專利名稱:顯示器和電子裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及通過(guò)利用有機(jī)電致發(fā)光(EL)現(xiàn)象來(lái)發(fā)光的顯示器以及包括該顯示器的電子裝置。
背景技術(shù):
隨著信息和通信行業(yè)的加速發(fā)展,需要高性能的顯示裝置。特別地,作為下一代顯示裝置而受到關(guān)注的有機(jī)EL器件具有以下優(yōu)點(diǎn)作為一種自發(fā)光顯示器,其具有寬視角、優(yōu)良的對(duì)比度,以及響應(yīng)時(shí)間短。用于形成有機(jī)EL器件的發(fā)光層等所使用的材料大致上分為低分子材料和聚合物材料。一般而言,已知的是,低分子材料發(fā)光效率較高,壽命較長(zhǎng)。特別地,在使用低分子材料的情況下藍(lán)光發(fā)光性能好。另外,在使用低分子材料的情況下,一般而言,有機(jī)膜由諸如真空蒸發(fā)法等干式法(蒸發(fā)法)形成。而在使用聚合物材料的情況下,一般而言,有機(jī)膜由諸如旋轉(zhuǎn)涂布法、噴墨法和噴嘴涂布法等濕式法(涂布法)或諸如柔版印刷和膠版印刷等印刷法形成。真空蒸發(fā)法的優(yōu)點(diǎn)在于有機(jī)薄膜的形成材料沒(méi)有必要溶解在溶劑中,而且在形成該膜之后不需要移除溶劑的步驟。然而,真空蒸發(fā)法具有下述缺點(diǎn)。即,難以進(jìn)行由金屬掩模實(shí)現(xiàn)的分離涂布,而且尤其是制備大型面板時(shí)的設(shè)施制造成本高。因此,真空蒸發(fā)法難以應(yīng)用到大型屏幕基板,且不適用于批量生產(chǎn)。因此,相對(duì)容易實(shí)現(xiàn)大型顯示屏面積的涂布法已經(jīng)受到關(guān)注。然而,在使用涂布法的情況下,在對(duì)由分隔壁分離的像素之間的空隙中所涂布的油墨進(jìn)行干燥時(shí),油墨會(huì)沿著分隔壁向上浸潤(rùn)而導(dǎo)致潤(rùn)濕,因此,孔徑比顯著降低。此外,在減小像素寬度以實(shí)現(xiàn)高分辨率的情況下,很難用液滴涂布期望的位置。為了克服前述缺點(diǎn),例如在日本未審專利申請(qǐng)No. 2009-146885中,公開了一種在有效像素區(qū)域周圍形成虛擬像素區(qū)域并處理下部電極附近的絕緣膜形狀的方法,以作為一種抑制由潤(rùn)濕和/或類似情況引起的膜厚度不均勻的方法。此外,作為一種獲得高分辨率顯示器的方法,例如,在日本未審專利申請(qǐng)No. 2006-269253中,公開了一種全色顯示器,其中,通過(guò)涂布顯示區(qū)域的整個(gè)表面來(lái)形成白色像素,并使用紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的濾色器,從而獲得高分辨率。然而,在具有日本未審專利申請(qǐng)No. 2009-146885所公開的結(jié)構(gòu)的顯示器中,由于至少應(yīng)當(dāng)對(duì)R和G進(jìn)行圖案化,所以在紅色像素和綠色像素中會(huì)出現(xiàn)潤(rùn)濕,從而不能得以充分提高孔徑比。此外,在具有日本未審專利申請(qǐng)No. 2006-269253所公開的結(jié)構(gòu)的顯示器中,盡管能確??讖奖龋怯捎陔姽脑黾佣斐傻母哓?fù)荷,使得可靠性降低。
發(fā)明內(nèi)容
期望提供一種孔徑比得到提高的顯示器和包括該顯示器的電子裝置。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種顯示器,所述顯示器包括第一區(qū)域,其包括具有單個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第一像素;第二區(qū)域,其包括具有多個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第二像素,所述多個(gè)顏色不同于所述單個(gè)顏色,所述第二像素具有包括公共發(fā)光層的有機(jī)層;以及分隔壁,其用于分離所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例,提供了一種包括上述實(shí)施例所述的顯示器的電子裝置。在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器和電子裝置中,分隔壁布置在包括具有單個(gè)顏色結(jié) 構(gòu)的第一像素的第一區(qū)域與包括具有不同于所述單個(gè)顏色的多個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第二像素的第二區(qū)域之間,分隔壁沒(méi)有布置在第二區(qū)域中,并且包括發(fā)光層的有機(jī)層對(duì)于包括在第二區(qū)域中的第二像素而言是公共的。由此,降低了分隔壁中浸潤(rùn)造成的像素區(qū)域中有機(jī)層變厚。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示器和電子裝置,分隔壁沒(méi)有布置在包括多個(gè)顏色的第二像素的第二區(qū)域中,并且包括發(fā)光層的有機(jī)層對(duì)于包括在第二區(qū)域中的第二像素而言是公共的。因此,降低了分隔壁中浸潤(rùn)造成的像素區(qū)域中有機(jī)層(特別是發(fā)光層)變厚,并且加寬了有效像素區(qū)域。因此,提高了像素的孔徑比。應(yīng)該理解,上文的概括性說(shuō)明和下文的詳細(xì)說(shuō)明均是示例性的,它們旨在提供對(duì)所請(qǐng)求保護(hù)的技術(shù)做進(jìn)一步解釋。
所包括的附圖提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解,并被并入該說(shuō)明書中以結(jié)構(gòu)說(shuō)明書的一部分。附圖示出了實(shí)施例,并與說(shuō)明書一起用于解釋技術(shù)原理。圖1是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器的結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖2是表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器的另一結(jié)構(gòu)示例的平面圖。圖3A-3C是說(shuō)明圖1所示顯示器中的有機(jī)層的涂布方法的示意圖。圖4是圖1所示顯示器的概略圖示。圖5是表示圖4所示顯示器的像素驅(qū)動(dòng)電路的示例圖。圖6是圖1所示顯示器的部分剖面剖面圖。圖7A和7B是形成圖1所示顯示器的有機(jī)EL器件的剖面剖面圖。圖8表示圖1所示顯示器的制造步驟的流程圖。圖9是表示對(duì)比示例的顯示器的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖1OA和IOB表示對(duì)比示例和本發(fā)明實(shí)施例的顯示器的剖面圖。圖11表示本發(fā)明的變形例實(shí)施例的顯示器的部分剖面圖。圖12是表示包括前述實(shí)施例等的顯示器的模塊的示意性結(jié)構(gòu)的平面圖。圖13是表示應(yīng)用示例I的外觀的立體圖。圖14A是表示從應(yīng)用示例2的外觀的主視立體圖,而圖14B是表示應(yīng)用示例2的外觀的后視立體圖。
圖15是表示應(yīng)用示例3的外觀的立體圖。圖16是表示應(yīng)用示例4的外觀的立體圖。圖17A是應(yīng)用示例5在未扣合狀態(tài)下的正視圖,圖17B是其側(cè)視圖,圖17C是應(yīng)用示例5在扣合狀態(tài)下的正視圖,圖17D是其左視圖,圖17E是其右視圖,圖17F是其俯視圖,而圖17G是其仰視圖。
具體實(shí)施方式
下文,將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例。按照以下順序進(jìn)行描述1.第一實(shí)施例(在顯示區(qū)域具有第一親液區(qū)域(lyophilic region)和第一防液區(qū)域(liquid-repellent region)并在外圍區(qū)域具有第二親液區(qū)域的顯示器)1-1.顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)1-2.顯示器的整體結(jié)構(gòu)2.變形例(有機(jī)層的膜厚度隨發(fā)光顏色而不同的顯示器)3.應(yīng)用示例1.第一實(shí)施例1-1.顯示區(qū)域的結(jié)構(gòu)圖1表示本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示器IA的顯示區(qū)域2的平面結(jié)構(gòu)。例如,在顯示器IA的顯示區(qū)域2中,多個(gè)像素5布置在基板11上。多個(gè)像素5例如包括紅色像素5R、綠色像素5G和藍(lán)色像素5B。在本例中,紅色像素5R、綠色像素5G和藍(lán)色像素5B的組合形成一個(gè)顯示像素。紅色像素5R、綠色像素5G和藍(lán)色像素5B以矩陣形式布置。具體地,例如圖1所示,紅色像素5R和綠色像素5G交替布置,并成直線地設(shè)置成使得具有矩形形狀的像素5的長(zhǎng)側(cè)方向彼此相鄰。藍(lán)色像素5B布置成使得藍(lán)色像素5B的短側(cè)方向在紅色像素5R和綠色像素5G的延伸方向上彼此相鄰。各像素5(5R、5G和5B)的布置方法不限于此。例如圖2所示,紅色像素5R、綠色像素5G和藍(lán)色像素5B可以按顏色各自成直線地布置成使得它們的短側(cè)方向彼此相鄰。此外,各像素5 (5R、5G和5B)設(shè)置有相應(yīng)顏色的有機(jī)EL器件10 (10R、IOG 和 10B,參見圖 6)。在本實(shí)施例的顯示器IA的顯示區(qū)域2中,設(shè)置有親液區(qū)域3和防液區(qū)域4。親液區(qū)域3設(shè)置在各像素5(5R、5G和5B)的周圍。防液區(qū)域4形成為將交替布置有紅色像素5R和綠色像素5G的RG區(qū)域3A (第二區(qū)域)與布置有藍(lán)色像素5B的B區(qū)域3B (第一區(qū)域)分離,并包圍全部像素5。親液區(qū)域3和防液區(qū)域4均在通過(guò)涂布形成有機(jī)EL器件時(shí)用作此時(shí)所排出的油墨的岸堤(bank)。通過(guò)設(shè)置由防液區(qū)域4分離的親液區(qū)域3,來(lái)形成期望的像素圖案。親液區(qū)域3改善了油墨的可濕性,并連續(xù)設(shè)置在顯示區(qū)域2中以界定像素5R、5G和5B的形狀。對(duì)于親液區(qū)域3的材料,可以使用無(wú)機(jī)材料,例如二氧化娃(SiO2)、碳化娃(SiC)、氮化硅(Si3N4)、氧化銦錫(ITO)、氧化鋅錫(IZO)、鋁(Al)、鈦(Ti)和鑰(Mo)。親液區(qū)域3由真空蒸發(fā)法、CVD (化學(xué)氣相沉積)法、PVD (物理氣相沉積)法或類似方法形成。防液區(qū)域4防止排出到RG區(qū)域3A和B區(qū)域3B的油墨過(guò)度潤(rùn)濕,具體地,防止油墨侵入到相鄰像素線。此外,如上所述,防液區(qū)域4設(shè)置成將交替布置有紅色像素5R和綠色像素5G的RG區(qū)域3A與布置有藍(lán)色像素5B的B區(qū)域3B分離,并包圍全部像素5。防液區(qū)域4的材料的示例包括有機(jī)材料,例如聚酰亞胺和酚醛清漆(novolac)。在以預(yù)定形狀形成上述材料之后,對(duì)它執(zhí)行等離子體處理,以向其添加防液性能。盡管這里沒(méi)有示出,但是在顯示區(qū)域2的周圍設(shè)置有外圍區(qū)域6(參見圖3)。在外圍區(qū)域6中,全部設(shè)置親液區(qū)域(未示出)。通過(guò)設(shè)置親液區(qū)域來(lái)提高外圍區(qū)域6的可濕性,在將油墨排出到各像素線(RG區(qū)域3A和B區(qū)域3B)時(shí)很容易形成液滴(液珠)。因此,使得油墨可以連續(xù)地排出到像素線上。注意,外圍區(qū)域6的親液區(qū)域不限于此?;谙率鲈颍枰辽僭赗G區(qū)域3A和B區(qū)域3B的延伸方向上的一個(gè)端部側(cè)上(具體地,在開始涂布油墨時(shí)形成液珠的區(qū)域)設(shè)置外圍區(qū)域6的親液區(qū)域。然而,在一些情況下,在兩端都設(shè)置親液區(qū)域并形成對(duì)稱圖案,這將有利于在形成有機(jī)層15時(shí)以及之后的制造步驟。注意,外圍區(qū)域6的親液區(qū)域是由與前述親液區(qū)域3的材料相同的材料制成的,并是由與前述親液區(qū)域3的方法相同的方法形成的。如上所述,在顯示區(qū)域2的各像素5R、5G和5B上方,設(shè)置有對(duì)應(yīng)于各像素5R、5G 和5B的每種顏色的有機(jī)EL器件10 (10R、IOG和10B)。盡管稍后將詳細(xì)描述,有機(jī)EL器件10具有這樣的結(jié)構(gòu)下部電極12 (第一電極)、防液層(分隔壁)14、有機(jī)層15和上部電極16(第二電極)依次層疊(見圖6)。在前述部件中,有機(jī)層15的一部分(具體是,黃色發(fā)光層15CY)通過(guò)諸如液滴排出法等涂布法形成。具體地,從狹縫涂布機(jī)(slit coater)(或條紋涂布機(jī)(stripe coater))的頭部中設(shè)置的多個(gè)排出口向布置有各像素5R、5G和5B的各像素線(RG區(qū)域3A和B區(qū)域3B)排出油墨,其中油墨是通過(guò)將用于形成有機(jī)層15的有機(jī)材料溶解在有機(jī)溶劑中形成的。之后,通過(guò)對(duì)獲得的產(chǎn)物進(jìn)行加熱來(lái)移除溶劑,從而形成各個(gè)層。有機(jī)層15如下形成。首先,如圖3A所示,從狹縫涂布機(jī)的頭部的排出口向防液區(qū)域4的外部排出油墨,特別是在各像素線的延伸方向上的一端向外圍區(qū)域6排出油墨,以形成液珠,使得頭部隔著油墨與基板11接觸。由此,使頭部表面的可濕性均一化。接下來(lái),如圖3B所示,沿著像素線進(jìn)行掃掠,從而將油墨排出到像素5上。此時(shí),如圖3C所示,在保持頭部隔著油墨與基板11接觸的狀態(tài)的同時(shí),沿著掃掠方向移動(dòng)頭部。在由上述涂布方法形成有機(jī)層15時(shí),前述液珠的形成是重要的。因此,如上所述,在包圍顯示區(qū)域2的外圍區(qū)域6中,期望至少在形成液珠的區(qū)域設(shè)置親液區(qū)域。由此,可以防止由于油墨表面張力、基板11的防液性和/或其它因素造成的油墨與基板11之間斷開,從而容易保持油墨與基板11之間的連接。也就是說(shuō),通過(guò)涂布可以準(zhǔn)確地形成各像素5R、5G和5B中的有機(jī)層15。1-2.顯示器的整體結(jié)構(gòu)接下來(lái),將描述顯示器IA的剖面結(jié)構(gòu)。圖4表示本實(shí)施例的顯示器IA的示意性結(jié)構(gòu)。顯示器IA用作有機(jī)EL電視等。如上所述,在顯示器IA中,以矩陣形式布置有多個(gè)有機(jī)EL器件10RU0G和IOB的顯示區(qū)域2形成在基板11上,并且外圍區(qū)域6設(shè)置成包圍顯示區(qū)域2。在外圍區(qū)域6中,設(shè)置有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120和掃描線驅(qū)動(dòng)電路130,它們都是用于顯示圖像的驅(qū)動(dòng)器。在顯示區(qū)域2中,設(shè)置有像素驅(qū)動(dòng)電路140。圖5表示像素驅(qū)動(dòng)電路140的示例。像素驅(qū)動(dòng)電路140是有源驅(qū)動(dòng)電路,其形成在比下述下部電極12位置低的一層中。也就是說(shuō),像素驅(qū)動(dòng)電路140具有驅(qū)動(dòng)晶體管Trl、與入晶體管Tr2、晶體管Trl和Tr2之間的電容(保持容量)Cs、在第一電源線(Vcc)和第二電源線(GND)之間與驅(qū)動(dòng)晶體管Trl串聯(lián)連接的紅色有機(jī)EL器件IOR (或綠色有機(jī)EL器件IOG或藍(lán)色有機(jī)EL器件10B)。驅(qū)動(dòng)晶體管Trl和寫入晶體管Tr2由常規(guī)的薄膜晶體管(TFT)形成。它們的結(jié)構(gòu)不做特別限制,例如可以是反向交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(所謂的底柵型)或交錯(cuò)結(jié)構(gòu)(頂柵型)。在像素驅(qū)動(dòng)電路140中,在列方向上布置有多個(gè)信號(hào)線120A,在行方向上布置有多個(gè)掃描線130A。每個(gè)信號(hào)線120A和每個(gè)掃描線130A的交點(diǎn)對(duì)應(yīng)于紅色有機(jī)EL器件10R、綠色有機(jī)EL器件IOG和藍(lán)色有機(jī)EL器件IOB中一者。每個(gè)信號(hào)線120A連接到信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120。圖像信號(hào)通過(guò)信號(hào)線120A從信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120提供至寫入晶體管Tr2的源電極。每個(gè)掃描線130A連接到掃描線驅(qū)動(dòng)電路130。掃描信號(hào)通過(guò)掃描線130A從掃描線驅(qū)動(dòng)電路130依次提供至寫入晶體管Tr2的柵電極。圖6表不顯不器IA和顯不器IB的一部分的剖面結(jié)構(gòu)。顯不器IA在基板11上設(shè)置有TFT 20,TFT 20例如通過(guò)有源矩陣法驅(qū)動(dòng)像素5。在TFT 20上,設(shè)置有用于構(gòu)成像素5(5R、5G 和 5B)的有機(jī) EL 器件 10(10R、10G 和 10B)。 [TFT]TFT 20是所謂的底柵型TFT,其中,例如氧化物半導(dǎo)體用作溝道(有源層)。在TFT20中,柵電極21、柵極絕緣膜22和23、氧化物半導(dǎo)體層24、溝道保護(hù)膜25和一對(duì)源電極26A和漏電極26B依次形成在由玻璃和/或類似物制成的基板11上。在源電極26A和漏電極26B上,用于平坦化TFT 20的凹凸處的平坦化層27形成在基板11的整個(gè)表面上方。柵電極21的作用在于通過(guò)施加到TFT 20的柵極電壓來(lái)控制氧化物半導(dǎo)體層24中的載流子密度(本例中是電子密度)。柵電極21由單層膜或?qū)盈B膜形成,單層膜由例如Μο、Α1、鋁合金等中的一者制成,層疊膜由上述材料中的兩種或兩種以上制成。注意,鋁合金的示例包括招釹合金。柵極絕緣膜22和23是由Si02、Si3N4、氮氧化硅(SiON)、氧化鋁(Al2O3)等中的一種制成的單層膜或由這些材料中的兩種或兩種以上制成的層疊膜。在本例中,柵極絕緣膜22和23具有兩層膜結(jié)構(gòu)。柵極絕緣膜22例如由SiO2膜制成,而柵極絕緣膜23例如由Si3N4膜制成。柵極絕緣膜22和23的總膜厚度例如是200nm-300nm。氧化物半導(dǎo)體層24包括銦(In)、鎵(Ga)、鋅(Zn)、錫(Sn)、A1和Ti中的一種材料或多種材料的氧化物作為主要成分。通過(guò)施加?xùn)艠O電壓,氧化物半導(dǎo)體層24在源電極26A和漏電極26B之間形成溝道。氧化物半導(dǎo)體層24的膜厚度例如是5nm-100nm。溝道保護(hù)膜25形成在氧化物半導(dǎo)體層24上,并在形成源電極26A和漏電極26B時(shí)防止溝道損壞。溝道保護(hù)膜25的膜厚度例如是10nm-300nm。源電極26A和漏電極26B中的每一者例如是由Mo、Al、銅(Cu)、T1、ΙΤ0、TiO等中的一種制成的單層膜或由上述材料中的兩種或兩種以上制成的層疊膜。例如,期望使用三層膜,其中Mo、Al和Mo分別按照50nm、500nm和50nm的膜厚度順序?qū)盈B,或者期望使用與氧弱結(jié)合的金屬或金屬化合物,例如包含氧的金屬化合物,例如,ITO和氧化鈦。由此,可以穩(wěn)定地保持氧化物半導(dǎo)體的電特性。例如,對(duì)于平坦化層27,使用有機(jī)材料,例如聚酰亞胺和酚醛清漆。平坦化層27的厚度例如是IOnm-1OOnm,并優(yōu)選等于或小于50nm。在平坦化層27上,形成有機(jī)EL器件10的下部電極12。
[有機(jī)EL器件]圖7A和7B表示沿著虛線1_1’的有機(jī)EL器件10(10R、10G和10B)的剖面結(jié)構(gòu)。有機(jī)EL器件10是頂發(fā)射型顯示元件,其中,從下部電極12 (第一電極陽(yáng)極)注入的空穴與從上部電極(第二電極陰極)注入的電子在發(fā)光層15C復(fù)合時(shí)產(chǎn)生的發(fā)射光從基板11的相對(duì)側(cè)(陰極側(cè))發(fā)出。通過(guò)使用頂發(fā)射型有機(jī)EL器件10,可以提高顯示器的發(fā)光部的孔徑比。注意,本發(fā)明這一實(shí)施例的有機(jī)EL器件10的結(jié)構(gòu)不局限于前述結(jié)構(gòu),例如,有機(jī)EL器件10的結(jié)構(gòu)可以是從基板11側(cè)發(fā)光的透射型顯示元件,也就是說(shuō),可以是底發(fā)射型顯示元件。在有機(jī)EL器件10中,例如,在顯示器IA是頂發(fā)射型顯示器的情況下,由諸如Al、Ti和Cr等高反光材料制成的下部電極12形成在平坦化層27上。此外,在顯示器IA是透射型顯示器的情況下,使用諸如ITO、IZO和IGZO等透明材料。在本例中,對(duì)于由例如Si02、Si3N4和/或其它材料制成的親液層13形成的前述親 液區(qū)域3,其位于下部電極12的上方(除形成有有機(jī)層15的那部分之外)和平坦化層27上方。如圖7A所示,在親液層13上,在RG區(qū)域2A與B區(qū)域2B之間設(shè)置防液層14,其中,紅色發(fā)光器件IOR和綠色發(fā)光器件IOG設(shè)置在RG區(qū)域2A中,藍(lán)發(fā)光器件IOB設(shè)置在B區(qū)域2B中。防液層14是用于圖案化有機(jī)層15的防液區(qū)域4。注意,防液層14也起到確保下部電極12與下述上部電極16之間的絕緣性的作用,并總體上用作分隔壁。防液層14設(shè)置在TFT 20的柵電極26A和源電極26B與下部電極12之間的連接部上??商鎿Q地,如圖7B所示,防液層14也可以在稍后描述的空穴注入層15A和空穴傳輸層15B順序?qū)盈B在下部電極12和親液層13上之后設(shè)置在空穴傳輸層15B上。如上所述,防液層14由諸如聚酰亞胺和酚醛清漆等有機(jī)材料制成。通過(guò)在防液層14上面實(shí)施等離子體處理,來(lái)向其添加防液性。例如,圖7A和7B所示,有機(jī)層15具有如下結(jié)構(gòu)空穴注入層15A、空穴傳輸層15B、發(fā)光層15C (黃色發(fā)光層15CY和藍(lán)色發(fā)光層15CB)、電子傳輸層IOT和電子注入層15E從下部電極12側(cè)開始順序?qū)盈B。雖然將在下文給出細(xì)節(jié),然而有機(jī)層15可以由例如真空蒸發(fā)法、旋轉(zhuǎn)涂布法或其它方法形成。有機(jī)層15的上表面覆蓋有上部電極16。盡管并不特別限制用于結(jié)構(gòu)有機(jī)層15的每個(gè)層的膜厚度、組成材料和其它方面,但是下面仍然給出一個(gè)示例??昭ㄗ⑷雽?5A提高了向發(fā)光層15C注入空穴的效率,并作為防止泄露的緩沖層??昭ㄗ⑷雽?5A優(yōu)選具有例如5nm-200nm的厚度,更優(yōu)選地具有8nm_150nm的厚度。可以根據(jù)電極材料和與之相鄰的層的材料之間的關(guān)系適當(dāng)?shù)剡x擇空穴注入層15A的組成材料。空穴注入層15A的組成材料的示例包括聚苯胺、聚噻吩、聚卩比咯、聚苯乙炔(polyphenylenevinylene)、聚噻吩乙炔(polythienylene vinylene)、聚喹啉、聚喹喔啉和它們的衍生物;導(dǎo)電聚合物,例如包括位于主鏈或側(cè)鏈中的芳香胺結(jié)構(gòu)、金屬酞菁(銅酞菁或類似的)和碳的聚合物。導(dǎo)電聚合物的具體示例包括寡聚苯胺(oligoaniline)和聚二氧噻吩,例如,聚3,4-乙撐二氧噻吩(poly (3,4-ethylenedioxythiophene), PED0T)??昭▊鬏攲?5B提高了向發(fā)光層15C傳輸電子空穴的效率。雖然厚度取決于裝置的整體結(jié)構(gòu),但空穴傳輸層15B優(yōu)選具有例如5nm-200nm的厚度,更優(yōu)選地具有8nm_150nm的厚度。對(duì)于結(jié)構(gòu)空穴傳輸層15B的材料,可以使用可溶解于有機(jī)溶劑的發(fā)光材料,例如聚乙烯咔唑(polyvinyl carbazole)、聚荷、聚苯胺、聚娃燒和它們的衍生物;在側(cè)鏈或主鏈中具有芳香胺結(jié)構(gòu)的聚硅氧烷衍生物;聚噻吩及其衍生物;聚吡咯、Alq3。發(fā)光層15C由于通過(guò)施加電場(chǎng)使電子空穴復(fù)合而發(fā)光。在本例中,發(fā)光層15C包括發(fā)射黃色光的黃色發(fā)光層15CY和發(fā)射藍(lán)色光的藍(lán)色發(fā)光層15CB。具體地,黃色發(fā)光層15CY設(shè)置在RG區(qū)域2A中,換句話說(shuō),其設(shè)置在紅色發(fā)光器件IOR和綠色發(fā)光器件IOG中。藍(lán)色發(fā)光層15CB在RG區(qū)域2A和B區(qū)域2B中設(shè)置成固體膜,也就是說(shuō),其在像素區(qū)域整個(gè)表面上設(shè)置成固體膜。雖然黃色發(fā)光層15CY的厚度取決于裝置的整體結(jié)構(gòu),但優(yōu)選例如是10nm-200nm的厚度,更優(yōu)選的是15nm-100nm。雖然藍(lán)色發(fā)光層15CB的厚度取決于裝置的整體設(shè)計(jì),但優(yōu)選例如2nm-50nm的厚度,更優(yōu)選的是5nm_30nm。對(duì)于發(fā)光層15C的材料,可以使用發(fā)出每種期望顏色的光的材料。在使用具有從大約I至大約5000的分子量的低分子材料作為發(fā)光材料的情況下,優(yōu)選混合使用兩種或兩種以上的發(fā)光材料。在使用具有從大約5000至約數(shù)百萬(wàn)的分子量的聚合物材料作為發(fā)光材料的情況下,將發(fā)光材料溶解在有機(jī)溶劑中,并將得到的產(chǎn)物用作油墨。
黃色發(fā)光層15CY的材料不例包括磷光材料或突光材料,所述磷光材料或突光材料中的每一者在500nm-750nm的范圍內(nèi)具有一個(gè)或多個(gè)峰值波長(zhǎng)。其具體示例包括發(fā)光聚合物,例如,基于聚芴的聚合物衍生物、聚苯乙炔衍生物、聚亞苯基衍生物、聚乙烯咔唑衍生物和聚噻吩衍生物。此外,對(duì)于在低分子材料用作基質(zhì)材料(host material)的情況下所混合的摻雜材料,優(yōu)選使用例如磷光金屬絡(luò)合物化合物。具體地,對(duì)于其中心金屬,優(yōu)選使用從元素周期表第7族到第11族的元素中選擇的金屬,例如,鈹(Be)、硼(B)、鋅(Zn)、鎘(Cd)、鎂(Mg)、金(Au)、銀(Ag)、鈀(Pd)、鉬(Pt)、鋁(Al)、釓(Ga)、釔(Y)、鈧(Sc)、釘(Ru)、銠(Rh)、鋨(Os)和銥(Ir)。對(duì)于藍(lán)色發(fā)光層15CB的材料,例如,將作為基質(zhì)材料的蒽化合物與作為摻雜材料的藍(lán)色或綠色熒光染料進(jìn)行組合,由此發(fā)出藍(lán)色光或綠色光。摻雜材料的示例包括具有高發(fā)光效率的材料,例如,低分子熒光材料和諸如磷光染料和金屬絡(luò)合物等有機(jī)發(fā)光材料。其具體示例包括在大約400nm至大約490nm的范圍內(nèi)具有峰值波長(zhǎng)的化合物。其示例包括有機(jī)材料,例如萘衍生物、蒽衍生物、丁省衍生物、苯乙烯胺衍生物(styryl aminederivative)和雙 B 丫嗪基亞甲基硼復(fù)合物(bis (azinyl)methene boron complex)。特別地,此類化合物優(yōu)選從以下材料中選擇氨基萘衍生物、氨基蒽衍生物、氨基菌衍生物、氨基芘衍生物、苯乙烯胺衍生物和雙吖嗪基亞甲基硼復(fù)合物。注意,發(fā)光層15C可以是也例如用作前述空穴傳輸層15B的具有空穴傳輸特性的發(fā)光層。此外,發(fā)光層15C可以是也用作前述電子傳輸層15D的具有電子傳輸特性的發(fā)光層。電子傳輸層MD和電子注入層15E提高了向發(fā)光層15C傳輸電子的效率。電子傳輸層MD和電子注入層15E的總膜厚度優(yōu)選例如是5nm-200nm,更優(yōu)選的是10nm_180nm,盡
管其厚度取決于裝置的整體結(jié)構(gòu)。對(duì)于電子傳輸層15D的材料,優(yōu)選使用具有優(yōu)異的電子傳輸能力的有機(jī)材料。通過(guò)提高發(fā)光層15C的傳輸效率,可以抑制下述由于電場(chǎng)強(qiáng)度而造成的發(fā)光顏色的變化。具體地,例如,優(yōu)選使用芳基嘧啶衍生物、苯并咪唑衍生物和類似物,這是因?yàn)榧词乖诘万?qū)動(dòng)電壓下也可以由此保持高的電子供應(yīng)效率。電子注入層15E的材料示例包括堿金屬、堿土金屬、稀土金屬和它們的氧化物、復(fù)合氧化物、氟化物和碳酸鹽。
上部電極16具有例如大約IOnm的厚度,并且由具有優(yōu)良透光性和較小功函數(shù)的材料制成。此外,通過(guò)使用氧化物形成透明導(dǎo)電膜,可以確保光的提取。在本例中,可以使用ZnO、ITO、IZnO、InSnZnO和/或類似材料。此外,盡管上部電極16可以由單層形成,但是在本例中,上部電極16例如具有如下結(jié)構(gòu)第一層16A、第二層16B和第三層16C從下部電極12側(cè)開始順序?qū)盈B。第一層16A優(yōu)選由具有較小功函和優(yōu)良透光性的材料制成。其具體示例包括諸如鈣(Ca)和鋇(Ba)等堿土金屬、諸如鋰(Li)和銫(Cs)等堿金屬、銦(In)、鎂(Mg)和銀(Ag)。此外,其示例包括堿金屬氧化物、堿金屬氟化物、堿土金屬氧化物和堿土金屬氟化物,例如,Li20、Cs2CO3' Cs2SO4^MgF, LiF 和 CaF2。第二層16B由具有透光性和優(yōu)良導(dǎo)電性的材料制成,例如薄膜MgAg電極和薄膜Ca電極。對(duì)于第三層16C,優(yōu)選使用透明的基于鑭 系元素的氧化物,以便抑制電極的劣化。因而,使得第二層16B能夠用作密封電極,通過(guò)該密封電極,使光可以從頂部表面發(fā)射。此外,在底發(fā)射型顯示器的情況下,可以使用金(Au)、鉬(Pt)、AuGe或類似物作為第三層16C的材料。注意,第一層16A、第二層16B和第三層16C由諸如真空蒸發(fā)法、濺射法和等離子體CVD法之類的方法形成。此外,在通過(guò)使用該顯示元件構(gòu)造的顯示器的驅(qū)動(dòng)方法是有源矩陣型的情況下,上部電極16可以在基板11上方形成為固體膜,并可以用作各像素的公共電極,該固體膜通過(guò)覆蓋下部電極12 —部分的防液層14 (分隔壁)和有機(jī)層15而與下部電極12絕緣。此外,上部電極16可以是含有有機(jī)發(fā)光材料的混合層,有機(jī)發(fā)光材料例如是喹啉招絡(luò)合物(aluminum quinoline complex)、苯乙烯胺衍生物和酞菁衍生物。在本實(shí)施例中,上部電極16還可以單獨(dú)包括具有透光性的層作為第三層16C(未示出),例如MgAg。此外,上部電極16的層疊結(jié)構(gòu)不限于前述層疊結(jié)構(gòu)。當(dāng)然,上部電極16可以根據(jù)要制造的裝置的結(jié)構(gòu)而具有最佳組合和最佳層疊結(jié)構(gòu)。例如,上述本實(shí)施例的上部電極16的結(jié)構(gòu)是這樣一種層疊結(jié)構(gòu)電極的每個(gè)層的每個(gè)功能是單獨(dú)存在的。也就是說(shuō),上述本實(shí)施例的上部電極16的結(jié)構(gòu)是這樣一種層疊結(jié)構(gòu)用于促進(jìn)電子向有機(jī)層15注入的無(wú)機(jī)層(第一層)、作為電極的無(wú)機(jī)層(第二層)和用于保護(hù)電極的無(wú)機(jī)層(第三層)各自存在。然而,用于促進(jìn)電子向有機(jī)層15注入的無(wú)機(jī)層也可以用作作為電極的無(wú)機(jī)層,并且這些層可以形成為單層結(jié)構(gòu)。此外,在有機(jī)EL器件10具有腔結(jié)構(gòu)的情況下,上部電極16優(yōu)選通過(guò)使用半透明和半反射的材料來(lái)形成。由此,在下部電極12側(cè)的光反射表面與上部電極16側(cè)的光反射表面之間經(jīng)歷多重干涉的發(fā)射光從上部電極16側(cè)發(fā)出。在本例中,下部電極12側(cè)的光反射表面與上部電極16側(cè)的光反射表面之間的光程是由期望提取的光的波長(zhǎng)來(lái)確定的,并且每一層的膜厚度設(shè)定成滿足該光程。在這種頂發(fā)射型顯示器中,通過(guò)確實(shí)地使用腔結(jié)構(gòu),從外部提取光的效率得以提高,并使得能夠控制發(fā)射光譜。保護(hù)層17防止?jié)駳馇秩胗袡C(jī)層15,并由具有低透明性及低透水性的材料制成,該材料例如具有2 μ m-3 μ m的厚度。保護(hù)層17可以由絕緣材料和導(dǎo)電材料中的任一種制成。絕緣材料的優(yōu)選示例包括無(wú)機(jī)非晶絕緣材料,例如非晶娃(α -Si)、非晶碳化娃(a-SiC)、非晶氮化硅U-SUx)和非晶碳(α-C)。這種無(wú)機(jī)非晶絕緣材料不構(gòu)成顆粒。因此,可以獲得具有低透水性的優(yōu)良保護(hù)膜。密封基板18位于有機(jī)EL器件10的上部電極16—側(cè)上,并與粘合層(未不出)一起密封有機(jī)EL器件10。密封基板18由諸如相對(duì)有機(jī)EL器件10中產(chǎn)生的光透明的玻璃之類的材料制成。密封基板18例如設(shè)置有濾色器18A和作為黑底的遮光膜18B。由此,在密封基板18中,提取有機(jī)EL器件10中產(chǎn)生的光,吸收各個(gè)有機(jī)EL器件10之間布線中反射的外部光,并提高了對(duì)比度。濾色器18A具有分別位于紅色發(fā)光器件IOR和綠色發(fā)光器件IOG上方的紅色濾光器18AR和綠色濾光器18AG。紅色濾光器18AR和綠色濾光器18AG分別布置成例如矩形形狀。紅色濾光器18AR和綠色濾光器18AG分別由混合有顏料的樹脂制成。通過(guò)選擇顏料,可以進(jìn)行調(diào)整,使得在預(yù)期的紅色或綠色波長(zhǎng)區(qū)域中透光性高,而在其它波長(zhǎng)區(qū)域中透光性低。盡管在本例中沒(méi)有在藍(lán)色發(fā)光器件IOB的上方設(shè)置濾色器,然而也可以設(shè)置藍(lán)色濾光器。
遮光膜18B例如由光密度為I或更大的混合有黑色著色劑的黑色樹脂膜或由利用薄膜干涉的薄膜濾色器形成。在前述膜中,遮光膜18B優(yōu)選由黑色樹脂膜形成,這是因?yàn)檫@樣可以便宜且容易地形成遮光膜。通過(guò)層疊一個(gè)或多個(gè)由金屬、金屬氮化物或金屬氧化物制成的薄膜來(lái)獲得薄膜濾色器,薄膜濾色器通過(guò)使用薄膜干涉來(lái)衰減光。薄膜濾色器的具體示例包括交替層疊有Cr和氧化鉻(Cr2O3)的濾色器。例如,可以如下地制造有機(jī)EL顯示器I。圖8表示有機(jī)EL顯示器I的制造方法的流程。首先,包括晶體管20的像素驅(qū)動(dòng)電路140形成在由前述材料制成的基板11上,并設(shè)置由例如光敏樹脂制成的平坦化層27 (步驟 S101)。[下部電極12的形成步驟]接下來(lái),在基板11的整個(gè)表面上形成由例如ITO制成的透明導(dǎo)電膜。圖案化透明導(dǎo)電膜,并由此形成分別用于紅色有機(jī)EL器件10R、綠色有機(jī)EL器件IOG和藍(lán)色有機(jī)EL器件IOB的下部電極12(步驟S102)。此時(shí),通過(guò)平坦化層27的接觸孔將下部電極12引導(dǎo)到晶體管20的漏電極26B。[親液層13和防液層14的形成步驟]隨后,通過(guò)利用例如狹縫涂布法在下部電極12和平坦化層27上形成膜并隨后使用光刻法進(jìn)行圖案化,來(lái)形成用于界定像素形狀的親液層13。接下來(lái),使用CVD(化學(xué)氣相沉積)法形成由諸如SiO2之類的無(wú)機(jī)絕緣材料制成的膜,以形成將RG區(qū)域2A與B區(qū)域2B分離的分隔壁。之后,通過(guò)等離子體處理來(lái)提高分隔壁表面的防水性,并由此形成防液層14(步驟 S103)。[空穴注入層15A和空穴傳輸層15B的形成步驟]在執(zhí)行等離子體處理之后,均由前述材料制成的空穴注入層15A和空穴傳輸層15B順序形成在防液層14所包圍的區(qū)域中(步驟S104)。通過(guò)旋轉(zhuǎn)涂布法、噴霧涂布法、狹縫印刷法、使用排出法的印刷法、使用版的印刷法或噴霧法形成空穴注入層15A和空穴傳輸層15B。[黃色發(fā)光層15CY的形成步驟]在形成空穴傳輸層15B之后,形成黃色發(fā)光層15CY(步驟S105)。利用例如噴墨法、噴嘴涂布法、條紋涂布法、使用排出法的印刷法、使用版的印刷法或噴霧法形成黃色發(fā)光層15CY。[藍(lán)色發(fā)光層15CB、電子傳輸層15D、電子注入層15E和上部電極16的形成步驟]在形成黃色發(fā)光層15CY之后,利用蒸發(fā)法在空穴傳輸層15B和黃色發(fā)光層15CY的整個(gè)表面上形成藍(lán)色發(fā)光層15CB (步驟S106)。隨后,利用蒸發(fā)法在藍(lán)色發(fā)光層15CB的整個(gè)表面上形成電子傳輸層15D、電子注入層15E和上部電極16(步驟S107和S108)。在形成上部電極16之后,形成保護(hù)層17和包括濾色器18A和遮光膜18B的密封基板18。具體地,首先,通過(guò)成膜法(例如蒸發(fā)法和CVD法)形成保護(hù)膜17,其中成膜粒子的能量小到不會(huì)到基底造成影響的程度。例如,在形成由非晶氮化硅制成的保護(hù)膜17的情況下,通過(guò)CVD法形成膜厚度為2-3 μ m的保護(hù)膜17。此時(shí),為了防止由于有機(jī)層15的劣化而造成的亮度降低,成膜溫度期望設(shè)定成環(huán)境溫度。此外,為了防止保護(hù)膜17脫落,期望在膜壓力最小的條件下形成膜。 藍(lán)色發(fā)光層15CB、電子傳輸層15D、電子注入層15E、上部電極16和保護(hù)層17在不使用掩模的情況下完全形成為固體膜的狀態(tài)。此外,期望在不暴露于空氣中的情況下在同一成膜裝置中連續(xù)形成藍(lán)色發(fā)光層15CB、電子傳輸層15D、電子注入層15E、上部電極16和保護(hù)層17。由此,可以防止由于空氣中的潮氣而造成的有機(jī)層15的劣化。注意,在在同一步驟中形成輔助電極(未示出)與下部電極12時(shí),可以在形成上部電極16之前采用諸如激光消融術(shù)之類的方法移除以固體膜狀態(tài)形成在輔助電極上的有機(jī)層15。借此,使得上部電極16能夠直接與輔助電極連接,并改善了接觸特性。在形成保護(hù)層17之后,例如,由前述材料制成的遮光膜18B形成在由前述材料制成的密封基板18上。隨后,利用旋轉(zhuǎn)涂布法或類似方法使密封基板18涂布有紅色濾光器18AR的材料。產(chǎn)物由光蝕刻技術(shù)圖案化,灼燒,由并此形成紅色濾光器18AR。然后,按照與紅色濾光器18AR類似的方式形成綠色濾光器18AG。之后,在保護(hù)層17上形成粘合層(未示出),并且隔著粘合層,密封基板18與保護(hù)層17接合在一起。因此,完成了圖1、圖2、圖6和圖7A中所示的有機(jī)EL器件IA和1B。注意,如圖7B所示,作為替換,防液層14可以如下地形成在空穴傳輸層15B上。首先,如上所述地形成空穴注入層15A和空穴傳輸層15B。之后,通過(guò)使用例如噴墨法、噴嘴涂布法、帶狀涂布法、凸版印刷、橡膠板印刷、膠版印刷或凹版印刷來(lái)形成防液層14。接下來(lái),通過(guò)使用前述方法來(lái)形成黃色發(fā)光層15CY和將要形成在其上的層。借此,容易形成空穴注入層15A和空穴傳輸層15B。在有機(jī)EL器件IA和IB中,通過(guò)寫入晶體管Tr2的柵電極將來(lái)自掃描線驅(qū)動(dòng)電路130的掃描信號(hào)提供給每個(gè)像素,并且通過(guò)寫入晶體管Tr2將來(lái)自信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路120的圖像信號(hào)保持在保持電容Cs中。也就是說(shuō),根據(jù)保持在保持電容Cs中的信號(hào)控制驅(qū)動(dòng)晶體管Trl的開關(guān),借此,驅(qū)動(dòng)電流Id注入紅色有機(jī)EL器件10R、綠色有機(jī)EL器件IOG和藍(lán)色有機(jī)EL器件10B,產(chǎn)生電子-空穴復(fù)合,于是發(fā)光。在底部發(fā)射的情況下,光穿過(guò)下部電極12和基板11而發(fā)出,或者在頂部發(fā)射的情況下,光穿過(guò)上部電極16和設(shè)置在密封基板18中的濾色器18A而發(fā)出,從而被提取出來(lái)。在本實(shí)施例的顯示器IA和IB中,分隔壁設(shè)置在包括紅色像素5R和綠色像素5G的RG區(qū)域2A與包括藍(lán)色像素5B的B區(qū)域2B之間,并且分隔壁不設(shè)置在具有公共發(fā)光層的紅色像素和綠色像素之間。由此,降低了由于浸潤(rùn)而造成的像素中有機(jī)層15(特別是發(fā)光層15C)變厚,并提高了像素的孔徑比。下文進(jìn)一步對(duì)其進(jìn)行描述。如上所述,溶解有用于形成有機(jī)層15的有機(jī)材料的油墨的粘性低,從而其接觸角小,因此其可濕性高。因此,排出的油墨擴(kuò)散在顯示區(qū)域2或外圍區(qū)域6上,從而顯著降低了基板的可靠性。此外,在本實(shí)施例中,圖案化困難,并且很難控制每個(gè)像素5R、5G和5B的膜厚度。如圖9所示,用于克服這一缺點(diǎn)的一種方法是通過(guò)按照顏色分離這些像素,從而成直線地布置紅色像素5R、綠色像素5G和藍(lán)色像素5B,在像素線之間設(shè)置防液區(qū)域,并由此按照顏色分離像素。然而,對(duì)于每種顏色的像素區(qū)域(R區(qū)域102A、G區(qū)域102B和B區(qū)域102C)所涂布的油墨而言,其溶劑在干燥時(shí)逐漸從外邊緣部蒸發(fā),從而將有機(jī)材料固化在分隔壁的側(cè)表面上。因此,保留在像素區(qū)域中的油墨沿著分隔壁側(cè)表面上固化的有機(jī)材料向上浸潤(rùn)。圖1OA示意性示出了沿著圖9的虛線I1-1I的剖面結(jié)構(gòu)。在沿防液區(qū)域(分隔壁)104的延伸方向的像素外圍上的有機(jī)層的膜厚度增加。由于膜厚度增加的區(qū)域中的發(fā)光效率降低,所以各像素105RU05G和105B的孔徑比降低。 另一方面,在本實(shí)施例的顯示器IA和IB中,分隔壁并不設(shè)置在紅色像素5R和綠色像素5G之間,并設(shè)置包括公共發(fā)光層15C (在本實(shí)施例的情況下,是15CY)的有機(jī)層15。由此,可以防止紅色像素5R和綠色像素5G之間發(fā)生浸潤(rùn)。表I總結(jié)了本實(shí)施例的顯示器IA和IB與對(duì)比示例的顯示器100的有效像素區(qū)域、最大孔徑比、最小涂布寬度和涂布數(shù)量。該表表明在未在紅色像素5R和綠色像素5G之間設(shè)置分隔壁并設(shè)置包括公共發(fā)光層15C的有機(jī)層15的顯示器IA和IB中,與在紅色像素5R和綠色像素5G之間設(shè)置分隔壁并對(duì)R和G單獨(dú)執(zhí)行涂布的顯示器100相比,有效像素區(qū)域和最大孔徑比均得到更好地提高。特別地,在布置有紅色像素5R和綠色像素5G使得它們的長(zhǎng)側(cè)方向彼此相鄰的顯示器IA中,有效像素區(qū)域和最大孔徑比得到更好改善。此外,由于在本實(shí)施例中形成了沿著顯示區(qū)域2的長(zhǎng)度方向延伸的RG區(qū)域3A和B區(qū)域3B,所以涂布數(shù)量減少,即,簡(jiǎn)化了涂布步驟。[表I]
權(quán)利要求
1.一種顯不器,其包括第一區(qū)域,其包括具有單個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第一像素;第二區(qū)域,其包括具有多個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第二像素,所述多個(gè)顏色不同于所述單個(gè)顏色, 所述第二像素具有包括公共發(fā)光層的有機(jī)層;以及分隔壁,其用于分離所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,所述第二像素由濾色器進(jìn)行顏色分離。
3.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,所述分隔壁受到防水處理。
4.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,在所述第一像素和所述第二像素的周圍設(shè)置親液區(qū)域,并且所述第一像素的形狀和所述第二像素的形狀由所述親液區(qū)域確定。
5.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,在相鄰的所述第二像素具有彼此不同顏色的狀態(tài)下,所述第二像素成直線地布置。
6.如權(quán)利要求5所述的顯示器,其中,所述第二像素均具有矩形形狀,并且所述第二像素的長(zhǎng)側(cè)方向布置成垂直于所述分隔壁的延伸方向。
7.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,所述第二像素成直線地布置成沿著所述分隔壁的延伸方向按照顏色分離。
8.如權(quán)利要求1所述的顯示器,其中,所述第一像素和所述第二像素均包括薄膜晶體管和顯示元件,所述晶體管設(shè)置在基板上,所述顯示元件具有設(shè)置在所述薄膜晶體管上的發(fā)光層,并且在所述薄膜晶體管和所述顯示元件之間的平坦化膜中設(shè)置臺(tái)階,使得所述第二像素中的所述發(fā)光層的厚度隨著顏色而不同。
9.如權(quán)利要求8所述的顯示器,其中,所述顯示元件包括設(shè)置在所述平坦化膜上的下部電極,設(shè)置在所述下部電極上的空穴注入-傳輸層,所述空穴注入-傳輸層具有空穴注入特性或空穴傳輸特性,或者具有空穴注入特性和空穴傳輸特性,設(shè)置在所述空穴注入-傳輸層上的發(fā)光層,設(shè)置在所述發(fā)光層上的電子注入-傳輸層,所述電子注入-傳輸層連續(xù)地設(shè)置在所述第一區(qū)域的整個(gè)表面和所述第二區(qū)域的整個(gè)表面上,所述電子注入-傳輸層具有電子注入特性或電子傳輸特性,或者具有電子注入特性和電子傳輸特性,以及上部電極。
10.如權(quán)利要求9所述的顯示器,其中,設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述顯示元件的所述發(fā)光層連續(xù)地設(shè)置在所述第一區(qū)域的整個(gè)表面和所述第二區(qū)域的整個(gè)表面上,并且設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述顯示元件的所述發(fā)光層層疊在設(shè)置在所述第二區(qū)域中的所述顯示元件的所述發(fā)光層上。
11.如權(quán)利要求10所述的顯示器,其中,設(shè)置在所述第一區(qū)域中的所述顯示元件的所述發(fā)光層由蒸發(fā)法形成。
12.如權(quán)利要求9所述的顯示器,其中,設(shè)置在所述第二區(qū)域中的所述顯示元件的所述空穴注入-傳輸層和所述發(fā)光層由下述方法中的一種方法形成使用排出法的印刷法、使用版的印刷法和噴霧法。
13.如權(quán)利要求9所述的顯示器,其中,所述空穴注入-傳輸層由下述方法中的一種方法形成在所述第一區(qū)域的整個(gè)表面和所述第二區(qū)域的整個(gè)表面上狹縫涂布法、噴霧涂布法和旋轉(zhuǎn)涂布法。
14.一種電子裝置,其包括權(quán)利要求1-13中任一項(xiàng)所述的顯示器。
全文摘要
本發(fā)明涉及顯示器和包括該顯示器的電子裝置,所述顯示器包括第一區(qū)域,其包括具有單個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第一像素;第二區(qū)域,其包括具有多個(gè)顏色結(jié)構(gòu)的第二像素,所述多個(gè)顏色不同于所述單個(gè)顏色,所述第二像素具有包括公共發(fā)光層的有機(jī)層;以及分隔壁,其用于分離所述第一區(qū)域和所述第二區(qū)域。根據(jù)本發(fā)明,降低了分隔壁中浸潤(rùn)造成的像素區(qū)域中有機(jī)層(特別是發(fā)光層)變厚,并且加寬了有效像素面積。因此,提高了像素的孔徑比。
文檔編號(hào)H01L51/50GK103000655SQ20121031050
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2012年8月28日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月9日
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