多重柵晶體管及其制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種多重柵晶體管及其制造方法，該晶體管包括：一半導(dǎo)體基板；一W形溝槽，位于該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向延伸；一半導(dǎo)體橋，依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導(dǎo)體基板上，該半導(dǎo)體橋橫跨該W形溝槽的一部分并連結(jié)該半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面；一氧化物層，部分地環(huán)繞該半導(dǎo)體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及一導(dǎo)電層，依照該第一方向延伸并形成于該半導(dǎo)體基板與該氧化物層上，其中該導(dǎo)電層環(huán)繞該氧化物層并部分填入于該W形溝槽內(nèi)。本發(fā)明改善了溝道與柵極間的結(jié)合，增加?xùn)艠O對于溝道勢能的控制，有助于短溝道效應(yīng)的抑制以及微縮金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管時(shí)的表現(xiàn)。
【專利說明】多重柵晶體管及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作，且特別涉及一種多重柵晶體管(mult1-gatetransistor)及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]于超大型集成(ULSI)電路的制作中，金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(metal-oxide semiconductor field effect transistor;M0SFET)的制作技術(shù)占有決定性的影響。十?dāng)?shù)年來，借由MOSFET尺寸的縮減可達(dá)成元件的速度表現(xiàn)、電路密度以及單位成本改善。而當(dāng)傳統(tǒng)塊狀MOSFET的柵長度縮減時(shí)，源極/漏極便容易與溝道區(qū)產(chǎn)生作用而影響其內(nèi)的勢能。如此，具有較短柵長度的晶體管將可能遭遇如無法控制柵極的溝道開關(guān)狀態(tài)等問題。
[0003]具有短柵長度晶體管的柵溝道控制能力的減低現(xiàn)象將導(dǎo)致短溝道效應(yīng)。而增加主體的摻雜濃度、減少柵氧化層厚度及超淺源極/漏極接合等用以降低短溝道效應(yīng)已無法滿足于如使用塊狀硅基材的傳統(tǒng)元件結(jié)構(gòu)。故需要如此的前段工藝技術(shù)中創(chuàng)新或其他類型的元件結(jié)構(gòu)以維持如此的元件縮小趨勢。
[0004]當(dāng)元件縮減至少于30納米，采用如多重柵極結(jié)構(gòu)以控制短溝道效應(yīng)的方法已被公開。不同類型的晶體管結(jié)構(gòu)例如為多重柵晶體管，而多重柵晶體管則例如為雙重柵晶體管、三重柵晶體管、歐米茄型場效應(yīng)晶體管以及環(huán)繞型柵晶體管或包裹環(huán)繞型柵晶體管。多重柵晶體管的使用，可使得互補(bǔ)型金屬氧化物半導(dǎo)體的制造，超越傳統(tǒng)塊狀金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管限制，而更為縮減并達(dá)到硅材質(zhì)的金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管的極限限制。額外柵極的使用，改善了溝道與柵極間的結(jié)合，并增加了柵極對于溝道勢能的控制，并幫住短溝道效應(yīng)的抑制，以及拉長了金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管的縮小。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，為解決現(xiàn)有技術(shù)的問題，依據(jù)一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種多重柵晶體管，包括:
[0006]一半導(dǎo)體基板；一 W形溝槽，位于該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向延伸；一半導(dǎo)體橋，依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導(dǎo)體基板上，該半導(dǎo)體橋橫跨該W形溝槽的一部分并連結(jié)該半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面；一氧化物層，部分地環(huán)繞該半導(dǎo)體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及一導(dǎo)電層，依照該第一方向延伸并形成于該半導(dǎo)體基板與該氧化物層上，其中該導(dǎo)電層環(huán)繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內(nèi)。
[0007]依據(jù)另一實(shí)施例，本發(fā)明提供了一種多重柵晶體管的制造方法，包括:
[0008]提供一半導(dǎo)體基板；于該半導(dǎo)體基板內(nèi)一部分內(nèi)形成一 W形溝槽與一半導(dǎo)體橋，其中該W形溝槽位于該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向延伸，而該半導(dǎo)體橋依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導(dǎo)體基板的上并橫跨該W形溝槽的一部分且連結(jié)該半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面；形成一氧化物層，該氧化物層部分地環(huán)繞該半導(dǎo)體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層依照該第一方向延伸并形成于該半導(dǎo)體基板與該氧化物層上，其中該導(dǎo)電層環(huán)繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內(nèi)。
[0009]本發(fā)明的多重柵晶體管的表現(xiàn)也可超越傳統(tǒng)塊狀金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管限制，具有額外的柵極控制能力，因而改善了溝道與柵極間的結(jié)合并增加了柵極對于溝道勢能的控制，如此有助于短溝道效應(yīng)的抑制以及于微縮金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管時(shí)的表現(xiàn)。
[0010]為讓本發(fā)明的上述目的、特征及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉一優(yōu)選實(shí)施例，并配合所附的附圖，作詳細(xì)說明如下:
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]圖1-16顯示了依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的多重柵晶體管的制造方法，其中圖1、3、
5、7、9、11、14為一系列俯視圖，而圖2、4、6、8、10、12、13、15、16為一系列剖面圖。
[0012]【主要附圖標(biāo)記說明】
[0013]100~半導(dǎo)體基板；
[0014]IOOa~半導(dǎo)體橋；
[0015]IOOtT半導(dǎo)體基板的殘留部分；
[0016]102~隔離元件；·
[0017]104~有源區(qū)；
[0018]106~掩模層；
[0019]108~開口；
[0020]110~蝕刻工藝；
[0021]112~溝槽；
[0022]114~蝕刻工藝；
[0023]116~溝槽；
[0024]118~頂面；
[0025]120~底面；
[0026]122~熱氧化工藝；
[0027]124~氧化物層；
[0028]126~導(dǎo)電層；
[0029]128~離子布植工藝；
[0030]130~導(dǎo)電摻雜區(qū)；
[0031]D~深度。
【具體實(shí)施方式】
[0032]以下借由圖1-16以解說依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的多重柵晶體管的制造方法，其中圖1、3、5、7、9、11、14為一系列俯視圖，而圖2、4、6、8、10、12、13、15、16為一系列剖面圖，
其分別顯示了于不同制造階段中的多重柵晶體管的情形。[0033]請參照圖1-2，首先提供一半導(dǎo)體基板100，其內(nèi)形成有多個(gè)隔離元件102，該多個(gè)隔離元件于半導(dǎo)體基板100內(nèi)定義出相分隔的多個(gè)有源區(qū)104，以于其上及/或其內(nèi)設(shè)置一兀件(未顯不)。于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板100例如為一塊狀娃基板(bulk siliconsubstrate)，而形成于半導(dǎo)體基板100內(nèi)的隔離元件102則為包括如氧化硅的絕緣材料的淺溝槽隔離(shallow trench isolation, STI)兀件。
[0034]如圖1的俯視圖所示，多個(gè)隔離元件102包括依照圖1內(nèi)X方向延伸且為互相平行與分隔的多個(gè)條狀隔離元件102以及依照圖1內(nèi)Y方向延伸且為互相平行與分隔的多個(gè)條狀隔離元件102，而依照圖1內(nèi)X與Y方向延伸的多個(gè)條狀隔離元件102大體依照一“井”形俯視形態(tài)而相互交叉，進(jìn)而于半導(dǎo)體基板100內(nèi)定義出多個(gè)有源區(qū)104。于后續(xù)工藝中可于多個(gè)有源區(qū)104內(nèi)及/或上形成相同或不同的至少一元件(未顯示)。
[0035]請參照圖2，顯示了沿圖1內(nèi)線段2-2的一剖面情形，其部分顯示了沿圖1內(nèi)X方向上設(shè)置的多個(gè)隔離元件102以及其所定義出的多個(gè)有源區(qū)104內(nèi)的半導(dǎo)體基板100。
[0036]請參照圖3-4,于半導(dǎo)體基板100上坦覆地形成一掩模層106。于一實(shí)施例中，掩模層106例如為氮化硅層，其可借由如化學(xué)氣相沉積的一方法所形成。接著搭配適當(dāng)?shù)墓庋谀D案并借由適當(dāng)?shù)墓饪膛c蝕刻工藝的實(shí)施(皆未顯示)，以于有源區(qū)104內(nèi)的掩模層106內(nèi)形成相分隔的兩開口 108。
[0037]如圖3所示，多個(gè)開口 108分別形成于一有源區(qū)104內(nèi)的掩模層106的不同部分，其具有大體橢圓形的一俯視外型。如圖4所示，顯示了沿圖3內(nèi)線段4-4內(nèi)的一剖面情形，部分顯示了位于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104上的掩模層106的兩個(gè)開口 108。在此，兩個(gè)開口 108間為掩模層106所分隔。
[0038]請參照圖5-6，接著針對圖3-4所示結(jié)構(gòu)施行一蝕刻工藝110，以蝕刻為開口 108所露出的半導(dǎo)體基板100。于一實(shí)施例中，蝕刻工藝108例如為一干蝕刻工藝，其可采用如Cl2,HBr,CH2F2,02的蝕刻化學(xué)品。于蝕刻工藝110中，采用形成有開口 108的掩模層106作為蝕刻掩模以部分去除為開口 108所露出的半導(dǎo)體基板100的一部分，進(jìn)而于一有源區(qū)104內(nèi)的半導(dǎo)體基板100內(nèi)形成兩個(gè)溝槽112。兩個(gè)溝槽112為半導(dǎo)體基板100所相分隔，并具有相同于開口 108的一大體橢圓形的俯視情形。然而，開口 108與溝槽112的形狀并非為橢圓形為限，其亦可為如圓形或多邊形的其他形狀。
[0039]如圖6所示，顯示了沿圖5內(nèi)線段6-6內(nèi)的一剖面情形，其顯示了由隔離元件102所定義出的有源區(qū)104的半導(dǎo)體基板100內(nèi)的兩個(gè)溝槽112，而兩個(gè)溝槽112為半導(dǎo)體基板100所相分隔。于一實(shí)施例中，溝槽112具有距半導(dǎo)體基板100的頂面約1500-2500埃的一深度D。
[0040]請參照圖7-8，接著針對圖5-6所示結(jié)構(gòu)施行一蝕刻工藝114。于一實(shí)施例中，蝕刻工藝114為一濕蝕刻，其采用如HF、NH4OH, H2O2的蝕刻化學(xué)品。于蝕刻工藝114中，將部分去除形成有開口 108的有源區(qū)104內(nèi)鄰近于溝槽112 (請參照圖5-6)的半導(dǎo)體基板100部分。于蝕刻工藝108施行后，分隔溝槽112(請參照圖5-6)的半導(dǎo)體基板100的下方部分將被蝕刻去除，進(jìn)而導(dǎo)通溝槽112(請參照圖5-6)成為單一的溝槽116，并于溝槽116的一部分上形成有跨越的一半導(dǎo)體橋100a，此半導(dǎo)體橋IOOa的兩端分別連結(jié)于有源區(qū)104內(nèi)未經(jīng)蝕刻的半導(dǎo)體基板100的其他部分，而溝槽116則露出了形成有此溝槽116的有源區(qū)104內(nèi)的半導(dǎo)體基板的殘留部分100b。[0041]如圖6所示，顯示了沿圖5內(nèi)線段6-6內(nèi)的一剖面情形，在此部分顯示了于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104內(nèi)所形成的溝槽116、位于溝槽116內(nèi)一部分的表面處的半導(dǎo)體橋IOOa以及為溝槽116所露出的半導(dǎo)體基板的殘留部分100b。在此，溝槽116具有大體W形的剖面情形，而半導(dǎo)體橋IOOa具有大體半圓形的一剖面情形，且半導(dǎo)體橋IOOa具有接觸掩模層106且為大體平坦的一頂面118以及接觸溝槽116且為大體圓弧狀的一底面120，而為溝槽116所露出半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb亦具有大體圓滑的一 W形表面。
[0042]請參照圖9-10，接著針對圖7-8所示結(jié)構(gòu)施行一蝕刻工藝(未顯示)，以完全去除形成于半導(dǎo)體基板100上的掩模層106,并露出半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體橋IOOa與半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面以及露出形成于一有源區(qū)104內(nèi)的一溝槽116。接著施行一熱氧化工藝122，以于有源區(qū)104內(nèi)的半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體橋IOOa與為導(dǎo)通開口 116所露出半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面上形成氧化物層124，其具有介于10-50埃的一厚度。于一實(shí)施例中，半導(dǎo)體基板100為一塊狀娃基板,而熱氧化工藝122例如為濕式或干式的熱氧化工藝，其可采用如H2、02、N2、Ar的化學(xué)品并于介于800-1000°C的溫度下施行，以形成包括氧化硅材質(zhì)的氧化物層124。
[0043]如圖10所示，顯示了沿圖9內(nèi)線段10-10內(nèi)的一剖面情形，其顯示了形成于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104內(nèi)的半導(dǎo)體橋IOOa以及為溝槽116所露出的半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面上的氧化物層124以及其鄰近的有源區(qū)104的半導(dǎo)體基板100表面上的氧化物層124。在此，氧化物層124大體環(huán)繞半導(dǎo)體橋IOOa的頂面118與底面120而設(shè)置，且也大體形成于為溝槽116所露出半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的W形表面上。
[0044]請參照圖11-13，接著針對圖9-10所示結(jié)構(gòu)進(jìn)行一沉積工藝(未顯示)，以坦覆地沉積導(dǎo)電材料于半導(dǎo)體基板100上，以覆蓋氧化物層124并填滿溝槽116。接著，采用適當(dāng)?shù)墓饪膛c蝕刻工藝的實(shí)施并搭配適當(dāng)?shù)墓庋谀D案(皆未顯示)以圖案化此導(dǎo)電材料，進(jìn)而條狀的一導(dǎo)電層126。
[0045]如圖11所示，此條狀的導(dǎo)電層126沿著圖11內(nèi)X方向延伸并覆蓋了數(shù)個(gè)有源區(qū)104與隔離元件102，其亦部分填入于溝槽116內(nèi)，而溝槽116仍露出了形成于其內(nèi)的半導(dǎo)體基板100的殘留部分IOOb上的氧化物層124的一部分。于一實(shí)施例中，導(dǎo)電層126的導(dǎo)電材料例如為經(jīng)摻雜的多晶硅，其可由如化學(xué)氣相沉積的方法所形成。
[0046]如圖12所示，顯示了沿圖11內(nèi)線段12-12內(nèi)的一剖面情形，在此顯示了形成于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104內(nèi)覆蓋了位于半導(dǎo)體橋IOOa及為溝槽116所露出的半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面上的氧化硅層124以及其鄰近的有源區(qū)104的半導(dǎo)體基板100表面上的氧化娃層124的導(dǎo)電層126。
[0047]再者，如圖13所示，顯示了沿圖11內(nèi)線段13-13內(nèi)的一剖面情形，由于導(dǎo)電層126經(jīng)過了圖案化所形成但并未完全填滿溝槽116，故在此顯示了形成于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104內(nèi)覆蓋了位于半導(dǎo)體橋IOOa及為溝槽116所露出的半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面上的氧化硅層124以及其鄰近的有源區(qū)的半導(dǎo)體基板100表面上的氧化硅層124以及溝槽116的一部分。
[0048]請參照圖14-16，接著施行一蝕刻工藝(未顯示)，采用導(dǎo)電層126作為蝕刻掩模，去除未為導(dǎo)電層126所覆蓋的氧化硅層124部分，并露出了各有源區(qū)104內(nèi)未為導(dǎo)電層126所覆蓋的半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體橋IOOa與半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面。于一實(shí)施例中，上述蝕刻工藝?yán)鐬橐桓晌g刻工藝，其采用了如CF4、CH2F2, HBr, Ar的蝕刻化學(xué)品。接著，施行一離子布植工藝128，并采用導(dǎo)電層126作為布植掩模，以布植適當(dāng)離子至各有源區(qū)104內(nèi)未為導(dǎo)電層126所覆蓋的半導(dǎo)體基板100、半導(dǎo)體橋IOOa與半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb內(nèi)，進(jìn)而于其內(nèi)形成了一導(dǎo)電區(qū)130。于一實(shí)施例中，依據(jù)所形成的晶體管的導(dǎo)電形態(tài)，離子布植工藝128可采用如磷、砷的η型離子或如硼的P型離子，而所形成的導(dǎo)電區(qū)130可具有η型或P型的導(dǎo)電形態(tài)。
[0049]如圖15所示，顯示了沿圖14內(nèi)線段15-15內(nèi)的一剖面情形，在此顯示了形成于隔離元件102所定義出的有源區(qū)104內(nèi)覆蓋了位于半導(dǎo)體橋IOOa及為導(dǎo)通開口 116所露出的半導(dǎo)體基板的殘留部分IOOb的表面上的氧化硅層124以及其鄰近的有源區(qū)的半導(dǎo)體基板100表面上的氧化娃層124的導(dǎo)電層126。
[0050]再者，如圖16所示，顯示了沿圖14內(nèi)線段16-16內(nèi)的一剖面情形，于實(shí)施離子布植工藝128后，于有源區(qū)104內(nèi)鄰近溝槽116的兩對稱側(cè)的半導(dǎo)體基板100的一部分內(nèi)形成了的一導(dǎo)電摻雜區(qū)130，以作為晶體管的源極/漏極。
[0051]于經(jīng)過如圖1-16所示工藝實(shí)施后，便可得到依據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的一種多重柵晶體管，如圖14-16所示,包括:
[0052]一半導(dǎo)體基板(例如半導(dǎo)體基板100) ; — W形溝槽(例如溝槽116)，位于半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向(例如X方向)延伸；一半導(dǎo)體橋(例如半導(dǎo)體橋100a),依照垂直于第一方向的一第二方向(例如Y)延伸于半導(dǎo)體基板上，半導(dǎo)體橋橫跨該W形溝槽的一部分并連結(jié)該半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面(例如頂面118)以及一圓弧狀底面(例如底面120);—氧化物層(例如氧化物層124)，部分地環(huán)繞半導(dǎo)體橋的平坦頂面與圓弧狀底面的一部分；以及一導(dǎo)電層(例如導(dǎo)電層126)，依照第一方向延伸并形成于半導(dǎo)體基板與氧化物層上，其中導(dǎo)電層環(huán)繞氧化物層并部分地填入于W形溝槽內(nèi)。
[0053]于另一實(shí)施例中，上述多重柵晶體管還包括一對導(dǎo)電摻雜區(qū)(例如導(dǎo)電摻雜區(qū)130)，分別設(shè)置于沿第二方向上的導(dǎo)電層的對稱側(cè)的半導(dǎo)體橋的一部分與半導(dǎo)體橋所連結(jié)的半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)，以作為一源極/漏極區(qū)。
[0054]如圖14-16所示的多重柵晶體管的表現(xiàn)也可超越傳統(tǒng)塊狀金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管限制，具有額外的柵極控制能力，因而改善了溝道與柵極間的結(jié)合并增加了柵極對于溝道勢能的控制，如此有助于短溝道效應(yīng)的抑制以及于微縮金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管時(shí)的表現(xiàn)。
[0055]雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例公開如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作更動與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種多重柵晶體管，其特征在于，包括: 一半導(dǎo)體基板； 一W形溝槽，位于該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向延伸； 一半導(dǎo)體橋，依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導(dǎo)體基板上，該半導(dǎo)體橋橫跨該W形溝槽的一部分并連結(jié)該半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面； 一氧化物層，部分地環(huán)繞該半導(dǎo)體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及 一導(dǎo)電層，依照該第一方向延伸并形成于該半導(dǎo)體基板與該氧化物層上，該導(dǎo)電層環(huán)繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內(nèi)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，還包括一對導(dǎo)電摻雜區(qū)，分別設(shè)置于沿該第二方向上的該導(dǎo)電層的對稱側(cè)的該半導(dǎo)體橋的一部分與該半導(dǎo)體橋所連結(jié)的該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)，以作為一源極/漏極區(qū)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，該半導(dǎo)體基板與該半導(dǎo)體橋包括相同材料，且該半導(dǎo)體橋?yàn)樵摪雽?dǎo)體基板的一部分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的多重柵晶體管，其中該半導(dǎo)體基板與該半導(dǎo)體橋包括硅。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多重柵晶體管，其特征在于，該氧化物層包括氧化硅。
6.一種多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，包括: 提供一半導(dǎo)體基板； 于該半導(dǎo)體基板內(nèi)一部分內(nèi)形成一 W形溝槽與一半導(dǎo)體橋,其中該W形溝槽位于該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)并依照一第一方向延伸，而該半導(dǎo)體橋依照垂直于該第一方向的一第二方向延伸于該半導(dǎo)體基板上并橫跨該W形溝槽的一部分且連結(jié)該半導(dǎo)體基板，該半導(dǎo)體橋具有一平坦頂面以及一圓弧狀底面； 形成一氧化物層，該氧化物層部分地環(huán)繞該半導(dǎo)體橋的該平坦頂面與該圓弧狀底面的一部分；以及 形成一導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層依照該第一方向延伸并形成于該半導(dǎo)體基板與該氧化物層上，其中該導(dǎo)電層環(huán)繞該氧化物層并部分地填入于該W形溝槽內(nèi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，還包括形成一對導(dǎo)電摻雜區(qū)于沿該第二方向上的該導(dǎo)電層的對稱側(cè)的該半導(dǎo)體橋的一部分與該半導(dǎo)體橋所連結(jié)的該半導(dǎo)體基板的一部分內(nèi)，以作為一源極/漏極區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板與該半導(dǎo)體橋包括相同材料，且該半導(dǎo)體橋?yàn)樵摪雽?dǎo)體基板的一部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體基板與該半導(dǎo)體橋包括娃。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的多重柵晶體管的制造方法，其特征在于，該氧化物層包括氧化硅。
【文檔編號】H01L29/78GK103579318SQ201210284812
【公開日】2014年2月12日 申請日期:2012年8月10日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月10日
【發(fā)明者】陳逸男, 徐文吉, 葉紹文, 劉獻(xiàn)文 申請人:南亞科技股份有限公司