專利名稱：供體基底及其制造方法和制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的不例實(shí)施例涉及供體基底、制造供體基底的方法以及利用供體基底制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
通常，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可包括諸如有機(jī)發(fā)光層、空穴注入層、電子傳輸層等的各 種有機(jī)層。在形成傳統(tǒng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層的工藝中，噴墨印刷工藝可使用有限量的材料來形成除了發(fā)光層之外的有機(jī)層，且可以在基底上形成用于噴墨印刷工藝的額外的結(jié)構(gòu)。當(dāng)使用沉積工藝形成有機(jī)層時(shí)，因?yàn)槌练e工藝可使用微小尺寸的金屬掩模，所以會(huì)難以將沉積工藝應(yīng)用于具有相對(duì)大面積的有機(jī)發(fā)光顯示裝置。近來，已經(jīng)開發(fā)出激光誘導(dǎo)熱成像工藝用于形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)層。在傳統(tǒng)激光誘導(dǎo)熱成像工藝中，來自激光輻射設(shè)備的激光束的能量可以被轉(zhuǎn)換為熱能，并且供體基底的有機(jī)層可以通過所述熱能被部分地轉(zhuǎn)印到有機(jī)發(fā)光顯示設(shè)備的顯示基底上，從而形成有機(jī)層圖案。為了通過激光誘導(dǎo)熱成像工藝來形成有機(jī)層圖案，可以使用包括轉(zhuǎn)印層的供體基底、激光福射設(shè)備和/或顯不基底。例如，供體基底和顯不基底可以彼此粘附，可以執(zhí)行激光誘導(dǎo)熱成像工藝，以從轉(zhuǎn)印層將有機(jī)層圖案形成在顯示基底上。然而，在傳統(tǒng)激光誘導(dǎo)熱成像工藝中，在通過利用所述熱量完成轉(zhuǎn)印層的轉(zhuǎn)印工藝之后，從顯示基底去除供體基底時(shí)，顯不基底上的有機(jī)層圖案會(huì)被損壞。例如，當(dāng)從顯不基底去除供體基底時(shí)，顯示基底上的有機(jī)層圖案會(huì)被部分地或全部地撕掉，從而會(huì)發(fā)生有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素故障。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例實(shí)施例針對(duì)包括肋結(jié)構(gòu)的供體基底，所述供體基底可從顯示基底去除，而不產(chǎn)生像素故障。本發(fā)明的示例實(shí)施例針對(duì)制造包括肋結(jié)構(gòu)的供體基底的方法，所述供體基底可從顯示基底去除，而不產(chǎn)生像素故障。本發(fā)明的示例實(shí)施例針對(duì)通過采用包括肋結(jié)構(gòu)的供體基底來制造能夠防止或減少像素故障的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。根據(jù)示例實(shí)施例，提供一種供體基底，所述供體基底包括基礎(chǔ)基底、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)印層以及肋結(jié)構(gòu)。光熱轉(zhuǎn)換層可以位于基礎(chǔ)基底上。轉(zhuǎn)印層可以位于光熱轉(zhuǎn)換層上。肋結(jié)構(gòu)可以位于轉(zhuǎn)印層上。肋結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)彼此分開的管。在示例實(shí)施例中，管可以包括位于管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)開口。在示例實(shí)施例中，肋結(jié)構(gòu)還可以包括連接到管的端部的至少一個(gè)連接管。
在示例實(shí)施例中，所述至少一個(gè)連接管可以包括與管的材料基本上相同的材料。在示例實(shí)施例中，所述至少一個(gè)連接管可以與管一體地形成。在示例實(shí)施例中，所述至少一個(gè)連接管可以包括第一連接管和第二連接管。第一連接管可以連接到管的第一端部，第二連接管可以連接到管的第二端部。在示例實(shí)施例中，肋結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)第一管和多個(gè)第二管。第一管可以沿第一方向延伸。第二管可以沿第二方向延伸。在示例實(shí)施例中，第一管和第二管可以以矩陣的形狀布置。在示例實(shí)施例中，第一管可以包括位于第一管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第一開口。第二管可以包括位于第二管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第二開口。在示例實(shí)施例中，位于轉(zhuǎn)印層的中央部分的至少一個(gè)第一管可以包括位于第一管 的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第一開口。位于轉(zhuǎn)印層的中央部分的至少一個(gè)第二管可以包括位于第二管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第二開口。在示例實(shí)施例中，肋結(jié)構(gòu)還可以包括位于第一管和第二管中的至少一個(gè)中的分割壁。在示例實(shí)施例中，管可以包括硅、氨基甲酸乙酯或鋁。在示例實(shí)施例中，管的高度和寬度之間的比可以在大約1.0 0.5和大約
I.O I. O 之間。根據(jù)不例實(shí)施例，提供一種制造供體基底的方法。在所述方法中，可以在基礎(chǔ)基底上形成光熱轉(zhuǎn)換層。可以在光熱轉(zhuǎn)換層上形成轉(zhuǎn)印層?？梢栽谵D(zhuǎn)印層上形成包括彼此分開的多個(gè)管的肋結(jié)構(gòu)。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括在管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處形成多個(gè)開口。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括形成連接到管的端部的至少一個(gè)
連接管。在示例實(shí)施例中，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括在管的多個(gè)第一管上形成第一槽；在管的多個(gè)第二管上形成第二槽；通過使第一槽與第二槽對(duì)齊將第一管與第二管
彡口口 在示例實(shí)施例中，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括沿第一方向在轉(zhuǎn)印層上布置管的多個(gè)第一管；沿第二方向在轉(zhuǎn)印層上布置管的多個(gè)第二管。第二管可以與第一管交叉。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括在多個(gè)管的第一管和第二管中的至少一個(gè)中形成分割壁。根據(jù)示例實(shí)施例中，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。在所述方法中，可以在基礎(chǔ)基底上形成肋結(jié)構(gòu)，以制造供體基底。肋結(jié)構(gòu)可以包括多個(gè)管?；A(chǔ)基底可以包括光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層?？梢詫⒐w基底層壓到顯示基底上?？梢栽诠w基底上輻射激光束，從而從轉(zhuǎn)印層將有機(jī)層圖案形成在基底上?？梢酝ㄟ^肋結(jié)構(gòu)在顯示基底和供體基底之間釋放氣體，從而將供體基底從顯示基底去除。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟可以包括在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)管，管彼此分開；在管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處形成多個(gè)開口。
在示例實(shí)施例中，管可以以一定距離分開，并且所述距離可以大約與顯示基底的像素區(qū)域的寬度的整數(shù)倍相同。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括形成連接到管的端部的至少一個(gè)
連接管。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還可以包括在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)第一管，第一管以第一距離彼此分開；在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)第二管，第二管以第二距離彼此分開。在示例實(shí)施例中，第一距離可以大約與顯示基底的像素區(qū)域的水平寬度和豎直寬度中的至少一個(gè)的整數(shù)倍相同，第二距離可以大約與顯示基底的像素區(qū)域的水平寬度和豎直寬度中的至少一個(gè)的整數(shù)倍相同。根據(jù)示例實(shí)施例，當(dāng)從顯示基底去除供體基底時(shí)，可以采用包括含有多個(gè)管的肋結(jié)構(gòu)的供體基底。因此，可以在不引起對(duì)顯不基底的損壞的情況下，容易地去除供體基底，·從而以在顯示基底上規(guī)則地形成有機(jī)層圖案。結(jié)果，可以防止或減少包括顯示基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素故障。


通過下面結(jié)合附圖的描述，可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例實(shí)施例，在附圖中圖I是示出根據(jù)示例實(shí)施例的供體基底的透視圖；圖2和圖3是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造供體基底的方法的透視圖；圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例的在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的方法的框圖；圖5是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底的方法的剖視圖；圖6到圖8是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的方法的首丨J視圖;圖9是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底的透視圖；圖10是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底的透視圖；圖11是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底的透視圖。
具體實(shí)施例方式在下文中，將參照附圖更充分地描述本發(fā)明的示例實(shí)施例，附圖中示出了一些示例實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以許多不同的形式體現(xiàn)，且不應(yīng)該被理解為局限于在此描述的示例實(shí)施例。相反，提供這些示例實(shí)施例使本說明書將是徹底而完整的，并且這些示例實(shí)施例將向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在附圖中，為了清晰起見，可以夸大層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸。將理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q為“在”另一元件或?qū)印吧稀?、“連接到”或“結(jié)合到”另一元件或?qū)訒r(shí),該元件可直接地位于其它元件或?qū)由?、直接地連接到或結(jié)合到其它元件或?qū)?，或者可存在一個(gè)或多個(gè)中間元件或?qū)?。?dāng)元件被稱為“直接在”另一元件或?qū)印吧稀?、“直接連接到”或“直接結(jié)合到”到另一元件或?qū)訒r(shí)，不存在中間元件或?qū)印Ｏ嗤臉?biāo)號(hào)始終指示相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列的項(xiàng)目的任意組合和所有組合。
將理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三、第四等來描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。在這里可使用空間相對(duì)術(shù)語，諸如“在……下”、“在……下方”、“下面的”、“在……
上方”和“上面的”等，用來方便地描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與其它的元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，除了附圖中描述的方位以外，空間相對(duì)術(shù)語旨在包括所述裝置在使用或者操作中的不同方位。例如，如果在附圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，則被描述為“在”其它元件或特征“下”或“在”其它元件或特征“下方”的元件將被定位為“在”其它元件或特征“上方”。因此，示例性術(shù)語“在……下方”可以包括“在……上方”和“在……下方”兩個(gè)方位。裝置可以被另外定位(例如，旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并相應(yīng)地解釋在此使用的空間相對(duì)描述符。 這里使用的術(shù)語僅為了描述特定示例實(shí)施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù)形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語“包含”和/或“包括”時(shí)，說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附加一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。這里參照作為理想化的示例實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))的示意圖的剖視圖來描述示例實(shí)施例。如此，預(yù)計(jì)會(huì)出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引起的圖示的形狀的變化。因此，示例實(shí)施例不應(yīng)該被解釋為局限于在此示出的區(qū)域的具體形狀，而是應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀的偏差。例如，示出為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣通常具有倒圓或彎曲的特征和/或注入濃度的梯度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣，通過注入形成的埋置區(qū)域可導(dǎo)致在埋置區(qū)域和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中出現(xiàn)一定程度的注入。因此，在圖中所示的區(qū)域在本質(zhì)上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出裝置的區(qū)域的實(shí)際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進(jìn)一步理解，除非這里明確定義，否則術(shù)語例如在通用的字典中定義的術(shù)語應(yīng)該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思相一致的意思，而不是將以理想的或者過于正式的意義來進(jìn)行解釋。圖I是示出根據(jù)示例實(shí)施例的供體基底的透視圖。參照?qǐng)DI，根據(jù)示例實(shí)施例的供體基底100可包括基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140、肋結(jié)構(gòu)150等。基礎(chǔ)基底110可包括具有設(shè)定或預(yù)定柔性及設(shè)定或預(yù)定強(qiáng)度的材料。例如，基礎(chǔ)基底110可包括透明樹脂，諸如，聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯類樹脂、聚酯類樹脂、聚丙烯酰類樹脂、聚環(huán)氧類樹脂、聚乙烯類樹脂、聚苯乙烯類樹脂等。當(dāng)基礎(chǔ)基底110具有相對(duì)小的厚度時(shí)，供體基底100可能不容易被處理或加工。當(dāng)基礎(chǔ)基底110具有相對(duì)大的厚度時(shí)，供體基底100的重量會(huì)增加，因此會(huì)難以攜帶供體基底100。因此，基礎(chǔ)基底110可以具有大約IOym和大約500 μ m之間的厚度。基礎(chǔ)基底110可支撐供體基底100的元件。
光熱轉(zhuǎn)換層120可設(shè)置在基礎(chǔ)基底110上。光熱轉(zhuǎn)換層120可包括可將從激光輻射設(shè)備輻射的激光束的能量轉(zhuǎn)換為熱能的吸光材料。在示例實(shí)施例中，光熱轉(zhuǎn)換層120可包括含金屬層，所述含金屬層包括鋁(Al)、鑰(Mo)、它們的氧化物和/或它們的硫化物。在這種情況下，所述含金屬層可具有大約IOnm和大約500nm之間的相對(duì)小的厚度。在一些示例實(shí)施例中，光熱轉(zhuǎn)換層120可包括含有機(jī)物層，所述含有機(jī)物層包括具有碳黑、石墨和/或紅外染料的聚合物。在這種情況下，含有機(jī)物層可具有大約IOOmm和大約10 μ m之間的相對(duì)大的厚度。可以通過由輻射在光熱轉(zhuǎn)換層120上的激光束提供的熱能來改變轉(zhuǎn)印層140和光熱轉(zhuǎn)換層120之間的粘結(jié)強(qiáng)度，因此轉(zhuǎn)印層140可以以設(shè)定圖案或預(yù)定圖案被轉(zhuǎn)印到有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底上。緩沖層130可以設(shè)置在光熱轉(zhuǎn)換層120和轉(zhuǎn)印層140之間。緩沖層130可包括有機(jī)材料。緩沖層130可防止轉(zhuǎn)印層140的有機(jī)材料被損壞，且可以控制轉(zhuǎn)印層140和光熱轉(zhuǎn)換層120之間的粘結(jié)強(qiáng)度。在一些示例實(shí)施例中，根據(jù)轉(zhuǎn)印層140和/或光熱轉(zhuǎn)換層120的材料，供體基底100可以不包括緩沖層130。 轉(zhuǎn)印層140可設(shè)置在緩沖層130上。在利用供體基底100制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的過程中，轉(zhuǎn)印層140可對(duì)應(yīng)于位于有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底上的有機(jī)發(fā)光層。S卩，有機(jī)發(fā)光層可由供體基底100的轉(zhuǎn)印層140形成。在一些示例實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印層140還可包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和/或電子注入層(EIL)。包括多個(gè)有機(jī)層的有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)可由具有多層結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)印層140形成在顯示基底上。參照?qǐng)D1，肋結(jié)構(gòu)150可設(shè)置在轉(zhuǎn)印層140上。肋結(jié)構(gòu)150可包括多個(gè)第一管160和多個(gè)第二管170。在這種情況下，第一管160和第二管170在轉(zhuǎn)印層140上可以以設(shè)定或預(yù)定距離彼此分開。在示例實(shí)施例中，肋結(jié)構(gòu)150可包括可彼此流體連通的多個(gè)第一管160和多個(gè)第二管170。在這種情況下，第一管160和第二管170可以基本上布置為矩陣形狀或基本上布置為篩網(wǎng)形狀。第一管160可在轉(zhuǎn)印層140上沿第一方向延伸為基本上彼此平行。第一管160可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度基本對(duì)應(yīng)的第一距離彼此分隔開。例如，第一管160可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度基本相同的第一距離分開，或者可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度的整數(shù)倍基本相同的第一距離分開。第二管170可沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。第二管170也可以在轉(zhuǎn)印層140上布置為基本彼此平行。第二管170可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的縱向?qū)挾然緦?duì)應(yīng)的第二距離彼此分開。例如，第二管170可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的縱向?qū)挾然鞠嗤牡诙嚯x分開，或者可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的縱向?qū)挾鹊恼麛?shù)倍基本相同的第二距離分開。因此，肋結(jié)構(gòu)150的第一管160和第二管170可以在轉(zhuǎn)印層140上基本彼此垂直地交叉。由第一管160和第二管170的交叉而限定的轉(zhuǎn)印層140的區(qū)域可以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域基本對(duì)應(yīng)。例如，由第一管160和第二管170的交叉而限定的轉(zhuǎn)印層140的區(qū)域可以具有與像素區(qū)域的面積基本相同的面積，或者可以具有與像素區(qū)域的面積的整數(shù)倍基本相同的面積。在一些示例實(shí)施例中，第一管160可以以與像素區(qū)域的縱向?qū)挾然鞠嗤牡谝痪嚯x彼此分開，或者可以以與像素區(qū)域的縱向?qū)挾鹊恼麛?shù)倍基本相同的第一距離彼此分開。在這種情況下，第二管170可以以與像素區(qū)域的水平寬度基本相同的第二距離彼此分開，或者可以以與像素區(qū)域的水平寬度的整數(shù)倍基本相同的第二距離彼此分開。如圖I中示出，第一管160可包括多個(gè)第一開口 180，第二管170可包括多個(gè)第二開口 181。第一開口 180可位于第一管160的上部和側(cè)部上，第二開口 181可位于第二管170的上部和側(cè)部上。例如，第一開口 180可沿第一方向布置，第二開口 181可沿第二方向布置。S卩，第一開口 180和第二開口 181中的每個(gè)可沿彼此基本垂直的方向布置。第一開口 180和第二開口 181可以以設(shè)定的距離或預(yù)定的距離規(guī)則地分開，或者可以在第一管160和第二管170上不規(guī)則地分開。在示例實(shí)施例中，第一管160和第二管170中的每個(gè)可具有多邊形的截面。例如，第一管160和第二管170可具有各種截面形狀，諸如基本上矩形的形狀、基本上正方形的形狀和/或基本上梯形的形狀。在一些示例實(shí)施例中，第一管160和第二管170中的每個(gè)可具有倒圓的截面。例如，第一管160和第二管170可具有各種倒圓的截面形狀，諸如基本半 圓的形狀、基本半橢圓的形狀和/或面對(duì)向上的方向的基本上圓頂?shù)男螤?。在示例?shí)施例中，第一管160和第二管170中的每個(gè)可具有基本上比有機(jī)發(fā)光顯示裝置的相鄰的像素區(qū)域之間的空間或距離小的寬度。例如，第一管160和第二管170中的每個(gè)可具有基本上小于大約IOmm的寬度。當(dāng)?shù)谝还?60和第二管170的高度相對(duì)小時(shí)，由于第一管160和第二管170的相對(duì)小的表面積，所以第一管160和第二管170不能作為氣體的通道，且第一管160和第二管170不能包括第一開口 180和第二開口 181。當(dāng)?shù)谝还?60和第二管170的高度相對(duì)大時(shí)，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底和供體基底100的轉(zhuǎn)印層140在下面將描述的層壓工藝中可能不接觸。因此，依據(jù)第一開口 180和第二開口 181的形成以及顯示基底和轉(zhuǎn)印層140的接觸，第一管160和第二管170可具有設(shè)定或預(yù)定的高度。例如，第一管160和第二管170可具有大約5mm和大約IOmm之間的高度。在這種情況下，第一管160和第二管170的寬度和高度之間的比可以在大約1.0 O. 5和大約I. O 1.0之間。然而，第一管160和第二管170的寬度和高度可以根據(jù)像素區(qū)域的尺寸和相鄰的像素區(qū)域之間的空間而改變。在示例實(shí)施例中，第一管160和第二管170中的每個(gè)可包括具有設(shè)定或預(yù)定加工性能和設(shè)定或預(yù)定彈性的材料。例如，第一管160和第二管170可包括硅、氨基甲酸乙酯(urethane)、鋁等。當(dāng)?shù)谝还?60和第二管170不具有適當(dāng)?shù)膹椥詴r(shí)，將在下面描述的層壓工藝中施加的壓力會(huì)使第一管160和第二管170損壞。在示例實(shí)施例中，供體基底100可包括具有多個(gè)第一管160和多個(gè)第二管170的肋結(jié)構(gòu)150。在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的激光誘導(dǎo)熱成像工藝中，肋結(jié)構(gòu)150可以設(shè)置在顯示基底和轉(zhuǎn)印層140之間。有機(jī)層圖案可被設(shè)置在顯示基底上。而后，當(dāng)從顯示基底去除供體基底100時(shí)，可以通過第一管160的第一開口 180和第二管170的第二開口 181將空氣或不活潑氣體釋放在顯示基底和供體基底100之間。因此，在不損壞位于顯示基底上的有機(jī)層圖案的情況下，可以容易地從顯示基底上去除供體基底100。圖2和圖3是示出根據(jù)示例實(shí)施例制造供體基底的方法的透視圖。圖2和圖3示出的方法可提供具有與參照?qǐng)DI描述的供體基底的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)的供體基底。
參照?qǐng)D2，可提供包括透明樹脂的基礎(chǔ)基底110，而后，可在基礎(chǔ)基底110上形成光熱轉(zhuǎn)換層120。在示例實(shí)施例中，形成光熱轉(zhuǎn)換層120的步驟可包括在基礎(chǔ)基底110上形成含金屬層。在這種情況下，光熱轉(zhuǎn)換層120可利用鋁、鑰、它們的氧化物和/或它們的硫化物來形成。在一些示例實(shí)施例中，形成光熱轉(zhuǎn)換層120的步驟可包括在基礎(chǔ)基底110上形成含有機(jī)物層。在這種情況下，含有機(jī)物層可利用包括碳黑、石墨和/或紅外染料的聚合物來形成。當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層120中包括含金屬層時(shí)，所述含金屬層可以通過濺射工藝、蒸發(fā)工藝、電子束蒸發(fā)工藝等形成。包括所述含金屬層的光熱轉(zhuǎn)換層120可形成為相對(duì)小的厚度。例如，光熱轉(zhuǎn)換層120可以在基礎(chǔ)基底110上形成為大約IOnm和大約500nm之間的厚度。當(dāng)光熱轉(zhuǎn)換層120包括含有機(jī)物層時(shí)，所述含有機(jī)物層可通過旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、刀涂覆工藝(knife coating process)、擠壓工藝等形成。在這種情況下,包括含有機(jī)物層的光熱轉(zhuǎn)換層120可形成為相對(duì)大的厚度。例如，光熱轉(zhuǎn)換層120可以在基礎(chǔ)基底110上形成為大約IOOnm和大約10 μ m之間的厚度。 可在光熱轉(zhuǎn)換層120上形成緩沖層130。形成緩沖層130的步驟可包括通過擠壓工藝、旋轉(zhuǎn)涂覆工藝和/或刀涂覆工藝在光熱轉(zhuǎn)換層120上沉積有機(jī)材料。在一些示例實(shí)施例中，可以省略在光熱轉(zhuǎn)換層120和轉(zhuǎn)印層140之間形成緩沖層130?？稍诰彌_層130上形成轉(zhuǎn)印層140?？衫酶叻肿恿坎牧匣虻头肿恿坎牧闲纬赊D(zhuǎn)印層140。根據(jù)有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域，轉(zhuǎn)印層140可利用各種有機(jī)材料形成。可利用擠壓工藝、旋轉(zhuǎn)涂覆工藝、刀涂覆工藝、蒸發(fā)工藝、化學(xué)氣相沉積工藝等形成轉(zhuǎn)印層140。例如，轉(zhuǎn)印層140可以在緩沖層130上形成為大約IOnm到大約500nm之間的厚度。在示例實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印層140可與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的有機(jī)發(fā)光層對(duì)應(yīng)。在一些示例實(shí)施例中，轉(zhuǎn)印層140還可包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等?？稍谵D(zhuǎn)印層140上形成肋結(jié)構(gòu)150。在示例實(shí)施例中，形成肋結(jié)構(gòu)150的步驟可包括形成以設(shè)定或預(yù)定距離分開的第一管160以及形成第二管170。第二管170可以與第一管160流體連通。參照?qǐng)D2和圖3，可利用具有設(shè)定或預(yù)定加工性能和設(shè)定或預(yù)定彈性的材料形成第一管160和第二管170，而后，可以去除第一管160的部分和第二管170的部分。S卩，可以分別在第一管160和第二管170上形成多個(gè)第一槽162 (圖2中所示)和多個(gè)第二槽172 (圖3中所示)。第一槽162和第二槽172可以分別形成在第一管160和第二管170上，以按設(shè)定或預(yù)定的距離彼此分開。在這種情況下，第一槽162和第二槽172可具有彼此基本相同或基本相似的形狀。當(dāng)?shù)诙?70位于第一管160之上時(shí)，第二管170上的第二槽172可具有基本上比第一管160上的第一槽162的尺寸小的尺寸。然而，當(dāng)?shù)谝还?60位于第二管170上時(shí)，第一管160上的第一槽162可具有基本上比第二管170上的第二槽172的尺寸小的尺寸。如圖2所示，可在轉(zhuǎn)印層140上形成包括第一槽162的第一管160，并且第一管160沿第一方向延伸。在這種情況下，第一管160可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度或像素區(qū)域的水平寬度的整數(shù)倍基本相同的第一距離分開。在一些示例實(shí)施例中，包括第二槽172的第二管170可形成在轉(zhuǎn)印層140上并且第二槽172彼此基本平行。如圖3所示，可在第一管160上設(shè)置具有第二槽172的第二管170。在這種情況下，第一管160上的第一槽162可以與第二管170上的第二槽172匹配，從而第一管160可與第二管170流體連通。第二管170可連接到第一管160。第二管170可沿與第一方向基本垂直的第二方向延伸。例如，可在轉(zhuǎn)印層140上形成包括第一管160和第二管170的肋結(jié)構(gòu)150，以具有基本矩陣的形狀或基本篩網(wǎng)的形狀。第二管170可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的縱向?qū)挾然蛳袼貐^(qū)域的縱向?qū)挾鹊恼麛?shù)倍基本相同的第二距離分開。第一管160和第二管170可利用粘結(jié)劑固定在轉(zhuǎn)印層140上。第一管160和第二管170可利用粘結(jié)劑彼此固定。在一些示例實(shí)施例中，可在轉(zhuǎn)印層140上設(shè)置第二管170，而后，可以將第一管160與第二管170結(jié)合。在一些示例實(shí)施例中，可以將第一管160和第二管170彼此結(jié)合，而后，可以將第一管160和第二管170固定在轉(zhuǎn)印層140上。在一些不例實(shí)施例中，可以將第一管160和第二管170基本上一體地形成，而后，可以將第一管160和第二管170固定在 轉(zhuǎn)印層140上?？梢栽诘谝还?60的上部和側(cè)部上形成第一開口(圖3中未示出)，可以在第二管170的上部和側(cè)部上形成第二開口(圖3中未示出)?？衫镁哂袖h利端部的構(gòu)件(諸如針、鉆頭和/或刀)形成第一開口和第二開口。第一開口和第二開口在第一管160和第二管170的上部和側(cè)部可以以設(shè)定或預(yù)定距離規(guī)則地分開或者可以不規(guī)則地分開。圖4是示出根據(jù)示例實(shí)施例在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的方法的框圖。參照?qǐng)D4，可以在步驟SlO中提供有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底，可以在步驟S20中準(zhǔn)備用于在顯示裝置上形成有機(jī)層圖案的供體基底。在這種情況下，可以在顯示基底上形成開關(guān)裝置、絕緣層、像素電極和/或像素限定層。供體基底可以具有與參照?qǐng)DI描述的供體基底100的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。在步驟S30中，供體基底的轉(zhuǎn)印層可以被布置為與顯示基底的像素區(qū)域相對(duì)或面對(duì)顯示基底的像素區(qū)域，并且可以將供體基底層壓到顯示基底上。供體基底的轉(zhuǎn)印層可以通過供體基底的肋結(jié)構(gòu)而以設(shè)定或預(yù)定距離與顯示基底分開。在這種情況下，肋結(jié)構(gòu)可以具有與參照?qǐng)DI描述的肋結(jié)構(gòu)150基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。在步驟S40中，可以對(duì)供體基底執(zhí)行激光誘導(dǎo)熱成像工藝，以將供體基底的轉(zhuǎn)印層轉(zhuǎn)印到顯示基底的像素區(qū)域上。因此，可以在顯示基底的像素區(qū)域上形成有機(jī)層圖案。
在步驟S50，可以將供體基底從顯示基底去除?？梢酝ㄟ^供體基底的肋結(jié)構(gòu)在供體基底和顯示基底之間提供空氣或不活潑氣體，從而可以在不損壞顯示基底上的有機(jī)層圖案的情況下容易地去除供體基底。圖5是示出根據(jù)示例實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底的方法的剖視圖。參照?qǐng)D5,根據(jù)不例實(shí)施例的顯不基底200可包括基底210、在基底210上的開關(guān)裝置、電連接到開關(guān)裝置的像素電極260等。顯示基底200可包括可以限定多個(gè)像素區(qū)域的柵極線(未示出)和數(shù)據(jù)線(未示出)。在形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的一個(gè)開關(guān)裝置時(shí)，可以在基底210上形成柵電極220，并且可以在基底210上形成柵極絕緣層225以覆蓋柵電極220?？梢栽跂艠O絕緣層225上形成有源圖案230，可以在有源圖案230上形成可以彼此分開的源電極235和漏電極237。可以在柵極絕緣層225上形成保護(hù)層240，以覆蓋源電極235、漏電極237和有源圖案230。
開關(guān)裝置的柵電極220可以接觸柵極線中的一條。柵電極220可以利用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，柵電極220可利用鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鑰(Mo)、鈦(Ti)、鉬(Pt)、銀(Ag)、鉭(Ta)、釕(Ru)、它們的合金、它們的氮化物、氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵(GaOx)等形成。這些材料可以單獨(dú)使用或以它們的組合使用。柵極絕緣層225可以形成在基底210上以覆蓋柵極線和柵電極220。柵極絕緣層225可沿柵電極220的輪廓共形地形成。柵極絕緣層225可利用硅化合物、金屬氧化物等形成。例如，柵極絕緣層225可利用氧化娃(SiOx)、氮化娃(SiNx)、氧氮化娃(SiOxNy)、氧化鉿(HfOx)、氧化錯(cuò)(ZrOx)、氧化鋁(AlOx)、氧化鉭(TaOx)等形成。這些材料可以單獨(dú)使用或以它們的組合使用。柵極絕緣層225可具有包含硅化合物和/或金屬氧化物的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。有源圖案230可以利用硅形成。例如，有源圖案230可以利用多晶硅、摻雜有雜質(zhì)的多晶硅、非晶硅、摻雜有雜質(zhì)的非晶硅、部分結(jié)晶硅、含硅的微晶等形成。源電極235可接
觸數(shù)據(jù)線。源電極235和漏電極237可以形成為與柵電極220相鄰，且源電極235和漏電極237可以以設(shè)定或預(yù)定距離分開。源電極235和漏電極237可以利用金屬、合金、金屬氮化物、導(dǎo)電金屬氧化物等形成。例如，源電極235和漏電極237可以利用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鑰、鈦、鉬、銀、鉭、釕、它們的合金、它們的氮化物、氧化銦錫、氧化銦鋅、氧化鋅錫、氧化鋅、氧化錫、氧化鎵等形成。這些材料可以單獨(dú)使用或以它們的組合使用?？梢栽跂艠O絕緣層225上形成保護(hù)層240，以覆蓋源電極235、漏電極237和有源圖案230。保護(hù)層240可以沿源電極235、漏電極237和有源圖案230的輪廓共形地形成。保護(hù)層240可以利用硅化合物形成。例如，保護(hù)層240可以利用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、碳氮化硅、氧碳化硅等形成。如圖5所示，可以在保護(hù)層240上形成絕緣層250。絕緣層250可以利用透明有機(jī)材料形成。例如，可以利用丙烯酰類樹脂、環(huán)氧類樹脂、苯酚類樹脂、聚酰胺類樹脂、聚酰亞胺類樹脂、不飽和聚酯類樹脂、聚苯撐類樹脂、聚苯硫醚類樹脂、苯并環(huán)丁烯(BCB)等形成絕緣層250。這些材料可以單獨(dú)使用或以它們的組合使用。絕緣層250可具有基本水平的上側(cè)，用來在其上形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的元件?？梢源┻^絕緣層250和保護(hù)層240形成開口(例如，孔)，以部分地暴露開關(guān)裝置的漏電極237?？梢栽谖挥陲@示基底200的像素區(qū)域處的絕緣層250上形成像素電極260?？梢栽诖┻^絕緣層250和保護(hù)層240形成的開口的下部和側(cè)壁上形成像素電極260，從而像素電極260可以電連接到漏電極237?？梢岳镁哂性O(shè)定或預(yù)定反射率或基本透明的材料形成像素電極260。例如，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是底部發(fā)射型時(shí)，像素電極260可以利用諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅錫(ZTO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化錫(SnOx)、氧化鎵(GaOx)等的透明導(dǎo)電材料形成。這些材料可以單獨(dú)使用或以它們的組合使用。像素電極260可以具有包含所述透明導(dǎo)電材料的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。可選擇地，當(dāng)有機(jī)發(fā)光顯示裝置是頂部發(fā)射型時(shí)，像素電極260可以利用鋁、鎢、銅、鎳、鉻、鑰、鈦、鉬、銀、鉭、釕、它們的合金、它們的氮化物等形成。在這種情況下，像素電極260可以具有包括所述金屬、合金和/或氮化物的單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)?？梢栽谖挥陲@示基底200的像素區(qū)域處的絕緣層250和像素電極260上形成像素限定層270?？梢岳糜袡C(jī)材料或無機(jī)材料形成像素限定層270。例如，可以利用諸如光致抗蝕劑、聚丙烯酰類樹脂、聚酰亞胺類樹脂和/或丙烯酰類樹脂的有機(jī)材料，或者諸如硅化合物的無機(jī)材料形成像素限定層270。像素限定層270可以將在像素區(qū)域中發(fā)光的區(qū)域限定為發(fā)光區(qū)域。在參照?qǐng)D5描述的顯示基底200中，開關(guān)裝置可包括具有底柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，其中，柵電極220可以設(shè)置在基底210上。然而，開關(guān)裝置的結(jié)構(gòu)可以不限于此。例如，開關(guān)裝置可以具有柵電極可以設(shè)置在半導(dǎo)體層之下的頂柵結(jié)構(gòu)。可選擇地，開關(guān)裝置可以包括氧化物半導(dǎo)體裝置，該氧化物半導(dǎo)體裝置包括包含半導(dǎo)體氧化物的有源層。圖6到圖8是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的方法的剖視圖。在參照?qǐng)D6到圖8描述的方法中，形成有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底的工藝可以與參照?qǐng)D5描述的形成顯示基底200的工藝基本相同或基本相似。在圖6到圖8中示出的方法中，供體基底可以具有與參照?qǐng)DI描述的供體基底100的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。圖6是示出在顯示基底上層壓供體基底的步驟的剖視圖。 參照?qǐng)D6，可以在包括像素電極260和像素限定層270的顯示基底上層壓包括肋結(jié)構(gòu)150的供體基底，從而供體基底可以粘附到顯不基底。顯不基底可以包括設(shè)置在基底210上的開關(guān)裝置、保護(hù)層240、絕緣層250和/或像素限定層270。供體基底可包括設(shè)置在基礎(chǔ)基底110上的光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層120、轉(zhuǎn)印層140和/或肋結(jié)構(gòu)150。在示例實(shí)施例中，顯示基底可以安裝在支撐設(shè)備(未示出)上，供體基底可以與顯示基底對(duì)齊。在這種情況下，肋結(jié)構(gòu)150的第一管和第二管可以對(duì)齊為不與顯示基底的像素區(qū)域重疊。例如，顯示基底的像素區(qū)域可以與通過第一管和第二管交叉而限定的轉(zhuǎn)印層140的區(qū)域基本對(duì)應(yīng)。在將供體基底布置在顯示基底上之后，加壓構(gòu)件300可以將壓力施加到供體基底，以將包括轉(zhuǎn)印層140、緩沖層130、光熱轉(zhuǎn)換層120和基礎(chǔ)基底110的供體基底層壓到顯示基底的像素電極260和像素限定層270上。在這種情況下，可以將供體基底的肋結(jié)構(gòu)150附著到顯示基底的像素限定層270，可以將供體基底的轉(zhuǎn)印層140附著到顯示基底的像素電極260和像素限定層270。加壓構(gòu)件300可以包括棍子、冠形壓力件(crown press)等。在一些示例實(shí)施例中，可以通過利用氣體而不利用加壓構(gòu)件300來將壓力施加到供體基底，從而包括轉(zhuǎn)印層140的供體基底可以被粘附到包括像素電極260和像素限定層270的顯示基底。根據(jù)上述層壓工藝，供體基底可以被粘附到顯示基底，且供體基底和顯示基底之間的氣泡可以被去除。圖7是示出在供體基底上輻射激光束的步驟的剖視圖。參照?qǐng)D7，可以在供體基底的可以附著到顯示基底的部分上輻射利用箭頭表示的激光束。在示例實(shí)施例中，可以在可以設(shè)置有顯示基底的像素電極260的區(qū)域處輻射激光束。在輻射激光束的區(qū)域，轉(zhuǎn)印層140和像素電極260之間的粘結(jié)強(qiáng)度可以大于緩沖層130和轉(zhuǎn)印層140之間的粘結(jié)強(qiáng)度。因此，轉(zhuǎn)印層140的輻射了激光束的部分可以從緩沖層130去除，有機(jī)層圖案142(見圖8)可以由轉(zhuǎn)印層140形成在像素電極260上。在示例實(shí)施例中，可以利用激光誘導(dǎo)熱成像工藝在顯示基底上形成有機(jī)層圖案142，從而由于激光束的相對(duì)高的分辨率，可以以相對(duì)低的成本獲得具有相對(duì)高的分辨率的有機(jī)層圖案142。
在示例實(shí)施例中，可以在低于大約10_2托的壓力下，由轉(zhuǎn)印層140形成有機(jī)層圖案142。有機(jī)層圖案142可以在真空室中形成，從而在形成有機(jī)層圖案142的過程中，可以防止對(duì)有機(jī)層圖案142和顯示基底的像素電極260的污染。結(jié)果，可以改善包括有機(jī)層圖案142的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的壽命。在一些示例實(shí)施例中，可以在包含不活潑氣體的氣氛中形成轉(zhuǎn)印層140。例如，包含不活潑氣體的氣氛可包括不活潑氣體和水蒸氣，或不活潑氣體和氧氣(O2)。例如，不活潑氣體可包括氮?dú)?N2)和/或氬氣(Ar)，在含有不活潑氣體的氣氛中水蒸氣的濃度可以低于大約lOppm?？蛇x擇地，在含有不活潑氣體的氣氛中氧氣(O2)的濃度可以低于大約50ppm。來自外部的氧氣和水蒸氣可以與包含不活潑氣體的氣氛容易地混合，從而可以通過控制水蒸氣和氧氣的濃度來防止有機(jī)層圖案142的污染。圖8是示出從顯示基底去除供體基底的步驟的剖視圖。如上所述，有機(jī)層圖案142可從供體基底的轉(zhuǎn)印層140形成在顯示基底上，而后，供體基底可以從顯不基底去除?！ぴ谑纠龑?shí)施例中，第一管和第二管的第一端部可以被封閉，噴嘴可以連接到第一管和第二管的第二端部。來自噴嘴的氣體可以在顯示基底和供體基底之間被釋放。例如，所述氣體可包括諸如氮?dú)?、氬氣等不活潑氣體?？梢酝ㄟ^第一管的第一開口和第二管的第二開口在顯示基底和供體基底之間提供從噴嘴供應(yīng)到肋結(jié)構(gòu)150的氣體。因此，可以從顯示基底去除供體基底，供體基底和顯示基底之間的分離可以從與第一管和第二管相鄰的區(qū)域開始。在示例實(shí)施例中，可以從顯示基底的中央部分的相對(duì)大的區(qū)域中提供具相對(duì)低的吹入壓力的氣體，從而可以在沒有損壞的情況下容易地去除供體基底。結(jié)果，可以防止或減少包括顯示基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素故障。圖9是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底102的透視圖。參照?qǐng)D9，供體基底102可包括基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140、肋結(jié)構(gòu)152等?；A(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130和轉(zhuǎn)印層140可以具有與參照?qǐng)D2描述的基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130和轉(zhuǎn)印層140的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。肋結(jié)構(gòu)152可以設(shè)置在轉(zhuǎn)印層140上。肋結(jié)構(gòu)152可以包括第一管160和至少一個(gè)連接管165。第一管160可以基本彼此平行地以設(shè)定或預(yù)定距離分開。第一管160的第一端部可以連接到連接管165。在一些示例實(shí)施例中，第一管160的第一端部和第二端部二者可以連接到連接管165。例如，兩個(gè)連接管165可以設(shè)置在轉(zhuǎn)印層140上。在示例實(shí)施例中，第一管160可以在轉(zhuǎn)印層140上沿第一方向或第二方向延伸。第一管160可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度或縱向?qū)挾葘?duì)應(yīng)的距離分開。例如，第一管160可以以與有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素區(qū)域的水平寬度或縱向?qū)挾然鞠嗤木嚯x分開，或者第一管160可以以與所述像素區(qū)域的水平寬度或縱向?qū)挾鹊恼麛?shù)倍基本相同的距離分開。第一管160的第一端部和第二端部中的一個(gè)或二者可以連接到連接管165,第一管160可以通過連接管165彼此流體連通。連接管165可以沿與第一管160基本垂直的方向延伸。例如，第一連接管可以連接到第一管160的第一端部，第二連接管可以連接到第一管160的第二端部。
第一管160和連接管165可具有多邊形的截面。例如，第一管160和連接管165可具有諸如基本呈矩形、基本呈正方形和/或基本呈梯形的各種截面形狀。在一些示例實(shí)施例中，第一管160和第二連接管165可具有倒圓的截面。例如，第一管160和連接管165可具有各種倒圓的截面形狀，諸如基本呈半圓形、基本呈半橢圓形和/或面對(duì)向上的方向的基本呈圓頂形形狀。此外，連接管165可具有基本上比第一管160的尺寸大的尺寸。例如，連接管165的寬度和/或高度可以基本上大于第一管160的寬度和/或高度。連接管165可包括與第一管160的材料基本相同或基本相似的材料。例如，連接管165可包括硅、氨基甲酸乙酯、鋁等。在這種情況下，連接管165可與第一管160—體地形成。在一些示例實(shí)施例中，第一管160可與連接管165結(jié)合為彼此基本垂直。如圖9所示，第一管160可包括多個(gè)第一開口 180。例如，第一開口 180可形成在第一管160的上部上。第一開口 180可以以設(shè)定或預(yù)定距離規(guī)則地分開，或可以不規(guī)則地分開。在一些示例實(shí)施例中，第一開口 180可與圖I示出的第一管160基本相似地形成在第一管160的側(cè)部上。
在圖9中示出的供體基底102中，肋結(jié)構(gòu)152可包括基本彼此平行的第一管160。然而，肋結(jié)構(gòu)152的結(jié)構(gòu)可不限于此。例如，肋結(jié)構(gòu)152可包括基本垂直于第一管160的多個(gè)第二管。在這種情況下，連接管165可連接到第一管160的第一端部或第二管的第一端部?？蛇x擇地，第一連接管和第二連接管可分別連接到第一管160的第一端部和第二管的第一端部。在一些示例實(shí)施例中，四個(gè)連接管可連接到第一管160和第二管的第一端部和第二端部。例如，第一連接管到第四連接管可以連接到第一管160的第一端部和第二端部二者以及第二管的第一端部和第二端部二者。在示例實(shí)施例中，供體基底102可包括具有多個(gè)第一管160的肋結(jié)構(gòu)152。在利用激光誘導(dǎo)熱成像工藝在顯示基底上形成有機(jī)層圖案的過程中，肋結(jié)構(gòu)152可以設(shè)置在顯示基底和轉(zhuǎn)印層140之間。因此，當(dāng)將供體基底102從顯示基底去除時(shí)，通過第一管160可將氣體在顯示基底和供體基底102之間釋放，從而在不損壞設(shè)置在顯示基底上的有機(jī)層圖案的情況下容易地從顯不基底去除供體基底102。圖10是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底104的透視圖。參照?qǐng)D10，供體基底104可包括基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140、肋結(jié)構(gòu)154等?；A(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140可以具有與參照?qǐng)D2描述的基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。肋結(jié)構(gòu)154可包括多個(gè)第一管160和多個(gè)第二管170。在圖10中示出的肋結(jié)構(gòu)154中，第一管160和第二管170的尺寸、形狀和/或布置可以與參照?qǐng)DI描述的第一管160和第二管170的尺寸、形狀和/或布置基本相同或基本相似，因此，可以省略其詳細(xì)描述。如圖10所示，第一開口 180可以設(shè)置在至少一個(gè)第一管160的上部和側(cè)部上，第二開口 181可以設(shè)置在至少一個(gè)第二管170的上部和側(cè)部上。例如，第一開口 180可設(shè)置在供體基底104的中央?yún)^(qū)域中的第一管160的中央部分上，第二開口 181可設(shè)置在供體基底104的中央?yún)^(qū)域中的第二管170的中央部分上。包括第一開口 180的第一管160可與包括第二開口 181的第二管170基本垂直。S卩，第一開口 180和第二開口 181可設(shè)置在肋結(jié)構(gòu)154的中央部分處。在一些示例實(shí)施例中，至少一個(gè)連接管可以連接到第一管160和/或第二管170的端部。圖11是示出根據(jù)一些示例實(shí)施例的供體基底106的透視圖。參照?qǐng)D11，供體基底106可包括基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130、轉(zhuǎn)印層140、肋結(jié)構(gòu)156等?；A(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130和轉(zhuǎn)印層140可以具有與參照?qǐng)D2描述的基礎(chǔ)基底110、光熱轉(zhuǎn)換層120、緩沖層130和轉(zhuǎn)印層140的結(jié)構(gòu)基本相同或基本相似的結(jié)構(gòu)。如圖11所示，肋結(jié)構(gòu)156可包括多個(gè)第一管160和多個(gè)第二管170。在這種情況下，第一管160和第二管170的尺寸、形狀和/或布置可以與參照?qǐng)DI描述的第一管160和第二管170的尺寸、形狀和/或布置基本相同或基本相似，因此，可以省略其詳細(xì)描述。肋結(jié)構(gòu)156還可包括設(shè)置在第一管160和/或第二管170中的分割壁190。雖然分割壁190可以設(shè)置在圖10中的第二管170中，但是分割壁190可以設(shè)置在第一管160中 或設(shè)置在第一管160和第二管170 二者中。在這種情況下，分割壁190可沿第一方向或第二方向布置，以不擾亂氣體通過第一管160和第二管170的流動(dòng)。因此，當(dāng)將供體基底106從具有相對(duì)大的面積的顯示基底上去除時(shí)，由于分割壁190使得氣壓可以維持在設(shè)定或預(yù)定的壓力。因此，可以在不損壞有機(jī)層圖案的情況下，在具有相對(duì)大的面積的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的顯示基底上形成有機(jī)層圖案。根據(jù)示例實(shí)施例，當(dāng)供體基底從顯示基底去除時(shí)，可以采用包括含有多個(gè)管的肋結(jié)構(gòu)的供體基底。因此，在不引起對(duì)規(guī)則地形成在顯示基底上的有機(jī)層圖案的損壞的情況下，可以容易地去除供體基底。結(jié)果，可以防止或減少包括顯示基底的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的像素故障。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以應(yīng)用于諸如電視機(jī)、移動(dòng)通信設(shè)備、監(jiān)視器、MP3播放器或便攜式顯示設(shè)備等的各種電子電氣設(shè)備中。前面說明了示例實(shí)施例，但是不應(yīng)被理解為對(duì)其的限制。雖然已經(jīng)描述了一些示例實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地理解的是，在實(shí)質(zhì)上不脫離示例實(shí)施例的新穎的教導(dǎo)和方面的情況下，可以在示例實(shí)施例中進(jìn)行許多變型。因此，所有的這些變型意在包括在如在權(quán)利要求及其等同物中所限定的示例實(shí)施例的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種供體基底，所述供體基底包括 基礎(chǔ)基底； 光熱轉(zhuǎn)換層，位于基礎(chǔ)基底上； 轉(zhuǎn)印層，位于光熱轉(zhuǎn)換層上； 肋結(jié)構(gòu)，位于轉(zhuǎn)印層上，肋結(jié)構(gòu)包括彼此分開的多個(gè)管。
2.如權(quán)利要求I所述的供體基底，其中，管具有位于管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)開口。
3.如權(quán)利要求2所述的供體基底，其中，肋結(jié)構(gòu)還包括連接到管的端部的至少一個(gè)連接管。
4.如權(quán)利要求3所述的供體基底，其中，所述至少一個(gè)連接管包括與管的材料相同的材料。
5.如權(quán)利要求3所述的供體基底，其中，所述至少一個(gè)連接管與管一體地形成。
6.如權(quán)利要求3所述的供體基底，其中，所述至少一個(gè)連接管包括第一連接管和第二連接管，第一連接管連接到管的第一端部，第二連接管連接到管的第二端部。
7.如權(quán)利要求I所述的供體基底，其中，肋結(jié)構(gòu)包括多個(gè)第一管和多個(gè)第二管，第一管沿第一方向延伸，第二管沿第二方向延伸。
8.如權(quán)利要求7所述的供體基底，其中，第一管和第二管以矩陣的形狀布置。
9.如權(quán)利要求7所述的供體基底，其中，第一管具有位于第一管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第一開口，第二管具有位于第二管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第二開口。
10.如權(quán)利要求7所述的供體基底，其中，位于轉(zhuǎn)印層的中央部分的至少一個(gè)第一管具有位于第一管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第一開口，位于轉(zhuǎn)印層的中央部分的至少一個(gè)第二管具有位于第二管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處的多個(gè)第二開口。
11.如權(quán)利要求7所述的供體基底，其中，肋結(jié)構(gòu)還包括位于第一管和第二管中的至少一個(gè)中的分割壁。
12.如權(quán)利要求I所述的供體基底，其中，管包括硅、氨基甲酸乙酯或鋁。
13.如權(quán)利要求I所述的供體基底，其中，管的高度和寬度之間的比在1.0 O. 5和I.O I. O 之間。
14.一種制造供體基底的方法，所述方法包括 在基礎(chǔ)基底上形成光熱轉(zhuǎn)換層； 在光熱轉(zhuǎn)換層上形成轉(zhuǎn)印層； 在轉(zhuǎn)印層上形成肋結(jié)構(gòu)，肋結(jié)構(gòu)包括彼此分開的多個(gè)管。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括在管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處形成多個(gè)開口。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括形成連接到管的端部的至少一個(gè)連接管。
17.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括 在管的多個(gè)第一管上形成第一槽； 在管的多個(gè)第二管上形成第二槽；通過使第一槽與第二槽對(duì)齊將第一管與第二管結(jié)合。
18.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括 沿第一方向在轉(zhuǎn)印層上布置管的多個(gè)第一管； 沿第二方向在轉(zhuǎn)印層上布置管的多個(gè)第二管，第二管與第一管交叉。
19.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括在多個(gè)管的第一管和第二管中的至少一個(gè)中形成分割壁。
20.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括 在基礎(chǔ)基底上形成肋結(jié)構(gòu)，以制造供體基底，肋結(jié)構(gòu)包括多個(gè)管，基礎(chǔ)基底包括光熱轉(zhuǎn)換層和轉(zhuǎn)印層； 將供體基底層壓到顯不基底上； 在供體基底上輻射激光束，從而在顯示基底上由轉(zhuǎn)印層形成有機(jī)層圖案； 通過肋結(jié)構(gòu)在顯不基底和供體基底之間排放氣體，以將供體基底從顯不基底去除。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟包括 在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)管，管彼此分開； 在管的上部和側(cè)部中的至少一個(gè)處形成多個(gè)開口。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，管以與顯示基底的像素區(qū)域的寬度的整數(shù)倍相同的距離彼此分開。
23.如權(quán)利要求21所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括形成連接到管的端部的至少一個(gè)連接管。
24.如權(quán)利要求20所述的方法，其中，形成肋結(jié)構(gòu)的步驟還包括 在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)第一管，第一管以第一距離彼此分開； 在轉(zhuǎn)印層上布置多個(gè)第二管，第二管以第二距離彼此分開。
25.如權(quán)利要求24所述的方法，其中，第一距離與顯示基底的像素區(qū)域的水平寬度和豎直寬度中的至少一個(gè)的整數(shù)倍相同，第二距離與顯示基底的像素區(qū)域的水平寬度和豎直寬度中的至少一個(gè)的整數(shù)倍相同。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種供體基底及其制造方法和一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法。供體基底可包括基礎(chǔ)基底、光熱轉(zhuǎn)換層、轉(zhuǎn)印層和肋結(jié)構(gòu)。光熱轉(zhuǎn)換層可位于基礎(chǔ)基底上。轉(zhuǎn)印層可位于光熱轉(zhuǎn)換層上。肋結(jié)構(gòu)位于轉(zhuǎn)印層上。肋結(jié)構(gòu)可包括多個(gè)彼此分開的管。在激光誘導(dǎo)熱成像工藝中，可以在不損壞顯示基底的情況下，容易地從顯示基底去除包括肋結(jié)構(gòu)的供體基底，從而在顯示基底上規(guī)則地形成有機(jī)層圖案。
文檔編號(hào)H01L21/77GK102891166SQ201210247410
公開日2013年1月23日 申請(qǐng)日期2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月19日
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