一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件及其制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種新型的可提高發(fā)光效率的GaN基綠光發(fā)光二極管器件及其制作方法，該器件結(jié)構(gòu)包括：依次層疊的大傾角襯底、第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層。本發(fā)明所述新型GaN基綠光發(fā)光二極管器件通過采用沿著與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°傾角的方向上進(jìn)行外延生長(zhǎng)的方法制作而成。本發(fā)明制作的GaN基綠光發(fā)光二極管具有更高的發(fā)光效率和更好的反向電流電壓特性，并且制備方法簡(jiǎn)單，工藝過程易控制，適合量產(chǎn)，對(duì)生長(zhǎng)設(shè)備和工藝條件無特殊要求。
【專利說明】一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件及其制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】:
[0001]本發(fā)明屬于發(fā)光二極管領(lǐng)域，具體涉及一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件及其制作方法。
【背景技術(shù)】
[0002]當(dāng)前，在全球氣候變暖問題日趨嚴(yán)峻的背景下，節(jié)約能源、減少溫室氣體排放成為全球共同面對(duì)的重要問題。以低能耗、低污染、低排放為基礎(chǔ)的低碳經(jīng)濟(jì)，將成為經(jīng)濟(jì)發(fā)展的重要方向。當(dāng)前II1-V族氮化物L(fēng)ED具有節(jié)能、環(huán)保，以及光源壽命長(zhǎng)、體積小等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用到通用照明和顯示領(lǐng)域。大部分的戶外商業(yè)顯示產(chǎn)品是通過紅綠藍(lán)三色LED來實(shí)現(xiàn)全彩效果。隨著技術(shù)的進(jìn)步，紅光和藍(lán)光的外量子效率分別達(dá)到了 50%和60%以上，而綠光只能到30%左右。這一點(diǎn)決定了綠光LED目前成為L(zhǎng)ED應(yīng)用尤其是在顯示領(lǐng)域的瓶頸。因此，綠光LED外延和芯片的研究獲得了人們的廣泛關(guān)注。雖同為氮化鎵類材料，高銦組分的綠光LED比藍(lán)光LED的多量子阱的InGaN/GaN晶格失配造成的形變更嚴(yán)重，制作難度更大。不穩(wěn)定的多量子阱結(jié)構(gòu)在生長(zhǎng)過程中容易造成應(yīng)力釋放形成更多的漏電缺陷導(dǎo)致發(fā)光效率下降和反向漏電。綠光多量子阱結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性與所采用的器件結(jié)構(gòu)和制作方法有很大關(guān)系。
[0003]目前氮化鎵基發(fā)光二極管的常規(guī)結(jié)構(gòu)如圖1所示:包括襯底4、第一種N型半導(dǎo)體層1，控制發(fā)光波長(zhǎng)的多量子阱層2，第二種P型半導(dǎo)體層3。多量子阱結(jié)構(gòu)為InGaN/G aN的多周期循環(huán)結(jié)構(gòu)，其中襯底為小傾角襯底，S卩外延生長(zhǎng)方向與C面的法線方向傾斜0-0.25。。
[0004]對(duì)于常規(guī)結(jié)構(gòu)的綠光LED來說，小傾角的生長(zhǎng)方式造成多量子結(jié)構(gòu)具有更強(qiáng)的壓應(yīng)變作用。直接的后果是多量子阱結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定，通過應(yīng)力弛豫形成更多的漏電或載流子泄露途徑，從而影響發(fā)光效率和反向電流電壓特性。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件及其制作方法，既能夠提高器件的發(fā)光效率和反向電流電壓性能。
[0006]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是:提供一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)，其中包括依次層疊的大傾角襯底、第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層，所述大傾角襯底為襯底生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜一定角度，所述傾角為0.25-0.55°。
[0007]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:襯底可以是藍(lán)寶石，碳化硅，或硅。
[0008]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述襯底可以是平面襯底，或圖形化襯底。
[0009]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述圖形化襯底的圖形的剖面圖為半球形、蒙古包形、圓柱形、金字塔形、三角形或梯形。
[0010]本發(fā)明發(fā)光二極管的制作方法的技術(shù)方案是，在生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜0.25-0.55°的襯底上，采用MOCVD方法沿著傾斜面依次生長(zhǎng)第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層，包括如下步驟:
[0011]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上400-600°C生長(zhǎng)15-50nm的GaN緩沖層或者600-1000°C生長(zhǎng)10-60nm的AlN緩沖層，接著高溫(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的本征GaN層和(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的Si摻雜GaN層，以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0012]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0013](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)?，通入流量?0-600sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為20_600s ；
[0014](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)?，通入流量?0-600sccm的TEG，還通入流量為 10-600sccm 的 TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為 20_600s ；
[0015](3)重復(fù)以上步驟⑴和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)2-15個(gè)周期的量子阱；
[0016](4)按照⑴、⑵和(3)的步驟生長(zhǎng)2-5個(gè)多量子阱結(jié)構(gòu)，通過降低生長(zhǎng)溫度或改變TMIn的流量實(shí)現(xiàn)量子阱結(jié)構(gòu)的銦含量的逐漸增加。
[0017]以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0018]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在800-1200°C，生長(zhǎng)10_200nm厚的鎂摻雜AlGaN層或AlInGaN層，接著生長(zhǎng)50_500nm厚的鎂摻雜GaN層。以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0019]本發(fā)明提供的一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件的優(yōu)益之處在于:具有更穩(wěn)定的多量子阱結(jié)構(gòu)，提高了器件的發(fā)光效率和反向電流電壓特性。
【專利附圖】

【附圖說明】:
[0020]圖1常規(guī)結(jié)構(gòu)的GaN基綠光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0021]圖2為具有新型結(jié)構(gòu)的GaN基綠光發(fā)光二極管的剖面示意圖。
[0022]圖3為本發(fā)明的第一實(shí)施例所提供的GaN基發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。
[0023]圖中:第一種半導(dǎo)體載流子注入層1、為多量子阱結(jié)構(gòu)2、第二種半導(dǎo)體載流子注入層3、常規(guī)小傾角襯底4、大傾角襯底5、大傾角襯底6。
【具體實(shí)施方式】
[0024]為了更具體地說明本發(fā)明，現(xiàn)給出若干實(shí)施例。但本發(fā)明所涉及的內(nèi)容并不僅僅局限于這些實(shí)施例。
[0025]本發(fā)明提供一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管器件結(jié)構(gòu)，如圖2所示，其中包括依次層疊的襯底5、第一種半導(dǎo)體載流子注入層1、多量子阱結(jié)構(gòu)2、第二種半導(dǎo)體載流子注入層3，所述大傾角襯底為襯底生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜一定角度，所述傾角% 0.25-0.55°。
[0026]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:襯底可以是藍(lán)寶石，碳化硅，或硅。
[0027]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述襯底可以是平面襯底，或圖形化襯底。[0028]如上所述的結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述圖形化襯底的圖形的剖面圖為半球形、蒙古包形、圓柱形、金字塔形、三角形或梯形。
[0029]本發(fā)明發(fā)光二極管的制作方法的技術(shù)方案是,在生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜0.25-0.55°的襯底上，采用MOCVD方法沿著傾斜面依次生長(zhǎng)第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層，包括如下步驟:
[0030]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上400_600°C生長(zhǎng)15_50nm的GaN緩沖層或者600-1000°C生長(zhǎng)10-60nm的AlN緩沖層，接著高溫(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的本征GaN層和(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的Si摻雜GaN層，以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0031]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0032](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?0-600sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為20_600s ；
[0033](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)?，通入流量?0-600sccm的TEG，還通入流量為 10-600sccm 的 TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為 20_600s ；
[0034](3)重復(fù)以上步驟⑴和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)2-15個(gè)周期的量子阱；
[0035](4)按照⑴、⑵和(3)的步驟生長(zhǎng)2-5個(gè)多量子阱結(jié)構(gòu)，通過降低生長(zhǎng)溫度或改變TMIn的流量實(shí)現(xiàn)量子阱結(jié)構(gòu)的銦含量的逐漸增加。
[0036]以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0037]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在800-1200°C，生長(zhǎng)10_200nm厚的鎂摻雜AlGaN層或AlInGaN層，接著生長(zhǎng)50_500nm厚的鎂摻雜GaN層。以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
[0038]實(shí)施例1，如圖3所示，在傾角為0.35°的圖形化藍(lán)寶石襯底6上，沿著與C面法線法向呈0.35°的方向依次生長(zhǎng)η型半導(dǎo)體層作為第一種半導(dǎo)體載流子注入層1，InGaN/GaN多量子阱2，P型半導(dǎo)體層作為第二種半導(dǎo)體載流子注入層3，包括如下步驟:
[0039]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上550°C生長(zhǎng)30nm的GaN緩沖層，接著高溫1070°C生長(zhǎng)2um厚的本征GaN層和1070°C生長(zhǎng)3um厚的Si摻雜GaN層。
[0040]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0041](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在850°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0042](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在750°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，還通入流量為150sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0043](3)重復(fù)以上步驟(I)和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0044](4)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在820°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0045](5)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在720°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，還通入流量為250_350sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0046](6)重復(fù)以上步驟(4)和(5)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0047]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在950°C，生長(zhǎng)20_50nm厚的鎂摻雜AlGaN層，接著生長(zhǎng)100-200nm厚的鎂摻雜GaN層。
[0048]實(shí)施例2，在傾角為0.3°的平面藍(lán)寶石襯底5上，沿著與C面法線法向呈0.3°的方向依次生長(zhǎng)η型半導(dǎo)體層作為第一種半導(dǎo)體載流子注入層1，InGaN/GaN多量子阱2，p型半導(dǎo)體層作為第二種半導(dǎo)體載流子注入層3，包括如下步驟:
[0049]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上540°C生長(zhǎng)30nm的GaN緩沖層，接著高溫1060°C生長(zhǎng)2um厚的本征GaN層和1070°C生長(zhǎng)3um厚的Si摻雜GaN層。
[0050]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0051](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在850°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0052](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在750°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，還通入流量為150sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0053](3)重復(fù)以上步驟(I)和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0054](4)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在820°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0055](5)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在720°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，還通入流量為250_350sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0056](6)重復(fù)以上步驟(4)和(5)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0057]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在930°C，生長(zhǎng)20_50nm厚的鎂摻雜AlGaN層，接著生長(zhǎng)100-200nm厚的鎂摻雜GaN層。
[0058]實(shí)施例3，在傾角為0.35°的平面碳化硅襯底5上，沿著與(0001)面法線法向呈0.35°的方向依次生長(zhǎng)η型半導(dǎo)體層作為第一種半導(dǎo)體載流子注入層I，InGaN/GaN多量子阱2，P型半導(dǎo)體層作為第二種半導(dǎo)體載流子注入層3，包括如下步驟:
[0059]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上900°C生長(zhǎng)50nm的AlN緩沖層，接著高溫1060°C生長(zhǎng)2um厚的本征GaN層和1070°C生長(zhǎng)3um厚的Si摻雜GaN層。
[0060]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0061](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在850°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0062](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在720°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，還通入流量為250_350sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0063](3)重復(fù)以上步驟(I)和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0064]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在960°C，生長(zhǎng)20_50nm厚的鎂摻雜AlGaN層，接著生長(zhǎng)100-200nm厚的鎂摻雜GaN層。
[0065]實(shí)施例4，在傾角為0.35°的圖形化硅襯底6上，沿著與(111)面法線法向呈0.35°的方向依次生長(zhǎng)η型半導(dǎo)體層作為第一種半導(dǎo)體載流子注入層I，InGaN/GaN多量子阱2，P型半導(dǎo)體層作為第二種半導(dǎo)體載流子注入層3，包括如下步驟:
[0066]一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上950°C生長(zhǎng)50nm的AlN緩沖層，接著高溫1060°C生長(zhǎng)2um厚的本征GaN層和1070°C生長(zhǎng)3um厚的Si摻雜GaN層。
[0067]二、多量子結(jié)構(gòu):
[0068](I)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在850°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?00sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為400s ；
[0069](2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在720°C，反應(yīng)器的壓力為200Tor，通入40L的高純氨氣和70L的高純氮?dú)?，通入流量?00sccm的TEG，還通入流量為250_350sccm的TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為120-200s ；
[0070](3)重復(fù)以上步驟(I)和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)3-7個(gè)周期的量子阱；
[0071]三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在960°C，生長(zhǎng)20_50nm厚的鎂摻雜AlGaN層，接著生長(zhǎng)100-200nm厚的鎂摻雜GaN層。
[0072]本發(fā)明所提供的上述新型綠光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)通過選用大傾角襯底而改變晶體的生長(zhǎng)方向，該方法有效地增強(qiáng)了多量子結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，減少了量子阱里的漏電或載流子泄露途徑，提高了綠光發(fā)光二極管的發(fā)光效率以及改善了器件的反向電流電壓特性。
【權(quán)利要求】
1.一種新型的GaN基綠光發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其中包括:依次層疊的大傾角襯底、第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層，所述大傾角襯底為襯底生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜一定角度，所述傾角為0.25-0.55°。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述襯底為藍(lán)寶石、碳化硅或硅襯底。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述襯底可以是平面襯底，或圖形化襯底。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，其特征在于:所述圖形化襯底的圖形的剖面圖為半球形、蒙古包形、圓柱形、金字塔形、三角形或梯形。
5.—種如權(quán)利I所述的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的制作方法,其特征在于:在生長(zhǎng)窗口表面與外延材料晶格取向面傾斜0.25-0.55°的襯底上，采用MOCVD方法沿著傾斜面依次生長(zhǎng)第一種半導(dǎo)體載流子注入層、多量子阱結(jié)構(gòu)、第二種半導(dǎo)體載流子注入層，包括如下步驟: 一、第一種半導(dǎo)體載流子注入層:在襯底上400-600°C生長(zhǎng)15-50nm的GaN緩沖層或者600-1000°C生長(zhǎng)10-60nm的AlN緩沖層，接著高溫(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的本征GaN層和(900-1200°C )生長(zhǎng)1.5_4um厚的Si摻雜GaN層，以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。 二、多量子結(jié)構(gòu): (1)生長(zhǎng)GaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)?，通入流量?0-600sccm的TEG，生長(zhǎng)時(shí)間為20_600s ； (2)生長(zhǎng)InGaN層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在700-900°C，反應(yīng)器的壓力為100_500Tor，通入10-60L的高純氨氣和10-90L的高純氮?dú)猓ㄈ肓髁繛?0-600sccm的TEG，還通入流量為10-600sccm 的 TMIn，生長(zhǎng)時(shí)間為 20_600s ； (3)重復(fù)以上步驟(I)和(2)形成一個(gè)量子阱周期，生長(zhǎng)2-15個(gè)周期的量子阱； (4)按照(I)、(2)和(3)的步驟生長(zhǎng)2-5個(gè)多量子阱結(jié)構(gòu)，通過降低生長(zhǎng)溫度或改變TMIn的流量實(shí)現(xiàn)量子阱結(jié)構(gòu)的銦含量的逐漸增加。 以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。三、第二種半導(dǎo)體載流子注入層:將生長(zhǎng)溫度設(shè)定在800-1200°C，生長(zhǎng)10-200nm厚的鎂摻雜AlGaN層或AlInGaN層，接著生長(zhǎng)50_500nm厚的鎂摻雜GaN層。以上外延層的生長(zhǎng)方向均與外延材料晶格取向面呈0.25-0.55°的角度。
【文檔編號(hào)】H01L33/16GK103633215SQ201210309906
【公開日】2014年3月12日 申請(qǐng)日期:2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月28日
【發(fā)明者】郝銳, 馬學(xué)進(jìn), 吳質(zhì)樸 申請(qǐng)人:江門市奧倫德光電有限公司