增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法
【專利摘要】本發(fā)明揭示了一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該方法包括：提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層，形成補償氧化層；對所述剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。本發(fā)明的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，能夠保證器件溝道閾值電壓具有較佳的穩(wěn)定性，提高器件的性能。
【專利說明】增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及集成電路制造領域，特別是涉及一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法。
【背景技術】
[0002]超大規(guī)模集成電路(Very Large Scale Integration,簡稱VLSI)經(jīng)過數(shù)十年的發(fā)展后，人們已經(jīng)可以在面積只有2cm2?3cm2大小的芯片上，放進數(shù)以千萬計的晶體管。但在如此小體積的芯片上放置數(shù)目如此龐大的集成電路(IC)元件，元件之間的隔離至關重要。目前集成電路上隔離工藝使用的方式有兩種，一種是局部娃氧化法(Local Oxidationof Silicon,簡稱L0C0S)，另一種為淺槽隔離工藝(Shallow Trench Isolation,簡稱 STI)。隨著元件尺寸發(fā)展到0.25 μ m以下，局部硅氧化法已難以應付集成電路量產(chǎn)上的需求，而轉向淺槽隔離工藝為主。
[0003]淺槽隔離工藝的過程如圖1a-圖1d所示，包括以下步驟:⑴在基底101上依次生長氧化物層104和氮化物層105 ; (2)采用光刻、刻蝕工藝刻蝕氧化物層104、氮化物層105和基底101，形成淺槽；(3)生長隔離層，并經(jīng)過平坦化，形成淺槽隔離103 ; (4)去除氮化物層105。在現(xiàn)有的技術中，去除氮化物層后，直接進行N阱制備步驟。這樣的淺槽隔離工藝雖然能夠到達很好的隔離效果，但對隨后的溝道的制備產(chǎn)生影響，使得長溝道閾值電壓不穩(wěn)定，同一片晶圓(Wafer)的不同位置的長溝道閾值電壓、不同晶圓的平均長溝道閾值電壓的波動較大。
[0004]因此，如何提供一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，從而保證器件溝道閾值電壓具有較佳的穩(wěn)定性，已成為本領域技術人員需要解決的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于，提供一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，保證器件溝道閾值電壓具有較佳的穩(wěn)定性，提高器件的性能。
[0006]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種偏壓溫度不穩(wěn)定性測試電路，包括:
[0007]提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；
[0008]去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層；
[0009]對所述剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
[0010]進一步的，采用化學氣相沉積工藝對所述剩余氧化物層進行氧化處理。
[0011]進一步的，所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧。
[0012]進一步的，所述補償氧化層的平均厚度為15人?55人。
[0013]進一步的，所述剩余氧化物層的厚度具有非均勻性。
[0014]進一步的，所述剩余氧化物層的平均厚度為10人?50 A,[0015]進一步的，采用磷酸去除所述氮化物層。
[0016]進一步的，本發(fā)明還提供一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，包括:
[0017]提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；
[0018]去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層；
[0019]對所述剩余氧化物層進行回刻，以形成薄剩余氧化物層；
[0020]對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
[0021 ]進一步的，采用濕法刻蝕工藝對所述剩余氧化物層進行回刻。
[0022]進一步的，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液為氫氟酸。
[0023]進一步的，對所述剩余氧化物層進行回刻后，所述薄剩余氧化物層的平均厚度為
IA~20 A。
[0024]進一步的，采用化學氣相沉積工藝對所述剩余氧化物層進行氧化處理。
[0025]進一步的，所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧。
[0026]進一步的，所述補償氧化層的平均厚度為20A~40A ?
[0027]進一步的，所述剩余氧化物層的厚度具有非均勻性。
[0028]進一步的，所述剩余氧化物層的平均厚度為20A~70 A。
[0029]進一步的，采用磷酸去除所述氮化物層。
[0030]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法具有以下優(yōu)點:
[0031]1、本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該方法在去除所述氮化物層步驟之后，還進行了對所述剩余氧化物層進行氧化處理步驟，形成補償氧化層，與現(xiàn)有技術相t匕，對所述剩余氧化物層進行氧化處理，形成補償氧化層，所述，補償氧化層的厚度相比所述剩余氧化物層的厚度的具有更好的均勻性，從而提高溝道閾值電壓的穩(wěn)定性。
[0032]2、本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該方法在去除所述氮化物層步驟和對所述剩余氧化物層進行氧化處理步驟之間，還包括對所述剩余氧化物層進行回刻，與現(xiàn)有技術相比，對所述剩余氧化物層進行回刻形成薄剩余氧化物層，可以減小所述剩余氧化物層的厚度，使得對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理時，所述薄剩余氧化物層更容易發(fā)生氧化。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1a-圖1d為現(xiàn)有技術中的淺槽隔離工藝的示意圖；
[0034]圖2為發(fā)明一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的流程圖；
[0035]圖3a-圖3c為本發(fā)明一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的示意圖；
[0036]圖4為發(fā)明另一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的流程圖；
[0037]圖5a_圖5d為本發(fā)明另一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的示意圖；
[0038]圖6為現(xiàn)有技術中的溝道閾值電壓分布圖；
[0039]圖7為本發(fā)明另一實施例中增進溝道閾值電壓分布圖。
【具體實施方式】[0040]下面將結合示意圖對本發(fā)明的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法進行更詳細的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，應該理解本領域技術人員可以修改在此描述的本發(fā)明，而仍然實現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此，下列描述應當被理解為對于本領域技術人員的廣泛知道，而并不作為對本發(fā)明的限制。
[0041]為了清楚，不描述實際實施例的全部特征。在下列描述中，不詳細描述公知的功能和結構，因為它們會使本發(fā)明由于不必要的細節(jié)而混亂。應當認為在任何實際實施例的開發(fā)中，必須做出大量實施細節(jié)以實現(xiàn)開發(fā)者的特定目標，例如按照有關系統(tǒng)或有關商業(yè)的限制，由一個實施例改變?yōu)榱硪粋€實施例。另外，應當認為這種開發(fā)工作可能是復雜和耗費時間的，但是對于本領域技術人員來說僅僅是常規(guī)工作。
[0042]在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均使用非精準的比例，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。
[0043]本發(fā)明的核心思想在于，提供一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法包括在去除所述氮化物層步驟之后，對所述剩余氧化物層進行氧化處理，形成補償氧化層，所述補償氧化層的厚度相比于所述剩余氧化物層的厚度具有更好的均勻性，從而提高溝道閾值電壓的穩(wěn)定性。
[0044]以下列舉所述增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的幾個實施例，以清楚說明本發(fā)明的內(nèi)容，應當明確的是，本發(fā)明的內(nèi)容并不限制于以下實施例，其他通過本領域普通技術人員的常規(guī)技術手段的改進亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。
[0045]【第一實施 例】
[0046]結合上述核心思想，本發(fā)明第一實施例包括以下步驟:
[0047]步驟S11，提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；
[0048]步驟S12，去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層；
[0049]步驟S13，對所述剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
[0050]以下請參考圖2和圖3a_圖3c，其中，圖2為發(fā)明一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的流程圖，圖3a_圖3c為本發(fā)明一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的不意圖。在圖3a-圖3c中，相同的參考標號表不等同于圖1a-圖1d中的標號。
[0051]首先，進行步驟S11，如圖3a所示，提供基底101，基底101具有N阱區(qū)111、P阱區(qū)112和淺槽隔離103，淺槽隔離103用于隔離N阱區(qū)111和P阱區(qū)112，N阱區(qū)111和P阱區(qū)112表面自下至上具有氧化物層104和氮化物層105。其中，N阱區(qū)111用于后續(xù)的工藝中制備N阱；P阱區(qū)111用于后續(xù)的工藝中制備P阱；氧化物層104用于隔離基底101與外界的接觸，保護基底101 ;氮化物層105是在前道工藝中制備淺槽隔離103時的阻擋層，所以氮化物層105在步驟S12中氮化物層105需要去除；淺槽隔離103位于N阱區(qū)111和P阱區(qū)112之間，用于隔離N阱區(qū)111和P阱區(qū)112，在后道工藝中形成N阱和P阱之后，淺槽隔離103用于隔離N阱和P阱，淺槽隔離103的形狀和深度由具體的集成電路的電路設計決定。作為集成電路的組成部分，基底101中還包含其它必要的器件，如襯底和外延層，在圖3a中不一一示出。同樣，作為集成電路的組成部分，這些結構如N阱區(qū)111、P阱區(qū)112、淺槽隔離103、氧化物層104和氮化物層105并不限于圖3a中的結構，如包含多個N阱區(qū)111、P阱區(qū)112，只要N阱區(qū)111和P阱區(qū)112通過淺槽隔離103進行隔離，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。因此，N阱區(qū)111、P阱區(qū)112、淺槽隔離103、氧化物層104和氮化物層105的結構由集成電路的電路設計決定。
[0052]接著，進行步驟S12，如圖3b所示，去除氮化物層105，露出所述氧化物層104，露出的氧化物層104形成剩余氧化物層114。氮化物層105—般采用濕法刻蝕，濕法刻蝕具有較好的刻蝕選擇比，但干法刻蝕亦可。濕法刻蝕中，較佳的采用磷酸去除氮化物層105，磷酸對氮化物層105具有較快的刻蝕速率，但其它的濕法刻蝕液，如王水等亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。在去除氮化物層105的過程中，為了使氮化物層105去除的干凈，會進行過刻蝕，這樣會或多或少的去除一部分氧化物層104，由于整個晶圓上不同位置的刻蝕速度不同，所以在不同位置去除的氧化物層104的厚度不同，使得剩余氧化物層106的厚度具有非均勻性。較佳的，剩余氧化物層106的平均厚度為IOA~50人,較佳的為15人、20A, 25A、30A, 35A、40A
[0053]最后，進行步驟S13，如圖3c所示，對剩余氧化物層106進行氧化處理，形成補償氧化層107。較佳的，采用化學氣相沉積(CVD)工藝對剩余氧化物層106進行氧化處理，如等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)。所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧，臭氧具有較強的氧化性，但其它氧化性氣體，如氧氣等，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。對剩余氧化物層106進行氧化處理時，由于剩余氧化物層106的平均厚度很薄，僅為IOA~50 A，所以氧化氣體可以透過剩余氧化物 層106繼續(xù)對基底101進行氧化，形成補償氧化層107，補償剩余氧化物層106的非均勻性的厚度。其中，補償氧化層107的平均厚度為15人~55人,較佳的為20/1、15k、30人、35A、40A、5θΑ。
[0054]【第二實施例】
[0055]以下請參考圖5a-圖5d，圖5a_圖5d為本發(fā)明另一實施例中增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法的示意圖，在圖中，相同的參考標號表示等同于圖3a_圖3c中的標號。第二實施例在第一實施例的基礎上，區(qū)別在于，當所形成的剩余氧化物層較厚時，在去除所述氮化物層步驟和對所述剩余氧化物層進行氧化處理步驟之間，加入一步對所述剩余氧化物層進行回刻，如圖4所示，本發(fā)明第二實施例包括以下步驟:
[0056]步驟S21，提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層；
[0057]步驟S22，去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層；
[0058]步驟S23，對所述剩余氧化物層進行回刻，以形成薄剩余氧化物層；
[0059]步驟S24，對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
[0060]其中第二實施例的步驟S21和步驟S22與第一實施例步驟Sll和步驟S12對應相同，如圖5a和圖5b所示。但由于加入了對所述剩余氧化物層進行回刻步驟，所以在第二實施例的剩余氧化物層106可以相比第一實施例的剩余氧化物層106具有更厚的厚度，較佳的，第二實施例的剩余氧化物層IO 6的為2 O人~7 O人,較佳的為25A、30A、35A, 40A、50A、60人。下面具體說明步驟S23和步驟S24。
[0061]進行步驟S23，如圖5c所示，對剩余氧化物層106進行回刻，形成薄剩余氧化物層106’。較佳的，采用濕法刻蝕工藝對剩余氧化物層106進行回刻，濕法刻蝕工藝具有較快的刻蝕速度，并且，當步驟S22去除所述氮化物層選擇濕法刻蝕時，步驟S23也采用濕法刻蝕可以節(jié)約實際操作的過程，提高效率，降低成本。步驟S23中濕法刻蝕工藝的刻蝕液較佳的為氫氟酸，氫氟酸對剩余氧化物層IO 6具有較快的刻蝕速率，但其它刻蝕液體，如硫酸亦可。薄剩余氧化物層106’的平均厚度為I人?20人,較佳的為3A SAv 10A、15A、18A。經(jīng)過回刻，剩余氧化物層106形成為薄剩余氧化物層106’，薄剩余氧化物層106’具有更薄的厚度，在隨后的步驟S24中，更容易發(fā)生氧化。
[0062]進行步驟S24，如圖5d所示，對薄剩余氧化物層106’進行氧化處理，形成補償氧化層107。較佳的，采用化學氣相沉積(CVD)工藝對薄剩余氧化物層106’進行氧化處理，如等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD)。所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧，臭氧具有較強的氧化性，但其它氧化性氣體，如氧氣等，亦在本發(fā)明的思想范圍之內(nèi)。對薄剩余氧化物層106’進行氧化處理時，由于薄剩余氧化物層106’的平均厚度很薄，僅為I人?20人，所以氧化氣體可以透過薄剩余氧化物層106’繼續(xù)對基底101進行氧化，形成補償氧化層107，補償薄剩余氧化物層106’的非均勻性的厚度。其中，補償氧化層107的平均厚度為20人?40人,較佳的為25人、30人、35A。
[0063]圖6為現(xiàn)有技術中的溝道閾值電壓分布圖，圖7為本發(fā)明另一實施例中增進溝道閾值電壓分布圖。如圖6所示，采用現(xiàn)有技術制備的10片晶圓(Al-AlO)進行溝道閾值電壓測試，每片晶圓測49個點，由圖6可以看出，現(xiàn)有技術的10片晶圓中，Al的平均閾值電壓最高，為0.34V，A7的平均閾值電壓最低，為0.31V，所以現(xiàn)有技術的10片晶圓的平均最大閾值電壓差為0.03V。現(xiàn)有技術的10片晶圓中，A5的49個點的閾值電壓分布最廣，A5的最大閾值電壓為0.34V，A5的最小閾值電壓為0.29V，所以，現(xiàn)有技術中，同一片晶圓的最大閾值電壓差為0.05V。如圖7所示，采用本第二實施例制備的10片晶圓(Bl-BlO)進行溝道閾值電壓測試，每片晶圓測49個點，由圖7可以看出，本第二實施例的10片晶圓中，B8的平均閾值電壓最高，為0.315V，B1的平均閾值電壓最低，為0.305V，所以本第二實施例的10片晶圓的平均最大閾值電壓差為0.0lV0本第二實施例的10片晶圓中，B2的49個點的閾值電壓分布最廣，B2的最大閾值電壓為0.32V，B2的最小閾值電壓為0.30V，所以，本第二實施例中，同一片晶圓的最大閾值電壓差為0.02V。由圖6和圖7對比可知，無論是不同晶圓的平均最大閾值電壓差，還是同一片晶圓的最大閾值電壓差，采用本第二實施例的方法制備的晶圓的溝道閾值電壓的穩(wěn)定性要遠遠好于現(xiàn)有技術。
[0064]本發(fā)明第二實施例通過對所述剩余氧化物層進行回刻，所形成的薄剩余氧化物層有利于減小剩余氧化物層的厚度，再對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理時，更容易對薄剩余氧化物層氧化，對薄剩余氧化物層的非均勻的厚度進行補償，形成補償氧化層。采用本第二實施例的方法可適用于厚度較厚的剩余氧化物層，能更達到更好的對薄剩余氧化物層的非均勻的厚度進行補償?shù)男Ч?br> [0065]綜上所述，本發(fā)明提供一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法包括在去除所述氮化物層步驟之后，對所述剩余氧化物層進行氧化處理，形成補償氧化層，所述補償氧化層的厚度相比于所述剩余氧化物層的厚度具有更好的均勻性，從而提高溝道閾值電壓的穩(wěn)定性。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法具有以下優(yōu)點:
[0066]1、本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該方法在去除所述氮化物層步驟之后，還進行了對所述剩余氧化物層進行氧化處理步驟，形成補償氧化層，與現(xiàn)有技術相t匕，對所述剩余氧化物層進行氧化處理，形成補償氧化層，所述，補償氧化層的厚度相比所述剩余氧化物層的厚度的具有更好的均勻性，從而提高溝道閾值電壓的穩(wěn)定性。
[0067]2、本發(fā)明提供的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，該方法在去除所述氮化物層步驟和對所述剩余氧化物層進行氧化處理步驟之間，還包括對所述剩余氧化物層進行回刻，與現(xiàn)有技術相比，對所述剩余氧化物層進行回刻形成薄剩余氧化物層，可以減小所述剩余氧化物層的厚度，使得對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理時，所述薄剩余氧化物層更容易發(fā)生氧化。
[0068]顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
【權利要求】
1.一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，包括: 提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層； 去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層； 對所述剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
2.如權利要求1所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝對所述剩余氧化物層進行氧化處理。
3.如權利要求2所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧。
4.如權利要求2所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述補償氧化層的平均厚度為15人~55人。
5.如權利要求1-4中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述剩余氧化物層的厚度具有非均勻性。
6.如權利要求1-4中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述剩余氧化物層的平均厚度為I OAoO L.
7.如權利要求1-4中任意一項中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用磷酸去除所述氮化物層。
8.一種增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，包括: 提供基底，所述基底具有N阱區(qū)、P阱區(qū)和淺槽隔離，所述淺槽隔離用于隔離所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)，所述N阱區(qū)和所述P阱區(qū)表面自下至上具有氧化物層和氮化物層； 去除所述氮化物層，以露出所述氧化物層，露出的所述氧化物層形成剩余氧化物層； 對所述剩余氧化物層進行回刻，以形成薄剩余氧化物層； 對所述薄剩余氧化物層進行氧化處理，以形成補償氧化層。
9.如權利要求8所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用濕法刻蝕工藝對所述剩余氧化物層進行回刻。
10.如權利要求9所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述濕法刻蝕工藝的刻蝕液為氫氟酸。
11.如權利要求8所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，對所述剩余氧化物層進行回刻后，所述薄剩余氧化物層的平均厚度為IA~20 A。
12.如權利要求8-11中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用化學氣相沉積工藝對所述剩余氧化物層進行氧化處理。
13.如權利要求12所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述化學氣相沉積工藝的氣體為臭氧。
14.如權利要求12所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述補償氧化層的平均厚度為20人~40人。
15.如權利要求8-11中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述剩余氧化物層的厚度具有非均勻性。
16.如權利要求8-11中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，所述剩余氧化物層的平均厚度為20人~70人。
17.如權利要求8-11中任意一項中任意一項所述的增進溝道閾值電壓穩(wěn)定性的方法，其特征在于，采用磷酸去除所·述氮化物層。
【文檔編號】H01L21/205GK103594339SQ201210290691
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月15日 優(yōu)先權日:2012年8月15日
【發(fā)明者】吳智華, 胡巍強 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司