專(zhuān)利名稱(chēng)：有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來(lái)，傳統(tǒng)顯示設(shè)備正被便攜式薄平板顯示設(shè)備所取代。在平板顯示設(shè)備中，作為自發(fā)射顯示設(shè)備的有機(jī)發(fā)光顯示裝置因?yàn)閷挼囊暯?、高的?duì)比度和高的響應(yīng)速度而被考慮作為下一代顯示設(shè)備。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)一方面，提供一種有機(jī)發(fā)光顯不裝置，包括:基板；在所述基板上的第一電極；在所述第一電極上的中間層，所述中間層包括有機(jī)發(fā)光層；在所述中間層上的第二電極；在所述第二電極上的第一無(wú)機(jī)封裝層，所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定第一凹槽；在由所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定的所述第一凹槽內(nèi)的第一有機(jī)封裝層，所述第一有機(jī)封裝層不延伸到所述第一凹槽以外；以及在所述第一有機(jī)封裝層上的第二無(wú)機(jī)封裝層。所述中間層可以包括中間層突起。所述第二電極可以與所述中間層突起間隔開(kāi)，以便不覆蓋所述中間層突起。所述第一無(wú)機(jī)封裝層可以與所述中間層突起間隔開(kāi)，以便不覆蓋所述中間層突起。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以多個(gè)子像素。多個(gè)所述中間層可以被設(shè)置為對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)子像素。所述中間層突起可以位于所述多個(gè)中間層中每個(gè)中間層的至少一個(gè)邊緣上。所述第一無(wú)機(jī)封裝層可以包括與所述中間層突起對(duì)應(yīng)的第一無(wú)機(jī)突起。所述第一無(wú)機(jī)突起可以設(shè)置在所述第一凹槽附近。所述第一有機(jī)封裝層可以與所述第一無(wú)機(jī)突起的最上面部分間隔開(kāi)。所述第一有機(jī)封裝層可以與所述中間層突起間隔開(kāi)。所述中間層突起的至少一個(gè)部分可以接觸所述第二無(wú)機(jī)封裝層。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一電極上，以便不覆蓋所述第一電極的頂表面的一部分的像素限定膜。所述中間層突起可以被設(shè)置成對(duì)應(yīng)于所述像素限定膜。所述第一無(wú)機(jī)封裝層和所述第二無(wú)機(jī)封裝層可以在所述第一無(wú)機(jī)封裝層的至少一個(gè)部分上彼此接觸。所述第二無(wú)機(jī)封裝層可以限定第二凹槽。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括:第二有機(jī)封裝層，被設(shè)置在所述第二無(wú)機(jī)封裝層限定的所述第二凹槽內(nèi)，以便不延伸到所述第二凹槽以外；和在所述第二有機(jī)封裝層上的第三無(wú)機(jī)封裝層。所述第二無(wú)機(jī)封裝層可以包括設(shè)置在所述第二凹槽附近的第二無(wú)機(jī)突起。所述第二有機(jī)封裝層可以與所述第二無(wú)機(jī)突起的最上面部分間隔開(kāi)。所述第二有機(jī)封裝層可以與所述中間層突起間隔開(kāi)。所述第二無(wú)機(jī)封裝層和所述第三無(wú)機(jī)封裝層可以在所述第二無(wú)機(jī)封裝層的至少一個(gè)部分上彼此接觸。所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以進(jìn)一步包括位于所述第三無(wú)機(jī)封裝層上的至少一個(gè)附加的有機(jī)封裝層和至少一個(gè)附加的無(wú)機(jī)封裝層。在所述第三無(wú)機(jī)封裝層上形成的所述至少一個(gè)附加的有機(jī)封裝層中最上面的有機(jī)封裝層的頂表面可以是平坦的。在所述第三無(wú)機(jī)封裝層上形成的所述至少一個(gè)附加的無(wú)機(jī)封裝層中最上面的無(wú)機(jī)封裝層的頂表面可以是平坦的。根據(jù)一個(gè)實(shí)施例，提供一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括:在基板上形成第一電極；在所述第一電極上形成中間層，所述中間層包括在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層；在所述中間層上形成第二電極；在所述第二電極上形成第一無(wú)機(jī)封裝層，所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定第一凹槽；在由所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定的所述第一凹槽內(nèi)形成第一有機(jī)封裝層，使得所述第一有機(jī)封裝層不延伸到所述第一凹槽以外；以及在所述第一有機(jī)封裝層上形成第二無(wú)機(jī)封裝層。所述中間層可以通過(guò)成像工藝形成。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，以上和其它特征將變得更明顯，附圖中:圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖2是圖不根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯不裝置的截面圖；圖3是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置的截面圖；圖4是圖不根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯不裝置的截面圖；以及圖5A到圖5E是圖示根據(jù)實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的截面圖。
具體實(shí)施例方式現(xiàn)在將參照示出本發(fā)明示例性實(shí)施例的附圖更全面地描述實(shí)施例。圖1是圖示根據(jù)實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的截面圖。參見(jiàn)圖1，有機(jī)發(fā)光顯示裝置100包括基板101、第一電極110、中間層112、第二電極113、第一無(wú)機(jī)封裝層121、第一有機(jī)封裝層131和第二無(wú)機(jī)封裝層122?；?01可以由具有SiO2作為主要成分的透明玻璃材料形成。在其它實(shí)現(xiàn)方式中，基板101可以由透明塑料材料形成。在此情況下，基板101的透明塑料材料可以是從多種有機(jī)材料中選擇的至少一種。緩沖層102可以形成在基板101上。緩沖層102可以防止雜質(zhì)成分滲透過(guò)基板101并且使基板101平坦化，緩沖層102可以根據(jù)所期望的功能由多種材料中的任一種形成。例如，緩沖層102可以由例如氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦的無(wú)機(jī)材料形成，由例如聚酰亞胺、聚酯或亞克力(acryl)的有機(jī)材料形成，或者由上面的材料的層疊形成。如果需要，可以省略緩沖層102。第一電極110可以形成在緩沖層102上。第一電極110可以起陽(yáng)極的作用，而第二電極113可以起陰極的作用，或者第一電極110可以起陰極的作用，而第二電極可以起陽(yáng)極的作用。如果第一電極110起陽(yáng)極的作用，則第一電極110可以包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鋅(ΙΖ0)、氧化鋅(ZnO)或具有高功函數(shù)的In2O3。根據(jù)目的和設(shè)計(jì)條件，第一電極110可以進(jìn)一步包括由銀(Ag)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉬(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)、鋰(Li)、鐿(Yb)或鈣(Ca)形成的反射膜。像素限定膜119可以通過(guò)使用絕緣材料形成在第一電極110上。在此情況下，像素限定膜119可以被形成以暴露第一電極110的頂表面的至少一部分。中間層112形成在第一電極110上。在此情況下，中間層112還覆蓋或?qū)?yīng)于像素限定膜119。中間層112包括有機(jī)發(fā)光層，以產(chǎn)生可見(jiàn)光。中間層112可以是低分子量有機(jī)膜或聚合有機(jī)膜。如果中間層112是低分子量有機(jī)膜，則除了有機(jī)發(fā)光層以外，中間層112可以包括空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一層或多層。HIL可以由酞菁化合物(例如酞菁銅)或星爆型胺(例如TCTA、m-MTDATA或m-MTDAPB)形成。HTL 可以由 N, N'-雙(3-甲基苯基)-N, N' - 二苯基 _[1，1-聯(lián)苯]_4，4' -二胺(TPD)或者N，N' -二 (萘-1-基)-N，N' - 二苯基聯(lián)苯胺(a-NPD)形成。EIL 可以由 LiF、NaCl、CsF、Li20、Ba0 或 Liq 形成。ETL可以由Alq3形成。有機(jī)發(fā)光層可以包括主體材料和摻雜材料。有機(jī)發(fā)光層的主體材料的示例可以包括:三(8-羥基-喹啉)鋁(Alq3)、9，10-二 (萘-2-基)蒽(ADN)、3-叔-丁 基-9，10-二 (萘-2-基)蒽(TBADN)、4，4 '-雙(2，2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4' -二甲基苯基(DPVBi)、4，4,-雙(2，2_ 二苯基-乙烯-1-基)-4，4' -二甲基苯基(p-DMDPVBi )、叔(9，9- 二芳基芴)(TDAF)、2_ (9，9'-螺二荷-2-基)_9，9'-螺二荷(BSDF)、2，7-雙(9，9'-螺二荷-2-基)-9，9'-螺二荷(TSDF)、雙(9，9-二芳基荷)(BDAF) >4, 4' _ 雙(2，2-二苯基-乙稀-1-基)-4,4' -二-(叔-丁基)苯基(p-TDPVBi )、1,3-雙(咔唑-9-基)苯(mCP)、1，3，5-三(咔唑-9-基)苯(tCP)、4,4/ ,4 "-三(咔唑-9-基)三苯胺(TcTa)、4，4'-雙(咔唑-9-基)聯(lián)苯(CBP)、4，4'-雙(9-咔唑基)-2,2' - 二甲基-二苯基(CBDP)、4，4'-雙(咔唑-9-基)-9，9-二甲基-芴(DMFL-CBP),4, 4f -雙(咔唑-9-基)_9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL_4CBP)、4, 4f -雙(咔唑-9-基)-9，9-二-甲苯基-芴(DPFL-CBP)或者9，9-雙(9-苯基-9H-咔唑)芴(FL-2CBP)。有機(jī)發(fā)光層的摻雜材料的示例可以包括DPAVBi (4，V -雙[4_( 二-p-甲苯基胺)苯乙烯基]聯(lián)苯)、ADN (9，10-二 (萘-2-基)蒽)或者TBADN (3-叔-丁基-9，10-二(蔡_2_基)惠)。
中間層112可以包括至少一個(gè)突起112c。突起112c可以通過(guò)多種方法形成。例如，突起112c可以在形成中間層112時(shí)形成。具體地說(shuō)，突起112c可以被形成為在位置上對(duì)應(yīng)于像素限定膜119。多個(gè)中間層112可以被形成以對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一電極110，并且突起112c可以從多個(gè)中間層112中每個(gè)中間層的至少一個(gè)邊緣突起。第二電極113形成在中間層112上。如果第二電極113起陰極的作用，則第二電極 113 可以由金屬,例如 Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、Li 或 Ca 形成。第二電極 113還可以包括ΙΤ0、ΙΖ0、Ζη0或In2O3,以允許光穿透第二電極113。第二電極113可以是公共電極，以向所有子像素施加公共電壓。第二電極113可以不完全覆蓋中間層112。例如，中間層112的突起112c可以不被第二電極113覆蓋，而被暴露。由于第二電極113的厚度或者形成第二電極113的工藝的特性，中間層112 (具體地說(shuō)是突起112c)可以不被第二電極113完全覆蓋。在其它實(shí)現(xiàn)方式中，突起112c可能完全被第二電極113覆蓋。第一無(wú)機(jī)封裝層121形成在第二電極113上。第一無(wú)機(jī)封裝層121包括第一凹槽121g和第一無(wú)機(jī)突起121c。詳細(xì)地說(shuō)，第一無(wú)機(jī)突起121c可以設(shè)置在第一凹槽121g附近。第一無(wú)機(jī)突起121c還可以被形成為對(duì)應(yīng)于中間層112的突起112c。第一無(wú)機(jī)封裝層121可以不完全覆蓋中間層112。例如，中間層112的突起112c可以不被第二電極113覆蓋，而被暴露，并且第一無(wú)機(jī)封裝層121可以不覆蓋中間層112，具體地可以不覆蓋中間層112的突起112c。例如，第一無(wú)機(jī)封裝層121的與中間層112的突起112c對(duì)應(yīng)的第一無(wú)機(jī)突起121c可以不完全覆蓋突起112c，因此中間層112的突起112c可以被暴露。在其它實(shí)現(xiàn)方式中，中間層112的突起112c可以被第一無(wú)機(jī)封裝層121完全覆
至JHL ο第一有機(jī)封裝層131設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層121上。詳細(xì)地說(shuō),第一有機(jī)封裝層131可以設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層121的第一凹槽121g內(nèi)，以便不延伸到第一凹槽121g以夕卜。第一有機(jī)封裝層131還可以與中間層112的突起112c間隔開(kāi)。因此，可以防止第一有機(jī)封裝層131接觸中間層112。第一有機(jī)封裝層131與第一無(wú)機(jī)封裝層121的第一無(wú)機(jī)突起121c的最上面部分間隔開(kāi)。第二無(wú)機(jī)封裝層122形成在第一有機(jī)封裝層131上。第二無(wú)機(jī)封裝層122覆蓋第一有機(jī)封裝層131和第一無(wú)機(jī)封裝層121。第二無(wú)機(jī)封裝層122還可以被形成為覆蓋中間層112。因此，第二無(wú)機(jī)封裝層122可以接觸中間層112的突起112c。第二無(wú)機(jī)封裝層122被形成為在無(wú)機(jī)封裝層121的至少一個(gè)部分上接觸第一無(wú)機(jī)封裝層121。第一無(wú)機(jī)封裝層121的其中第一有機(jī)封裝層131不接觸第一無(wú)機(jī)封裝層121的部分可以接觸第二無(wú)機(jī)封裝層122。例如，第一無(wú)機(jī)封裝層121和第二無(wú)機(jī)封裝層122可以在無(wú)機(jī)封裝層121的對(duì)應(yīng)于像素限定膜119或覆蓋像素限定膜119的部分上彼此接觸。因此，可以增大第一無(wú)機(jī)封裝層121與第二無(wú)機(jī)封裝層122之間的粘合力，以及第一無(wú)機(jī)封裝層121和第二無(wú)機(jī)封裝層122與設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層121和第二無(wú)機(jī)封裝層122之間的第一有機(jī)封裝層131之間的粘合力。
第二無(wú)機(jī)封裝層122包括與第一無(wú)機(jī)封裝層121的第一無(wú)機(jī)突起121c對(duì)應(yīng)的第二無(wú)機(jī)突起122c。第一無(wú)機(jī)封裝層121和第二無(wú)機(jī)封裝層122中的每個(gè)可以包括多種無(wú)機(jī)材料中的任一種，例如氧化硅或氮化硅。第一有機(jī)封裝層131可以包括多種有機(jī)材料中的任一種，例如環(huán)氧樹(shù)脂或聚酰亞胺。在有機(jī)發(fā)光顯不裝置100中，第一無(wú)機(jī)封裝層121、第一有機(jī)封裝層131和第二無(wú)機(jī)封裝層122堆疊在第二電極113上。因此，可以有效地保護(hù)中間層112、第一電極110和第二電極113。在此情況下，當(dāng)中間層112的突起112c形成時(shí)，設(shè)置在中間層112上的第一無(wú)機(jī)封裝層121和第二電極113不完全覆蓋中間層112，并且中間層112的突起112c被暴露。當(dāng)?shù)谝挥袡C(jī)封裝層131形成時(shí)，如果第一有機(jī)封裝層131接觸中間層112，則中間層112可能被第一有機(jī)封裝層131中的雜質(zhì)材料或有機(jī)材料污染。然而，在圖1中，第一有機(jī)封裝層131設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層121的第一凹槽121g內(nèi)，而不延伸到第一凹槽121g以外?？梢苑乐沟谝挥袡C(jī)封裝層131和中間層112彼此接觸。因此，可以防止中間層112被第一有機(jī)封裝層131中的雜質(zhì)材料或有機(jī)材料污染。第二無(wú)機(jī)封裝層122可以形成在第一有機(jī)封裝層131上，以使中間層112與外部
完全隔離。因此，可以防止中間層112由于第一有機(jī)封裝層131和第一電極110而被污染。由此，可以有效地保持中間層112和第二電極113不受外來(lái)物質(zhì)、水汽和氣體影響。有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的耐用性可以提高，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置100的電特性可以有效地保持。圖2是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200的截面圖。參見(jiàn)圖2，有機(jī)發(fā)光顯示裝置200包括基板201、第一電極210、中間層212、第二電極213、第一無(wú)機(jī)封裝層221、第一有機(jī)封裝層231、第二無(wú)機(jī)封裝層222、第二有機(jī)封裝層232和第三無(wú)機(jī)封裝層223。與圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100相比，圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200進(jìn)一步包括第二有機(jī)封裝層232和第三無(wú)機(jī)封裝層223。除了進(jìn)一步包括第二有機(jī)封裝層232和第三無(wú)機(jī)封裝層223以外，圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200在結(jié)構(gòu)上與圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100類(lèi)似。為了便于說(shuō)明，下面的說(shuō)明將集中在圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200和圖1的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100之間的差異上?；?01、第一電極210、中間層212、像素限定膜219、第二電極213、第一無(wú)機(jī)封裝層221、第一有機(jī)封裝層231和第二無(wú)機(jī)封裝層222與參照?qǐng)D1描述的那些類(lèi)似，因此將不再重復(fù)其詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖2，第二無(wú)機(jī)封裝層222包括第二凹槽222g。第二有機(jī)封裝層232形成在第二無(wú)機(jī)封裝層222上。詳細(xì)地說(shuō)，第二有機(jī)封裝層232設(shè)置在第二無(wú)機(jī)封裝層222的第二凹槽222g內(nèi)，以便不延伸到第二凹槽222g以外。第二有機(jī)封裝層232與第二無(wú)機(jī)封裝層222的第二無(wú)機(jī)突起222c的最上面部分間隔開(kāi)。
第三無(wú)機(jī)封裝層223可以形成在第二有機(jī)封裝層232上。第三無(wú)機(jī)封裝層223覆蓋第二有機(jī)封裝層232和第二無(wú)機(jī)封裝層222。第三無(wú)機(jī)封裝層223可以形成為在第二無(wú)機(jī)封裝層222的至少一個(gè)部分上接觸第二無(wú)機(jī)封裝層222。第二無(wú)機(jī)封裝層222的其中第二有機(jī)封裝層232不接觸第二無(wú)機(jī)封裝層222的部分可以接觸第三無(wú)機(jī)封裝層223。詳細(xì)地說(shuō)，第三無(wú)機(jī)封裝層223和第二無(wú)機(jī)封裝層222可以在與像素限定膜219對(duì)應(yīng)或重疊的部分上彼此接觸。因此，可以增大第二無(wú)機(jī)封裝層222與第三無(wú)機(jī)封裝層223之間的粘合力，以及第二無(wú)機(jī)封裝層222和第三無(wú)機(jī)封裝層223與設(shè)置在第二無(wú)機(jī)封裝層222和第三無(wú)機(jī)封裝層223之間的第二有機(jī)封裝層232之間的粘合力。在圖2的有機(jī)發(fā)光顯不裝置200內(nèi)，第一無(wú)機(jī)封裝層221、第一有機(jī)封裝層231、第二無(wú)機(jī)封裝層222、第二有機(jī)封裝層232和第三無(wú)機(jī)封裝層223順序地堆疊。因此，可以有效地保護(hù)中間層212、第一電極210和第二電極213。當(dāng)?shù)诙o(wú)機(jī)封裝層222形成時(shí)，根據(jù)設(shè)計(jì)條件，第二無(wú)機(jī)封裝層222可以不完全覆蓋中間層212。具體地說(shuō)，第二無(wú)機(jī)封裝層222可以不完全覆蓋中間層212的突起212c。在此情況下，通過(guò)將第二有機(jī)封裝層232設(shè)置在第二無(wú)機(jī)封裝層222的第二凹槽222g內(nèi)，以便不延伸到第二凹槽222g以外，可以防止第二有機(jī)封裝層232和中間層212彼此接觸。因此，可以防止中間層212被第二有機(jī)封裝層232內(nèi)的雜質(zhì)材料或有機(jī)材料污染。因此，防止中間層212由于第一有機(jī)封裝層231和第二有機(jī)封裝層232以及第一電極210而被污染。由此，可以有效地保持中間層212和第二電極213不受外來(lái)物質(zhì)、水汽和氣體影響。有機(jī)發(fā)光顯示裝置200的耐用性可以提高，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置200的電特性可以有效地保持。圖3是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300的截面圖。參見(jiàn)圖3，有機(jī)發(fā)光顯示裝置300包括基板301、第一電極310、中間層312、第二電極313、第一無(wú)機(jī)封裝層321、第一有機(jī)封裝層331、第二無(wú)機(jī)封裝層322、第二有機(jī)封裝層332、第三無(wú)機(jī)封裝層323、第三有機(jī)封裝層333和第四無(wú)機(jī)封裝層324。與圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200相比，圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300進(jìn)一步包括第三有機(jī)封裝層333和第四無(wú)機(jī)封裝層324。也就是說(shuō)，除進(jìn)一步包括第三有機(jī)封裝層333和第四無(wú)機(jī)封裝層324以外，圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300在結(jié)構(gòu)上與圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置200類(lèi)似。為了便于說(shuō)明，下面的說(shuō)明將集中在圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300與圖1和圖2的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100和200之間的差異上?；?01、第一電極310、中間層312、像素限定膜319、第二電極313、第一無(wú)機(jī)封裝層321、第一有機(jī)封裝層331、第二無(wú)機(jī)封裝層322、第二有機(jī)封裝層332和第三無(wú)機(jī)封裝層323在結(jié)構(gòu)上與參照?qǐng)D1和圖2描述的那些類(lèi)似，因此將不再重復(fù)它們的詳細(xì)說(shuō)明。參見(jiàn)圖3，第三有機(jī)封裝層333可以形成在第三無(wú)機(jī)封裝層323上。具有平坦頂表面的第三有機(jī)封裝層333可以被形成為使設(shè)置在第三有機(jī)封裝層333下面的元件平坦化。為此，第三有機(jī)封裝層333可以被形成為具有適合的厚度。第三有機(jī)封裝層333的厚度可以大于第一有機(jī)封裝層331的厚度和第二有機(jī)封裝層332的厚度。第四無(wú)機(jī)封裝層324可以形成在第三有機(jī)封裝層333上。第四無(wú)機(jī)封裝層324覆蓋第三有機(jī)封裝層333。第四無(wú)機(jī)封裝層324也具有平坦的頂表面。在圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置300中，第一無(wú)機(jī)封裝層321、第一有機(jī)封裝層331、第二無(wú)機(jī)封裝層322、第二有機(jī)封裝層332、第三無(wú)機(jī)封裝層323、第三有機(jī)封裝層333和第四無(wú)機(jī)封裝層324順序地堆疊。因此，可以有效地保護(hù)中間層312、第一電極310和第二電極313。第三有機(jī)封裝層333的頂表面和第四無(wú)機(jī)封裝層324的頂表面是平坦的，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置300容易地聯(lián)接到附加元件，例如殼體元件(未示出)上。因此，可以提高有機(jī)發(fā)光顯示裝置300的耐用性和方便性。而且，從中間層312發(fā)出的可見(jiàn)光最后穿過(guò)平坦的頂表面，以具有均勻的特性。因此，可以改善圖像質(zhì)量。而且，可以防止中間層312由于第一有機(jī)封裝層331、第二有機(jī)封裝層332、和第三有機(jī)封裝層333以及第一電極310而被污染。因此，有效地保持中間層312和第二電極313不受外來(lái)物質(zhì)、水汽和氣體的影響。有機(jī)發(fā)光顯示裝置300的耐用性可以提高，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置300的電特性可以有效地保持。雖然圖3中圖示了三個(gè)有機(jī)封裝層(即第一至第三有機(jī)封裝層331、332和333)和四個(gè)無(wú)機(jī)封裝層(即第一至第四無(wú)機(jī)封裝層321、322、323和324)，但是本實(shí)施例不局限于此。也就是說(shuō)，可以形成四個(gè)或四個(gè)以上的有機(jī)封裝層以及五個(gè)或五個(gè)以上的無(wú)機(jī)封裝層。在此情況下，最上面的有機(jī)封裝層的頂表面可以是平坦的，并且最上面的無(wú)機(jī)封裝層的頂表面可以是平坦的。圖4是圖示根據(jù)另一實(shí)施例的有機(jī)發(fā)光顯示裝置400的截面圖。參見(jiàn)圖4，有機(jī)發(fā)光顯示裝置400包括基板401、薄膜晶體管(TFT)、第一電極410、中間層412、第二電極413、第一無(wú)機(jī)封裝層421、第一有機(jī)封裝層431、第二無(wú)機(jī)封裝層422、第二有機(jī)封裝層432、第三無(wú)機(jī)封裝層423、第三有機(jī)封裝層433和第四無(wú)機(jī)封裝層424。TFT可以包括有源層403、柵電極405、源電極407和漏電極408。應(yīng)當(dāng)明白，TFT可以與本發(fā)明中公開(kāi)的不同。為了便于說(shuō)明，下面的說(shuō)明將集中在圖4的有機(jī)發(fā)光顯示裝置400與圖1至圖3的有機(jī)發(fā)光顯示裝置100、200和300之間的差異上。緩沖層402可以形成在基板410上。具有預(yù)定圖案的有源層403可以形成在緩沖層402上。有源層403可以由有機(jī)半導(dǎo)體或無(wú)機(jī)半導(dǎo)體(例如非晶硅或多晶硅)形成，并且可以包括源區(qū)、漏區(qū)和溝道區(qū)。柵絕緣膜404可以形成在有源層403上。柵電極405可以形成在柵絕緣膜404上。用于將有源層403和柵電極405隔離的柵絕緣膜404可以由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料(例如SiNx或SiO2)形成。柵電極405可以包括Au、Ag、Cu、N1、Pt、Pd、Al或Mo,或者可以包括合金,例如Al:Nd或Mo:W?？梢允褂闷渌m合的材料。通過(guò)考慮粘性、平坦性、電阻和關(guān)于相鄰層的可處理性,柵電極405可以由多種材料中的任一種形成。層間絕緣膜406可以形成在柵電極405上。層間絕緣膜406和柵絕緣膜404被形成為暴露有源層403的源區(qū)和漏區(qū)，并且源電極407和漏電極408被形成為接觸有源層403的被暴露的源區(qū)和漏區(qū)。源電極407和漏電極408中的每個(gè)可以由多種導(dǎo)電材料中的任一種形成，并且可以具有單層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)。鈍化層409可以形成在源電極407和漏電極408上。鈍化層409可以被形成為暴露漏電極408的一部分而不完全覆蓋漏電極408,并且第一電極410被形成為連接到漏電極408的被暴露部分上。像素限定膜419、中間層412和第二電極413形成在第一電極410上。而且，第一無(wú)機(jī)封裝層421、第一有機(jī)封裝層431、第二無(wú)機(jī)封裝層422、第二有機(jī)封裝層432、第三無(wú)機(jī)封裝層423、第三有機(jī)封裝層433和第四無(wú)機(jī)封裝層424被形成。第一無(wú)機(jī)封裝層421、第一有機(jī)封裝層431、第二無(wú)機(jī)封裝層422、第二有機(jī)封裝層432、第三無(wú)機(jī)封裝層423、第三有機(jī)封裝層433和第四無(wú)機(jī)封裝層424與參照?qǐng)D1至圖3描述的那些相同，因此將不再重復(fù)它們的詳細(xì)說(shuō)明。在圖4的有機(jī)發(fā)光顯不裝置400中，第一無(wú)機(jī)封裝層421、第一有機(jī)封裝層431、第二無(wú)機(jī)封裝層422、第二有機(jī)封裝層432、第三無(wú)機(jī)封裝層423、第三有機(jī)封裝層433和第四無(wú)機(jī)封裝層424順序堆疊。因此，可以有效保護(hù)中間層412、第一電極410和第二電極413。第三有機(jī)封裝層433的頂表面和第四無(wú)機(jī)封裝層424的頂表面是平坦的，使得有機(jī)發(fā)光顯示裝置400可以容易地聯(lián)接到附加元件，例如殼體元件(未示出)上。因此可以提高工業(yè)適用性。而且，從中間層412發(fā)出的可見(jiàn)光最后穿過(guò)這些平坦的頂表面，以具有均勻的特性。因此可以改善圖像質(zhì)量。同樣，由于防止中間層412由于第一有機(jī)封裝層431、第二有機(jī)封裝層432、和第三有機(jī)封裝層433以及第一電極410而被污染，所以有效地保持中間層412和第二電極413不受外來(lái)物質(zhì)、水汽和氣體影響，有機(jī)發(fā)光顯示裝置400的耐用性可以提高，并且有機(jī)發(fā)光顯示裝置400的電特性可以有效地保持。圖5A到圖5E是圖示根據(jù)實(shí)施例的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法的步驟的截面圖。詳細(xì)地說(shuō)，圖5A到圖5E是用于說(shuō)明制造圖4的有機(jī)發(fā)光顯示裝置400的方法的截面圖。將順序地參照?qǐng)D5A到圖5E詳細(xì)說(shuō)明該方法。參見(jiàn)圖5A，在基板401上可以形成緩沖層402，在緩沖層402上可以形成有源層403，在有源層403上可以形成柵絕緣膜404，在柵絕緣膜404的預(yù)定部分上可以形成柵電極405，在柵電極405上可以形成層間絕緣膜406，并且在層間絕緣膜406上可以形成源電極407和漏電極408。在源電極407和漏電極408上可以形成鈍化層409，在鈍化層409上可以形成第一電極410，以便連接到漏電極408，并且在第一電極410上可以形成像素限定膜419。在此情況下，第一電極410的頂表面的至少一個(gè)部分未被像素限定膜419覆蓋，而保持暴露。參見(jiàn)圖5B，形成中間層412。在此情況下，將中間層412形成為接觸第一電極410。而且，可以將中間層412形成為對(duì)應(yīng)于像素限定膜419。中間層412可以不是光滑的，并且可以包括突起412c。如圖5B中所示，多個(gè)中間層412被形成為對(duì)應(yīng)于多個(gè)第一電極410，并且多個(gè)第一電極410對(duì)應(yīng)于多個(gè)子像素?？梢詫⒍鄠€(gè)中間層412設(shè)置成分別對(duì)應(yīng)于多個(gè)子像素。在此情況下，至少一個(gè)突起412c可以從多個(gè)中間層412中每個(gè)中間層的邊緣突起。具體地說(shuō)，如果中間層412通過(guò)使用諸如激光誘導(dǎo)熱成像(LITI)之類(lèi)的成像工藝形成，則很可能形成突起412c。還可以使用除成像以外的多種方法中的任一種形成中間層412。參見(jiàn)圖5C，在中間層412上可以形成第二電極413。第二電極413不完全覆蓋中間層412，使得暴露出中間層412的突起412c。突起412c的厚度可以大于第二電極413的厚度。因此，突起412c可以不完全被第二電極413覆蓋。在第二電極413上可以形成第一無(wú)機(jī)封裝層421。第一無(wú)機(jī)封裝層421包括第一凹槽421g和第一無(wú)機(jī)突起421c。詳細(xì)地說(shuō)，將第一無(wú)機(jī)突起421c設(shè)置在第一凹槽421g附近。而且，可以將第一無(wú)機(jī)突起421c形成為對(duì)應(yīng)于中間層412的突起412c。第一無(wú)機(jī)封裝層421可以不完全覆蓋中間層412。例如，中間層412的未被第二電極413覆蓋的被暴露的突起412c可以不被第一無(wú)機(jī)封裝層421覆蓋，以被暴露。例如，第一無(wú)機(jī)封裝層421的與中間層412的突起412c對(duì)應(yīng)的第一無(wú)機(jī)突起421c可以不完全覆蓋突起412c，因此中間層412的突起412c可以被暴露。參見(jiàn)圖5D，在第一無(wú)機(jī)封裝層421上形成第一有機(jī)封裝層431、第二無(wú)機(jī)封裝層422、第二有機(jī)封裝層432和第三無(wú)機(jī)封裝層423。在第一無(wú)機(jī)封裝層421上設(shè)置第一有機(jī)封裝層431。詳細(xì)地說(shuō),將第一有機(jī)封裝層431設(shè)置在第一無(wú)機(jī)封裝層421的第一凹槽421g中，使得第一有機(jī)封裝層431不延伸到第一凹槽421g以外。而且，第一有機(jī)封裝層431與中間層412的突起412c間隔開(kāi)。因此，可以防止第一有機(jī)封裝層431和中間層412互相接觸。第一有機(jī)封裝層431與第一無(wú)機(jī)封裝層421的第一無(wú)機(jī)突起421c的最上面部分間隔開(kāi)。在第一有機(jī)封裝層431上可以形成第二無(wú)機(jī)封裝層422。第二無(wú)機(jī)封裝層422覆蓋第一有機(jī)封裝層431和第一無(wú)機(jī)封裝層421。而且，可以將第二無(wú)機(jī)封裝層422形成為覆蓋中間層412。因此，第二無(wú)機(jī)封裝層422可以接觸中間層412的突起412c。可以將第二無(wú)機(jī)封裝層422形成為在第一無(wú)機(jī)封裝層421的至少一個(gè)部分上接觸第一無(wú)機(jī)封裝層421。也就是說(shuō)，第一無(wú)機(jī)封裝層421的其中第一有機(jī)封裝層431不接觸第一無(wú)機(jī)封裝層421的部分接觸第二無(wú)機(jī)封裝層422。而且，第二無(wú)機(jī)封裝層422包括與第一無(wú)機(jī)封裝層421的第一無(wú)機(jī)突起421c對(duì)應(yīng)的第二無(wú)機(jī)突起422c。第二無(wú)機(jī)封裝層422包括第二凹槽422g。在第二無(wú)機(jī)封裝層422上可以形成第二有機(jī)封裝層432。將第二有機(jī)封裝層432設(shè)置在第二無(wú)機(jī)封裝層422的第二凹槽422g內(nèi)，以便不延伸到第二凹槽422g以外。第二有機(jī)封裝層432與第二無(wú)機(jī)封裝層422的第二無(wú)機(jī)突起422c的最上面部分間隔開(kāi)。在第二有機(jī)封裝層432上可以形成第三無(wú)機(jī)封裝層423。第三無(wú)機(jī)封裝層423覆蓋第二有機(jī)封裝層432和第二無(wú)機(jī)封裝層422?？梢詫⒌谌裏o(wú)機(jī)封裝層423形成為在第二無(wú)機(jī)封裝層422的至少一個(gè)部分上接觸第二無(wú)機(jī)封裝層422。也就是說(shuō)，第二無(wú)機(jī)封裝層422的其中第二有機(jī)封裝層432不接觸第二無(wú)機(jī)封裝層422的一部分接觸第三無(wú)機(jī)封裝層423。參見(jiàn)圖5E，形成第三有機(jī)封裝層433和第四無(wú)機(jī)封裝層424。在第三無(wú)機(jī)封裝層423上可以形成第三有機(jī)封裝層433。可以形成具有平坦頂表面的第三有機(jī)封裝層433，以使設(shè)置在第三有機(jī)封裝層433下面的元件平坦化。為此，可以將第三有機(jī)封裝層433形成為具有大于第一有機(jī)封裝層431和第二有機(jī)封裝層432中每個(gè)封裝層的厚度的厚度。在第三有機(jī)封裝層433上可以形成第四無(wú)機(jī)封裝層424。第四無(wú)機(jī)封裝層424覆蓋第三有機(jī)封裝層433。而且，第四無(wú)機(jī)封裝層424具有平坦的頂表面。通過(guò)總結(jié)和回顧，典型的有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括中間層、第一電極和第二電極。中間層包括有機(jī)發(fā)光層，并且有機(jī)發(fā)光層通過(guò)向第一電極和第二電極施加電壓產(chǎn)生可見(jiàn)光。包括有機(jī)材料的中間層可能容易被外來(lái)物質(zhì)、水汽或氣體污染。一旦中間層被污染，有機(jī)發(fā)光顯示裝置的耐用性和電特性就可能顯著地降低。根據(jù)實(shí)施例，有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法可以容易地提供改進(jìn)的耐用性和電特性。盡管已參照本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出和描述了實(shí)施例，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明白，可以在不背離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，在此處進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的多種變化。
權(quán)利要求
1.一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置，包括: 基板； 在所述基板上的第一電極； 在所述第一電極上的中間層，所述中間層包括有機(jī)發(fā)光層； 在所述中間層上的第二電極； 在所述第二電極上的第一無(wú)機(jī)封裝層，所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定第一凹槽； 在由所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定的所述第一凹槽內(nèi)的第一有機(jī)封裝層，所述第一有機(jī)封裝層不延伸到所述第一凹槽以外；以及 在所述第一有機(jī)封裝層上的第二無(wú)機(jī)封裝層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述中間層包括中間層突起。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī) 發(fā)光顯示裝置，其中: 所述第二電極與所述中間層突起間隔開(kāi)，以便不覆蓋所述中間層突起，并且 所述第一無(wú)機(jī)封裝層與所述中間層突起間隔開(kāi)，以便不覆蓋所述中間層突起。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括多個(gè)子像素， 多個(gè)所述中間層被提供以對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)子像素，并且 所述中間層突起位于所述多個(gè)所述中間層中每個(gè)中間層的至少一個(gè)邊緣上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述第一無(wú)機(jī)封裝層包括對(duì)應(yīng)于所述中間層突起的第一無(wú)機(jī)突起，并且 所述第一無(wú)機(jī)突起被設(shè)置在所述第一凹槽附近。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一有機(jī)封裝層與所述第一無(wú)機(jī)突起的最上面部分間隔開(kāi)。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一有機(jī)封裝層與所述中間層關(guān)起間隔開(kāi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述中間層突起的至少一個(gè)部分接觸所述第二無(wú)機(jī)封裝層。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括設(shè)置在所述第一電極上以便不覆蓋所述第一電極的頂表面的一部分的像素限定膜， 其中所述中間層突起被設(shè)置成對(duì)應(yīng)于所述像素限定膜。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第一無(wú)機(jī)封裝層和所述第二無(wú)機(jī)封裝層在所述第一無(wú)機(jī)封裝層的至少一個(gè)部分上彼此接觸。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中: 所述第二無(wú)機(jī)封裝層限定第二凹槽，并且 所述有機(jī)發(fā)光顯示裝置進(jìn)一步包括: 第二有機(jī)封裝層，被設(shè)置在所述第二無(wú)機(jī)封裝層限定的所述第二凹槽內(nèi)，以 便不延伸到所述第二凹槽以外；和 在所述第二有機(jī)封裝層上的第三無(wú)機(jī)封裝層。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二無(wú)機(jī)封裝層包括設(shè)置在所述第二凹槽附近的第二無(wú)機(jī)突起。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二有機(jī)封裝層與所述第二無(wú)機(jī)突起的最上面部分間隔開(kāi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二有機(jī)封裝層與所述中間層關(guān)起間隔開(kāi)。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中所述第二無(wú)機(jī)封裝層和所述第三無(wú)機(jī)封裝層在所述第二無(wú)機(jī)封裝層的至少一個(gè)部分上彼此接觸。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，進(jìn)一步包括在所述第三無(wú)機(jī)封裝層上的至少一個(gè)附加的有機(jī)封裝層和至少一個(gè)附加的無(wú)機(jī)封裝層。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中在所述第三無(wú)機(jī)封裝層上形成的所述至少一個(gè)附加的有機(jī)封裝層中最上面的有機(jī)封裝層的頂表面是平坦的。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有機(jī)發(fā)光顯示裝置，其中在所述第三無(wú)機(jī)封裝層上形成的所述至少一個(gè)附加的無(wú)機(jī)封裝層中最上面的無(wú)機(jī)封裝層的頂表面是平坦的。
19.一種制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，所述方法包括: 在基板上形成第一電極； 在所述第一電極上形成中間層，所述中間層包括在所述第一電極上的有機(jī)發(fā)光層； 在所述中間層上形成第二電極； 在所述第二電極上形成第一無(wú)機(jī)封裝層，所述第一無(wú)機(jī)封裝層限定第一凹槽； 在由所述第一無(wú)機(jī)封裝層 限定的所述第一凹槽內(nèi)形成第一有機(jī)封裝層，使得所述第一有機(jī)封裝層不延伸到所述第一凹槽以外；以及 在所述第一有機(jī)封裝層上形成第二無(wú)機(jī)封裝層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的制造有機(jī)發(fā)光顯示裝置的方法，其中所述中間層通過(guò)成像工藝形成。
全文摘要
提供一種有機(jī)發(fā)光顯示裝置及其制造方法。該有機(jī)發(fā)光顯示裝置包括基板；在基板上的第一電極；在第一電極上的中間層，中間層包括有機(jī)發(fā)光層；在中間層上的第二電極；在第二電極上的第一無(wú)機(jī)封裝層，第一無(wú)機(jī)封裝層限定在其內(nèi)形成的第一凹槽；第一有機(jī)封裝層，位于由第一無(wú)機(jī)封裝層限定的第一凹槽內(nèi)，第一有機(jī)封裝層不延伸到第一凹槽以外；以及在第一有機(jī)封裝層上的第二無(wú)機(jī)封裝層。
文檔編號(hào)H01L27/32GK103178078SQ201210298858
公開(kāi)日2013年6月26日 申請(qǐng)日期2012年8月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月22日
發(fā)明者吳相憲, 曹奎哲 申請(qǐng)人:三星顯示有限公司