有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【專利摘要】一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導(dǎo)電基底、發(fā)光層、陰極、保護(hù)層、阻擋層及封裝蓋，阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜，第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備，第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備，第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂；封裝蓋將發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上，封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。上述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。本發(fā)明還提供一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。
【專利說明】有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是基于有機(jī)材料的一種電流型半導(dǎo)體發(fā)光器件。其典型結(jié)構(gòu)是在ITO玻璃上制作一層幾十納米厚的有機(jī)發(fā)光材料作發(fā)光層,發(fā)光層上方有一層低功函數(shù)的金屬電極。當(dāng)電極上加有電壓時(shí)，發(fā)光層就產(chǎn)生光福射。
[0003]有機(jī)電致發(fā)光器件受到濕氣和潮氣侵蝕后，會(huì)引起有機(jī)電致發(fā)光器件內(nèi)部元件的材料發(fā)生老化進(jìn)而失效，從而所述有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較短。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]基于此，有必要提供一種壽命較長的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法。
[0005]一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導(dǎo)電基底、發(fā)光層、陰極、保護(hù)層、阻擋層及封裝蓋，保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，1'-聯(lián)苯-4-4' - 二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜，第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備，第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備，第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂；封裝蓋將發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上，封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
[0006]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底配合形成有收容腔，所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層均收容于所述收容腔。
[0007]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層為3個(gè)?5個(gè)，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
[0008]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝蓋的邊緣通過封裝膠與所述導(dǎo)電基板密封連接。
[0009]一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0010]在導(dǎo)電基底上形成發(fā)光層；
[0011]在所述發(fā)光層上形成陰極；
[0012]在所述陰極上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1，I' _聯(lián)苯-4-4' _ 二胺、8_輕基喧琳招、氧化娃、氣化續(xù)或硫化鋅；
[0013]在所述保護(hù)層上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂；及
[0014]使用封裝蓋將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
[0015]在其中一個(gè)實(shí)施例中，通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底密封連接以將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上。
[0016]在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述阻擋層為3個(gè)~5個(gè)，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。[0017]在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用反應(yīng)濺射制備所述第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X 10_3Pa~I X 10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為39Tll%。
[0018]在其中一個(gè)實(shí)施例中，采用非反應(yīng)濺射制備所述第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X KT3Pa ~12 X I(T4Pa,靶材為 Si3N4' AIN、BN、SiN、TaN 或 TiN,通入氣體為氬氣。
[0019]上述有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法，保護(hù)層可以保護(hù)陰極，避免陰極在后續(xù)的制備工藝中受破壞，阻擋層的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應(yīng)力；封裝蓋采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命較長。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0020]圖1為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖2為一實(shí)施例的有機(jī)電致發(fā)光的制備方法的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0022]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法進(jìn)一步闡明。
[0023]請(qǐng)參閱圖1，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100包括依次層疊的具有陽極圖案的導(dǎo)電基底10、功能層20、陰極30、保護(hù)層40、阻擋層50及封裝蓋70。
[0024]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。導(dǎo)電基底10上具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為100nnTl50nm。
[0025]功能層20形成于基底10表面。功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層?？梢岳斫?，空穴注入層、空穴傳輸層、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0026]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基-1，1’ -聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm。
[0027]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)。空穴傳輸層的厚度為40nm。
[0028]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。
[0029]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nmo
[0030]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3)。CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。
[0031]需要說明的是，空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料。
[0032]陰極30形成于功能層20表面。陰極30為單層結(jié)構(gòu)。陰極的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)。
[0033]保護(hù)層40形成于陰極30表面。保護(hù)層40的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N' -二(1-萘基)-N，N' - 二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS)。保護(hù)層40的厚度為200nnT300nm。
[0034]阻擋層50形成于保護(hù)層40表面。阻擋層50包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。 [0035]第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為39Tll%。第一氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0036]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0037]有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為I P π?.5 μ m。
[0038]本實(shí)施方式中，阻擋層50為3個(gè)飛個(gè)。多個(gè)阻擋層50依次層疊。
[0039]封裝蓋70蓋設(shè)于阻擋層50。封裝蓋70的材料為PET鍍鋁膜(鋁的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯膜)。封裝蓋70形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋70的表面凹陷的凹槽。封裝蓋70蓋設(shè)于阻擋層50表面且將功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50收容于收容腔，封裝蓋70的邊緣通過封裝膠(圖未示)與導(dǎo)電基底10密封連接，從而封裝蓋70將功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50封裝在導(dǎo)電基底10上。
[0040]上述有機(jī)電致發(fā)光器件100的保護(hù)層40可以保護(hù)陰極30，避免陰極30在后續(xù)的制備工藝中受破壞，阻擋層50的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層50的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應(yīng)力；封裝蓋70采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0041]可以理解，封裝蓋70的收容腔可以省略，此時(shí)直接使封裝蓋70包覆功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50或在導(dǎo)電基底10上設(shè)置收容腔即可。
[0042]請(qǐng)同時(shí)參閱圖2，一實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件100的制備方法，其包括以下步驟:
[0043]步驟S110、在導(dǎo)電基底10上形成功能層20。
[0044]功能層20包括依次層疊的空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層。
[0045]導(dǎo)電基底10可以為玻璃導(dǎo)電基底或?qū)щ娪袡C(jī)聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜基板。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為100nnTl50nm。[0046]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0047]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0048]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0049]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2入/3。
[0050]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S。
[0051]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0052]需要說明的是，空 穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層也可以根據(jù)需要采用其他材料?？昭ㄗ⑷雽印⒖昭▊鬏攲?、電子傳輸層、電子注入層可以省略，此時(shí)功能層20僅包括發(fā)光層。
[0053]步驟S120、在功能層20表面形成陰極30。
[0054]陰極30為單層結(jié)構(gòu)。陰極30的厚度為lOOnm。陰極30的材料為鋁(Al)、銀(Ag)或金(Au)，陰極30由真空蒸鍍形成，真空度為5父10_午&，蒸發(fā)速度為5八/8。
[0055]步驟S130、在陰極30表面形成保護(hù)層40。
[0056]保護(hù)層40的材料為酞菁銅(CuPc)、N，N ' -二(1-萘基)_N，N ' -二苯基-1， -聯(lián)苯-4-4' -二胺(ΝΡΒ)、8_羥基喹啉鋁(Alq3)、氧化硅(SiO)、氟化鎂(MgF2)或硫化鋅(ZnS)。保護(hù)層40的厚度為200nnT300nm。保護(hù)層40由真空蒸鍍形成，真空度為8 X KT5Pa ~3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S ~ 5A/s。
[0057]步驟S140、在保護(hù)層40表面形成阻擋層50。
[0058]阻擋層50包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0059]第一氮化物膜的材料為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為39Tll%。第一氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0060]優(yōu)選的，混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為7%。
[0061]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為Si3N4、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為100nnTl50nm。
[0062]有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為I μ πm~.5 μ m。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ=365ηm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10~15mW/cm2，曝光時(shí)間為15(T200s。
[0063]本實(shí)施方式中，阻擋層50為3個(gè)飛個(gè)。多個(gè)阻擋層50依次層疊。
[0064]步驟S150、使用封裝蓋將功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50封裝于導(dǎo)電基底10上。
[0065]封裝蓋70的材料為PET鍍鋁膜。封裝蓋70形成有收容腔。收容腔為自封裝蓋70的表面凹陷的凹槽。封裝蓋70蓋設(shè)于阻擋層50表面且將功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50收容于收容腔。
[0066]封裝蓋70的邊緣抵持導(dǎo)電基底10，在封裝蓋70的邊緣涂布封裝膠是封裝蓋70與導(dǎo)電基底10密封連接，從而封裝蓋70將功能層20、陰極30、保護(hù)層40及阻擋層50封裝在導(dǎo)電基底10上。本實(shí)施方式中，封裝膠為環(huán)氧樹脂封裝膠，封裝膠的厚度為15 μ m~20 μ m，用UV光(λ=365ηπι)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10~15mW/cm2，曝光時(shí)間為300~400s。
[0067]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，制備工藝簡單，容易大批量制備；保護(hù)層40可以保護(hù)陰極30，避免陰極30在后續(xù)的制備工藝中受破壞，阻擋層50的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜以有效的阻擋水氣的腐蝕，利用兩種不同的工藝制備第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻擋層5的阻擋性能且可以有效的緩釋膜層之間的應(yīng)力；封裝蓋70采用PET鍍鋁膜可有效的提高防水氧能力，從而有機(jī)電致發(fā)光器件100的壽命較長。
[0068]以下結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明提供的有機(jī)電致發(fā)光器件制備方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0069]實(shí)施例1
[0070]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/CuPc/ (Si3N4/Si3N4/聚四氟乙烯)J封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0071]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0072]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0073]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0074]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0075]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s ^
[0076]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人4。
[0077]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發(fā)速度為0.21/3。
[0078]電子傳輸層的材料為4，7- 二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0079]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-午&，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0080]2、在功能層表面形成陰極。
[0081]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0082]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0083]保護(hù)層的材料為酞菁銅(CuPc)。保護(hù)層40的厚度為200nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10々&，蒸發(fā)速度為0.5人/5。
[0084]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0085]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0086]第一氮化物膜的材料為Si3N4。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為Si，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為3%。第一氮化物膜的厚度為150nm。
[0087]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X 10_4Pa，靶材為Si3N4，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為150nm。
[0088]有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.5 μ m。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為15mW/cm2,曝光時(shí)間為200s。
[0089]阻擋層為4個(gè)。4個(gè)阻擋層依次層疊。
[0090]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋膜封裝于導(dǎo)電基底上。
[0091]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0092]實(shí)施例2
[0093]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/NPB/ (A1N/A1N/甲基丙烯酸樹脂)3/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0094]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0095]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0096]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0097]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干。[0098]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，V -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。 [0099]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.11/3。
[0100]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-中&，蒸發(fā)速度為0.2人/5。
[0101]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.1,4/3。
[0102]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0103]2、在功能層表面形成陰極。
[0104]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5^^。
[0105]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0106]保護(hù)層的材料為NPB。保護(hù)層40的厚度為300nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X IO-5Pa,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0107]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0108]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0109]第一氮化物膜的材料為A1N。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X IO-4Pa,靶材為Al，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為11%。第一氮化物膜的厚度為lOOnm。
[0110]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X 10_4Pa，靶材為A1N，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為lOOnm。
[0111]有機(jī)阻擋層的材料為甲基丙烯酸樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為lym。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為10mW/cm2,曝光時(shí)間為150s。
[0112]阻擋層為5個(gè)。5個(gè)阻擋層依次層疊。
[0113]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0114]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0115]實(shí)施例3
[0116]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/Al/Alq3/ (BN/BN/脂肪族環(huán)氧樹脂)J封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。[0117]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0118]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0119]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0120]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0121]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S。
[0122] 空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0123]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)。客體材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-中&，蒸發(fā)速度為0.2人/3。
[0124]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.11^。
[0125]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0126]2、在功能層表面形成陰極。
[0127]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/3。
[0128]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0129]保護(hù)層的材料為Alq3。保護(hù)層40的厚度為250nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-^，蒸發(fā)速度為2^5。
[0130]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0131]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0132]第一氮化物膜的材料為BN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X IO-4Pa,靶材為Al，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為7%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0133]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X 10_4Pa，靶材為BN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0134]有機(jī)阻擋層的材料為脂肪族環(huán)氧樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2，曝光時(shí)間為180s。
[0135]阻擋層為3個(gè)。3個(gè)阻擋層依次層疊。
[0136]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0137]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0138]實(shí)施例4
[0139]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:ITO/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/SiO/ (SiN/SiN/聚四氟乙烯)J封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0140]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0141]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0142]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0143]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈桑鞠浜娓伞?br> [0144]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0145]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3\10_中&，蒸發(fā)速度為0.11/3。
[0146]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.2人/3。
[0147]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_^，蒸發(fā)速度為0.1人/5。
[0148]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0149]2、在功能層表面形成陰極。
[0150]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/5。
[0151]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0152]保護(hù)層的材料為SiO。保護(hù)層40的厚度為200nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.5A/S。
[0153]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0154]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。[0155]第一氮化物膜的材料為SiN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為Si，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為3%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0156]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為SiN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0157]有機(jī)阻擋層的材料為聚四氟乙烯。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.2μπι。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2,曝光時(shí)間為180s。
[0158]阻擋層為3個(gè)。3個(gè)阻擋層依次層疊。
[0159]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0160]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0161]實(shí)施例5
[0162]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/AVMgF2/ (TaN/TaN/甲基丙烯酸樹脂)3/封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0163]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0164]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0165]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0166]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0167]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0168]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm。空穴傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/s。
[0169]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10_午&，蒸發(fā)速度為0.21/3。
[0170]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.|入/5。
[0171]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2Ai[0172]2、在功能層表面形成陰極。
[0173]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5入/8。
[0174]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0175]保護(hù)層的材料為MgF2。保護(hù)層40的厚度為300nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X 10?,蒸發(fā)速度為5A/S。
[0176] 4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0177]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0178]第一氮化物膜的材料為TaN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為2 X10_4Pa，靶材為Ta，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為10%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0179]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為2X10_4Pa，靶材為TaN，通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0180]有機(jī)阻擋層的材料為甲基丙烯酸樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.2μπι。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為13mW/cm2,曝光時(shí)間為190s。
[0181]阻擋層為3個(gè)。3個(gè)阻擋層依次層疊。
[0182]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0183]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0184]實(shí)施例6
[0185]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/ZnS/ (TiN/TiN/脂肪族環(huán)氧樹脂)J封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0186]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0187]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0188]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0189]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0190]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%。空穴注入層的厚度為10nm。空穴注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.1 A/S。
[0191]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?\10_中&，蒸發(fā)速度為0.11/3。
[0192]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(IHppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_%，蒸發(fā)速度為0.2人/8。
[0193]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為O !As,
[0194]電子注入層的材料包括Bphen及摻雜在Bphen中的疊氮銫CCsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2A/S。
[0195]2、在功能層表面形成陰極。
[0196]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/3。
[0197]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0198]保護(hù)層的材料為ZnS。保護(hù)層40的厚度為250nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X IO-5Pa,蒸發(fā)速度為2A/S。
[0199]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0200]阻擋層包括依次 層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0201]第一氮化物膜的材料為TiN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X10_3Pa，靶材為Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為6%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0202]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料相同。第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備。采用非反應(yīng)濺射制備第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為1\10_午8，靶材為111通入氣體為氬氣。第二氮化物膜的厚度為120nm。
[0203]有機(jī)阻擋層的材料為脂肪族環(huán)氧樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2,曝光時(shí)間為150s。
[0204]阻擋層為3個(gè)。3個(gè)阻擋層依次層疊。
[0205]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0206]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0207]對(duì)比例
[0208]本實(shí)施例制備結(jié)構(gòu)為:IT0/NPB:Mo03/TCTA/TPB1:1r (ppy) 3/Bphen/Bphen =CsN3/ΑΙ/ZnS/ (TiN/TiN/脂肪族環(huán)氧樹脂)J封裝蓋的有機(jī)電致發(fā)光器件。
[0209]上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，包括以下步驟:
[0210]1、在導(dǎo)電基底上形成功能層。
[0211]導(dǎo)電基底10為玻璃導(dǎo)電基底。導(dǎo)電基底10具有制備有陽極圖形的ITO層。ITO層的厚度為lOOnm。
[0212]導(dǎo)電基底10表面在形成功能層20之前先進(jìn)行預(yù)處理以去除基底10表面的污染物，并進(jìn)行表面活化增加導(dǎo)電基底10表面的含氧量以提高導(dǎo)電基底10表面的功函數(shù)。具體為，將導(dǎo)電基底10依次采用去丙酮、乙醇、離子水及乙醇各超聲波清洗5min，之后用氮?dú)獯蹈?，烤箱烘干?br> [0213]本實(shí)施方式中，空穴注入層的材料包括N，N' -二(1-萘基)_N，N' -二苯基_1，廣-聯(lián)苯-4-4' -二胺(NPB)及摻雜在NPB中的氧化鑰(Mo03)。MoO3的質(zhì)量百分含量為25%?？昭ㄗ⑷雽拥暮穸葹?0nm?？昭ㄗ⑷雽佑烧婵照翦冃纬桑婵斩葹?X 10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/^
[0214]空穴傳輸層的材料為4，4’，4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)?？昭▊鬏攲拥暮穸葹?0nm?？昭▊鬏攲佑烧婵照翦冃纬?，真空度為3X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.lA/s。
[0215]發(fā)光層的材料包括主體材料及摻雜在主體材料中的客體材料。主體材料為1，3，5_三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)，客體材料為三(2-苯基吡啶)合銥(Ir(ppy)3)?？腕w材料的質(zhì)量百分含量為5%。發(fā)光層的厚度為20nm。發(fā)光層由真空蒸鍍形成，真空度為3 X10_5Pa，蒸發(fā)速度為0.2人/S。
[0216]電子傳輸層的材料為4，7-二苯基-1，10-菲羅啉(Bphen)。電子傳輸層的厚度為30nm。電子傳輸層由真空蒸鍍形成，真空度為3\10_午&，蒸發(fā)速度為0.1人/8。
[0217]電子注入層的材料包括Bphen及 摻雜在Bphen中的疊氮銫(CsN3), CsN3的質(zhì)量百分含量為25%。電子注入層的厚度為20nm。電子注入層由真空蒸鍍形成，真空度為3父10-%，蒸發(fā)速度為0.21/8。
[0218]2、在功能層表面形成陰極。
[0219]陰極的材料為鋁。陰極的厚度為lOOnm。陰極由真空蒸鍍形成，真空度為5父10-%，蒸發(fā)速度為5人/8。
[0220]3、在陰極表面蒸鍍保護(hù)層。
[0221]保護(hù)層的材料為ZnS。保護(hù)層40的厚度為250nm。保護(hù)層由真空蒸鍍形成，真空度為5 X IO-5Pa,蒸發(fā)速度為2A/S。
[0222]4、在保護(hù)層表面形成阻擋層。
[0223]阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜。
[0224]第一氮化物膜的材料為TiN。第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備。采用反應(yīng)濺射制備第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為I X10_3Pa，靶材為Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為6%。第一氮化物膜的厚度為120nm。
[0225]第二氮化物膜的材料與第一氮化物膜的材料、工藝和厚度均相同。
[0226]有機(jī)阻擋層的材料為脂肪族環(huán)氧樹脂。有機(jī)阻擋膜的厚度為1.2 μ m。有機(jī)阻擋層在惰性氣體的氛圍下制備，采用先旋涂后曝光的工藝制作，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)為12mW/cm2,曝光時(shí)間為150s。
[0227]阻擋層為3個(gè)。3個(gè)阻擋層依次層疊。
[0228]5、使用封裝蓋將功能層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于導(dǎo)電基底上。
[0229]在背面含Al的PET膜邊緣涂布環(huán)氧樹脂封裝膠(厚度15 μ m)，用UV光(λ =365nm)進(jìn)行固化，光強(qiáng)10mW/cm2,曝光時(shí)間400s。
[0230]本發(fā)明實(shí)施例及對(duì)比例所用到的制備與測試儀器為:高真空鍍膜設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司，壓強(qiáng)〈IX 10-3Pa)、磁控濺射設(shè)備(沈陽科學(xué)儀器研制中心有限公司)、電流-電壓測試儀(美國Keithly公司，型號(hào):2400)、色彩亮度計(jì)(柯尼卡美能達(dá)，型號(hào):CS-100A)、IEI點(diǎn)膠機(jī)系統(tǒng)、DYMAX光固化系統(tǒng)。[0231]請(qǐng)參閱表1，表1所示為實(shí)施例f實(shí)施例6及對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(Water Vapor Transmission Rate)的測試結(jié)果。從表1中可以看出實(shí)施例實(shí)施例6制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率均小于6.0X 10_5g/m2/day，遠(yuǎn)小于對(duì)比例制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的水氣穿透率(5X 10_4g/m2/day)防水效果較好，可以有效減少外部水氣對(duì)有機(jī)電致發(fā)光器件的侵蝕，從而提高有機(jī)電致發(fā)光器件的壽命。
[0232]表1
[0233]
【權(quán)利要求】
1.一種有機(jī)電致發(fā)光器件，包括依次層疊的具有陽極圖案的導(dǎo)電基底、發(fā)光層及陰極，其特征在于:所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括依次層疊于所述陰極上的保護(hù)層及阻擋層，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1,1'-聯(lián)苯-4-4' -二胺、8-羥基喹啉鋁、氧化硅、氟化鎂或硫化鋅，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂； 所述有機(jī)電致發(fā)光器件還包括封裝蓋，所述封裝蓋將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底配合形成有收容腔，所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層均收容于所述收容腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述阻擋層為3個(gè)飛個(gè)，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于:所述封裝蓋的邊緣通過封裝膠與所述導(dǎo)電基板密封連接。
5.一種有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟: 在導(dǎo)電基底上形成發(fā)光層； 在所述發(fā)光層上形成陰極； 在所述陰極上形成保護(hù)層，所述保護(hù)層的材料為酞菁銅、N，N' -二(1-萘基)_N，N' - 二苯基-1，I·' _聯(lián)苯-4-4' _ 二胺、8_羥基喧琳招、氧化娃、氣化續(xù)或硫化鋅； 在所述保護(hù)層上形成阻擋層，所述阻擋層包括依次層疊的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有機(jī)阻擋膜，所述第一氮化物膜采用反應(yīng)濺射制備，所述第二氮化物膜采用非反應(yīng)濺射制備，所述第一氮化物膜的材料為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有機(jī)阻擋膜的材料為聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯樹脂或脂肪族環(huán)氧樹脂；及 使用封裝蓋將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上，所述封裝蓋的材料為PET鍍鋁膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:通過涂布封裝膠使所述封裝蓋與所述導(dǎo)電基底密封連接以將所述發(fā)光層、陰極、保護(hù)層及阻擋層封裝于所述導(dǎo)電基底上。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:所述阻擋層為3個(gè)~5個(gè)，多個(gè)所述阻擋層依次層疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:采用反應(yīng)濺射制備所述第一氮化物膜時(shí)，本底真空度為lX10_3Pa~lX10_4Pa，靶材為S1、Al、B、Ta或Ti，通入氣體為由氮?dú)夂蜌鍤饣旌闲纬傻幕旌蠚怏w，其中混合氣體中氮?dú)獾捏w積百分含量為3%~11%。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于:采用非反應(yīng)濺射制備所述第二氮化物膜時(shí)，本底真空度為IX IO-3Pa~IX 10_4Pa，靶材為Si3N4、AIN、BN、SiN、TaN或TiN，通入氣 體為氬氣。
【文檔編號(hào)】H01L51/50GK103545454SQ201210247229
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 鐘鐵濤, 陳吉星 申請(qǐng)人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司