專利名稱：四方扁平無引腳的功率mosfet封裝體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及MOSFET芯片技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及ー種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體。
背景技術(shù)：
隨著電子制造技術(shù)的快速發(fā)展，消費電子產(chǎn)品越來越向小型、便攜的趨勢發(fā)展，這也導(dǎo)致了這些電子產(chǎn)品的內(nèi)部能夠用于布置電學(xué)元件的空間變得越來越有限。在此情況下，采用的電學(xué)元件勢必越薄越好，這也成為了目前電子元件制造也的發(fā)展趨勢。四方扁平無引腳封裝(DFN)エ藝恰好可以滿足這ー需求。附圖I所示是現(xiàn)有技術(shù)中ー種典型的DFN封裝結(jié)構(gòu)的剖面示意圖，包括芯片900，散熱片920、引線框架930、多個導(dǎo)線940，以及包裹上述結(jié)構(gòu)的絕緣膠950。芯片900粘附在散熱片920上，引線框架930具有多個相互絕緣的管腳，芯片900表面的焊盤通過導(dǎo)線940 連接在引線框架93。相應(yīng)的管腳上。絕緣膠950將上述結(jié)構(gòu)全部包裹起來，以將其同外界隔離，僅將引線框架930的各個管腳和散熱片920與芯片900相対的表面暴露在空氣中。引線框架930暴露出來的管腳用于實現(xiàn)被封裝的芯片900同外界的電學(xué)連接，而散熱片920暴露出來的作用在于將芯片900工作時產(chǎn)生的熱量通過暴露的表面散發(fā)到環(huán)境中去。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供ー種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，此功率MOSFET封裝體有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時也減少熱量的產(chǎn)生。為達到上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是ー種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，包括MOSFET芯片、環(huán)氧樹脂層，所述MOSFET芯片上表面設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏扱，其特征在于還包括導(dǎo)電基盤、第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤，所述導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的漏極引腳組成，此漏極引腳一端與散熱區(qū)端面電連接，所述散熱區(qū)位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于MOSFET芯片另ー側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有ー折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)；一鋁導(dǎo)體帶跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，所述鋁導(dǎo)體帶與MOSFET芯片的源極的焊接條至少為2條且相間排列；一金屬線跨接于所述MOSFET芯片的柵極與第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間；所述軟焊料層由以下質(zhì)量百分含量的組分組成鉛92. 5%，錫5%，銀2. 5%。上述技術(shù)方案中進ー步改進的方案如下
I、上述方案中，所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤各自的焊接區(qū)與MOSFET芯片位于同一水平面。2、上述方案中，所述鋁導(dǎo)體帶寬厚比為I :10 15。3、上述方案中，所述至少2條焊接條的排列方式為平行設(shè)置。
4、上述方案中，所述第一導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組 成。5、上述方案中，所述第二導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。6、上述方案中，所述漏極引腳的數(shù)目為四根。由于上述技術(shù)方案運用，本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有下列優(yōu)點和效果
I、本發(fā)明封裝體中導(dǎo)電基盤，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，既有利于進ー步縮小器件的體積，也減少器件中部件的數(shù)目，同時由于散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)為ー個整體，提高了電性能的穩(wěn)定性。2、本發(fā)明封裝體中導(dǎo)電基盤，其同時兼?zhèn)淞爽F(xiàn)有技術(shù)中導(dǎo)電焊盤、散熱片和基島三個部件功能，所述散熱區(qū)位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過軟焊料層電連接且所述軟焊料層由以下質(zhì)量百分含量的組分組成鉛92. 5%，錫5%，銀2. 5%，進·ー步提高了導(dǎo)電基盤的散熱性能。3、本發(fā)明封裝體中焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有ー折彎部，從而使得焊接區(qū)高于引腳區(qū)，并保證了第一、第二導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)與MOSFET芯片的柵極在同一水平面，從而有效避免了由于連接?xùn)艠O的第二金屬線較細在使用中容易斷的技術(shù)缺陷，從而延長了產(chǎn)品的使用壽命并提高了可靠性。4、本發(fā)明此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的漏極引腳組成，第一導(dǎo)電焊盤的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成，充分考慮到MOSFET芯片漏極和源極相對柵極電流大的差異，從而有利于減少熱量的廣生，并進一步提聞了電性能指標(biāo)。5、本發(fā)明所述MOSFET芯片的源極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間跨接有鋁導(dǎo)體帶，且所述鋁導(dǎo)體帶與MOSFET芯片的源極的焊接條至少為2條且相間排列，這種結(jié)構(gòu)設(shè)計從而有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時也減少熱量的產(chǎn)生。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)結(jié)構(gòu)示意 圖2為本發(fā)明功率MOSFET封裝體結(jié)構(gòu)示意 圖3為附圖2中沿A-A線的剖視圖。
以上附圖中I、MOSFET芯片；2、環(huán)氧樹脂層；3、導(dǎo)電基盤；31、散熱區(qū)；32、基盤引腳區(qū)；321、漏極引腳；4、第一導(dǎo)電焊盤；5、第二導(dǎo)電焊盤；6、軟焊料層；7、焊接區(qū)；8、引腳區(qū)；
9、折彎部；10、鋁導(dǎo)體帶；11、金屬線；12、焊接條。
具體實施例方式下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作進ー步描述
實施例I :ー種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，包括MOSFET芯片I、環(huán)氧樹脂層2，所述MOSFET芯片上表面I設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，還包括導(dǎo)電基盤3、第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5，所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的漏極引腳321組成，此漏極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于MOSFET芯片I正下方且與MOSFET芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5位于MOSFET芯片I另ー側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5均包括焊接區(qū)7和引腳區(qū)8，焊接區(qū)7與引腳區(qū)8的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳區(qū)8 ;ー鋁導(dǎo)體帶10跨接于所述MOSFET芯片I的源極與第一導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間，所述鋁導(dǎo)體帶10與MOSFET芯片I的源極的焊接條12至少為2條且相間排列；一金屬線11跨接于所述MOSFET芯片I的柵極與第二導(dǎo)電焊盤5的焊接區(qū)7之間；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92. 5%，錫5%，銀
2.5%。上述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5各自的焊接區(qū)7與MOSFET芯片位于同一水平面。上述漏極引腳321的數(shù)目為四根。實施例2 :—種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，包括MOSFET芯片I、環(huán)氧樹脂層2，所述MOSFET芯片上表面I設(shè)有源極和柵扱，下表面設(shè)有漏扱，還包括導(dǎo)電基盤3、第ー導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5，所述導(dǎo)電基盤3由散熱區(qū)31和基盤引腳區(qū)32組成，此基 盤引腳區(qū)32由若干個相間排列的漏極引腳321組成，此漏極引腳321 —端與散熱區(qū)31端面電連接，所述散熱區(qū)31位于MOSFET芯片I正下方且與MOSFET芯片I下表面之間通過軟焊料層6電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5位于MOSFET芯片I另ー側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤4和第二導(dǎo)電焊盤5均包括焊接區(qū)7和引腳區(qū)8，焊接區(qū)7與引腳區(qū)8的連接處具有一折彎部9，從而使得焊接區(qū)7高于引腳區(qū)8 ;ー鋁導(dǎo)體帶10跨接于所述MOSFET芯片I的源極與第一導(dǎo)電焊盤4的焊接區(qū)7之間，所述鋁導(dǎo)體帶10與MOSFET芯片I的源極的焊接條12至少為2條且相間排列；一金屬線11跨接于所述MOSFET芯片I的柵極與第二導(dǎo)電焊盤5的焊接區(qū)7之間；所述軟焊料層6由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92. 5%，錫5%,銀 2. 5%o上述鋁導(dǎo)體帶10寬厚比為I :10 15。上述至少2條焊接條12的排列方式為平行設(shè)置。上述第一導(dǎo)電焊盤4的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。上述第二導(dǎo)電焊盤5的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思及特點，其目的在于讓熟悉此項技術(shù)的人士能夠了解本發(fā)明的內(nèi)容并據(jù)以實施，并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據(jù)本發(fā)明精神實質(zhì)所作的等效變化或修飾，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，包括MOSFET芯片(I)、環(huán)氧樹脂層(2)，所述MOSFET芯片上表面(I)設(shè)有源極和柵極，下表面設(shè)有漏極，其特征在于還包括導(dǎo)電基盤(3)、第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)，所述導(dǎo)電基盤(3)由散熱區(qū)(31)和基盤引腳區(qū)(32)組成，此基盤引腳區(qū)(32)由若干個相間排列的漏極引腳(321)組成，此漏極引腳(321) —端與散熱區(qū)(31)端面電連接，所述散熱區(qū)(31)位于MOSFET芯片(I)正下方且與MOSFET芯片(I)下表面之間通過軟焊料層(6)電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)位于MOSFET芯片(I)另ー側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)均包括焊接區(qū)(7)和引腳區(qū)(8)，焊接區(qū)(7)與引腳區(qū)(8)的連接處具有一折彎部(9)，從而使得焊接區(qū)(7)高于引腳區(qū)(8);—鋁導(dǎo)體帶(10)跨接于所述MOSFET芯片(I)的源極與第一導(dǎo)電焊盤(4)的焊接區(qū)(7)之間，所述鋁導(dǎo)體帶(10)與MOSFET芯片(I)的源極的焊接條(12)至少為2條且相間排列；一金屬線(11)跨接于所述MOSFET芯片(I)的柵極與第二導(dǎo)電焊盤(5)的焊接區(qū)(7)之間；所述軟焊料層(6)由以下質(zhì)量百分含量的組分組成 鉛92. 5%，錫5%，銀2. 5%。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述第一導(dǎo)電焊盤(4)和第二導(dǎo)電焊盤(5)各自的焊接區(qū)(7)與MOSFET芯片位于同一水平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述鋁導(dǎo)體帶(10)寬厚比為 1:10 15。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述至少2條焊接條(12)的排列方式為平行設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述第一導(dǎo)電焊盤(4)的引腳區(qū)由至少四根源極引腳組成。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述第二導(dǎo)電焊盤(5)的引腳區(qū)由一根柵極引腳組成。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的功率MOSFET封裝體，其特征在于所述漏極引腳(321)的數(shù)目為四根。
全文摘要
本發(fā)明公開一種四方扁平無引腳的功率MOSFET封裝體，其導(dǎo)電基盤由散熱區(qū)和基盤引腳區(qū)組成，此基盤引腳區(qū)由若干個相間排列的漏極引腳組成，所述散熱區(qū)位于MOSFET芯片正下方且與MOSFET芯片下表面之間通過軟焊料層電連接；所述第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤位于MOSFET芯片另一側(cè)，第一導(dǎo)電焊盤和第二導(dǎo)電焊盤均包括焊接區(qū)和引腳區(qū)，焊接區(qū)與引腳區(qū)的連接處具有一折彎部；一鋁導(dǎo)體帶跨接于所述MOSFET芯片的源極與第一導(dǎo)電焊盤的焊接區(qū)之間，所述鋁導(dǎo)體帶與MOSFET芯片的源極的焊接條至少為2條且相間排列；所述軟焊料層由以下質(zhì)量百分含量的組分組成鉛92.5%，錫5%，銀2.5%。本發(fā)明功率MOSFET封裝體有利于減少歐姆接觸電阻，提高了電性能指標(biāo)，同時也減少熱量的產(chǎn)生。
文檔編號H01L23/488GK102842549SQ20121030240
公開日2012年12月26日 申請日期2012年8月23日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月23日
發(fā)明者胡乃仁, 楊小平, 李國發(fā), 鐘利強 申請人:蘇州固锝電子股份有限公司