10的基底11的相對(duì)兩端。第一引腳20與第二引腳30相互隔開以避免短路。所述基座10可以由LCP(Liquid Crystal Polymer,即液晶高分子)材料一體制成，也可以為不同材料分開制造，比如所述基座10的反射杯12由LCP材料制成，而基底11為硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外，在制作中，所述LCP材料中可以混入塑膠(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高揮發(fā)性溶液。
[0011]上述該第一發(fā)光二極管40與第二發(fā)光二極管50容置于所述基座10的反射杯12內(nèi)，并分別固定于第一引腳20與第二引腳30上，其是由氮化鎵、氮化銦鎵等半導(dǎo)體化合材料所制成。
[0012]該第一發(fā)光二極管40與第二發(fā)光二極管50的電極分別連接至第一引腳20及第二引腳30以實(shí)現(xiàn)電性導(dǎo)通。在本實(shí)施例中，該第一發(fā)光二極管40發(fā)出的光具有第一波長(zhǎng)。該第二發(fā)光二極管50發(fā)出的光具有第二波長(zhǎng)。該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)均分布在380納米至480納米之間，且該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)之差小于等于15納米。
[0013]上述封裝體60填滿反射杯12的凹陷部?jī)?nèi)以保護(hù)位于凹陷部?jī)?nèi)的該第一發(fā)光二極管40與第二發(fā)光二極管50。該封裝體60中分布有熒光粉70。在本實(shí)施例中，該熒光粉70的激發(fā)波長(zhǎng)分布在550納米至560納米之間。該熒光粉70在第一發(fā)光二極管芯片40與第二發(fā)光二極管芯片50發(fā)出的光的激發(fā)下，將該第一發(fā)光二極管芯片40與第二發(fā)光二極管芯片50發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換，從而使該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)置100發(fā)出高演色性的白光。
[0014]在本實(shí)施例中，通過實(shí)施驗(yàn)證，得到如下數(shù)據(jù)。當(dāng)該第一發(fā)光二極管芯片40的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片50的第二波長(zhǎng)均分布在450納米至452.5納米之間，且該熒光粉70的激發(fā)波長(zhǎng)為550納米時(shí)，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)置100發(fā)出高演色性的白光。
[0015]當(dāng)該第一發(fā)光二極管芯片40的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片50的第二波長(zhǎng)均分布在455納米至457.5納米之間，且該熒光粉70的激發(fā)波長(zhǎng)為555納米時(shí)，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)置100發(fā)出高演色性的白光。
[0016]當(dāng)該第一發(fā)光二極管芯片40的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片50的第二波長(zhǎng)均分布在460納米至462.5納米之間，且該熒光粉70的激發(fā)波長(zhǎng)為560納米，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)置100發(fā)出高演色性的白光。
[0017]該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100通過對(duì)第一發(fā)光二極管芯片40與第二發(fā)光二極管芯片50發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行限定，并搭配相應(yīng)的一種熒光粉70，即可得到高演色性的白光。該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100僅使用兩種發(fā)光二極管芯片與一種熒光粉，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，且降低了成本。進(jìn)一步地，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)100對(duì)單個(gè)發(fā)光二極管芯片40的不同區(qū)域的發(fā)光波長(zhǎng)不受限制，從而提高了晶圓的利用率。
[0018]另外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可于本發(fā)明精神內(nèi)做其它變化，以用于本發(fā)明等設(shè)計(jì)，只要其不偏離本發(fā)明的技術(shù)效果均可。這些依據(jù)本發(fā)明精神所做的變化，都應(yīng)包含在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其包括: 第一發(fā)光二極管芯片，其發(fā)出的光具有第一波長(zhǎng)； 第二發(fā)光二極管芯片，其發(fā)出的光具有第二波長(zhǎng)，該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)均分布在380納米至480納米之間，且該第一波長(zhǎng)與第二波長(zhǎng)之差小于等于15納米；以及 熒光粉，該熒光粉位于該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片的出光路徑上，該突光粉的激發(fā)波長(zhǎng)分布在550納米至560納米之間,該突光粉在第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的激發(fā)下，將該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片發(fā)出的光的波長(zhǎng)進(jìn)行轉(zhuǎn)換。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一發(fā)光二極管芯片的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片的第二波長(zhǎng)均分布在450納米至452.5納米之間，且該熒光粉的激發(fā)波長(zhǎng)為550納米。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一發(fā)光二極管芯片的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片的第二波長(zhǎng)均分布在455納米至457.5納米之間，且該熒光粉的激發(fā)波長(zhǎng)為555納米。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該第一發(fā)光二極管芯片的第一波長(zhǎng)與該第二發(fā)光二極管芯片的第二波長(zhǎng)均分布在460納米至462.5納米之間，且該熒光粉的激發(fā)波長(zhǎng)為560納米。
5.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，進(jìn)一步包括基板、設(shè)置在該基板上的反射杯以及封裝體，該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片設(shè)置在該基板上，該反射杯環(huán)繞該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片，該封裝體收容于該反射杯內(nèi)，且位于該第一發(fā)光二極管芯片與第二發(fā)光二極管芯片的出光面，該熒光粉分布在該封裝體中。
【文檔編號(hào)】H01L25/075GK103545300SQ201210235306
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2012年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月9日
【發(fā)明者】葉輔湘, 林新強(qiáng), 曾文良, 張潔玲 申請(qǐng)人:展晶科技(深圳)有限公司, 榮創(chuàng)能源科技股份有限公司