晶體硅太陽能電池組件的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述負極層的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵；所述正極層上具有背電極和背電場；所述主柵上均布有若干三角形的小孔。本發(fā)明的主柵上均布有若干三角形的小孔；可以減少銀漿的使用，降低了制作成本。
【專利說明】晶體硅太陽能電池組件
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及太陽能電池【技術領域】，特別涉及一種晶體硅太陽能電池組件。
【背景技術】
[0002]太陽能電池組件，也叫太陽能電池板，是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中的核心部分，也是太陽能發(fā)電系統(tǒng)中最重要的部分。太陽能電池是通過光電效應或者光化學效應直接把光能轉(zhuǎn)化成電能的裝置。太陽能電池作為綠色能源，越來越受到人們的關注。傳統(tǒng)的太陽能電池組件的主柵采用銀印制柵線，成本較高。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術存在的缺陷，提供一種制作簡便的低成本的晶體硅太陽能電池組件。
[0004]實現(xiàn)本發(fā)明目的的技術方案是:一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負極層、N型硅層、P型硅層和正極層；所述負極層的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵以及與主柵垂直且等間距分布的副柵；所述正極層上具有背電極和背電場；所述主柵上均布有若干三角形的小孔。
[0005]上述技術方案所述負極層為銀層。
[0006]上述技術方案所述正極層為鋁層。
[0007]上述技術方案所述負極層和N型硅層之間還設有氮化硅減反射膜層。
[0008]上述技術方案所述氮化硅減反射膜層和N型硅層之間還設有第一二氧化硅鈍化膜層。
[0009]上述技術方案所述P型硅層和正極層之間還設有第二二氧化硅鈍化膜層。
[0010]采用上述技術方案后，本發(fā)明具有以下積極的效果:
[0011](I)本發(fā)明的主柵上均布有若干三角形的小孔；可以減少銀漿的使用，降低了制作成本。
[0012](2)本發(fā)明采用PECVD沉積氮化硅膜作為太陽能組件的減反射膜層，主要作用是減少光的反射，而且氮化娃膜含有大量的氫，可以很好的鈍化娃中的表面懸掛鍵，從而提高了載流子遷移率；同時，在氮化硅膜與N型硅之間沉積二氧化硅膜，可以更有效的減少入射光在太陽能電池表面的反射損失，提高太陽能組件吸收陽光的量，并能讓太陽能組件吸收來自各個角度的全部陽光光譜，從而使太陽能電站的經(jīng)濟效益大為改善。
[0013](3)本發(fā)明的正極層和P型硅層之間設有第二二氧化硅鈍化膜層；二氧化硅具有吸雜、鈍化的作用，可以提高反射效率。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了使本發(fā)明的內(nèi)容更容易被清楚地理解，下面根據(jù)具體實施例并結(jié)合附圖，對本發(fā)明作進一步詳細的說明，其中[0015]圖1為本發(fā)明的結(jié)構示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明的負極層的結(jié)構示意圖；
[0017]圖中1.負極層，11.主柵，111.小孔，12.副柵，2.N型硅層，3.P型硅層，4.正極層，41.背電極,42.背電場,5.氮化娃減反射膜層,6.第一二氧化娃鈍化膜層,7.第二二氧化硅鈍化膜層。
【具體實施方式】
[0018](實施例1)
[0019]見圖1和圖2,本發(fā)明具有依次層疊的負極層1、N型娃層2、P型娃層3和正極層4 ;負極層I為銀層，負極層I的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵11以及與主柵11垂直且等間距分布的副柵12 ;主柵11上均布有若干三角形的小孔111 ;負極層I和N型硅層2之間還設有氮化硅減反射膜層5 ;氮化硅減反射膜層5和N型硅層2之間設有第一二氧化硅鈍化膜層6 ;正極層4為鋁層，正極層4上具有背電極41和背電場42 ； P型硅層3和正極層4之間還設有第二二氧化硅鈍化膜層7。
[0020]以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明，所應理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
【權利要求】
1.一種晶體硅太陽能電池組件，具有依次層疊的負極層(I)、N型硅層(2)、P型硅層(3)和正極層(4);所述負極層(I)的表面上設有通過網(wǎng)版圖形印刷形成的主柵(11)以及與主柵(11)垂直且等間距分布的副柵(12);所述正極層(4)上具有背電極(41)和背電場(42);其特征在于:所述主柵(11)上均布有若干三角形的小孔(111)。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述負極層(I)為銀層。
3.根據(jù)權利要求1所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述正極層(4)為鋁層。
4.根據(jù)權利要求1至3任一所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述負極層(I)和N型硅層(2 )之間還設有氮化硅減反射膜層(5 )。
5.根據(jù)權利要求4所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述氮化硅減反射膜層(5)和N型娃層(2)之間還設有第一二氧化娃鈍化膜層(6)。
6.根據(jù)權利要求5所述的晶體硅太陽能電池組件，其特征在于:所述P型硅層(3)和正極層(4)之間還設有第二二氧化硅鈍化膜層(J)。
【文檔編號】H01L31/0216GK103633163SQ201210297038
【公開日】2014年3月12日 申請日期:2012年8月20日 優(yōu)先權日:2012年8月20日
【發(fā)明者】金劉 申請人:江蘇格林保爾光伏有限公司