專利名稱：電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管裝置及其制造方法，特別涉及一種具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管(light-emitting diode, LED)裝置是一種由半導(dǎo)體材料制作而成的發(fā)光元件。由于發(fā)光二極管裝置屬冷發(fā)光，具有耗電量低、元件壽命長、反應(yīng)速度快等優(yōu)點， 再加上體積小容易制成極小或陣列式的元件，因此，近年來隨著技術(shù)不斷地進步，其應(yīng)用范圍涵蓋了電腦或家電產(chǎn)品的指示燈、液晶顯示裝置的背光源乃至交通號志或是車用指示燈。然而，發(fā)光二極管裝置仍存在有電流無法均勻擴散、全反射降低出光效率等等問題，而使得發(fā)光二極管裝置的發(fā)光效率尚無法有效地提升。一般而言，發(fā)光二極管裝置可為倒裝片式、垂直式或正面式等不同的態(tài)樣。為了解決因為全反射而降低出光效率的問題，請參照圖1，以垂直式發(fā)光二極管裝置為例，發(fā)光二極管裝置I在基板11的表面上依序形成η型半導(dǎo)體摻雜層121、發(fā)光層(active layer)122及P型半導(dǎo)體摻雜層123，接著，再于P型半導(dǎo)體摻雜層123上形成透明導(dǎo)電層13，并分別于透明導(dǎo)電層13上以及基板11的另一表面設(shè)置第一電極14及第二電極15。如圖I所不,透明導(dǎo)電層13的出光表面131可形成粗化表面，由此減少出光表面將光線全反射的情形發(fā)生，并可增加光取出效率。請參照圖2A，另一種解決出光效率問題的方式，在透明導(dǎo)電層13的出光表面131上設(shè)置粗化結(jié)構(gòu)16，并由此減少出光表面將光線全反射的情形發(fā)生，并可增加光取出效率。另外，亦可直接在η型半導(dǎo)體摻雜層121或P型半導(dǎo)體摻雜層123(如圖2Β所示)的表面上直接形成粗化表面，并由此減少出光表面將光線全反射的情形發(fā)生，并可增加光取出效率。承上所述，已知的解決方法雖然能夠解決全反射的問題，然而其結(jié)構(gòu)仍然存在著因電流在傳遞上仍走最短路徑，而導(dǎo)致無法均勻擴散的問題。因此當增大發(fā)光二極管裝置的發(fā)光面積時，仍會造成電流無法均勻分布。援因于此，如何提供一種能夠解決電流無法均勻擴散以及因全反射降低出光效率的具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，實屬當前重要課題之一。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于上述課題，本發(fā)明的目的為提供一種能夠降低光線全反射且可使電流均勻分布的具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。
因此，為達上述目的，本發(fā)明提供一種具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層，其包括微納米粗化結(jié)構(gòu)層以及透明導(dǎo)電層。電流擴散層與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)連接。微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部。透明導(dǎo)電層覆蓋于微納米粗化結(jié)構(gòu)層的表面及這些鏤空部中。為達上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管裝置，其包括外延疊層以及電流擴散層。外延疊層依序具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層。電流擴散層設(shè)置于外延疊層的第一半導(dǎo)體層上，且具有微納米粗化結(jié)構(gòu)層及透明導(dǎo)電層。其中，微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部，而透明導(dǎo)電層覆蓋于微納米粗化結(jié)構(gòu)層的表面及這些鏤空部中。為達上述目的，本發(fā)明更提供一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其包括以下步驟形成第一半導(dǎo)體層于外延基板上；形成發(fā)光層于第一半導(dǎo)體層上；形成第二半導(dǎo)體層于發(fā)光層上；移除部分的發(fā)光層及部分的第二半導(dǎo)體層，以暴露部分的第一半導(dǎo)體層；形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層于第二半導(dǎo)體層上，其中微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部；以及形成透明導(dǎo)電層于微納米粗化結(jié)構(gòu)層上及這些鏤空部中。·另外，為達上述目的，本發(fā)明更提供一種發(fā)光二極管裝置的制造方法，其包括以下步驟形成第一半導(dǎo)體層于外延基板上；形成發(fā)光層于第一半導(dǎo)體層上；形成第二半導(dǎo)體層于發(fā)光層上；形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層于第二半導(dǎo)體層上，其中，微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部；以及形成一透明導(dǎo)電層于微納米粗化結(jié)構(gòu)層上及這些鏤空部中。承上所述，因依據(jù)本發(fā)明的具微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法利用具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層與反射層、導(dǎo)熱絕緣層或?qū)嵴迟N層的配合應(yīng)用，而在倒裝片式、垂直式或正面發(fā)光二極管裝置上形成具備良好的歐姆接面的電流擴散層，并據(jù)以達到使電流均勻擴散、減少全反射并增加光取出效率等特性。


圖I為已知一種發(fā)光二極管裝置的示意圖。圖2A、2B為已知另兩種發(fā)光二極管裝置的示意圖。圖3為依據(jù)本發(fā)明第一實施例的發(fā)光二極管裝置的制造方法的流程圖。圖4A至圖4E為與圖3的流程配合的示意圖。圖5為依據(jù)本發(fā)明第二實施例的發(fā)光二極管裝置的制造方法的流程圖。圖6A至圖6E為與圖5的流程配合的示意圖。圖7為依據(jù)本發(fā)明第三實施例的發(fā)光二極管裝置的制造方法的流程圖。圖8A至圖8E為與圖7的流程配合的示意圖。圖9為依據(jù)本發(fā)明第四實施例的發(fā)光二極管裝置的制造方法的流程圖。圖IOA至圖IOF為與圖9的流程配合的示意圖。圖11為另一種電流擴散層的示意圖。附圖標記說明I、20、30、40、50 :發(fā)光二極管裝置11 :基板121 :N型摻雜層122、213、313、413、513 :發(fā)光層123 P型摻雜層
13、222、322、422、522、622 :透明導(dǎo)電層14、24、33、46、54 :第一電極15、25、34、47、55 :第二電極16 :粗化結(jié)構(gòu)21、31、41、51 :外延疊層211、311、411、511 :外延基板212、312、412、512 :第一半導(dǎo)體層214、314、414、514 :第二半導(dǎo)體層22、32、42、52 :電流擴散層221、321、421、521、621 :微納米粗化結(jié)構(gòu)層23、37 :導(dǎo)熱絕緣層35>45>56 :導(dǎo)熱基板36、44、57 :導(dǎo)熱粘貼層38、43、53 :反射層5 :發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)58 :透光基板H21、H31、H41、H51 :鏤空部
具體實施例方式以下將參照相關(guān)圖示，說明依據(jù)本發(fā)明優(yōu)選實施例的具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法。[第一實施例]請參照圖3，依據(jù)本發(fā)明第一實施例的一種發(fā)光二極管裝置20的制造方法包括步驟Sll至步驟S15。以下請同時參照圖4A至圖4E所示。如圖4A所示，步驟S 11為形成外延疊層21于外延基板211上，其中，外延疊層21包括第一半導(dǎo)體層212、發(fā)光層213以及第二半導(dǎo)體層214。第一半導(dǎo)體層212形成于外延基板211上，接著在第一半導(dǎo)體層212上形成發(fā)光層213 ;而后在發(fā)光層213上形成第二半導(dǎo)體層214。接著，如圖4B所示，步驟S12為移除部分的發(fā)光層213及部分的第二半導(dǎo)體層214。如圖4C所示，步驟S 13為將電流擴散層22與外延疊層21連接。在本實施例中，電流擴散層22在第二半導(dǎo)體層214上以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝(ΑΑ0)、納米壓印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝(E-beam writer)形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層221，且微納米粗化結(jié)構(gòu)層221具有多個鏤空部H21。其中，在微納米粗化結(jié)構(gòu)層221上及這些鏤空部H21中形成有透明導(dǎo)電層222。在本實施例中，第一半導(dǎo)體層212及第二半導(dǎo)體層214可分別為P型外延層及N型外延層，當然其亦可互換，在此并不加以限制。微納米粗化結(jié)構(gòu)層221的折射率大于空氣的折射率且小于外延疊層的折射率。而依據(jù)其外觀的不同，微納米粗化結(jié)構(gòu)層221可至少包括納米球、納米柱、納米孔洞、納米點、納米線或納米凹凸結(jié)構(gòu)，在此以納米球為例，且其材料可選自三氧化二鋁(Al2O3)、氮化硅(Si3N4)、二氧化錫(SnO2)、二氧化硅(SiO2)、樹脂、聚碳酸酯(polycarbonate)及其組合所構(gòu)成的組。透明導(dǎo)電層222的材料可包括銦錫氧化物(Indium tin oxide, ITO)、慘招氧化鋒(aluminum doped zinc oxide,AZO)、或銦鋒氧化物(indium zinc oxide, IZO)。如圖4D所示，步驟S14為分別形成與第一半導(dǎo)體層212電性連接的第一電極24，并形成與第二半導(dǎo)體層214電性連接的第二電極25。
如圖4E所示，步驟S15為形成導(dǎo)熱絕緣層23于部分的電流擴散層22上，用以提供發(fā)光二極管裝置更佳的抗靜電能力。甚至，導(dǎo)熱絕緣層亦可覆蓋部分的第二半導(dǎo)體層214、發(fā)光層213及第一半導(dǎo)體層212,以完成一種正面式兀件的具有微納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置20。在本實施例中，其步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進行步驟的調(diào)換。[第二實施例]請參照圖5，依據(jù)本發(fā)明第二實施例的一種發(fā)光二極管裝置30的制造方法包括步驟S21至步驟S27。以下請同時參照圖6A至圖6F。如圖6A所示，步驟S21與第一實施例的步驟SI I相同，其形成外延疊層31于外延基板311上。其中，夕卜延疊層31包括第一半導(dǎo)體層312、發(fā)光層313以及第二半導(dǎo)體層314。第一半導(dǎo)體層312形成于外延基板311上,接著在第一半導(dǎo)體層312上形成發(fā)光層313 ;而后在發(fā)光層313上形成第二半導(dǎo)體層314。步驟S22將電流擴散層32與外延疊層31連接。在本實施例中，電流擴散層32在第二半導(dǎo)體層314上以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝(ΑΑ0)、納米壓印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝(E-beam writer)形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層321，且微納米粗化結(jié)構(gòu)層321具有多個鏤空部H31。其中，在微納米粗化結(jié)構(gòu)層321上及這些鏤空部H31中形成有透明導(dǎo)電層322。如圖6B所示，步驟S23為依序形成導(dǎo)熱粘貼層36于導(dǎo)熱基板35上、形成導(dǎo)熱絕緣層37于導(dǎo)熱粘貼層36上以及形成反射層38于導(dǎo)熱絕緣層37上。在本實施例中，導(dǎo)熱基板35的材料可選自硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構(gòu)成的組。導(dǎo)熱粘貼層36結(jié)合導(dǎo)熱絕緣層37及導(dǎo)熱基板35之用，其材料可選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構(gòu)成的組。導(dǎo)熱絕緣層37可避免外延疊層31透過導(dǎo)熱基板35而與外界電性導(dǎo)通，且導(dǎo)熱絕緣層37的材料為熱傳導(dǎo)系數(shù)大于或等于150W/mK(瓦特/米·凱氏溫度)的絕緣材料，例如是氮化鋁或碳化硅等。另外，導(dǎo)熱絕緣層37的折射率介于外延疊層31的折射率(約為2.5)以及空氣的折射率(約為I)之間。反射層38可為由具有高低折射率的介電質(zhì)薄膜所組成的光學(xué)反射元件、金屬反射層、金屬介電反射層或由微納米球所組成的光學(xué)反射元件，換言之，反射層38可由多種材料組合或堆疊而成。而反射層38的材料可選自鉬、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦及其組合所構(gòu)成的組。如圖6C所示，步驟S24為結(jié)合反射層38與電流擴散層32的透明導(dǎo)電層322。再如圖6D所示，步驟S25為翻轉(zhuǎn)在步驟S21所形成的發(fā)光二極管裝置30，并移除外延基板311。如圖6E所示，步驟S26為移除部分的第一半導(dǎo)體層312、部分的發(fā)光層313及部分的第二半導(dǎo)體層314，以暴露部分的微納米粗化結(jié)構(gòu)層321。在本實施例中，部分的第一半導(dǎo)體層312、部分的發(fā)光層313及部分的第二半導(dǎo)體層314是以例如但不限于干蝕刻的方式來進行移除。接著，步驟S27為分別形成與微納米粗化結(jié)構(gòu)層321電性連接的第一電極33，及形成與第二半導(dǎo)體層314電性連接的第二電極34，以構(gòu)成另一種正面式元件的具有微納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置30。在本實施例中，其步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進行步驟的調(diào)換。[第三實施例]請參照圖7，依據(jù)本發(fā)明第三實施例的一種發(fā)光二極管裝置的制造方法包括步驟S31至步驟S36。以下請同時參照圖8A至圖8E。如圖8A所示，步驟S31與第一實施例的步驟SI I相同，其形成外延疊層41于外延 基板111上。其中，外延疊層41包括第一半導(dǎo)體層412、發(fā)光層413以及第二半導(dǎo)體層414。第一半導(dǎo)體層412形成于外延基板411上,接著在第一半導(dǎo)體層412上形成發(fā)光層413 ;而后在發(fā)光層413上形成第二半導(dǎo)體層414。步驟S32為將電流擴散層42與外延疊層41連接。在本實施例中，電流擴散層42在第二半導(dǎo)體層414上以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝(ΑΑ0)、納米壓印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝(E-beam writer)形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層421，且微納米粗化結(jié)構(gòu)層421具有多個鏤空部H41。其中，在微納米粗化結(jié)構(gòu)層421上及這些鏤空部H41中形成有透明導(dǎo)電層422。如圖8B所示，步驟S33為形成反射層43于電流擴散層42的透明導(dǎo)電層422上。如圖8C所示，步驟S34為通過導(dǎo)熱粘貼層44結(jié)合反射層43與導(dǎo)熱基板45。如圖8D所示，步驟S35為翻轉(zhuǎn)在步驟S34所形成的發(fā)光二極管裝置40，并移除外延基板411。再如圖SE所示，步驟S35為分別形成第一電極46于第一半導(dǎo)體層412上，以及形成第二電極47于導(dǎo)熱基板45相對于導(dǎo)熱粘貼層44的表面，以構(gòu)成一種垂直式兀件的具微納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置40。在本實施例中，其中各層的材料皆與上述實施例所述的材料相同，故在此不再加以贅述。另外，本實施例的步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進行步驟間的調(diào)換。[第四實施例]請參照圖9，依據(jù)本發(fā)明第四實施例的一種發(fā)光二極管裝置50的制造方法包括步驟S41至步驟S47。以下請同時參照圖IOA至圖10F。如圖IOA所示，步驟S41與第一實施例的步驟S 11相同，其形成外延疊層51于外延基板511上。其中，夕卜延疊層51包括第一半導(dǎo)體層512、發(fā)光層513以及第二半導(dǎo)體層514。第一半導(dǎo)體層512形成于外延基板511上,接著在第一半導(dǎo)體層512上形成發(fā)光層513 ;而后在發(fā)光層513上形成第二半導(dǎo)體層514。在本實施例中，電流擴散層52在第二半導(dǎo)體層514上以例如但不限于堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝(ΑΑ0)、納米壓印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝(E-beam writer)形成微納米粗化結(jié)構(gòu)層521,且微納米粗化結(jié)構(gòu)層521具有多個鏤空部H51。其中，在微納米粗化結(jié)構(gòu)層521上及這些鏤空部H51中形成有透明導(dǎo)電層522。
如圖IOB所示，步驟S43為移除部分的透明導(dǎo)電層522、部分的微納米粗化結(jié)構(gòu)層521、部分的第二半導(dǎo)體層514及部分的發(fā)光層513,以暴露部分的第一半導(dǎo)體層512。如圖IOC所示，步驟S44為依序形成反射層53覆蓋透明導(dǎo)電層522、形成第一電極對54分別與反射層53及第二半導(dǎo)體層514電性連接。如圖IOD所示，步驟S45為將外延基板511的厚度減薄，使其形成透光基板58后，形成發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)5。如圖IOE所示，步驟S46為形成第二電極對55于導(dǎo)熱基板56上，翻轉(zhuǎn)在步驟S45所形成的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)5，并將第一電極對54與第二電極對55相對設(shè)置。如圖IOF所示，步驟S47為形成導(dǎo)熱粘貼層57于第一電極對54與第二電極對55之間，以構(gòu)成一種倒裝片式元件的具有微納米結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管裝置50。在本實施例中，其中各層的材料皆與上述實施例所述的材料相同，故在此不再加 以贅述。另外，本實施例的步驟并不僅限于此順序，其可依據(jù)工藝的需要而進行步驟間的調(diào)換。另外，上述實施例的電流擴散層亦可如圖11所示的微納米凹凸結(jié)構(gòu)，其亦由微納米粗化結(jié)構(gòu)層521及透明導(dǎo)電層522所構(gòu)成。綜上所述，本發(fā)明所披露的具微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層、發(fā)光二極管裝置及其制造方法，其利用具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層與反射層、導(dǎo)熱絕緣層或?qū)嵴迟N層的配合應(yīng)用，而在倒裝片式、垂直式或正面發(fā)光二極管裝置上形成具備良好的歐姆接面的電流擴散層，且可使光線通過微納米粗化結(jié)構(gòu)達成良好散射，并據(jù)以達到使電流均勻擴散、減少全反射并增加光取出效率等特性。以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發(fā)明的精神與范疇，而對其進行的等同修改或變更，均應(yīng)包含于所附的權(quán)利要求中。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管裝置，包括 外延疊層，依序具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層；以及電流擴散層，與該外延疊層連結(jié)，該電流擴散層具有微納米粗化結(jié)構(gòu)層及透明導(dǎo)電層，該微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部，該透明導(dǎo)電層覆蓋于該微納米粗化結(jié)構(gòu)層的表面及這些鏤空部。
2.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管裝置，其中該第一半導(dǎo)體層為P型外延層或N型外延層，且該第二半導(dǎo)體層為N型外延層或P型外延層。
3.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中部分的該第一半導(dǎo)體層暴露于該第二半導(dǎo)體層及該發(fā)光層，且該發(fā)光二極管裝置還包括 反射層，與該電流擴散層相對于該第二半導(dǎo)體層的表面連接；以及 第一電極對，分別設(shè)置于該反射層及該第一半導(dǎo)體層。
4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 導(dǎo)熱基板； 第二電極對，分別設(shè)置于該導(dǎo)熱基板上，并與該第一電極對相對而設(shè)；以及 導(dǎo)熱粘貼層，設(shè)置于該第一電極對與該第二電極對之間。
5.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管裝置，還包括外延基板，其設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層相對于該發(fā)光層的表面上且用以承載該外延疊層，該外延基板的厚度在該反射層形成后減薄，使其形成透光基板。
6.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括 導(dǎo)熱基板； 導(dǎo)熱粘貼層，設(shè)置于該導(dǎo)熱基板上； 導(dǎo)熱絕緣層，設(shè)置于該粘貼層上；以及 反射層，設(shè)置于該導(dǎo)熱絕緣層上，并與該電流擴散層相對于該第二半導(dǎo)體層的表面連接。
7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置，其中該導(dǎo)熱絕緣層的材料為熱傳導(dǎo)系數(shù)大于或等于150W/mK(瓦特/米 凱氏溫度)的絕緣材料，如氮化鋁或碳化硅。
8.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置，其中該外延疊層的折射率>該導(dǎo)熱絕緣層的折射率 >空氣的折射率。
9.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管裝置，其還包括第一電極及第二電極，其分別設(shè)置于第一半導(dǎo)體層及該電流擴散層上，且其中部分的該電流擴散層暴露于該外延疊層。
10.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，還包括外延基板、第一電極及第二電極，且該外延疊層的該第一半導(dǎo)體層、該發(fā)光層及該第二半導(dǎo)體層依序形成于該外延基板上，該第一電極與該第二電極分別與部分的該第一半導(dǎo)體層以及部分的該透明導(dǎo)電層電性連接。
11.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，還包括 導(dǎo)熱基板； 導(dǎo)熱粘貼層，設(shè)置于該導(dǎo)熱基板； 反射層，設(shè)置于該導(dǎo)熱粘貼層，并與該電流擴散層相對于該第一半導(dǎo)體的表面連接； 第一電極，設(shè)置于該第一半導(dǎo)體層；以及 第二電極，設(shè)置于該導(dǎo)熱基板相對于該導(dǎo)熱粘貼層的表面。
12.如權(quán)利要求4、6或11所述的發(fā)光二極管裝置，其中該導(dǎo)熱基板的材料選自硅、砷化鎵、磷化鎵、碳化硅、氮化硼、鋁、氮化鋁、銅及其組合所構(gòu)成的組，且該導(dǎo)熱粘貼層的材料選自金、錫膏、錫銀膏、銀膏及其組合所構(gòu)成的組。
13.如權(quán)利要求3、6或11所述的發(fā)光二極管裝置，其中該反射層的材料選自鉬、金、銀、鈀、鎳、鉻、鈦及其組合所構(gòu)成的組，且該反射層為由具有高低折射率的介電質(zhì)薄膜所組成的光學(xué)反射元件、金屬反射層、金屬介電反射層或由微納米球所組成的光學(xué)反射元件。
14.如權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管裝置，其中該電流擴散層的該透明導(dǎo)電層的材料包括銦錫氧化物、摻招氧化鋅或銦鋅氧化物。
15.如權(quán)利要求I所述的發(fā)光二極管裝置，其中該微納米粗化結(jié)構(gòu)層的材料選自三氧化二鋁、氮化硅、二氧化錫、二氧化硅、樹脂、聚碳酸酯及其組合所構(gòu)成的組，且該微納米粗化結(jié)構(gòu)層以堆疊工藝、燒結(jié)工藝、陽極氧化鋁工藝、納米壓印工藝、熱壓工藝、蝕刻工藝或電子束曝光工藝而形成。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管裝置，其包括外延疊層以及電流擴散層。外延疊層依序具有第一半導(dǎo)體層、發(fā)光層及第二半導(dǎo)體層。電流擴散層設(shè)置于外延疊層的第一半導(dǎo)體層上，且電流擴散層具有微納米粗化結(jié)構(gòu)層及透明導(dǎo)電層，其中微納米粗化結(jié)構(gòu)層具有多個鏤空部，而透明導(dǎo)電層覆蓋微納米粗化結(jié)構(gòu)層的表面及這些鏤空部中。另外，本發(fā)明亦披露一種發(fā)光二極管裝置的制造方法以及一種具有微納米結(jié)構(gòu)的電流擴散層。
文檔編號H01L33/14GK102820396SQ20121029969
公開日2012年12月12日 申請日期2007年6月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月5日
發(fā)明者王宏洲, 薛清全, 陳世鵬, 陳朝旻, 陳煌坤 申請人:臺達電子工業(yè)股份有限公司