專利名稱：一種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于太陽(yáng)能電池技術(shù)領(lǐng)域，具體為ー種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法。
背景技術(shù)：
光伏技術(shù)是ー門(mén)利用大面積的p-n結(jié)ニ極管將太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為電能的技木。這個(gè)p-n結(jié)ニ極管叫做太陽(yáng)能電池。制作太陽(yáng)能電池的半導(dǎo)體材料都具有一定的禁帶寬度，當(dāng)太陽(yáng)能電池受到太陽(yáng)輻射時(shí)，能量超過(guò)禁帶寬度的光子在太陽(yáng)電池中產(chǎn)生電子空穴對(duì)，P-n結(jié)非対稱性將電子空穴對(duì)分離，并決定了不同類型的光生載流子的流動(dòng)方向。當(dāng)太陽(yáng)能電池通過(guò)與外部電路連接，即可以向外輸出功率。通常來(lái)說(shuō)，太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率與少數(shù)載流子的壽命直接相關(guān)，必須盡可能 提高少數(shù)載流子的壽命，増加少數(shù)載流子的擴(kuò)散長(zhǎng)度。對(duì)于太陽(yáng)能級(jí)硅片，特別是多晶硅片，硅基體中存在較多的銅、鐵、鎳、錳、鈦等金屬雜質(zhì)。由于這些金屬雜質(zhì)會(huì)在禁帶中形成ー些深能級(jí)，成為光生少數(shù)載流子的復(fù)合中心，嚴(yán)重影響載流子的輸運(yùn)過(guò)程，導(dǎo)致電池的效率降低。因此，利用吸雜技術(shù)降低金屬雜質(zhì)在硅片中的含量對(duì)于硅電池性能的提高起著關(guān)鍵的作用。吸雜技術(shù)是指將硅片體內(nèi)的金屬雜質(zhì)和缺陷移動(dòng)到磷重?cái)U(kuò)散區(qū)域，然后將重磷擴(kuò)散區(qū)域去除的ー種方法。為實(shí)現(xiàn)對(duì)娃片具有良好的吸雜效果，V. Kveder, et al, (Simulation of Aland Phosphorus Diffusion Gettering in Si, Materials Science and EngineeringB,2000, 175-181)和M. Seibt, et al, (Interaction of Metal Impurities with ExtendedDefects in Crystalline Silicon and Its Implications for Gettering TechniquesUsed in Photovoltaics, Materials Science and Engineering B 2009, 264-268)等人從吸雜原理方面進(jìn)行研究，講述了溫度對(duì)吸雜的重要作用。與太陽(yáng)電池生產(chǎn)エ藝前后銜接不上，完全不能用于大規(guī)模太陽(yáng)能電池生產(chǎn)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，該方法可提高光生載流子的有效壽命，増加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，能夠完全與現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)エ藝相兼容，可以直接應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)。本發(fā)明的上述技術(shù)問(wèn)題可以通過(guò)如下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)一種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，采用磷源對(duì)去除表面損傷層的晶體硅基體進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜，將重磷擴(kuò)散吸雜處理后的晶體硅基體去除磷擴(kuò)散層并進(jìn)行后續(xù)エ序即可，其中重磷擴(kuò)散吸雜包括磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程以及磷吸雜的ニ段降溫過(guò)程，磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程時(shí)恒溫區(qū)的溫度為800°C、50°C，時(shí)間為3(T50min，磷吸雜的ニ段降溫過(guò)程中，第一段的溫度范圍為95(T800°C，降溫速率為2 10°C /min，處理時(shí)間為5 30min，第二段的溫度范圍為800 700で，降溫速率為2 10°C /min，處理時(shí)間為30 90min。
本發(fā)明的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，主要包括去除原始硅片損傷層、重磷吸雜和去除磷擴(kuò)層三歩，該吸雜方法可提高光生載流子的有效壽命，増加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，直接應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的生產(chǎn)。本發(fā)明提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法利用金屬雜質(zhì)在不同費(fèi)米能級(jí)的區(qū)域具有不同固溶度的特點(diǎn)，以及金屬雜質(zhì)的固溶度與溫度的關(guān)系，通過(guò)重磷吸雜有效改善硅片的載流子有效壽命，將硅片體內(nèi)的金屬雜質(zhì)移動(dòng)到缺陷、空位和固溶度高的重磷擴(kuò)散區(qū)域，然后將重磷擴(kuò)散區(qū)域去除的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)。同時(shí)，本發(fā)明還強(qiáng)調(diào)了吸雜前損傷層去除對(duì)吸雜效果的必要性。改善不同的腐蝕深度對(duì)吸雜的效果帶來(lái)不同的影響，通過(guò)腐蝕深度的合理控制來(lái)增強(qiáng)吸雜效果，提高太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率。本發(fā)明重磷擴(kuò)散時(shí)，采用的磷源優(yōu)選為三氯氧磷、三溴化磷或五氧化ニ磷。
本發(fā)明經(jīng)重磷擴(kuò)散后晶體硅基體的方塊電阻優(yōu)選為1(Γ50Ω/ ロ。除了吸雜本身的エ藝外，吸雜前硅片的損傷層去除也是非常關(guān)鍵的。因此，對(duì)原始硅片的損傷層進(jìn)行有效的去除和表面清洗能夠改善吸雜エ藝的效果，井能提高硅片的載流子的有效壽命。本發(fā)明采用磷源對(duì)去除表面損傷層的晶體硅基體進(jìn)行重磷擴(kuò)散時(shí)，去除表面損傷層時(shí)采用預(yù)清洗的方式，本發(fā)明對(duì)晶體硅片進(jìn)行預(yù)清洗時(shí)采用的試劑為氫氟酸、過(guò)氧化氫、鹽酸或硫酸，其中氫氟酸的質(zhì)量百分含量為1(Γ40%，過(guò)氧化氫的質(zhì)量百分含量為1(Γ40%，鹽酸的質(zhì)量百分含量為10 40%，硫酸的質(zhì)量百分含量為10 40%，清洗時(shí)間為O. 5飛O分鐘，溫度為5 90°C。本發(fā)明將重磷擴(kuò)散吸雜處理后的晶體硅基體還需要進(jìn)行去除磷擴(kuò)散層，即對(duì)二次降溫處理后的晶體硅基體去除磷擴(kuò)散層時(shí)，采用化學(xué)溶液腐蝕的方法，化學(xué)溶液為為HNO3和HF的混合水溶液，其中HNO3的質(zhì)量百分含量為1(T40%，HF的質(zhì)量百分含量為10 40%，化學(xué)拋光時(shí)的溫度為5 60°C,腐蝕時(shí)間為5 60min。本發(fā)明中的后續(xù)エ序可以是磷擴(kuò)散形成p-n結(jié)、化學(xué)刻蝕在硅片背面形成拋光面、PECVD沉積氮化硅、絲網(wǎng)印刷接觸電極、金屬化燒結(jié)等制備太陽(yáng)電池的常用エ序。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是(I)本發(fā)明中的吸雜方法可提高光生載流子的有效壽命，増加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，可以直接應(yīng)用到晶體硅太陽(yáng)能電池的制作エ藝中；(2)本發(fā)明通過(guò)重磷摻雜的方式將硅片體內(nèi)的金屬雜質(zhì)和缺陷移動(dòng)到位錯(cuò)、空位和固溶度高的重磷擴(kuò)散區(qū)域以提高少數(shù)載流子壽命，改進(jìn)晶體硅太陽(yáng)能電池的光電轉(zhuǎn)化性倉(cāng)泛;(3)本發(fā)明中采用的以重磷擴(kuò)散來(lái)吸收雜質(zhì)的方式以及采用的變溫范圍及降溫速率，對(duì)設(shè)備的要求比較低，エ藝窗ロ較寬，可行性強(qiáng)，利于大規(guī)模生產(chǎn)。
具體實(shí)施例方式圖I是實(shí)施例1-3中的太陽(yáng)電池的制備流程圖；圖2是實(shí)施例I中的高溫吸雜應(yīng)用于P型多晶硅片少子壽命的測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比；圖3是實(shí)施例I中的高溫吸雜應(yīng)用于P型多晶體硅太陽(yáng)能電池的I-V測(cè)試數(shù)據(jù)對(duì)比。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I(I)選取電阻率為0.5飛Ω ·_的P型多晶硅片，采用的是化學(xué)溶液對(duì)硅片進(jìn)行吸雜前預(yù)清洗去除硅片表面的損傷層，化學(xué)溶液為氫氟酸，氫氟酸的質(zhì)量百分含量10%，清洗時(shí)間為O. 5^60分鐘,溫度為5 90°C,去除后娃片的減重范圍為0. lg"O. 5g。(2)重磷擴(kuò)散吸雜采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜，分為ニ個(gè)過(guò)程，一是磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，ニ是磷吸雜的變溫過(guò)程；磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，恒溫區(qū)溫度850°C，擴(kuò)散時(shí)間為50分鐘，擴(kuò)散方阻控制在40 Ω / ロ ；磷吸雜變溫(降溫)吸雜過(guò)程，變溫處理時(shí)第一階段的溫度范圍為810°C，處理時(shí)間為5min，變溫處理時(shí)第二階段的溫度范圍為700°C，處 理時(shí)間為60min，降溫速率均為8°C /min。(3)去除磷擴(kuò)層采用化學(xué)溶液腐蝕方法，將位于硅片表面上的磷擴(kuò)散層去除，化學(xué)溶液可以為HN03、HF的混合水溶液，HNO3濃度為10%(重量百分比)，HF濃度為40%(重量百分比)，溫度為5°C ;同時(shí)通過(guò)化學(xué)腐蝕使得表面織構(gòu)化，將硅片表面制成絨面結(jié)構(gòu)。(4)磷擴(kuò)散形成p-n結(jié)采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，使恒溫區(qū)溫度為800 900で，擴(kuò)散時(shí)間為30 90分鐘，擴(kuò)散方阻控制在40 80 Ω / □;本實(shí)施例中恒溫區(qū)溫度為830°C，擴(kuò)散時(shí)間為70分鐘，擴(kuò)散方阻控制在60 Ω / ロ。(5)化學(xué)刻蝕在硅片背面形成拋光面進(jìn)行硅片背面單面刻蝕，硅片非絨面在溫度為5(T90°C，濃度為1(Γ40%的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行反應(yīng)。通過(guò)調(diào)整反應(yīng)時(shí)間控制硅片減薄厚度。刻蝕拋光后的硅片在去離子水中漂洗干凈，烘干；本實(shí)施例中溫度選擇為60°C，氫氧化鉀溶液的質(zhì)量濃度為20%。(6) PECVD沉積氮化硅在PECVD設(shè)備中，沉積正面(制絨面)氮化硅形成鈍化減反射層。氮化硅的折射率控制在2.0，膜厚約為8011111;(7)絲網(wǎng)印刷接觸電極絲網(wǎng)印刷采用常規(guī)生產(chǎn)エ藝、設(shè)備，按照順序印刷背面金屬漿料、正面金屬漿料，其具體做法為在硅片背面(拋光面)印刷鋁漿(Al)，形成基極接觸電極，在硅片的正面印刷銀漿(Ag)形成接觸柵線形成發(fā)射極接觸電極；(8)金屬化燒結(jié)在鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中一次燒結(jié)，完成電池金屬化，優(yōu)化燒結(jié)溫度為600-900°C，本實(shí)施例中選用750°C。從圖2中可以看出，以不經(jīng)過(guò)吸雜處理的電池片為對(duì)照發(fā)現(xiàn)，多晶硅片吸雜前少子壽命測(cè)量平均值為48. 15us (圖2中a圖所示)；多晶硅片吸雜后少子壽命測(cè)量平均值改善到113. 96us(圖2中b圖所示).從圖3中可以看出，以不經(jīng)過(guò)吸雜處理的電池片為對(duì)照發(fā)現(xiàn)，未吸雜多晶電池片的效率為16. 6%，吸雜多晶電池片的效率可提高到17. 5%。
實(shí)施例2(I)選取電阻率為0.5飛Ω ·_的P型單晶硅片，采用的是化學(xué)溶液對(duì)硅片進(jìn)行吸雜前預(yù)清洗去除硅片表面的損傷層，化學(xué)溶液為氫氟酸，氫氟酸的質(zhì)量百分含量40%，清洗時(shí)間為O. 5^60分鐘,溫度為5 90°C,去除后娃片的減重范圍為0. lg"O. 5g。(2)重磷擴(kuò)散吸雜采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜，分為ニ個(gè)過(guò)程，一是磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，ニ是磷吸雜的變溫過(guò)程。磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，恒溫區(qū)溫度900°C，擴(kuò)散時(shí)間為30分鐘，擴(kuò)散方阻控制在30 Ω / ロ ；磷吸雜變溫過(guò)程，變溫處理時(shí)第一階段的溫度范圍為850°C，處理時(shí)間為lOmin，變溫處理時(shí)第二階段的溫度范圍為700°C，處理時(shí)間為80min ；降溫速率均為6°C /min。(3)去除磷擴(kuò)層 采用化學(xué)溶液腐蝕方法，將位于硅片表面上的磷擴(kuò)散層去除，化學(xué)溶液可以為NaOH水溶液，NaOH的質(zhì)量濃度為40%(重量百分比)，溫度為室溫，同時(shí)通過(guò)化學(xué)腐蝕使得表面織構(gòu)化，將硅片表面制成絨面結(jié)構(gòu)。(4)磷擴(kuò)散形成p-n結(jié)采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，使恒溫區(qū)溫度為800 900で，擴(kuò)散時(shí)間為30 90分鐘，擴(kuò)散方阻控制在40 80 Ω / □;本實(shí)施例中恒溫區(qū)溫度為850°C，擴(kuò)散時(shí)間為60分鐘，擴(kuò)散方阻控制在70Ω / ロ。(5)化學(xué)刻蝕在硅片背面形成拋光面進(jìn)行硅片背面單面刻蝕，硅片非絨面在溫度為5(T90°C，濃度為1(Γ40%的氫氧化鉀溶液中進(jìn)行反應(yīng)，通過(guò)調(diào)整反應(yīng)時(shí)間控制硅片減薄厚度，刻蝕拋光后的硅片在去離子水中漂洗干凈，烘干；本實(shí)施例中溫度選擇為60°C，氫氧化鉀溶液的質(zhì)量濃度為20%。(6) PECVD沉積氮化硅在PECVD設(shè)備中，沉積正面(制絨面)氮化硅形成鈍化減反射層，氮化硅的折射率控制在2. O，膜厚約為70nm;(7)絲網(wǎng)印刷接觸電極絲網(wǎng)印刷采用常規(guī)生產(chǎn)エ藝、設(shè)備，按照順序印刷背面金屬漿料、正面金屬漿料，其具體做法為在硅片背面(拋光面)印刷鋁漿(Al)，形成基極接觸電極，在硅片的正面印刷銀漿(Ag)形成接觸柵線形成發(fā)射極接觸電極；(8)金屬化燒結(jié)在鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中一次燒結(jié)，完成電池金屬化，優(yōu)化燒結(jié)溫度為60(T90(TC，本實(shí)施例中選用730°C。實(shí)施例3(I)選取電阻率為O. 5飛Ω · cm的η型單晶硅片，采用的是化學(xué)溶液對(duì)硅片進(jìn)行吸雜前預(yù)清洗去除硅片表面的損傷層，化學(xué)溶液為過(guò)氧化氫水溶液，過(guò)氧化氫水溶液的質(zhì)量百分含量20%,清洗時(shí)間為O. 5飛O分鐘，溫度為5 90 V，去除后硅片的減重范圍為O. Ig O. 5g。(2)重磷擴(kuò)散吸雜采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜，分為ニ個(gè)過(guò)程，一是磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，ニ是磷吸雜的變溫過(guò)程，磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程，恒溫區(qū)溫度950°C，擴(kuò)散時(shí)間為30分鐘，擴(kuò)散方阻控制在20 Ω / ロ，磷吸雜變溫過(guò)程，變溫處理時(shí)第一階段的溫度范圍為850°C，處理時(shí)間為15min，變溫處理時(shí)第二階段的溫度范圍為700°C，處理時(shí)間為90min，降溫速率均為2V /min。(3)去除磷擴(kuò)層采用化學(xué)溶液腐蝕方法，將位于硅片表面上的磷擴(kuò)散層去除，化學(xué)溶液可以為NaOH水溶液，NaOH濃度為10 40% (重量百分比)，溫度為室溫，同時(shí)通過(guò)化學(xué)腐蝕使得表面織構(gòu)化，將硅片表面制成絨面結(jié)構(gòu)。(4)硼擴(kuò)散形成p-n結(jié)采用三溴化硼液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，使恒溫區(qū)溫度為900^1 IOO0C，擴(kuò)散時(shí)間為3(Γ90分鐘，擴(kuò)散方阻控制在40 80 Ω / ロ ；本實(shí)施例中恒溫區(qū)溫度 為1000°C，擴(kuò)散時(shí)間為60分鐘，擴(kuò)散方阻控制在70Ω / ロ。(5) PECVD沉積氧化娃形成掩膜層在PECVD設(shè)備中，采用笑氣(N2O)沉積正面(制絨面)氧化硅形成掩膜層。膜厚約為 120nm ；(6)磷擴(kuò)散背面形成η+層采用三氯氧磷液態(tài)源，在エ業(yè)用管式擴(kuò)散爐中進(jìn)行擴(kuò)散，使恒溫區(qū)溫度為800 900で，擴(kuò)散時(shí)間為30 90分鐘，擴(kuò)散方阻控制在40 80 Ω / □;本實(shí)施例中恒溫區(qū)溫度為850°C，擴(kuò)散時(shí)間為80分鐘，擴(kuò)散方阻控制在50Ω / ロ。(7)去除掩膜層進(jìn)行正面掩膜層的去除，采用化學(xué)溶液腐蝕的方法，化學(xué)溶液為采用的試劑為HF的水溶液，HF的質(zhì)量百分含量為10 40%，溫度為常溫，腐蝕時(shí)間為5飛Omin，本實(shí)施例中溫度選擇為常溫，HF溶液的質(zhì)量濃度為20%。(8)干法刻蝕采用エ業(yè)用的等離子刻蝕設(shè)備，射頻功率為10(Tl200W，輝光時(shí)間為10(T3000s本實(shí)施例中射頻功率選擇為550W，輝光時(shí)間為1900s。(9) PECVD沉積氮化硅在PECVD設(shè)備中，沉積正面(制絨面)和背面氮化硅形成鈍化減反射層。氮化硅的折射率控制在2. O，膜厚約為70nm ；(10)絲網(wǎng)印刷接觸電極絲網(wǎng)印刷采用常規(guī)生產(chǎn)エ藝、設(shè)備，按照順序印刷背面金屬漿料、正面金屬漿料，其具體做法為在硅片背面印刷銀漿(Ag)，形成基極接觸電極，在硅片的正面印刷銀鋁漿(AgAl)形成接觸柵線形成發(fā)射極接觸電極；(11)金屬化燒結(jié)在鏈?zhǔn)綗Y(jié)爐中一次燒結(jié)，完成電池金屬化，優(yōu)化燒結(jié)溫度為60(T90(TC，本實(shí)施例中選用730°C。以上列舉具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。需要指出的是，以上實(shí)施例只用于對(duì)本發(fā)明作進(jìn)ー步說(shuō)明，不代表本發(fā)明的保護(hù)范圍，其他人根據(jù)本發(fā)明的提示做出的非本質(zhì)的修改和調(diào)整，仍屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是采用磷源對(duì)去除表面損傷層的晶體硅基體進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜，將重磷擴(kuò)散吸雜處理后的晶體硅基體去除磷擴(kuò)散層并進(jìn)行后續(xù)工序即可，其中重磷擴(kuò)散吸雜包括磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程以及磷吸雜的二段降溫過(guò)程，磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程時(shí)恒溫區(qū)的溫度為800°c 950°C，時(shí)間為3(T50min，磷吸雜的二段降溫過(guò)程中，第一段的溫度范圍為95(T800°C，降溫速率為2 10°C /min，處理時(shí)間為5 30min，第二段的溫度范圍為80(T70(TC，降溫速率為2 10°C /min，處理時(shí)間為3(T90min。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是所述磷源為三氯氧磷、三溴化磷或五氧化二磷。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是重磷擴(kuò)散后晶體娃基體的方塊電阻為10 50 Ω / □。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是采用預(yù)清洗的方式去除晶體硅基體表面的損傷層，預(yù)清洗時(shí)采用的試劑為氫氟酸、過(guò)氧化氫、鹽酸或硫fe。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是所述試劑的質(zhì)量百分含量為10 40%，清洗時(shí)間為O. 5 60分鐘，溫度為5 90°C。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，其特征是去除磷擴(kuò)散層時(shí)采用化學(xué)溶液腐蝕的方法，化學(xué)溶液為HNO3和HF的混合水溶液，其中HNO3的質(zhì)量百分含量為10 40%，HF的質(zhì)量百分含量為10 40%，化學(xué)拋光時(shí)的溫度為5飛(TC，腐蝕時(shí)間為5 60mino
全文摘要
一種提高晶體硅基體有效壽命的吸雜方法，采用磷源對(duì)去除表面損傷層的晶體硅基體進(jìn)行重磷擴(kuò)散吸雜后，將磷吸雜后的晶體硅基體去除磷擴(kuò)散層并進(jìn)行后續(xù)工序即可，重磷擴(kuò)散吸雜包括磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程以及磷吸雜的二段降溫過(guò)程，磷擴(kuò)散恒溫過(guò)程時(shí)恒溫區(qū)的溫度為800℃~950℃，時(shí)間為30~50min，磷吸雜的二段降溫過(guò)程中，第一段的溫度范圍為950~800℃，處理時(shí)間為5~30min，第二段的溫度范圍為800~700℃，處理時(shí)間為30~90min，降溫速率均為2~10℃/min，該方法可提高光生載流子的有效壽命，增加太陽(yáng)能電池光電轉(zhuǎn)化效率，能完全與現(xiàn)有的太陽(yáng)能電池生產(chǎn)工藝相兼容，可直接應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的大規(guī)模生產(chǎn)。
文檔編號(hào)H01L31/18GK102820378SQ20121030789
公開(kāi)日2012年12月12日 申請(qǐng)日期2012年8月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年8月27日
發(fā)明者于海斌, 王俊, 延剛, 單偉, 張紅玲 申請(qǐng)人:晶澳(揚(yáng)州)太陽(yáng)能科技有限公司