專利名稱：用于堆疊裸片組合件的經(jīng)重組晶片的激光輔助式分裂的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
所揭示的實 施例涉及利用經(jīng)重組晶片的堆疊裸片組裝方法。
背景技術(shù)：
常規(guī)的堆疊裸片組裝方法涉及裸片到裸片(D2D)組裝，此時頂部裸片延伸超過底部裸片的周邊或邊界(例如，區(qū)域)。然而，裸片到晶片(D2W)組裝出于成本原因而比D2D優(yōu)選。一種用以針對此類裸片堆疊實現(xiàn)D2W組裝的選項是在半導(dǎo)體晶片上將下部裸片隔開以允許D2W接合。然而，下部裸片之間的大間隙導(dǎo)致?lián)p失原本可用的裸片區(qū)域。另一種D2W選項涉及在載體晶片上接合頂部裸片之前創(chuàng)建“經(jīng)重組晶片”以實現(xiàn)所需要的間隔，所述“經(jīng)重組晶片”是通過將較小裸片接合到載體晶片來形成的。

發(fā)明內(nèi)容
所揭示的實施例認識到，在使用常規(guī)的機械切割操作來用于使用經(jīng)重組晶片方法形成堆疊裸片組合件的情況下，隨著切割刀片緊密靠近頂部半導(dǎo)體裸片上的外圍接合墊，包括碎片的漿液可能會沉積在其上。包括碎片的漿液可能會損傷或污染暴露的外圍墊，這可能會阻止可靠地線接合到所述外圍墊。已發(fā)現(xiàn)頂部半導(dǎo)體裸片上的外圍接合墊受到損傷和污染在第一半導(dǎo)體裸片相對較薄(例如，< 120μπι)且裸片之間的間隙較小(例如，< 25 μ m)時問題較多。所揭示的實施例包含對用于形成堆疊裸片組合件的經(jīng)重組晶片進行激光輔助式分裂，所述激光輔助式分裂在不損傷或污染頂部裸片的外圍接合墊的情況下單一化所述堆疊裸片。一個所揭示的實施例是一種形成堆疊裸片裝置的方法，其包含將多個第一半導(dǎo)體裸片附接到晶片的表面上以形成經(jīng)重組晶片，且接著將多個第二半導(dǎo)體裸片以其頂側(cè)向下的方式接合到所述多個第一半導(dǎo)體裸片上以形成多個附接到所述晶片的單一化堆疊裸片裝置。所述晶片可包括載體晶片或包含多個介入物裸片的晶片。將支撐帶附接到所述多個第二半導(dǎo)體裸片的底側(cè)。使用激光來在機械上削弱所述晶片但不切穿既定切割道的條件下在與所述多個第一半導(dǎo)體裸片之間的間隙對準的既定切割位置處照射所述載體晶片。在激光照射之前或之后施加切割帶。牽拉所述切割帶，從而導(dǎo)致沿著既定切割道將所述晶片分裂(或分離)成多個單一化部分。在分裂之前移除所述支撐帶，這通常在牽拉/拉伸切割帶的同時發(fā)生。每一單一化部分附接到所述切割帶且包含位于晶片部分上的多個單一化堆疊裸片裝置中的一者。接著可從切割帶移除所述單一化堆疊裸片裝置，且在一個實例實施例中，可將所述單一化堆疊裸片裝置附接到例如引線框等封裝襯底，之后進行線接合。


圖I為展示根據(jù)實例實施例的包含對經(jīng)重組晶片進行激光輔助式分裂的用于形成堆疊裸片裝置的實例方法中的步驟的流程圖。
圖2A為根據(jù)實例實施例的在將多個第一半導(dǎo)體裸片附接到晶片表面上以形成經(jīng)重組晶片之后的布置的橫截面描繪。圖2B為根據(jù)實例實施例的將第二半導(dǎo)體裸片以頂側(cè)向下的方式接合到第一半導(dǎo)體裸片上以在載體晶片上形成多個堆疊裸片裝置的布置的橫截面描繪。圖2C為根據(jù)實例實施例的在將支撐帶附接到所述多個第二半導(dǎo)體裸片的底側(cè)之后的布置的橫截面描繪。圖2D為針對在激光照射之后將切割帶施加到所述晶片的實施例的在激光照射步驟之后的所得布置的橫截面描繪。圖2E為根據(jù)實例實施例的在激光照射之后附接切割帶之后的所得布置的橫截面描繪。圖2F為根據(jù)實例實施例的在牽拉所述切割帶以沿著既定切割道將所述晶片分裂 成多個單一化部分之后的布置的橫截面描繪，其展示沿切割道分割成多個載體部分的載體晶片，所述載體部分各自保持附接到切割帶。圖3A為展示根據(jù)實例實施例的針對在激光照射之前施加所述切割帶的替代實施例的在翻轉(zhuǎn)圖2C所示的布置且將切割帶附接到載體晶片之后得到的布置的橫截面描繪。圖3B為展示根據(jù)實例實施例的在穿過切割帶進行激光照射之后得到的布置的橫截面描繪。圖3C為展示根據(jù)實例實施例的在牽拉所述切割帶以沿著既定切割道將載體晶片分裂成多個單一化部分之后得到的布置的橫截面描繪，所述單一化部分包括各自上面具有堆疊裝置的若干載體部分，所述堆疊裝置保持附接到切割帶。圖4為根據(jù)實例實施例的通過所揭示的方法形成的實例堆疊裸片裝置的橫截面圖，所述方法包含對經(jīng)重組晶片進行激光輔助式分裂，其中所述晶片包括介入物。圖5A和5B為根據(jù)實例實施例的在所揭示的激光輔助式分裂之后的硅裸片的邊緣的掃描圖像，其分別展示在I遍式和2遍式激光照射過程之后的特征微裂紋。
具體實施例方式參看圖式描述實例實施例，其中使用相同參考標號來指定相似或等效的元件。所說明的動作或事件的排序不應(yīng)視為限制性的，因為一些動作或事件可按不同次序和/或與其它動作或事件同時發(fā)生。此外，可能不需要某些所說明的動作或事件來實施根據(jù)本發(fā)明的方法。所揭示的實施例包含用于形成堆疊裸片組合件的經(jīng)重組晶片的激光輔助式分裂，其中堆疊裸片的單一化不會損傷或污染頂部裸片上的暴露的外圍墊。所揭示的實施例還包含堆疊裸片裝置，所述裝置包括介入物裸片(例如，硅或石英介入物)，其包含多個穿襯底通孔(TSV);以及裸片堆疊，其附接到所述介入物。裸片堆疊包含第二半導(dǎo)體裸片，其以頂側(cè)向下的方式接合到第一半導(dǎo)體裸片上。介入物裸片的邊緣包含激光損傷區(qū)，所述區(qū)包含微裂紋。圖I是展示根據(jù)實例實施例的用于形成堆疊裸片裝置的實例方法100中的步驟的流程圖，所述方法包含對經(jīng)重組晶片的激光輔助式分裂。步驟101包括將多個第一半導(dǎo)體裸片附接到晶片的表面上以形成經(jīng)重組晶片。第一半導(dǎo)體裸片可包含多個TSV。晶片可包括硅載體晶片或玻璃載體晶片，例如石英玻璃、硅石玻璃或例如PYREX 等回火鈉鈣玻璃。在另一實施例中，晶片包括多個介入物裸片，例如包含TSV的硅或玻璃介入物裸片。圖2A是在步驟101之后的布置200的橫截面描繪，其展示經(jīng)重組晶片包括附接到晶片210的表面的多個第一半導(dǎo)體裸片222，所述晶片210圖示為載體晶片210。雖然晶片210在圖2A到2F中圖示為載體晶片，但在其它實施例中，晶片210包括多個介入物裸片，例如包含TSV的介入物裸片。雖然未圖示，但第一裸片222的底側(cè)(具有突出的TSV尖端217(a)的那側(cè))包含橫向于TSV尖端217 (a)的電介質(zhì)層。載體晶片210通常為280到750 μ m厚?？梢姷谝话雽?dǎo)體晶片222包含若干TSV217，所述TSV 217包含突出的TSV尖端217 (a)。永久或暫時的粘合劑(例如，環(huán)氧樹脂)206將第一半導(dǎo)體裸片222緊固到載體晶片210。步驟102包括將多個第二半導(dǎo)體裸片以其頂側(cè)向下的方式接合到所述多個第一半導(dǎo)體裸片上以在晶片210上形成多個堆疊裸片裝置。第二半導(dǎo)體裸片可延伸超過第一半導(dǎo)體裸片的周邊或邊界，且第二半導(dǎo)體裸片的頂側(cè)可在此延伸區(qū)中包含用于堆疊裸片裝置 的接合墊。熱壓縮(TC)接合是可在步驟102中使用的一個實例接合方法。“延伸超過第一半導(dǎo)體裸片的周邊或邊界”包含了第二半導(dǎo)體裸片的面積大于第一半導(dǎo)體裸片的情況，以及其它布置。舉例來說，在第一布置中，第二半導(dǎo)體裸片可為矩形的且面積小于第一半導(dǎo)體裸片，但具有在一個維度上延伸超過第一半導(dǎo)體的兩個側(cè)面。在第二布置中，第二半導(dǎo)體裸片相對于第一半導(dǎo)體裸片偏移，使得頂部第二半導(dǎo)體裸片的某部分懸置于第一半導(dǎo)體裸片上方。此第二布置可例如用于堆疊存儲器上，其中相等大小的裸片在堆疊上來回偏移以允許對頂部裸片上的外圍接合墊的接近。圖2B是布置240的橫截面描繪，所述布置240使第二半導(dǎo)體裸片221以頂側(cè)向下的方式接合到第一半導(dǎo)體裸片222上以在載體晶片210上形成多個堆疊裸片裝置220。第二半導(dǎo)體裸片221圖示為寬度大于第一半導(dǎo)體裸片222，且第二半導(dǎo)體裸片221的頂側(cè)226包含接合墊232，接合墊232包含延伸超過第一半導(dǎo)體裸片222的區(qū)域的一些外圍接合墊232(a)。第二半導(dǎo)體裸片的底側(cè)圖示為225。在第一半導(dǎo)體裸片222與第二半導(dǎo)體裸片221之間展示底填料227。底填料227可在將第一半導(dǎo)體裸片222接合到第二半導(dǎo)體裸片221 (步驟102)之前或之后來施加。步驟103包括將支撐帶230附接到所述多個第二半導(dǎo)體裸片221的底側(cè)225。如本文使用，“支撐帶”經(jīng)廣義地定義為除了包含帶材料之外還包含廣泛多種附著布置，例如可借助暫時粘合劑施加到半柔性支撐材料的支撐膜。圖2C是在步驟103之后的布置250的橫截面描繪，其包括多個堆疊裸片裝置220，所述布置250包括接合到晶片210上的第一半導(dǎo)體裸片222的第二半導(dǎo)體裸片221，其中支撐帶230附接到所述多個第二半導(dǎo)體裸片221的底側(cè)225的支撐帶230。步驟104包括在若干條件(例如，功率、焦距、時間)下對載體晶片210進行激光照射以機械上削弱載體晶片210，但不燒蝕或切穿載體晶片中的與所述多個第一半導(dǎo)體裸片222之間的間隙對準的既定切割道211，使得載體在激光照射之后保持為單個完整晶片。激光照射條件包含激光對準，其經(jīng)選擇以使得載體晶片210在切割道211中的損傷只是超過第一半導(dǎo)體裸片222的外圍(例如，在其2mm內(nèi))，但不損傷第二半導(dǎo)體裸片221的懸置區(qū)。下文描述的圖5A和5B展示了在所揭示的激光照射和后續(xù)的分裂之后沿著切割道221對實例硅晶片邊緣的掃描光學圖像。圖2D是在激光照射步驟104之后的所得布置260的橫截面描繪，其是針對在激光照射之后將切割帶施加到載體晶片的實施例。在載體晶片210中在切割道211中的虛線用來指示激光引起的損傷。如圖2D中所示，將所得的布置260翻轉(zhuǎn)180度以促進對載體晶片210的激光照射。步驟105包括與堆疊裝置220相對地將切割帶261附接到晶片210。步驟105大體上包括與帶框架一起施加切割帶。切割帶的附接可發(fā)生在激光照射(步驟104)之前或之后。當在激光照射之前施加切割帶261時，由于激光照射是穿過切割帶的，因此切割帶經(jīng)選擇以使得其對用于激光照射的波長(通常是紅外(IR)波長)具有透射性，使得切割帶經(jīng)選擇為對IR具有透射性/透明。圖2E是在切割帶261的附接之后的所得布置270的橫截面描繪，其是針對在激光照射之后將切割帶施加到載體晶片的實施例。
根據(jù)實例實施例，步驟106包括牽拉/拉伸切割帶261以沿著既定切割道211分裂晶片以形成間隙210(b)，從而得到多個在晶片部分上具有堆疊裝置的單一化部分，所述堆疊裝置各自保持附接到切割帶?？墒褂煤线m的機器來牽拉切割帶261，例如市售的分離器，其通常與用于激光照射(步驟104)的激光器集成在一起。在分裂/分離之前移除支撐帶230，這通常在牽拉/拉伸切割帶261的同時進行。圖2F是根據(jù)實例實施例的在牽拉切割帶以沿著既定切割道211分裂(分離)載體晶片210以形成間隙210(b)從而得到包括圖示為載體部分210 (a)的晶片部分的多個單一化部分250之后的布置280的橫截面描繪，所述多個單一化部分250各自在其上具有保持附接到切割帶261的堆疊裝置220。圖2F中可見載體部分210(a)之間的未連接的載體部分210(c)，其是當在步驟106中牽拉載體晶片的不包含堆疊裝置220的部分時形成的。將未連接的載體部分210 (c)丟棄。如上所述，可在激光照射(步驟104)之前或之后施加切割帶261。圖3A到3C展示在針對在激光照射之前施加切割帶261的替代實施例的步驟之后的所得布置的橫截面描繪。在此實施例中，切割帶對用于激光照射的激光的波長(通常是IR波長)具有透射性，使得在此實施例中的切割帶可包括對IR透明的切割帶261。圖3A是展示在翻轉(zhuǎn)圖2C中所示的布置250且將切割帶261附接到載體晶片210之后得到的布置310的橫截面描繪。圖3A中未圖示切割道211，因為此描繪是在激光照射之前展示的。在此實施例中隨后穿過切割帶261對布置310進行激光照射，圖3B中展示所得的布置320。由于切割帶261對用于激光照射的激光的波長具有透射性，因此在切割道211中發(fā)生激光損傷，所述激光損傷圖示為載體中的虛線。圖3C是展示根據(jù)實例實施例的在牽拉切割帶261以沿著既定切割道211分裂載體晶片210以形成間隙210(b)從而得到包括載體部分210 (a)和未連接的載體部分201 (c)的多個單一化部分250之后所得的布置330的橫截面描繪，所述載體部分210 (a)上面各自具有堆疊裝置220，所述未連接的載體部分201(c)保持附接到切割帶261。因此，在第二半導(dǎo)體裸片221的延伸超過第一半導(dǎo)體裸片222的周邊或邊界的區(qū)下方出現(xiàn)所形成的間隙210(b)。如上所述，在分裂/分離之前移除支撐帶230，這通常在牽拉/拉伸切割帶261的同時進行。如上所述，晶片可包括各自包含多個TSV的多個介入物裸片，其中在牽拉切割帶(步驟106)之后所述多個介入物裸片變?yōu)樗龆鄠€單一化部分的一部分。介入物裸片可包括硅介入物裸片，其中在牽拉/拉伸切割帶之后，用于所述多個單一化載體部分的介入物裸片的邊緣包含激光損傷區(qū)，所述區(qū)包含微裂紋以及多個多晶硅微晶。晶片也可包括多個玻璃介入物裸片，且其中在牽拉之后所述多個單一化載體部分的邊緣包含激光損傷區(qū)，所述區(qū)包含多個微裂紋。由于所揭示的方法不需要常規(guī)堆疊裸片組合件所需的常規(guī)切割刀片，因此第二半導(dǎo)體裸片221的外圍墊232(a)被損傷或污染的風險低得多。因此，所揭示的方法改善了堆疊裸片裝置到第二裸片上的接合墊232(a)的線接合可靠性。所揭示的激光輔助式分裂可產(chǎn)生具有與所揭示的激光輔助式分裂處理相關(guān)的某些可辨識最終特征的堆疊裸片裝置。舉例來說，圖4是實例堆疊裸片裝置400的橫截面描繪。堆疊裸片裝置400包括介入物裸片310，其圖示為包含多個TSV 317且不具有有源電路的硅介入物裸片310 ;以及裸片堆疊320，其包括在介入物裸片310上接合到第一半導(dǎo)體裸片222的第二半導(dǎo)體裸片221，其中第二半導(dǎo)體裸片221以其頂側(cè)226向下的方式接合到 第一半導(dǎo)體裸片222。介入物裸片310的邊緣包含激光損傷區(qū)，例如下文所述的圖5A和5B中的損傷區(qū)中所示。可見第二半導(dǎo)體裸片221的寬度大于第一半導(dǎo)體裸片222，且第二半導(dǎo)體裸片221的頂側(cè)226包含延伸超過第一半導(dǎo)體裸片222的區(qū)域的接合墊232(a)。第一半導(dǎo)體裸片222包含多個TSV 217，所述TSV 217具有突出的TSV尖端217 (a)?？墒褂迷俜峙鋵?RDL)來從TSV 317選路到與TSV尖端217 (a)對準成一行的墊。在介入物裸片310與第一半導(dǎo)體裸片222之間展示底填料327。圖5A和5B是根據(jù)實例實施例的在所揭示的激光輔助式分裂之后來自硅晶片的硅裸片的邊緣的掃描光學圖像，其分別展示在I遍式和2遍式激光處理之后的微裂紋。圖5A中所示的裸片510是60 μ m厚，且在所示的激光損傷區(qū)520中可見激光引起的微裂紋。圖5B中所示的裸片540是75 μ m厚，且在所示的激光損傷區(qū)550中可見激光引起的微裂紋?？梢姷街甘菊趦蓚€不同水平面處聚焦的兩遍激光的兩(2)個微裂紋區(qū)。頂部區(qū)的微裂紋寬度比下部區(qū)小得多。雖然針對硅襯底展示掃描圖像，但預(yù)期例如針對石英介入物的玻璃襯底具有因所揭示的激光輔助式分裂而造成的類似微裂紋。所揭示的實施例可集成到多種組裝流程中以形成多種不同的堆疊裸片裝置和相關(guān)產(chǎn)品。半導(dǎo)體裸片可包含位于其中的各種元件和/或位于其上的各種層，包含勢壘層、電介質(zhì)層、裝置結(jié)構(gòu)、有源元件和無源元件，包含源極區(qū)、漏極區(qū)、位線、基極、發(fā)射器、集電極、導(dǎo)線、導(dǎo)電通孔等等。此外，半導(dǎo)體裸片可通過多種工藝形成，包含雙極、CMOS、BiCMOS和MEMS。本發(fā)明相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，許多其它實施例和實施例變型在所主張的發(fā)明的范圍內(nèi)是可能的，且在不脫離本發(fā)明的范圍的情況下可對所描述的實施例做出另外的添加、刪除、替換和修改。舉例來說，第一半導(dǎo)體裸片222、第二半導(dǎo)體221或者第一半導(dǎo)體裸片222和第二半導(dǎo)體221兩者可為多裸片堆疊。
權(quán)利要求
1.一種形成堆疊裸片裝置的方法，其包括 將多個第一半導(dǎo)體裸片附接到晶片的表面上以形成經(jīng)重組晶片； 將多個第二半導(dǎo)體裸片以其頂側(cè)向下的方式接合到所述多個第一半導(dǎo)體裸片以形成多個附接到所述晶片的單一化堆疊裸片裝置； 將支撐帶附接到所述多個第二半導(dǎo)體裸片的底側(cè)； 將切割帶附接到所述晶片； 在所述晶片上的與所述多個第一半導(dǎo)體裸片之間的間隙對準的既定切割道處對所述晶片進行激光照射以機械地削弱但不切穿所述既定切割道；以及 牽拉所述切割帶以沿著所述既定切割道將所述晶片分裂成多個單一化部分，其中所述多個單一化部分附接到所述切割帶且各自包含所述多個單一化堆疊裸片裝置中的一者。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述激光照射之后將所述切割帶附接到所述晶片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述激光照射之前將所述切割帶附接到所述晶片，且所述切割帶是對紅外線IR透明的。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述第二半導(dǎo)體裸片延伸超過所述第一半導(dǎo)體裸片的周邊或邊界，且其中所述第二半導(dǎo)體裸片的所述頂側(cè)包含延伸超過所述第一半導(dǎo)體裸片的所述周邊或所述邊界的接合墊。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述既定切割道在所述第一半導(dǎo)體裸片的所述周邊或所述邊界的2mm內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述晶片包括硅載體晶片或玻璃載體晶片。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述第一半導(dǎo)體裸片包含多個穿襯底通孔TSV。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中所述晶片包括多個介入物裸片，所述多個介入物裸片各自包含多個穿襯底通孔TSV，且其中在所述牽拉所述切割帶之后，所述多個介入物裸片變成單一化介入物裸片以及所述多個單一化部分的一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述晶片包括多個硅介入物裸片，且其中在所述牽拉所述切割帶之后，所述單一化介入物裸片的邊緣包含激光損傷區(qū)，所述區(qū)包含微裂紋和多個多晶硅微晶。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述晶片包括多個玻璃介入物裸片，且其中在所述牽拉所述切割帶之后，所述單一化介入物裸片的邊緣包含激光損傷區(qū)，所述區(qū)包含多個微裂紋。
11.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在分裂所述晶片之前，在所述牽拉所述切割帶的同時，移除所述支撐帶。
12.—種堆疊裸片裝置，其包括 介入物裸片，其包含多個穿襯底通孔TSV，以及 裸片堆疊，其附接到所述介入物，其中所述裸片堆疊包含以其頂側(cè)向下的方式接合到第一半導(dǎo)體裸片上的第二半導(dǎo)體裸片， 其中所述介入物裸片的邊緣包含激光損傷區(qū)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的堆疊裸片裝置，其中所述介入物裸片包括硅介入物裸片，且其中所述激光損傷區(qū)包含多個微裂紋。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的堆疊裸片裝置，其中所述介入物裸片包括玻璃介入物裸片，且其中所述激光損傷區(qū)包含多個微裂紋。
15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的堆疊裸片裝置，其中所述第二半導(dǎo)體裸片延伸超過所述第一半導(dǎo)體裸片的周邊或邊界，且其中所述第二半導(dǎo)體裸片的所述頂側(cè)包含延伸超過所述第一半導(dǎo)體裸片的所述周邊或所述邊界的接合墊。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的堆疊裸片裝置，其中所述第一半導(dǎo)體裸片包含多個穿襯底通孔TSV。
全文摘要
一種形成堆疊裸片裝置的方法包含將第一半導(dǎo)體裸片附接到晶片上以形成經(jīng)重組晶片，且接著將第二半導(dǎo)體裸片接合到所述第一半導(dǎo)體裸片上以在所述晶片上形成多個單一化堆疊裸片裝置。將支撐帶附接到所述第二半導(dǎo)體裸片的底側(cè)。將切割帶附接到所述晶片。在附接所述切割帶之前或之后，在與所述第一半導(dǎo)體裸片之間的間隙對準的既定切割道處對所述晶片進行激光照射以在所述既定切割道處機械上削弱所述晶片，但不切穿所述晶片。牽拉所述切割帶以將所述晶片分裂成多個單一化部分，以形成多個通過所述切割帶附接到所述單一化晶片部分的單一化堆疊裸片裝置。在分裂之前移除所述支撐帶。
文檔編號H01L21/78GK102915966SQ20121027646
公開日2013年2月6日 申請日期2012年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月4日
發(fā)明者杰弗里·艾倫·韋斯特, 瑪格麗特·西蒙斯-馬修斯, 雷蒙多·M·卡門福特 申請人:德州儀器公司