專利名稱：光器件襯底的分割方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光器件襯底的分割方法，該光器件襯底具有襯底和層疊于該襯底表面的光器件層，在由在第I方向延伸的多條第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線正交的第2方向延伸的多條第2分割預(yù)定線對該光器件層進行劃分而成的各區(qū)域形成有光器件，該方法沿著第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線分割該光器件襯底。
背景技術(shù)：
在光器件制造步驟中，經(jīng)由緩沖層 在呈大致圓板形狀的藍寶石襯底和碳化硅等外延襯底的表面層疊由η型半導體層和P型半導體層構(gòu)成的光器件層且在由呈格子狀形成的多條間隔道劃分而成的多個區(qū)域形成發(fā)光二極管、激光二極管等光器件，由此構(gòu)成光器件晶片。然后沿著間隔道分割光器件晶片，從而制造出各個光器件(例如參照專利文獻I)。另外，作為提升光器件的亮度的技術(shù)，在下述專利文獻2中公開了被稱作剝離的制造方法，即，經(jīng)由金(Au)、鉬(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等接合金屬層將鑰(Mo)、銅(Cu)、硅(Si)等移設(shè)襯底接合到光器件層，從外延襯底的背面?zhèn)认蚓彌_層照射激光光線，從而剝離外延襯底，將光器件層移交到移設(shè)襯底，其中，該光器件層是經(jīng)由緩沖層層疊于構(gòu)成光器件晶片的藍寶石襯底和碳化硅等外延襯底表面，并由N型半導體層和P型半導體層構(gòu)成的。如上所述，沿著形成于光器件層的第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線對通過將光器件層移交到移設(shè)襯底而形成的光器件襯底進行分割，從而制造出各個光器件。專利文獻I日本特開平10-305420號公報專利文獻2日本特表2005-516415號公報作為上述沿著形成于光器件層的第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線分割光器件襯底的方法，已實用化的方法是沿著第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線照射激光光線以進行切斷。構(gòu)成上述光器件襯底的移設(shè)襯底的厚度為120 μ m左右，為了照射激光光線進行切斷，需要對I條分割預(yù)定線實施4到5次照射激光光線以形成激光加工槽的激光加工槽形成步驟。然而，在第I次激光加工槽形成步驟中沿著所有分割預(yù)定線照射激光光線以形成了激光加工槽之后，將沿著激光加工槽重復(fù)實施第2次以后的激光加工槽形成步驟，而光器件襯底在被照射激光光線而熔融后被冷卻而收縮。因此，分割預(yù)定線的間隔縮小而激光光線的照射位置會偏離激光加工槽，因而必須時時刻刻校正位置來實施激光加工槽形成步驟，存在生成效率較差的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述事實而完成的，其主要的技術(shù)課題在于提供一種在實施激光加工槽形成步驟時不必進行位置校正就能將光器件襯底切斷為各個光器件的光器件襯底的分割方法。為了解決上述主要技術(shù)課題，本發(fā)明提供一種光器件襯底的加工方法，該光器件襯底具有襯底和層疊于該襯底的表面的光器件層，在由在規(guī)定方向上形成的多條第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線正交的方向上形成的多條第2分割預(yù)定線劃分而成的多個區(qū)域形成有光器件，該光器件襯底的加工方法的特征在于包括光器件襯底貼附步驟，將光器件襯底貼附于裝配在環(huán)狀框架的切割帶的表面；塊形成步驟，沿著通過貼附于切割帶的表面的光器件襯底的中央的第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線照射激光光線，將光器件襯底分割為至少4個塊襯底；第I激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第I分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽；以及第2激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第2分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽，通過交替地實施該第I激光加工槽形成步驟和該第2激光加工槽形成步驟，沿著所有第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線切斷各塊襯底而分割為各個光器件。在本發(fā)明的光器件襯底的分割方法中，在將光器件襯底分割為塊襯底后，沿著第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線交替地實施第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟，從而能夠?qū)K襯底的收縮累積收斂于允許值內(nèi)，因而在到實施最后的第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟為止都無需進行位置校正，能提升生產(chǎn)效率。


圖I是用于制造使用本發(fā)明的光器件襯底的分割方法加工的光器件襯底的光器件晶片的立體圖和放大表示主要部分的剖面圖。圖2是將移設(shè)襯底接合于圖I所示的光器件晶片的表面的移設(shè)襯底接合步驟的說明圖。圖3是剝離構(gòu)成圖I所示的光器件晶片的外延襯底的襯底剝離步驟的說明圖。圖4是本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的光器件襯底貼附步驟的說明圖。圖5是用于實施本發(fā)明的光器件襯底的分割方法中塊形成步驟、第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟的激光加工裝置的主要部分立體圖。圖6是本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的塊形成步驟的說明圖。圖7是本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的塊形成步驟的說明圖。圖8是本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的第I激光加工槽形成步驟的說明圖。圖9是本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的第2激光加工槽形成步驟的說明圖。符號說明2光器件晶片；20外延襯底；21光器件層；22緩沖層；3移設(shè)襯底；4接合金屬層；5激光加工裝置；51激光加工裝置的卡盤臺；52激光光線照射單元；522聚光器；53攝像單元；F環(huán)狀框架；T切割帶
具體實施例方式下面參見附圖詳細說明本發(fā)明的光器件襯底的分割方法的優(yōu)選實施方式。圖I示出用于制造由本發(fā)明的光器件襯底的分割方法加工的光器件襯底的光器件晶片的立體圖和放大表示了主要部分的剖面圖。圖I所示的光器件晶片2在呈大致圓板形狀的藍寶石襯底和碳化硅等外延襯底20的表面20a通過外延成長法形成了由η型氮化鎵半導體層211和P型氮化鎵半導體層212構(gòu)成的光器件層21。并且，通過外延成長法在外延襯底20的表面層疊由η型氮化鎵半導體層211和P型氮化鎵半導體層212構(gòu)成的光器件層21時，在外延襯底20的表面20a與形成光器件層21的η型氮化鎵半導體層211之間形成由AlGaN層等構(gòu)成的緩沖層22。如上構(gòu)成的光器件晶片2在圖示的實施方式中形成為外延襯底20的直徑為50mm且厚度例如為430 μ m、包含緩沖層22的光器件層21的厚度例如為5μπι。并且，光器件層21如圖I (a)所示在由在第I方向上形成的多條第I分割預(yù)定線231和在與該第I分割預(yù)定線正交的方向上形成的多條第2分割預(yù)定線232劃分而成的多個區(qū)域形成光器件24。并且，在圖示的實施方式中，光器件24的尺寸為I. 2mmX I. 2mm、第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232的寬度為50 μ m、第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232的數(shù)量分別被設(shè)定為41條。

如上所述，為了從光器件層21剝離光器件晶片2的外延襯底20并移交至移設(shè)襯底，實施將移設(shè)襯底接合于光器件層21的表面21a的移設(shè)襯底接合步驟。即，如圖2(a)和(b)所示，經(jīng)由接合金屬層4將厚度例如為220 μ m的移設(shè)襯底3接合于在構(gòu)成光器件晶片2的外延襯底20的表面20a形成的光器件層21的表面21a。并且，作為移設(shè)襯底3，可使用鑰(Mo)、銅(Cu)、娃(Si)等,且作為形成接合金屬層4的接合金屬可使用金(Au)、鉬(Pt)、鉻(Cr)、銦(In)、鈀(Pd)等。該移設(shè)襯底接合步驟是在形成于外延襯底20的表面20a的光器件層21的表面21a或移設(shè)襯底3的表面3a蒸鍍上述接合金屬，形成厚度為3 μ m左右的接合金屬層4,將該接合金屬層4與移設(shè)襯底3的表面3a或光器件層21的表面21a相對而壓接，從而能夠經(jīng)由接合金屬層4將移設(shè)襯底3的表面3a接合于構(gòu)成光器件晶片2的光器件層21的表面21a。并且，移設(shè)襯底3被設(shè)定為直徑50mm、厚度為220 μ m。若實施了上述移設(shè)襯底接合步驟，則實施從光器件層21剝離將移設(shè)襯底3接合于光器件層21的光器件晶片2的外延襯底20的襯底剝離步驟。在該襯底剝離步驟中，例如圖3(a)所示，在制造上述光器件晶片2時對形成于外延襯底20與光器件層21之間的緩沖層22附加應(yīng)力，從而如圖3 (b)所示將外延襯底20從光器件層21分離。如上，分離外延襯底與光器件層的襯底剝離步驟例如可通過日本特開2000-101139號公報所公開的方法來實施。如上，從光器件層21剝離在光器件層21接合有移設(shè)襯底3的光器件晶片2的外延襯底20,從而形成在移設(shè)襯底3的表面接合有光器件層21的表面的光器件襯底30。下面說明沿著形成于光器件層21的第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232分割光器件襯底30的光器件襯底的分割方法。首先，實施將光器件襯底30貼附于在環(huán)狀框架上裝配的切割帶表面的光器件襯底貼附步驟。即，如圖4 (a)和(b)所示，將構(gòu)成光器件襯底30的移設(shè)襯底3的背面3b側(cè)貼附于裝配于環(huán)狀框架F的由聚烯等合成樹脂膜構(gòu)成的切割帶T的表面。因此，就貼附于切割帶T表面的光器件襯底30而言，光器件層21成為上側(cè)。實施了上述光器件襯底貼附步驟后，沿著通過貼附于切割帶T表面的光器件襯底30的中央的第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232照射激光光線，實施將光器件襯底30分割為至少4個塊襯底的塊形成步驟。該塊形成步驟在圖示的實施方式中是使用圖5所示的激光加工裝置5實施的。圖5所示的激光加工裝置5具有保持被加工物的卡盤臺51、向保持于該卡盤臺51的被加工物照射脈沖激光光線的激光光線照射單元52、對保持于卡盤臺51的被加工物進行攝像的攝像單元53。上述卡盤臺51構(gòu)成為在作為上表面的保持面吸附保持被加工物，通過未圖示的加工進給單元沿著圖5中箭頭X所示的方向被加工進給，并且通過未圖示的分度進給單元沿著圖5中箭頭Y所示方向被分度進給。上述激光光線照射單元52包含實質(zhì)水平配置的圓筒形狀的殼體521。在殼體521內(nèi)配設(shè)有具有未圖示的脈沖激光光線振蕩器和重復(fù)頻率設(shè)定單元的脈沖激光光線振蕩單元。在上述殼體521的前端部裝配有用于會聚由脈沖激光光線振蕩單元振蕩出的脈沖激光光線的聚光器522。另外，裝配于構(gòu)成上述激光光線照射單元52的殼體521的前端部的攝像單元53由顯微鏡和CCD相機等光學單元構(gòu)成，將攝像得到的圖像信號發(fā)送給未圖示的控制單元。參照圖5至圖7說明使用上述激光加工裝置5將上述光器件襯底30分割為至少4個塊襯底的塊形成步驟。在塊形成步驟中，首先，將貼附有光器件襯底30的切割帶T側(cè)放置于上述圖5所示的激光加工裝置的卡盤臺51上。然后，啟動未圖示的吸附單元，經(jīng)由切割帶T將光器件襯底30吸附保持于卡盤臺51上(晶片保持步驟)。因此，就保持于卡盤臺51的光器件襯底30而言，光器件層21成為上側(cè)。并且，在圖5中，省略表示了裝配有切割帶T的環(huán)狀框架F，而環(huán)狀框架F保持于配設(shè)在卡盤臺51的適當?shù)目蚣鼙３謫卧?。如上所述，若將光器件襯底30吸附保持于卡盤臺51上，則啟動未圖示的加工送給單元，將吸附保持了光器件襯底30的卡盤臺51移動到攝像單元53的正下方。當卡盤臺51被定位于攝像單元53的正下方時，執(zhí)行使用攝像單元53和未圖示的控制單元檢測光器件襯底30的應(yīng)進行激光加工的加工區(qū)域的對準作業(yè)。即，攝像單元53和未圖示的控制單元依次執(zhí)行用于對光器件襯底30的在規(guī)定方向形成的第I分割預(yù)定線231與沿著第I分割預(yù)定線231照射激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522之間的對位的圖案匹配等圖像處理，執(zhí)行激光光線照射位置的對準(對準步驟)。并且，對于在與形成于光器件襯底30的與第I分割預(yù)定線231交叉的方向的第2分割預(yù)定線232也同樣執(zhí)行激光光線照射位置的對準。若實施了上述對準步驟，則如圖6 Ca)所示，將卡盤臺51移動到照射脈沖激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522所處的激光光線照射區(qū)域，將多條第I分割預(yù)定線231中通過光器件襯底30的中央的第I分割預(yù)定線231定位于聚光器522的正下方。此時，如圖6 (a)所示，光器件襯底30被定位成使得通過光器件襯底30的中央的第I分割預(yù)定線231的一端(圖6 (a)中的左端)處于聚光器522的正下方。然后，如圖6 (a)所示將從聚光器522照射的脈沖激光光線的聚光點P對到構(gòu)成光器件襯底30的光器件層21的上表面附近。接著，從激光光線照射單元52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖示的加工送給單元，使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖6 Ca)中箭頭Xl所示方向移動(激光加工槽形成步驟)。而且，當?shù)贗分割預(yù)定線231的另一端到達了聚光器522的正下方位置時，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。如上，在圖6 (b)示出的第I分割預(yù)定線231的另一端到達了聚光器522的正下方位置的狀態(tài)下，從激光光線照射單元52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖示的加工送給單元，使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖6 (b)中箭頭X2所示方向移動(激光加工槽形成步驟)。而且，當?shù)贗分割預(yù)定線231的一端到達了聚光器522的正下方位置時，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。多次實施該激光加工槽形成步驟，從而如圖6 (c)所示，光器件襯底30被沿著通過中央的第I分割預(yù)定線231形成的激光加工槽301分割為2部分。并且，如下所示設(shè)定上述激光加工槽形成步驟的加工條件。波長355nm重復(fù)頻率10kHz平均輸出7W聚光點徑φ 10 μ m加工進給速度100mm/秒·在上述加工條件下，沿著第I分割預(yù)定線231照射I次脈沖激光光線，從而能夠形成30 μ m左右的激光加工槽。因此，為了完全切斷光器件襯底30，向I條線照射4次脈沖激光光線即可。如上所述，若沿著通過光器件襯底30的中央的第I分割預(yù)定線231分割為2部分，則使卡盤臺51旋轉(zhuǎn)了 90度。然后，如圖7 (a)所示將卡盤臺51移動到照射脈沖激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522所處的激光光線照射區(qū)域，使多條第2分割預(yù)定線232中通過光器件襯底30的中央的第2分割預(yù)定線232定位于聚光器522的正下方。此時，如圖7 (a)所示，光器件襯底30被定位成使得通過光器件襯底30的中央的第2分割預(yù)定線232的一端(圖7 (a)中的左端)處于聚光器522的正下方。然后，如圖7 (a)所示將從聚光器522照射的脈沖激光光線的聚光點P對到構(gòu)成光器件襯底30的光器件層21的上表面附近。接著，從激光光線照射單元52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖示的加工送給單元，使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖7 Ca)中箭頭Xl所示方向移動(激光加工槽形成步驟)。而且，當?shù)?分割預(yù)定線232的另一端到達了聚光器522的正下方位置時，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。如上，在圖7 (b)示出的第2分割預(yù)定線232的另一端到達了聚光器522的正下方位置的狀態(tài)下，從激光光線照射單兀52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖不的加工送給單兀,使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖7 (b)中箭頭X2所示方向移動(激光加工槽形成步驟)。而且，當?shù)?分割預(yù)定線232的一端到達了聚光器522的正下方位置時，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。對于圖示的實施方式的光器件襯底30實施4次該激光加工槽形成步驟(向I條線照射4次脈沖激光光線)，從而光器件襯底30如圖7 (c)所示被沿著通過中央的第2分割預(yù)定線232形成的激光加工槽302切斷，被分割為4個塊襯底30a、30b、30c、30do如上，若實施了將光器件襯底分割為至少4個塊襯底30a、30b、30c、30d的塊形成步驟，則實施沿著形成于各塊襯底30a、30b、30c、30d的第I分割預(yù)定線231照射激光光線而形成激光加工槽的第I激光加工槽形成步驟、沿著形成于各塊襯底30a、30b、30c、30d的第2分割預(yù)定線232照射激光光線而形成激光加工槽的第2激光加工槽形成步驟。該第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟是使用上述圖5所示的激光加工裝置5實施的。在實施第I激光加工槽形成步驟時，從實施了上述塊形成步驟的狀態(tài)，啟動加工送給單元，將借助于切割帶T吸附保持了分割為4部分的塊襯底30a、30b、30c、30d的卡盤臺51移動到攝像單元53的正下方。在卡盤臺51被定位于攝像單元53的正下方時，執(zhí)行使用攝像單元53和未圖示的控制單元檢測塊襯底30a、30b、30c、30d的應(yīng)進行激光加工的加工區(qū)域的對準作業(yè)。即，攝像單元53和未圖示的控制單元依次執(zhí)行用于對在塊襯底30a、30b、30c、30d形成的第2分割預(yù)定線232與沿著第2分割預(yù)定線232照射激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522的對位的圖案匹配等圖像處理，執(zhí)行激光光線照射位置的對準(對準步驟)。并且，對于在形成于塊襯底30a、30b、30c、30d的與第2分割預(yù)定線232交叉的方向的第I分割預(yù)定線231也同樣執(zhí)行激光光線照射位置的對準。若實施了上述對準步驟，則如圖8 Ca)所示，將卡盤臺51移動到照射脈沖激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522所處的激光光線照射區(qū)域，將規(guī)定的第I分割預(yù)定線231定位于聚光器522的正 下方。此時，如圖8 (a)所示，塊襯底30a、30b、30c、30d被定位成使得第I分割預(yù)定線231的一端(圖8 (a)中的左端)處于聚光器522的正下方。然后，如圖8 Ca)所不將從聚光器522照射的脈沖激光光線的聚光點P對到構(gòu)成塊襯底30a、30b、30c、30d的光器件層21的上表面附近。接著，從激光光線照射單元52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖示的加工送給單元，使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖8 (a)中箭頭Xl所示方向移動(第I激光加工槽形成步驟)。而且，如圖8 (b)所示當?shù)贗分割預(yù)定線231的另一端到達了聚光器522的正下方位置時，停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。并且，第I激光加工槽形成步驟的加工條件可以與上述塊形成步驟中的激光加工槽形成步驟為相同條件。其結(jié)果，如圖8 (b)所示在塊襯底30a、30b、30c、30d沿著第I分割預(yù)定線231形成深度為30 μ m左右的激光加工槽303。沿著在塊襯底30a、30b、30c、30d形成的所有第I分割預(yù)定線231實施上述第I激光加工槽形成步驟。其結(jié)果，如圖8 (c)所示按照所有第I激光加工槽形成步驟在4個塊襯底30a、30b、30c、30d形成距離上表面30 μ m左右的激光加工槽303。接著，使憑借切割帶T吸附保持了實施了第I激光加工槽形成步驟的塊襯底30a、30b、30c、30d的卡盤臺51轉(zhuǎn)動90度。而且執(zhí)行沿著在塊襯底30a、30b、30c、30d形成的第2分割預(yù)定線232照射激光光線以形成激光加工槽的第2激光加工槽形成步驟。即，如圖9Ca)所示，將卡盤臺51移動到照射脈沖激光光線的激光光線照射單元52的聚光器522所處的激光光線照射區(qū)域，將規(guī)定的第2分割預(yù)定線232定位于聚光器522的正下方。此時，如圖9 Ca)所示，塊襯底30a、30b、30c、30d被定位成使得第2分割預(yù)定線232的一端(圖9(a)中的左端)處于聚光器522的正下方。然后如圖9 (a)所示將從聚光器522照射的脈沖激光光線的聚光點P對到構(gòu)成塊襯底30a、30b、30c、30d的光器件層21的上表面附近。接著，從激光光線照射單元52的聚光器522照射脈沖激光光線，并啟動未圖示的加工送給單元，使卡盤臺51以規(guī)定的加工送給速度沿著圖9 (a)中箭頭Xl所示方向移動(第2激光加工槽形成步驟)。而且，當?shù)贗分割預(yù)定線231的另一端到達了聚光器522的正下方位置時,停止脈沖激光光線的照射并停止卡盤臺51的移動。并且，第2激光加工槽形成步驟的加工條件可以與上述第I激光加工槽形成步驟、即上述塊形成步驟中的激光加工槽形成步驟為相同條件。其結(jié)果，如圖9 (b)所示在塊襯底30a、30b、30c、30d沿著第2分割預(yù)定線232形成深度為30 μ m左右的激光加工槽304。通過交替地實施上述第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟，如圖
9(c)所示，4個塊襯底30a、30b、30c、30d被沿著所有第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232形成的激光加工槽303和激光加工槽304切斷，被分割為各個光器件。在圖示的實施方式中，分別實施4次第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟，從而能夠?qū)?個塊襯底30a、30b、30c、30d沿著所有第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232切斷，分割為各個光器件24。此處，說明以往的分割方法的實驗結(jié)果。以與上述第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟的加工條件相同的條件沿著光器件襯底30的所有第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232實施第I次激光加工槽形成步驟，沿著第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232形成了激光加工槽。而且，測定光器件襯底30中最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從48000 μ m收縮到了 47995 μ m。接著，沿著沿第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232形成的所有激光加工槽實施第2次激光加工槽形成步驟，測定最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從48000 μ m收縮到了 47990 μ m。進而，沿著實施第2次激光加工槽形成步驟而形成的所有激光加工槽實施第3次激光加工槽
形成步驟，測定最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從48000 μ m收縮到了47980 μ m。然后，沿著實施第3次激光加工槽形成步驟而形成的所有激光加工槽實施第4次激光加工槽形成步驟，從而將光器件襯底30分割為各個光器件。在上述以往的分割方法中，由于實施第3次激光加工槽形成步驟而使得收縮的累積為20 μ m，超過了作為允許值的
10μ m。接著，說明本發(fā)明中上述分割方法的實驗結(jié)果。如上所述實施塊形成步驟，將光器件襯底30分割為4個塊襯底30a、30b、30c、30d。沿著被分割為4個的塊襯底30a、30b、30c、30d的所有第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232實施上述第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟。而且，對各塊襯底30a、30b、30c、30d中從最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從24000 μ m收縮到了 23997 μ m。然后，沿著沿第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232形成的所有激光加工槽實施第2次激光加工槽形成步驟，對各塊襯底30a、30b、30c、30d中從最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從24000 μ m收縮到了 23995 μ m。進而，沿著實施第2次激光加工槽形成步驟而形成的所有激光加工槽實施第3次激光加工槽形成步驟，對各塊襯底30a、30b、30c、30d中從最初的分割預(yù)定線到最后的分割預(yù)定線的長度可知從24000 μ m收縮到了 23993 μ m。然后沿著實施第3次激光加工槽形成步驟而形成的所有激光加工槽實施第4次激光加工槽形成步驟，將各塊襯底30a、30b、30c、30d分割為各個光器件。如上,在上述本發(fā)明的分割方法中，由于實施第3次激光加工槽形成步驟而使得收縮的累積為7 μ m，在作為允許值的10 μ m以下。如上，在本發(fā)明的上述分割方法中，將光器件襯底30分割為塊襯底30a、30b、30c、30d后，沿著第I分割預(yù)定線231和第2分割預(yù)定線232交替地實施第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟，從而能夠?qū)K襯底30a、30b、30c、30d的收縮累積收斂于允許值內(nèi)，因此直到實施最后的第I激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟位置都無需進行位置校正，能提升生產(chǎn)效率。以上基于圖示的實施方式說明了本發(fā)明，然而本發(fā)明不僅限于實施方式，可以在本發(fā)明主旨范圍內(nèi)進行各種變形。上述實施方式中示出了使用金屬襯底作為裝配光器件層的移設(shè)襯底的例子，然而已經(jīng)確認到將Si、Ge、GaAs用于移設(shè)襯底也具有效果。
權(quán)利要求
1.一種光器件襯底的分割方法，該光器件襯底具有襯底和層疊于該襯底的表面的光器件層，在該光器件層的由在第I方向上延伸的多條第I分割預(yù)定線和在與該第I分割預(yù)定線正交的第2方向上延伸的多條第2分割預(yù)定線劃分而成的各區(qū)域形成有光器件， 該光器件襯底的分割方法的特征在于包括 光器件襯底貼附步驟，將光器件襯底貼附于裝配在環(huán)狀框架的切割帶的表面； 塊形成步驟，沿著通過貼附于切割帶的表面的光器件襯底的中央的第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線照射激光光線，將光器件襯底分割為至少4個塊襯底； 第I激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第I分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽；以及 第2激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第2分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽， 通過交替地實施該第I激光加工槽形成步驟和該第2激光加工槽形成步驟，沿著所有第I分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線切斷各塊襯底而分割為各個光器件。
全文摘要
本發(fā)明提供光器件襯底的分割方法。在襯底的表面裝配有光器件層的光器件襯底的分割方法中，包括光器件襯底貼附步驟，將光器件襯底貼附于裝配在環(huán)狀框架的切割帶的表面；塊形成步驟，沿著通過光器件襯底的中央的第1分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線照射激光光線，將光器件襯底分割為至少4個塊襯底；第1激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第1分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽；以及第2激光加工槽形成步驟，沿著形成于各塊襯底的第2分割預(yù)定線照射激光光線，從而形成激光加工槽，通過交替地實施第1激光加工槽形成步驟和第2激光加工槽形成步驟，沿著所有第1分割預(yù)定線和第2分割預(yù)定線切斷各塊襯底，分割為各個光器件。
文檔編號H01L21/78GK102881782SQ20121023851
公開日2013年1月16日 申請日期2012年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月11日
發(fā)明者波多野雄二, 星野仁志, 大庭龍吾, 大町修 申請人:株式會社迪思科