專利名稱：采用三重圖案化的集成電路方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種采用三重圖案化的集成電路方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體技術(shù)繼續(xù)向更小的部件尺寸發(fā)展，例如，部件尺寸降低為28納米、20納米、以及更低。用于生產(chǎn)如此小的部件尺寸的經(jīng)圖案化的光刻膠(PR)層通常具有高縱橫比?；诟鞣N理由，包括不能縮減最小面積、退化的溝槽端部分辨率、和銳溝槽端部形狀不適合金屬填充工藝，很難能夠維持所期望的臨界尺寸(⑶)。因此，亟需用于提供解決上述問題的先進(jìn)IC技術(shù)的有效IC設(shè)計(jì)和制造的方法和光掩模結(jié)構(gòu)。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)中所存在的問題，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種集成電路(IC)設(shè)計(jì)方法，包括接收具有多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局；根據(jù)所述IC設(shè)計(jì)布局，標(biāo)識(shí)出作為第一布局的簡(jiǎn)單部件，其中，所述第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則，以及作為第二布局的復(fù)雜部件，其中，所述第二布局違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則；以及由所述第二布局生成第三布局和第四布局，其中，所述第三布局包括滿足所述設(shè)計(jì)規(guī)則的所述復(fù)雜部件和連接部件，并且，所述第四布局包括修整部件。在該IC設(shè)計(jì)方法中，將所述修整部件設(shè)計(jì)為從所述第三布局和所述第四布局的集合圖像中排除所述連接部件。在該IC設(shè)計(jì)方法中，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括特征設(shè)計(jì)規(guī)則，限定出IC部件的幾何特性；以及關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則，限定出兩個(gè)IC部件之間的空間關(guān)系。在該方法中所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則限定出所述IC部件的最小長(zhǎng)度；并且所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則限定出所述兩個(gè)IC部件之間的最小間隔。在該方法中，當(dāng)所述簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集在所述IC設(shè)計(jì)中配置為接近所述復(fù)雜部件時(shí)，所述簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集違背所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在該方法中，標(biāo)識(shí)出簡(jiǎn)單部件包括確定簡(jiǎn)單部件不違背所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則但違背所述簡(jiǎn)單部件和復(fù)雜部件之間的所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在該方法中，標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件違背所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則。在該方法中所述多個(gè)IC部件是在第一方向上定向的多個(gè)線部件；以及標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件與另一復(fù)雜部件在所述第一方向上違背所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在該方法中，還包括根據(jù)所述第一布局制造第一光掩模；根據(jù)所述第三布局制造第二光掩模；以及根據(jù)所述第四布局制造第三光掩模。在該方法中，還包括使用所述第一光掩模、所述第二光掩模、和所述第三光掩模在材料層中形成所述IC部件。
在該方法中，在材料層中形成所述IC部件包括使用所述第一光掩模在所述材料層上圖案化第一光刻膠層；通過所述第一光刻膠層的開口蝕刻所述材料層；去除所述第一光刻膠層；使用所述第二光掩模和所述第三光掩模在所述材料層上圖案化第二光刻膠層；通過所述第二光刻膠層的開口蝕刻所述材料層；以及去除所述第二光刻膠層。在該方法中，圖案化第二光刻膠層包括在所述材料層上涂布所述第二光刻膠層；使用所述第二光掩模暴露出所述第二光刻膠層；使用所述第三光掩模暴露出所述第二光刻膠層；以及之后，顯影所述第二光刻膠層。在該方法中，以相繼暴露模式和同時(shí)暴露模式之一執(zhí)行使用所述第二光掩模暴露出所述第二光刻膠層的步驟以及使用所述第三光掩模暴露出所述第二光刻膠層的步驟。在該方法中，所述材料層是位于下部材料層上的硬掩模層，并且所述方法還包括在通過所述第一光刻膠層的開口蝕刻所述材料層以及通過所述第二光刻膠層的開口蝕刻所述材料層之后，通過所述硬掩模層的開口蝕刻所述下部材料層。根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種用于制造集成電路(IC)的方法，包括在襯底上形成材料層；使用第一光掩模在所述材料層上圖案化第一光刻膠層；通過所述第一光刻膠層的開口蝕刻所述材料層；去除所述第一光刻膠層；使用第二光掩模和第三光掩模在所述材料層上圖案化第二光刻膠層；通過所述第二光刻膠層的開口蝕刻所述材料層；以及去除所述第二光刻膠層。在該方法中，圖案化第二光刻膠層包括在所述材料層上涂布所述第二光刻膠層；使用所述第二光掩模對(duì)所述第二光刻膠層實(shí)施第一暴露工藝；使用所述第三光掩模對(duì)所述第二光刻膠層實(shí)施第二暴露工藝；以及之后，顯影所述第二光刻膠層。在該方法中，相繼執(zhí)行使用所述第二光掩模暴露出所述第二光刻膠層的步驟以及使用所述第三光掩模暴露出 所述第二光刻膠層的步驟。在該方法中，同時(shí)執(zhí)行使用所述第二光掩模暴露出所述第二光刻膠層的步驟以及使用所述第三光掩模暴露出所述第二光刻膠層的步驟。在該方法中，所述材料層是硬掩模層，并且所述方法還包括在通過所述第一光刻膠層的開口蝕刻所述材料層以及通過所述第二光刻膠層的開口蝕刻所述材料層之后，通過所述硬掩模層的開口蝕刻所述襯底。在該方法中，根據(jù)具有將要形成在所述襯底上的多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局設(shè)計(jì)所述第一光掩模、所述第二光掩模、和所述第三光掩模。在該方法中所述第一光掩模包括具有所述IC部件的第一子集的第一布局，其中，所述第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；所述第二光掩模包括具有所述IC部件的第二子集和連接部件的第二布局，其中，所述IC部件的所述第二子集違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第二布局不違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則；以及所述第三光掩模包括具有多個(gè)對(duì)應(yīng)于所述連接部件的修整部件
的第三布局。根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種光掩模組，設(shè)計(jì)為用于在材料層中形成集成電路(IC)部件，所述光掩模組包括第一光掩模，包括具有所述IC部件的第一子集的第一布局，其中，所述第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；第二光掩模，包括具有所述IC部件的第二子集和連接部件的第二布局，其中，所述IC部件的所述第二子集違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第二布局不違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則；以及第三光掩模，包括具有多個(gè)匹配所述連接部件的修整部件的第三布局。


當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以更好地理解本發(fā)明的各方面。應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，對(duì)各種部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚討論起見，所示出的部件的尺寸可以被任意增大或縮小。圖1是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的集成電路(IC)方法的實(shí)施例的流程圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC方法的另一個(gè)實(shí)施例的流程圖。圖3至圖8是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在各個(gè)設(shè)計(jì)階段的IC設(shè)計(jì)布局的示意圖。圖9是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC方法的實(shí)施例的流程圖。圖10、圖14至圖17、圖20至圖22、和圖24是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖11至圖13、圖18至圖19、和圖23是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在各個(gè)設(shè)計(jì)階段的IC結(jié)構(gòu)的部分俯視圖。圖25至圖28是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在各個(gè)設(shè)計(jì)階段的IC設(shè)計(jì)布局的示意圖。圖29是在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施`例中根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式應(yīng)當(dāng)了解，為了實(shí)施本發(fā)明的不同部件，以下公開內(nèi)容提供了許多不同的實(shí)施例或?qū)嵗?。在下面描述元件和布置的特定?shí)例以簡(jiǎn)化本發(fā)明。當(dāng)然這些僅僅是實(shí)例并不打算限定。本發(fā)明可在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考數(shù)字和/或字母。這種重復(fù)是為了簡(jiǎn)明和清楚的目的，并且其本身沒有規(guī)定所論述的各個(gè)實(shí)施例和/或結(jié)構(gòu)之間的關(guān)系。圖1是在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的制造所構(gòu)造的集成電路(IC)的方法20的流程圖。該方法20開始于步驟22，在步驟22中，比如由設(shè)計(jì)者提供或比如從設(shè)計(jì)者處接收IC設(shè)計(jì)布局(或IC設(shè)計(jì)圖案)。在一個(gè)實(shí)例中，設(shè)計(jì)者可以是設(shè)計(jì)室。在另一個(gè)實(shí)例中，設(shè)計(jì)者可以是與指定根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局制造IC產(chǎn)品的半導(dǎo)體生產(chǎn)商分開的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。在各個(gè)實(shí)施例中，半導(dǎo)體生產(chǎn)商能夠制造光掩模、半導(dǎo)體晶圓、或者兩者。IC設(shè)計(jì)布局包括設(shè)計(jì)用于IC產(chǎn)品且基于IC產(chǎn)品規(guī)范的各種幾何圖案。方法20繼續(xù)到步驟24，在步驟24中，由IC設(shè)計(jì)布局產(chǎn)生三種掩模布局(掩模圖案)。將分別在三種光掩模(掩?；虮憩F(xiàn)(reticle))上形成三種掩模布局。具體而言，步驟24包括2個(gè)子步驟。在第一子步驟中，基于設(shè)計(jì)規(guī)則將電路部件劃分為兩組一組簡(jiǎn)單部件和一組復(fù)雜部件。在第二子步驟中，通過合并(或添加連接部件)修正該組復(fù)雜部件以滿足設(shè)計(jì)規(guī)則。相應(yīng)地產(chǎn)生修整布局。修整布局包括多個(gè)對(duì)應(yīng)于連接部件的修整部件(trimming feature)。因此,這組簡(jiǎn)單部件代表第一掩模布局。經(jīng)修正的這組復(fù)雜部件代表第二掩模布局。修整布局是第三掩模布局。方法20繼續(xù)到步驟26，在步驟26中，分別根據(jù)這三種掩模布局制造三種光掩模。在一個(gè)實(shí)施例中，基于掩模布局，使用電子束或多電子束機(jī)構(gòu)在光掩模上形成圖案。
方法20繼續(xù)到步驟28，在步驟28中，使用這三種光掩模圖案化材料層。在襯底上的材料層中形成IC設(shè)計(jì)布局中的多個(gè)電路部件。具體而言，材料層的圖案化包括光刻工藝和蝕刻工藝。在本實(shí)施例中，步驟28包括使用第一光掩模通過包括涂布、暴露和顯影的光刻工藝在材料層上形成第一經(jīng)圖案化的光刻膠層。然后，通過第一經(jīng)圖案化的光刻膠層的開口對(duì)材料層應(yīng)用蝕刻工藝。之后，去除第一經(jīng)圖案化的光刻膠層。在材料層上涂布第二光刻膠層，同時(shí)或者相繼使用第二光掩模和第三光掩模暴露出第二光刻膠層；并且進(jìn)行顯影以形成第二經(jīng)圖案化的光刻膠層。通過第二經(jīng)圖案化的光刻膠層的開口蝕刻材料層。隨后去除第二經(jīng)圖案化的光刻膠層。可以在方法20中的步驟之前、之中和之后實(shí)施其他工藝步驟。例如，材料層是硬掩模層。使用硬掩模層作為蝕刻掩模蝕刻襯底或下面的材料層，以便將在硬掩模層上形成的IC部件轉(zhuǎn)移到襯底或下面的材料層。圖2是在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的根據(jù)本發(fā)明的各個(gè)方面的構(gòu)造的用于集成電路(IC)設(shè)計(jì)和掩模制造的方法50的流程圖。方法50是圖1中的步驟24(和步驟26)的一個(gè)實(shí)施例。圖3至圖8是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在各個(gè)設(shè)計(jì)階段中的各種布局的示意圖。參考圖2至圖8描述方法50。方法開始于步驟52，在步驟52中，比如由設(shè)計(jì)者提供或者比如從設(shè)計(jì)者處接收IC設(shè)計(jì)布局。IC設(shè)計(jì)布局包括設(shè)計(jì)用于IC產(chǎn)品且基于IC產(chǎn)品規(guī)范的各種幾何圖案(IC部件或電路部件)。圖3示出了具有各種IC部件102、104、106、108和110的一個(gè)示例性IC設(shè)計(jì)布局100。在特定實(shí)例中，IC部件102進(jìn)一步包括IC部件102a至102f。在一個(gè)或多個(gè)具有幾何圖案信息的數(shù)據(jù)文件中顯示IC設(shè)計(jì)布局。在一個(gè)實(shí)例中，以本領(lǐng)域中已知的“gds”格式表達(dá)IC設(shè)計(jì)布局。設(shè)計(jì)者基于將要制造的產(chǎn)品的規(guī)范應(yīng)用適當(dāng)?shù)脑O(shè)計(jì)程序以實(shí)現(xiàn)IC設(shè)計(jì)布局。設(shè)計(jì)程序可以包括邏輯設(shè)計(jì)、物理設(shè)計(jì)、和/或布局和布線(place and rou te)。作為實(shí)例，IC設(shè)計(jì)布局包括將要在半導(dǎo)體襯底(比如娃晶圓)中形成的各種IC部件(比如有源區(qū)、柵電極、源極和漏極、層間互連的金屬線或通孔、和用于接合焊盤的開口)以及在半導(dǎo)體襯底上方設(shè)置的各種材料層。IC設(shè)計(jì)布局可以包括某些輔助部件，比如用于成像作用、加工增強(qiáng)、和/或掩模標(biāo)識(shí)信息的那些部件。在本實(shí)施例中，IC設(shè)計(jì)布局包括將要在襯底(比如硅晶圓)上的材料層中形成的多個(gè)電路部件。在一個(gè)實(shí)例中，多個(gè)電路部件是在金屬層中形成的金屬線。方法50繼續(xù)到步驟54，在步驟54中，將IC設(shè)計(jì)布局劃分為兩組第一組是簡(jiǎn)單部件，和第二組是復(fù)雜部件。IC設(shè)計(jì)布局需要滿足各種設(shè)計(jì)規(guī)則，以使能夠在半導(dǎo)體襯底(比如硅晶圓)上適當(dāng)?shù)刂圃霫C設(shè)計(jì)布局中的電路部件。設(shè)計(jì)規(guī)則包括限定電路部件的幾何尺寸的一個(gè)或多個(gè)特征設(shè)計(jì)規(guī)則。在一個(gè)實(shí)例中，特征設(shè)計(jì)規(guī)則要求電路部件具有等于或者大于最小長(zhǎng)度Lffl的長(zhǎng)度L，用公式表示為L(zhǎng) >= Lm。設(shè)計(jì)規(guī)則還包括限定兩個(gè)接近的電路部件之間的空間關(guān)系的一個(gè)或多個(gè)關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在一個(gè)實(shí)例中，關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則要求兩個(gè)電路部件具有等于或大于最小距離Sm的距離S(或間隔)，用公式表示為S > = Sm。圖3示出了 IC部件102a具有長(zhǎng)度L、與IC部件104的第一間隔LI和與102b的第二間隔L2。加工IC設(shè)計(jì)布局以根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則標(biāo)識(shí)第一組簡(jiǎn)單部件(或第一布局)和第二組復(fù)雜部件(第二布局)。在第一布局中，簡(jiǎn)單部件不違背任何設(shè)計(jì)規(guī)則。具體而言，每個(gè)簡(jiǎn)單部件都不違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則。在第一布局中的任何兩個(gè)簡(jiǎn)單部件不違背任何關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)貝U。在第二布局中，復(fù)雜部件違背設(shè)計(jì)規(guī)則的至少一個(gè)子集。例如，復(fù)雜部件可能違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則，比如其長(zhǎng)度小于最小長(zhǎng)度。在另一個(gè)實(shí)例中，第二布局中的兩個(gè)復(fù)雜部件可能違背關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則，如兩個(gè)復(fù)雜部件之間的間隔小于最小間隔。在步驟54中，將IC設(shè)計(jì)布局中的IC部件劃分為第一布局和第二布局消除了對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的一些違背，并進(jìn)一步限定其余的違背僅處于第二布局中。在一個(gè)實(shí)施例中，如果IC部件不違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則，則將其標(biāo)識(shí)為簡(jiǎn)單部件。如果IC部件違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則，則將其標(biāo)識(shí)為復(fù)雜部件。例如，如果IC部件具有小于最小長(zhǎng)度的長(zhǎng)度，則將其標(biāo)識(shí)為復(fù)雜部件。在另一個(gè)實(shí)例中，比如在圖3中所示出的IC設(shè)計(jì)布局100，IC部件是在Y方向上定向的各種線部件。劃分IC部件以便消除對(duì)與在X方向上的間隔相關(guān)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。將違背與Y方向上的間隔相關(guān)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則和違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則的IC部件分組至第二布局。將不違背與Y方向上的間隔相關(guān)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則和不違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則的IC部件分組至第一布局，如圖4中所示出的那些。在步驟54中的劃分之后，將IC設(shè)計(jì)布局100劃分為圖5中所不出的第一布局112和圖6中所不出的第二布局114。對(duì)于第一布局112和第二布局114 二者都解決了 X方向上的間隔問題。返回參考圖2，方法50包括步驟56，在步驟56中，進(jìn)一步將復(fù)雜部件的第二布局劃分為兩種布局第三布局和第四布局，從而消除第二布局中對(duì)設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。通過在第二布局中合并(連接)IC部件生成第三布局。換種說法，將各種連接部件添加到第二布局中的IC部件以連接鄰近的IC部件，減少IC部件的數(shù)量，并避免違背設(shè)計(jì)規(guī)則。在圖6中示出連接部件115用于說明。在一個(gè)實(shí)施例中，將短IC部件(例如，L < Lm)連接至另一 IC部件，以使不違背相應(yīng)的特征設(shè)計(jì)規(guī)則(例如，L >= Lffl)。在另一個(gè)實(shí)施例中，將兩個(gè)接近的IC部件(S < Sffl)連接在一起，以使不違背 對(duì)應(yīng)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則(S >= Sm)。在另一個(gè)實(shí)施例中，比如IC設(shè)計(jì)布局100，相應(yīng)的第二布局114在第一劃分之后消除了對(duì)與X方向上的間隔相關(guān)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。通過添加連接部件消除了對(duì)第二布局114中與Y方向上的間隔相關(guān)的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。類似地，通過添加連接部件，將短IC部件連接(合并)至長(zhǎng)IC部件以便消除對(duì)特征設(shè)計(jì)原則的違背。通過添加連接部件，生成第三布局116，如圖7中所示出。第三布局包括復(fù)雜部件和連接部件，合起來被稱為修正復(fù)雜部件。在本實(shí)施例中，第三布局116包括修正復(fù)雜部件118a、118b和118c。第四布局包括修整部件，并根據(jù)第三布局中添加的連接部件而生成。第四布局中的修整部件被設(shè)計(jì)成在光刻法的暴露工藝期間排除連接部件。第四部件中的修整部件對(duì)應(yīng)于第三布局中的連接部件。例如，對(duì)于第三布局中的每一個(gè)連接部件相應(yīng)地在第四布局中產(chǎn)生修整部件。在另一個(gè)實(shí)例中，對(duì)于第三布局中的一個(gè)以上連接部件相應(yīng)地在第四布局中產(chǎn)生修整部件。在本實(shí)施例中，比如在圖7中所示出的第三布局116，在圖8中產(chǎn)生第四布局120。第四布局120包括由不透明區(qū)124分開的多個(gè)修整部件122。返回參考圖2，生成三種掩模圖案用于制造三種對(duì)應(yīng)的光掩模(掩模)，如框58中所示出的。具體而言，如框60中所示，第一掩模圖案是修正復(fù)雜部件(復(fù)雜部件和連接部件)的第三布局，比如圖7中的第三布局116。如框62中所示，第二掩模圖案是修整部件的第四布局，比如圖8中的第四布局120。如框64中所示，第三掩模圖案是簡(jiǎn)單部件的第一布局，比如圖5中的第一布局112。方法50還可以包括步驟66，在步驟66中，制造對(duì)半導(dǎo)體襯底中的材料層制造IC設(shè)計(jì)布局100的IC部件期間所用的一組光掩模。該組光掩模包括分別具有第一、第二和第
三掩模圖案的第一、第二和第三光掩模。在一個(gè)實(shí)施例中，基于掩模布局使用電子束或多電子束機(jī)構(gòu)在光掩模上形成圖案。可以以各種技術(shù)形成光掩模。在一個(gè)實(shí)例中，米用二兀技術(shù)形成光掩模。在這種情況下，掩模圖案包括不透明區(qū)和透明區(qū)。用于暴露涂布在晶圓上的圖像感光材料層(比如光刻膠)的輻射束(例如紫外或UV束)被不透明區(qū)阻擋，并透過透明區(qū)傳播。在一個(gè)實(shí)例中，二元光掩模包括透明襯底(例如，熔融石英)和在掩模的不透明區(qū)中涂布的不透明材料(例如，鉻)。在另一個(gè)實(shí)施例中，米用相移技術(shù)形成光掩模之一或者其子集。在相移掩模(PSM)中，在掩模上形成的圖案中的各種部件被配制成具有適當(dāng)?shù)南辔徊钜栽鰪?qiáng)分辨率和成像質(zhì)量。在各個(gè)實(shí)例中，PSM可以是本領(lǐng)域中已知的衰減性PSM或交替性PSM。在本發(fā)明的不同實(shí)施例中可以存在不同的優(yōu)點(diǎn)或益處。例如，通過實(shí)施方法50，復(fù)雜部件的第二布局可以遵循寬松設(shè)計(jì)規(guī)則，以使不滿足一些設(shè)計(jì)規(guī)則。然后，進(jìn)一步劃分復(fù)雜部件的該布局以產(chǎn)生滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的兩種光掩模。因此，兩種光掩?？赡茉诓贿`背設(shè)計(jì)規(guī)則的情況下無法產(chǎn)生兩種布局中的各種IC部件。所公開的方法使用三種光掩模來限定IC設(shè)計(jì)布局而不違背設(shè)計(jì)規(guī)則。在另一個(gè)實(shí)例中，第一劃分消除了對(duì)與第一方向上的最小間隔相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。第二劃分消除了對(duì)與垂直第一方向的第二方向上的最小間隔相關(guān)的設(shè)計(jì)規(guī)則的違背。通過這兩種劃分解決了臨界面積問題。而且，在第二劃分中將短線部件連接至長(zhǎng)線部件。因此，解決了線端點(diǎn)問題。在另一個(gè)實(shí)例中，所公開的方法有效地生成了限定IC設(shè)計(jì)布局的三種光掩模，并用于在IC襯底上的一個(gè)材料層內(nèi)制造IC設(shè)計(jì)布局的各種IC部件。一種光掩模包括簡(jiǎn)單部件的布局。另一種光掩模包括修正復(fù)雜部件的布局，并且第三種光掩模包括修整部件的布局。在具有光刻工藝和蝕刻工藝兩種程序的方法中，這三種光掩模共同限定IC設(shè)計(jì)布局。圖9是在一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的根據(jù)本發(fā)明使用三種光掩模制造IC圖案的方法130的流程圖。在一個(gè)實(shí)例中，方法130是圖1中的方法20的步驟28的實(shí)施例。圖10、圖14至圖17、圖20至圖22、和圖24是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC結(jié)構(gòu)170的剖面圖。圖11至圖13、圖18至圖19、和圖23是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在各個(gè)設(shè)計(jì)階段的IC結(jié)構(gòu)170的部分俯視圖。參考圖9至圖24，在下面共同描述方法130和半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)170。參考圖9和圖10，方法130開始于步驟132，在步驟132中，在襯底上形成硬掩模層。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)170包括IC襯底172，比如硅晶圓或其他材料的半導(dǎo)體襯底，或者在其上形成有半導(dǎo)體材料層的襯底。IC襯底172可以另外地或可選地包括鍺、硅鍺、砷化鎵、或其他適當(dāng)?shù)陌雽?dǎo)體材料。襯底172可以包括各種摻雜區(qū)、介電部件、和/或多層互連件的一部分。在一個(gè)實(shí)施例中，IC襯底172包 括用于各種微電子元件(比如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(CM0SFET)、成像傳感器、存儲(chǔ)器單元、和/或電容元件)的各種摻雜部件。在另一個(gè)實(shí)施例中，襯底172包括分別配置用于連接和隔離各種微電子元件的導(dǎo)電材料部件和介電材料部件。在另一個(gè)實(shí)施例中，襯底172包括在其上形成的一個(gè)或多個(gè)材料層。以兩個(gè)正交方向X和Y限定襯底。第三方向Z垂直于襯底172 (或垂直于X和Y方向)。半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)170還可以包括在襯底172上形成的材料層(未示出)。將對(duì)材料層進(jìn)行圖案化以形成各種電路部件，比如金屬線、接觸件/通孔部件。在用于說明的本實(shí)施例中，材料層是將要進(jìn)行圖案化以形成各種金屬線的介電材料層，比如層間介電(ILD)層。在襯底172上形成硬掩模層174。硬掩模層174包括用于圖案化的合適的材料，比如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、或其他適當(dāng)?shù)牟牧?。可以通過化學(xué)汽相沉積(CVD)或者其他合適的技術(shù)沉積具有適當(dāng)厚度的硬掩模層。方法130包括通過框134中的第一程序和框136中的第二程序圖案化硬掩模層。第一程序134包括使用兩種光掩模的光刻工藝和蝕刻工藝。第二程序136包括使用一種光掩模的光刻工藝和蝕刻工藝。三種光掩模在一層中限定了各種電路部件。在方法50中描述了這三種光掩模的定義和生成。仍參考圖9和圖10，方法130繼續(xù)到步驟138，在步驟138中，在硬掩模層174上形成第一光刻膠(PR)層176。在一個(gè)實(shí)施例中，第一 PR層176的形成包括涂布(比如旋轉(zhuǎn)涂布)并且還可以包括烘焙以減少PR層176中的溶劑。參考圖9和圖11，方法130繼續(xù)到步驟140，在步驟140中，使用包括復(fù)雜部件和連接部件的修正復(fù)雜部件的第一光掩模(比如，圖7的第一光掩模116)暴露出第一 PR層176。在圖11中作為俯視圖示出暴露的PR層176。暴露的PR層176包括非暴露區(qū)178和暴露區(qū)180。參考圖9和圖12，方法130繼續(xù)到步驟142，在步驟142中，使用修整部件的第二光掩模(比如圖8的第二光掩模120)暴露出第一 PR層176。在圖12中作為俯視圖示出暴露的PR層176。暴露的PR層176包 括第一暴露區(qū)180和第二暴露區(qū)182。在本實(shí)施例中，以所描述的順序相繼或者可選地以不同的順序?qū)嵤┑谝槐┞逗偷诙┞?。在另一?shí)施例中，將第一暴露和第二暴露合并成一個(gè)暴露工藝，以便通過第一光掩模和第二光掩模同時(shí)暴露出第一 PR層176，形成如圖12中所示出的暴露的PR層176。在這種情況下，光刻裝置被設(shè)計(jì)成同時(shí)持有兩種光掩模。將光束劃分成兩束光束，一道光束定向透過第一光掩模，另一道光束定向透過第二光掩模。透過第一和第二光掩模的兩道光束進(jìn)一步指向PR層176。因此，暴露的PR圖案是第一和第二光掩模的合并圖案。參考圖9、圖13和圖14，方法130繼續(xù)到步驟144，在步驟144中，顯影PR層176，形成具有多個(gè)開口 184、186和188的經(jīng)圖案化的PR層176。圖13以俯視圖示出了經(jīng)圖案化的PR層176。在本實(shí)施例中，使用陰性顯影溶液(nagative developing solution)以便去除非暴露區(qū)中的PR，形成暴露圖案的負(fù)像(nagative image)。參考圖9和圖15，方法130繼續(xù)到步驟146，在步驟146中，通過PR層176的開口蝕刻硬掩模層174。蝕刻工藝使用經(jīng)圖案化的第一 PR層作為蝕刻掩模。蝕刻工藝可以包括干式蝕刻、濕式蝕刻、其組合或其他合適的蝕刻技術(shù)。之后，參考圖9和圖16，方法130可以繼續(xù)到步驟148，在步驟148中，通過濕式剝離或等離子體灰化去除第一 PR層176。在本實(shí)施例中，經(jīng)圖案化的硬掩模層174包括開口184，、186，和188’，如圖16中所示出的。參考圖9和圖17，方法130繼續(xù)到步驟150，在步驟150中在硬掩模層174上形成第二 PR層190。在一個(gè)實(shí)施例中，第二 PR層190的形成包括涂布和烘焙。第二 PR層190可以進(jìn)一步填充硬掩模層174的開口。參考圖9和圖18，方法130繼續(xù)到步驟152，在步驟152中，使用簡(jiǎn)單部件的第三光掩模(比如圖5的第三光掩模112)暴露出第二 PR層190。在圖18中作為俯視圖示出暴露的PR層190。暴露的PR層190包括非暴露區(qū)192和暴露區(qū)194。參考圖9、圖19和圖20，方法130繼續(xù)到步驟154，在步驟154中，顯影第二 PR層190，形成具有多個(gè)開口 196和198的經(jīng)圖案化的PR層190。圖19以俯視圖示出了經(jīng)圖案化的PR層190。圖20以剖面圖示出了經(jīng)圖案化的PR層190。在本實(shí)施例中，使用陰性顯影溶液以便去除非暴露區(qū)中的PR，形成暴露圖案的負(fù)像。參考圖9和圖21，方法130繼續(xù)到步驟156，在步驟156中，通過第二 PR層190的開口蝕刻硬掩模層174。蝕刻工藝使用經(jīng)圖案化的第二 PR層190作為蝕刻掩模。蝕刻工藝可以包括干式蝕刻、濕式蝕刻、其組合、或其他合適的蝕刻技術(shù)。之后，參考圖9、圖22和圖23，方法130可以繼續(xù)到步驟158，在步驟158中，通過濕式剝離或等離子體灰化去除第二 PR層190。在本實(shí)施例中，經(jīng)圖案化的硬掩模層174包括由第一程序134得到的開口 184’、186’和188’以及由第二程序136得到的開口 196’和198’。圖22以剖面圖示出了經(jīng)圖案化的硬掩模層174。圖23以俯視圖示出了經(jīng)圖案化的硬掩模層174。在可選實(shí)施例中，可以以不同的順序(比如先第二程序，然后第一程序)實(shí)施第一程序和第二程序。參考圖9和圖24，方法130還可以包括步驟160，在步驟160中，通過硬掩模層174的開口蝕刻IC襯底172。在一個(gè)實(shí)例中，蝕刻ILD層以在其中形成溝槽199。蝕刻工藝可以包括設(shè)計(jì)成選擇性蝕刻硬掩模層174下面的材料層的干式蝕刻或濕式蝕刻。之后可以去除硬掩模層174?？梢越又M(jìn)行其他工藝。在本實(shí)施例中，沉積金屬(比如鎢或銅)以填充ILD層中的溝槽。應(yīng)用諸如化學(xué)機(jī)械拋光(`CMP)的拋光工藝去除多余的金屬并平坦化表面。從而，在ILD層中形成金屬線。圖25至圖28是根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的在不同設(shè)計(jì)階段的IC設(shè)計(jì)布局200的示意圖。IC設(shè)計(jì)布局200提供采用圖2的方法50由IC設(shè)計(jì)布局生成三種掩模圖案的另一實(shí)例。IC設(shè)計(jì)布局200包括多個(gè)IC部件202。通過步驟54中的第一劃分，IC設(shè)計(jì)布局的IC部件被劃分成第一組簡(jiǎn)單部件202a和第二組復(fù)雜部件202b，如圖26中所示出的。使用第一組簡(jiǎn)單部件202a作為掩模圖案以生成一種光掩模。參考圖27，進(jìn)一步加工第二組復(fù)雜部件202b以生成第三組和第四組。具體而言，添加各種連接部件以連接復(fù)雜部件，生成第三組修正復(fù)雜部件204(復(fù)雜部件和連接部件)。相應(yīng)地，根據(jù)第三組中的連接部件通過將修整部件添加到第四組中來生成第四組修整部件206。一些修整部件中的每一個(gè)都可以對(duì)應(yīng)于一個(gè)以上的連接部件。例如，修整部件206a對(duì)應(yīng)于兩個(gè)連接部件。圖28共同示出了第一組簡(jiǎn)單部件202a、第三組修正復(fù)雜部件204和第四組修整部件206。使用第一組簡(jiǎn)單部件202a作為第三掩模圖案，比如圖2的框64中所示出的。使用第三組修改正復(fù)雜部件204作為第一掩模圖案，比如圖2的框60中所示出的。使用第四組修整部件206作為第二掩模圖案，比如圖2的框62中所示出的。圖29是一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例中的根據(jù)本發(fā)明的各方面構(gòu)造的IC方法210的框圖。在本實(shí)施例中，方法210被設(shè)計(jì)用于制造互連部件，比如金屬線。方法210開始于框212中所示的金屬圖案帶入(tape-1n)。金屬圖案限定各種特征，包括形狀、尺寸和結(jié)構(gòu)。方法210繼續(xù)進(jìn)行到將金屬圖案劃分成兩個(gè)圖案組，如框214中所示。第一圖案組包括復(fù)雜部件(所以第一圖案組還稱為復(fù)雜布局)，如框216中所示。復(fù)雜部件可以違背一些設(shè)計(jì)規(guī)則，比如特征設(shè)計(jì)規(guī)則和關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。換種說法，復(fù)雜布局遵循寬松設(shè)計(jì)規(guī)則(loose design rules)。第二圖案組包括簡(jiǎn)單部件(所以第二圖案組還稱為簡(jiǎn)單布局)，如框218中所示。簡(jiǎn)單布局中的簡(jiǎn)單部件滿足所有設(shè)計(jì)規(guī)則。換種說法，簡(jiǎn)單布局遵循臨界設(shè)計(jì)規(guī)則(critical design rules)。將復(fù)雜布局進(jìn)一步劃分成兩種掩模圖案，如框220中所示。第一掩模圖案包括修正復(fù)雜部件，其包括復(fù)雜部件和連接部件。修正復(fù)雜部件遵循與框218中的第二組簡(jiǎn)單布局相似的臨界設(shè)計(jì)規(guī)則。因此，修正復(fù)雜部件的布局還稱為第一組簡(jiǎn)單布局。第一組簡(jiǎn)單布局用于形成第一組簡(jiǎn)單布局掩模或第一掩模，如框222中所不。第二掩模圖案包括對(duì)應(yīng)于第一掩模圖案中的連接部件的修整(或切割)部件。切割部件被設(shè)計(jì)成臨界端點(diǎn)(特征設(shè)計(jì)原則)和面積規(guī)則(關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則)。第二掩模圖案用于形成切割布局掩模或第二掩模，如框224中所示?？?18中的第二組簡(jiǎn)單布局用于形成第二組簡(jiǎn)單布局掩模或第三掩模，如框226中所示。三種掩模用于圖案化在IC襯底上形成的硬掩模層。在框228中，在硬掩模層上涂布第一 PR層，并通過第一掩模和第二掩模相繼或同時(shí)暴露出第一 PR層。之后，對(duì)暴露的第一 PR層應(yīng)用陰性顯影劑，形成按照第一掩模和第二掩模的組合圖案圖案化成具有多個(gè)開口 的第一 PR層。在框232中對(duì)硬掩模層應(yīng)用第一蝕刻工藝。在第一蝕刻工藝之后可以去除第一 PR層。然后在硬掩模層上涂布第二PR層。如框234中所示，對(duì)第二PR層應(yīng)用第二光刻工藝，形成圖案化成具有多個(gè)開口的第二 PR層。使用第三掩模實(shí)施第二光刻工藝中的暴露。在框236中對(duì)硬掩模層應(yīng)用第二蝕刻工藝。在第二蝕刻工藝之后可以去除第二 PR層。因此，在暴露和蝕刻兩個(gè)程序中使用三種掩模圖案化硬掩模層。經(jīng)圖案化的硬掩模層用于進(jìn)一步圖案化下面的材料層，形成金屬部件。在一個(gè)實(shí)例中，在硬掩模層下面沉積金屬層，并通過蝕刻使用硬掩模層作為蝕刻掩模圖案化金屬層以形成金屬線。在另一個(gè)實(shí)例中，在硬掩模層下面沉積介電材料，并通過蝕刻使用硬掩模層作為蝕刻掩模圖案化介電材料層以形成溝槽。然后沉積金屬以填充溝槽，并使用諸如CMP的拋光工藝來去除多余的金屬并平坦化表面。在不背離本發(fā)明的主旨的情況下，可以實(shí)施其他實(shí)施例和改進(jìn)。在一個(gè)實(shí)施例中，代替硬掩模層，可以使用三種掩模直接圖案化金屬層或介電材料層以形成各種IC部件。在另一實(shí)施例中，因而經(jīng)圖案化的硬掩模層可以用于形成各種摻雜部件。在又一個(gè)實(shí)施例中，所公開的方法可以用于形成IC部件比如淺溝槽隔離(STI)部件或柵疊層。在又一個(gè)實(shí)施例中，光刻工藝可以應(yīng)用其他輻射敏感材料，并且相應(yīng)的光刻工藝可以使用其他輻射源，t匕如電子。
因此，本發(fā)明提供了一種集成電路(IC)設(shè)計(jì)方法。該方法包括接收具有多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局，并根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局標(biāo)識(shí)出作為第一布局的簡(jiǎn)單部件，其中第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；以及作為第二布局的復(fù)雜部件，其中第二布局違背設(shè)計(jì)規(guī)則。該方法還包括由第二布局生成第三布局和第四布局，其中，第三布局包括滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜部件和連接部件，并且第四布局包括修整部件。在一個(gè)實(shí)施例中，修整部件被設(shè)計(jì)成從第三布局和第四布局的集合圖像排除連接部件。在另一個(gè)實(shí)施例中，設(shè)計(jì)規(guī)則包括限定IC部件的幾何特性的特征設(shè)計(jì)規(guī)則；以及限定兩個(gè)IC部件之間的空間關(guān)系的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在又一個(gè)實(shí)施例中，特征設(shè)計(jì)規(guī)則限定IC部件的最小長(zhǎng)度；以及關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則限定兩個(gè)IC部件之間的最小間隔。在又一個(gè)實(shí)施例中，簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集在IC設(shè)計(jì)中被配置成接近復(fù)雜部件時(shí)，該簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集違背關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在又一個(gè)實(shí)施例中，標(biāo)識(shí)出簡(jiǎn)單部件包括確定簡(jiǎn)單部件不違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則但違背簡(jiǎn)單部件和復(fù)雜部件之間的關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)貝U。在又一個(gè)實(shí)施例中，標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件違背特征設(shè)計(jì)規(guī)則。在又一個(gè)實(shí)施例中，多個(gè)IC部件是在第一方向上定向的多個(gè)線部件；以及標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件與另一復(fù)雜部件在第一方向上違背關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。在另一個(gè)實(shí)施例中，該方法還包括根據(jù)第一布局制造第一光掩模；根據(jù)第三布局制造第二光掩模；以及根據(jù)第四布局制造第三光掩模。在又一個(gè)實(shí)施例中，該方法還包括使用第一光掩模、第二光掩模和第三光掩模在材料層中形成IC部件。在又一個(gè)實(shí)施例中，在材料層中形成IC部件包括使用第一光掩模在材料層上圖案化第一光刻膠層；通過第一光刻膠層的開口蝕刻材料層；去除第一光刻膠層；使用第二光掩模和第三光掩模在 材料層上圖案化第二光刻膠層；通過第二光刻膠層的開口蝕刻材料層；以及去除第二光刻膠層。在又一個(gè)實(shí)施例中，圖案化第二光刻膠層包括在材料層上涂布第二光刻膠層；使用第二光掩模暴露出第二光刻膠層；使用第三光掩模暴露出第二光刻膠層；以及之后，顯影第二光刻膠層。在又一個(gè)實(shí)施例中，以相繼暴露模式和同時(shí)暴露模式之一執(zhí)行使用第二光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟以及使用第三光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟。在又一個(gè)實(shí)施例中，材料層是位于下面的材料層上的硬掩模層，并且該方法還包括在通過第一光刻膠層的開口蝕刻材料層以及通過第二光刻膠層的開口蝕刻材料層之后，通過硬掩模層的開口蝕刻下面的材料層。本發(fā)明還提供了用于制造集成電路的方法的實(shí)施例。該方法包括在襯底上形成材料層；使用第一光掩模在材料層上圖案化第一光刻膠層；通過第一光刻膠層的開口蝕刻材料層；去除第一光刻膠層；使用第二光掩模和第三光掩模在材料層上圖案化第二光刻膠層；通過第二光刻膠層的開口蝕刻材料層；以及去除第二光刻膠層。在一個(gè)實(shí)施例中，圖案化第二光刻膠層包括在材料層上涂布所述第二光刻膠層；使用第二光掩模對(duì)第二光刻膠層實(shí)施第一暴露工藝；使用第三光掩模對(duì)第二光刻膠層實(shí)施第二暴露工藝；以及之后，顯影第二光刻膠層。在另一個(gè)實(shí)施例中，相繼實(shí)施使用第二光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟以及使用第三光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟。在又一個(gè)實(shí)施例中，同時(shí)實(shí)施使用第二光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟以及使用第三光掩模暴露出第二光刻膠層的步驟。
在又一個(gè)實(shí)施例中，材料層是硬掩模層，并且該方法還包括在通過第一光刻膠層的開口蝕刻材料層以及通過第二光刻膠層的開口蝕刻材料層之后，通過硬掩模層的開口蝕刻襯底。在又一個(gè)實(shí)施例中，根據(jù)具有將要在襯底上形成的多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局設(shè)計(jì)第一光掩模、第二光掩模和第三光掩模。在又一個(gè)實(shí)施例中，第一光掩模包括具有IC部件的第一子集的第一布局，其中，第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；第二光掩模包括具有IC部件的第二子集和連接部件的第二布局，其中，IC部件的第二子集違背設(shè)計(jì)規(guī)則，而第二布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；以及第三光掩模包括具有多個(gè)對(duì)應(yīng)于連接部件的修整部件的第三布局。本發(fā)明還提供了被設(shè)計(jì)成用于在材料層中形成集成電路(IC)部件的光掩模組。該光掩模組包括第一光掩模，該第一光掩模包括具有IC部件的第一子集的第一布局，其中，第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；第二光掩模，該第二光掩模包括具有IC部件的第二子集和連接部件的第二布局，其中，IC部件的第二子集違背設(shè)計(jì)規(guī)則，而第二布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；以及第三光掩模，該第三光掩模包括具有多個(gè)匹配連接部件的修整部件的第三布局。上面論述了若干實(shí)施例的部件，使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可以更好地理解隨后的詳細(xì)描述。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其他用于達(dá)到與這里所公開的實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同的優(yōu)點(diǎn)的工藝和結(jié)構(gòu)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的主旨和范圍，并且在不背離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下， 在其中可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。
權(quán)利要求
1.一種集成電路(IC)設(shè)計(jì)方法，包括 接收具有多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局； 根據(jù)所述IC設(shè)計(jì)布局，標(biāo)識(shí)出 作為第一布局的簡(jiǎn)單部件，其中，所述第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則，以及作為第二布局的復(fù)雜部件，其中，所述第二布局違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則；以及由所述第二布局生成第三布局和第四布局，其中，所述第三布局包括滿足所述設(shè)計(jì)規(guī)則的所述復(fù)雜部件和連接部件，并且，所述第四布局包括修整部件。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的IC設(shè)計(jì)方法，其中，將所述修整部件設(shè)計(jì)為從所述第三布局和所述第四布局的集合圖像中排除所述連接部件。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述設(shè)計(jì)規(guī)則包括 特征設(shè)計(jì)規(guī)則，限定出IC部件的幾何特性；以及 關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則，限定出兩個(gè)IC部件之間的空間關(guān)系。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中 所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則限定出所述IC部件的最小長(zhǎng)度；并且 所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則限定出所述兩個(gè)IC部件之間的最小間隔。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，當(dāng)所述簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集在所述IC設(shè)計(jì)中配置為接近所述復(fù)雜部件時(shí)，所述簡(jiǎn)單部件的至少一個(gè)子集違背所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，標(biāo)識(shí)出簡(jiǎn)單部件包括確定簡(jiǎn)單部件不違背所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則但違背所述簡(jiǎn)單部件和復(fù)雜部件之間的所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件違背所述特征設(shè)計(jì)規(guī)則。
8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中 所述多個(gè)IC部件是在第一方向上定向的多個(gè)線部件；以及 標(biāo)識(shí)出復(fù)雜部件包括確定復(fù)雜部件與另一復(fù)雜部件在所述第一方向上違背所述關(guān)系設(shè)計(jì)規(guī)則。
9.一種用于制造集成電路(IC)的方法，包括 在襯底上形成材料層； 使用第一光掩模在所述材料層上圖案化第一光刻膠層； 通過所述第一光刻膠層的開口蝕刻所述材料層； 去除所述第一光刻膠層； 使用第二光掩模和第三光掩模在所述材料層上圖案化第二光刻膠層； 通過所述第二光刻膠層的開口蝕刻所述材料層；以及 去除所述第二光刻膠層。
10.一種光掩模組，設(shè)計(jì)為用于在材料層中形成集成電路(IC)部件，所述光掩模組包括 第一光掩模，包括具有所述IC部件的第一子集的第一布局，其中，所述第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則； 第二光掩模，包括具有所述IC部件的第二子集和連接部件的第二布局，其中，所述IC部件的所述第二子集違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則，所述第二布局不違背所述設(shè)計(jì)規(guī)則；以及`第三光掩模，包括具有多個(gè)匹配所述連接部件的修整部件的第三布局。
全文摘要
本發(fā)明提供了集成電路設(shè)計(jì)方法的一個(gè)實(shí)施例。該方法包括接收具有多個(gè)IC部件的IC設(shè)計(jì)布局。該方法包括根據(jù)IC設(shè)計(jì)布局標(biāo)識(shí)出作為第一布局的簡(jiǎn)單部件，其中第一布局不違背設(shè)計(jì)規(guī)則；以及作為第二布局的復(fù)雜部件，其中第二布局違背設(shè)計(jì)規(guī)則。該方法還包括由第二布局生成第三布局和第四布局，其中，第三布局包括滿足設(shè)計(jì)規(guī)則的復(fù)雜部件和連接部件，并且第四布局包括修整部件。本發(fā)明還提供了一種采用三重圖案化的集成電路方法。
文檔編號(hào)H01L27/02GK103066070SQ201210241809
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年7月12日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月18日
發(fā)明者劉家助, 陳桂順, 陳孟偉 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司