專利名稱：充分成型的扇出的制作方法
技術領域：
本公開涉及半導體設備的板式封裝的領域。背景在工業(yè)中獲得接受的板式封裝的一般實現(xiàn)是扇出型晶片級封裝(WLP)，其中多個管芯單元面向下放置在臨時膠帶載體上。使用壓縮成型工藝用模塑料使多個管芯單元和臨時膠帶載體包覆成型。在成型后，去除膠帶載體，讓多個管芯單元的有源表面暴露在通常稱為重組晶片的結(jié)構中。隨后，晶片級芯片尺寸封裝(WLCSP)組合結(jié)構在重組晶片的頂部上形成。球柵陣列(BGA)球連接到重組晶片，并且然后重組晶片用鋸分割以形成單獨的封裝件。附圖簡述在附圖的圖中，作為例子而不是作為限制示出了本公開。

圖1A示出了重組晶片的一個實施方式。圖1B-1D根據(jù)實施方式示出了布置在重組晶片中的多個封裝件或模塊的俯視圖。圖2是示出了用于制造半導體封裝件的工藝的實施方式的流程圖。圖3示出了設備晶片的實施方式，扇入型RDL結(jié)構和導電接線柱構建在所述設備晶片上。圖4示出了設備晶片的實施方式，扇入型RDL結(jié)構和導電接線柱構建在所述設備晶片上。圖5根據(jù)實施方式示出了安裝在載體元件上的管芯單元。圖6根據(jù)實施方式示出了包封在模塑料中的管芯單元。圖7根據(jù)實施方式示出了被包封在模塑料中并貼有錫球的管芯單元。圖8根據(jù)實施方式示出了被分割的設備封裝件。圖9示出了球柵陣列(BGA)半導體設備封裝件的實施方式。圖10示出了四方扁平無引腳(QFN)半導體設備封裝件的實施方式。詳細描述下面的描述闡述了許多具體細節(jié)，例如具體的系統(tǒng)、部件、方法等的實例，以便提供對本發(fā)明的幾個實施方式的好的理解。然而對于本領域技術人員很明顯，可在沒有這些具體細節(jié)的情況下實踐本發(fā)明的至少一些實施方式。在其他實例中，眾所周知的部件或方法未被詳細描述或者以簡單的框圖形式出現(xiàn)，以便避免不必要地使本發(fā)明難理解。因此，所闡述的具體細節(jié)僅是示例性的。具體實現(xiàn)可從這些示例性細節(jié)變化且仍然被設想在本發(fā)明的精神和范圍之內(nèi)。如本文所用的術語“在…上方”、“在…之間”和“在…上”是指一層相對于其他層
的相對位置。沉積或布置在另一層上方或下方的一層可直接與該另一層接觸或可具有一個或多個中介層。沉積或布置在幾層之間的一層可直接與這幾層接觸或可具有一個或多個中介層。相反，在第二層“上”的第一層與該第二層接觸。本文公開的實施方式包括可應用于板式封裝例如扇出型WLCSP的方法和結(jié)構。在以下描述中，關于單個管芯應用描述了具體實施方式
。本發(fā)明的實施方式在多管芯模塊或管芯與無源部件(例如，電容器、電感器或電阻器)和/或模塊內(nèi)的其他部件(例如，光學元件、連接器或其他電子部件)的某種組合中也可能是有用的。在一個實施方式中，用于封裝半導體設備的方法可包括通過用模塑料包圍管芯單元的所有側(cè)面來將半導體管芯單元包封在模塑料內(nèi)。在一個實施方式中，可包封半導體管芯單元，使得管芯單元的所有六個側(cè)面被模塑料覆蓋。在一個實施方式中，該工藝可包括在管芯單元和載體例如膠帶載體之間產(chǎn)生空隙以允許模塑料流入管芯單元和載體之間的空隙中。在一個實施方式中，可通過在管芯單元上構建隔板元件然后將管芯單元置于載體上以使隔板將管芯單元與載體表面隔開來產(chǎn)生空隙。在一個實施方式中，隔板元件還可用來將管芯單元的一個或多個接合焊盤電連接到半導體封裝件的外表面。例如，隔板元件可包括可由被鍍在半導體管芯單元的接合焊盤上的材料例如銅構建的一個或多個導電接線柱。在一個實施方式中，焊盤在本文可被稱作“接合焊盤”，不論是否有任何電線粘合到所述焊盤上。因此接合焊盤可以是可進行電連接以給集成在管芯單元內(nèi)的電路提供信號或接收來自集成在管芯單元內(nèi)的電路的信號的任何點。因此，在一個實施方式中，半導體管芯單元可實質(zhì)上被模塑料包封，使得管芯單元的大部分被模塑料包圍，可能除了任何導電通路例如管芯單元和封裝件外部之間的導電接線柱以外。在一個實施方式中，扇入型再分布層(RDL)結(jié)構可構建在管芯單元上，且隔板元件例如導電接線柱可構建在扇入型RDL結(jié)構上。在一個實施方式中，扇入型RDL可用于在X-Y平面中移動連接點，使得連接點在X-Y平面中較接近于彼此而間隔開。相反，扇出型RDL可用來在X-Y平面中使連接點移動得隔得更遠。這兩種類型的RDL都可以在遠離可包括管芯單元的接合焊盤的原始連接點的Z方向上建立新的連接點。在一個實施方式中，在切割以將晶片分成單獨的管芯單元之前，扇入型RDL結(jié)構可應用于原生設備晶片。在一個實施方式中，扇入型RDL結(jié)構提供了路徑選擇靈活性并減輕了對精確的管芯布置的需要。在一個實施方式中，在將管芯單元和任何扇入型RDL結(jié)構和導電接線柱包封在模塑料中之后，扇出型RDL結(jié)構可在模塑料的表面上被建造并可與導電接線柱電連接。在一個實施方式中，RDL可應用于成型晶片，其在單獨的管芯單元的分割之前可包括被單體模塑料包封的多個管芯單元。在一個實施方式中，用于制造完全成型的封裝件的工藝被簡化并通過消除可用在其他扇出型WLP工藝中的面板后處理而降低了用于組裝扇出型半導體封裝件的成本。在一個實施方式中，完全成型的封裝件在所述封裝件的下表面上在半導體管芯單元的邊緣處沒有形態(tài)不連續(xù)性。這可簡化用于在封裝件的底部上構建扇出型RDL結(jié)構的工藝。此外，該工藝可減少由模塑料的不均勻分布造成的翹曲效應，以便可消除用于控制翹曲的步驟，例如研磨面板的背面。在實施方式中，可組裝和模塑多個設備單元以產(chǎn)生面板或網(wǎng)狀晶片。設備單元可以是有源設備單元例如管芯，且還可以是無源設備單元例如集成無源網(wǎng)絡或分立的無源設備單元例如電容器、電阻器或電感器。設備單元可以被預封裝，雖然預封裝不是需要的。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，預封裝件可包含單個或多個設備單元和其他部件。本文描述的實施方式可用在任何板式封裝應用中，包括單管芯應用、多管芯模塊、管芯與模塊內(nèi)的無源部件的某種組合或設備單元與模塊內(nèi)的另一部件的一種組合。根據(jù)扇出型晶片級封裝(WLP)的一種實現(xiàn)，多個管芯單元可面向下布置在臨時膠帶載體上。然后可使用壓縮成型工藝用環(huán)氧模塑料使載體包覆成型。在成型后，可去除膠帶載體，讓管芯的有源表面暴露。圖LA示出了面板102的實施方式，面板102包括使用包封材料L06例如環(huán)氧樹脂包覆成型的多個設備單元L04。雖然圖1A示出了圓形面板102，可利用可選的面板形式例如矩形或正方形。如圖1A中所示，多個設備單元104的有源表面104可實質(zhì)上與包封材料106齊平。在實施方式中，面板102可以是在本領域中做為在WLP技術中形成的重組晶片已知的東西，其中多個設備單元面向下布置在臨時膠帶載體上，然后使用壓縮成型工藝用環(huán)氧模塑料包覆成型，然后去除臨時膠帶載體，讓多個管芯單元的有源表面暴露。隨后，可在圖1A所示的結(jié)構的頂部上形成組合結(jié)構并可分割設備單元以形成封裝件或模塊。例如，如圖1B所示，面板可被分割成多個單管芯封裝件150，每個封裝件包括單個半導體管芯單元152。參考圖1C，多個管芯單元152、154可安裝在成型的面板內(nèi)并被分割以形成多管芯封裝件或模塊150。參考圖1D，單個管芯單元152或多個管芯單元152、154可安裝在成型的面板內(nèi)(添加無源設備156 (例如電容器、電感器或電阻器)和/或其他部件158 (例如光學元件、連接器或其他電子部件))并被分割以形成包括有源設備和無源設備和/或其他部件158的封裝件或模塊150。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，設想了有源設備和無源設備與任選地封裝件或模塊內(nèi)的其他部件的多種組合。因此，圖1B-1D中所示的特定結(jié)構意指是例證性而非限制性的。該工藝的實現(xiàn)可導致具有與芯片背面接觸的模塑料的封裝件，但是沒有材料覆蓋芯片的正面。作為結(jié)果，可使用大規(guī)模的后處理來減輕面板翹曲。這可包括在后模具固化期間約束面板，或研磨以在成型后去除芯片背面的模塑料。根據(jù)一種實現(xiàn)，在首先從面板背面去除模塑料之后，可在面板的背面涂敷層壓的環(huán)氧樹脂膜。以這種方式構建的封裝件在芯片的邊緣接觸模塑料的地方也可能具有形態(tài)不連續(xù)性，這可能是由于管芯在成型以及模子溢料期間被壓縮到膠帶中所致。因此，用于構建再分布層(RDL)的工藝可能需要設計成適應這種形態(tài)不連續(xù)性。在一個實施方式中，芯片封裝工藝的實施方式可通過在面板的成型期間同時包封芯片的所有側(cè)面來處理這些問題，導致在芯片之上和之下的模塑料的相似的厚度。這提供了具有減少的翹曲的平衡結(jié)構，使得晶片背面的隨后研磨是不需要的。在一個實施方式中，扇入型RDL結(jié)構可構建在原生晶片上，允許更靈活的路徑選擇。在一個實施方式中，用于構建芯片封裝件的方法可包括構建與半導體管芯單元的表面連接的隔板元件，然后將管芯單元置于載體上，使得隔板元件在管芯單元和載體之間產(chǎn)生空隙。在一個實施方式中，載體可以是膠帶載體。 在將管芯單元置于載體上以后，可使用壓縮成型工藝來將模塑料引入由隔板元件在管芯單元和載體表面之間產(chǎn)生的空隙中。模塑料可因此包封管芯單元的所有側(cè)面，因為存在用于對在管芯單元的所有側(cè)面一包括管芯單元面對載體的側(cè)面一上填充的空間。
實質(zhì)上將管芯單元包封在模塑料內(nèi)的半導體設備封裝制造工藝可進一步將管芯單元有源表面處的接合焊盤連接到半導體設備封裝件外部處的導電材料。例如，隔板元件本身可由導電材料例如銅構造，導電材料被電鍍在接合焊盤上或電鍍在與接合焊盤連接的扇出型RDL結(jié)構上以產(chǎn)生一個或多個導電接線柱。在一個實施方式中，導電接線柱可電連接到作為扇出型RDL結(jié)構或錫球的一部分的導電材料。圖2根據(jù)實施方式示出了用于將半導體管芯封裝件包封在模塑料中以產(chǎn)生半導體芯片封裝件的工藝。在一個實施方式中，封裝工藝200可在原生設備晶片上執(zhí)行，許多半導體設備在該原生設備晶片上被構造。工藝200開始于塊201。在塊201處，扇入型RDL結(jié)構可貼到原生設備晶片。例如，扇入型RDL結(jié)構可貼到原生設備晶片的單獨的管芯單元。圖3示出了包括多個管芯單元305A、305B和305C的原生設備晶片301的實施方式。扇入型RDL 302可用來將管芯單元305A的接合焊盤304A電耦合到待電鍍到扇入型RDL 302上的一個或多個導電接線柱303。在一個實施方式中，扇入型RDL結(jié)構可包括多個層，可選地，該結(jié)構可包括單個層。在一個實施方式中，扇入型RDL結(jié)構可包括一層聚合物306 ;可選地，聚合物306可從某些實施方式省略。從塊201，工藝200在塊203繼續(xù)。在塊203處，在根據(jù)塊201構建的任何扇入型RDL結(jié)構302上方構建了一個或多個隔板元件303。可選地，如果扇入型RDL結(jié)構302被省略，則隔板元件303可直接構建在半導體管芯單元的接合焊盤例如接合焊盤304A上。在任一情況中，隔板元件可包括可直接地或通過扇入型RDL302與管芯單元305的接合焊盤電連接的導電接線柱303。在一個實施方式中，隔板元件303被設計成維持管芯單元與支撐所述管芯單元的載體表面之間的空隙。在一個實施方式中，隔板元件303是被設計成當完成時將管芯單元305A的接合焊盤304A連接到半導體設備封裝件的外表面處的導電材料的導電接線柱。在一個實施方式中，通過將銅電鍍在之前構建的扇入型RDL跡線302上方至少50微米高的高度，來構建用作隔板元件且用于與接合焊盤電連接的導電接線柱303。從塊203，工藝200在塊205繼續(xù)。在塊205處，原生設備晶片在包封到模塑料中之前被薄化并被切割成單獨的管芯單元。因此，每個管芯單元與組成晶片的每個其他設備單元隔開。圖4根據(jù)實施方式示出了已變薄至其最終厚度的設備晶片301和與其他管芯單元305A和305B隔開的管芯單元305C。從塊205，工藝200在塊207繼續(xù)。圖5根據(jù)實施方式示出了置于載體501上的管芯單元305C、305B和305A。在塊207處，可使用犧牲性雙面泡棉膠帶502將半導體管芯單元305C、305B和305A布置在載體501上，有源側(cè)面向下(接合焊盤面向下)。在一個實施方式中，之前構建的隔板元件303可產(chǎn)生將半導體管芯單元305A與載體501和泡棉膠帶502分開的空隙503。在一個實施方式中，隔板元件303包括與管芯單元305A的至少一個接合焊盤電連接的至少一個導電接線柱。從塊207，工藝200在塊209繼續(xù)。圖6根據(jù)實施方式示出了安裝了管芯單元305C、305B和350A的載體501，其中管芯單元305C-A被模塑料502包封。在工藝200的塊209處，可執(zhí)行成型工藝以將管芯單元包封在膜塑料601內(nèi)。在一個實施方式中，成型工藝是使模塑料被引入到由隔板元件303產(chǎn)生的空隙503中的壓縮成型工藝。在一個實施方式中，管芯單元305A實質(zhì)上被模塑料包封，以使模塑料存在于管芯單元的每一個側(cè)面上。在一個實施方式中，連續(xù)的單體管芯化合物601可包圍管芯單元305A。在一個實施方式中，通過壓縮成型工藝涂敷的模塑料601可分布模塑料，使得半導體管芯單元305A的頂部上的模塑料厚度小于在管芯單元305A的底部有源側(cè)面下存在的模塑料厚度的三倍。從塊209，工藝200在塊211繼續(xù)。在塊211處，從載體中取出成型面板。從塊211，工藝200在塊213繼續(xù)。在塊213處，可從成型面板的有源表面去除材料以暴露導電接線柱。例如，可對成型面板清潔或拋光以暴露成型面板表面處的接線柱。該工藝可去除可能散布在導電接線柱和泡棉膠帶之間的任何模塑料。從塊213，工藝在塊215繼續(xù)。圖7根據(jù)實施方式示出了具有扇出型RDL結(jié)構702和錫球701的、包括管芯單元305A、305B和305C的成型面板700。在塊215處，扇出型再分布層(RDL)702可構建在成型面板700的有源表面上，且可與在塊213暴露的導電接線柱303電連接。在一個實施方式中，扇出型RDL結(jié)構702可包括多個層；可選地，該結(jié)構可包括單個層。在一個實施方式中，扇出型RDL結(jié)構702可包括一層聚合物703 ;可選地，聚合物703可從某些實施方式省略。從塊215，工藝200在塊217繼續(xù)。在塊217處，錫球701可貼到扇出型RDL結(jié)構702。在可省略扇出型RDL結(jié)構702的可選的實施方式中，錫球701可直接貼到在塊213暴露的導電接線柱303。當正被制造的設備封裝件是球柵陣列(BGA)封裝件時，可使用錫球701的這種貼附。從塊217，工藝200在塊219繼續(xù)。在塊219處，可將成型面板分割成單獨的設備封裝件。圖8根據(jù)實施方式示出了已被分割成多個設備封裝件801A、801B和801C的成型面板800的一個實施方式。在一個實施方式中，可使用鋸來切割成型面板，將每個包封的管芯單元與面板中每個其他的包封管芯單元分開。圖9根據(jù)實施方式示出了半導體設備封裝件900。在一個實施方式中，可根據(jù)如圖2中所示的工藝200制造封裝件900。在一個實施方式中，封裝件900包括半導體管芯單元901和與管芯單元901的接合焊盤903電耦合的多個導電接線柱902。在一個實施方式中，導電接線柱902可通過扇入型RDL結(jié)構905電連接到焊盤903，所述扇入型RDL結(jié)構可包括支撐RDL結(jié)構905的跡線的聚合物層908。封裝件的外部由實質(zhì)上包圍半導體管芯單元901的所有側(cè)面的模塑料904形成。在一個實施方式中，導電接線柱902可與暴露在模塑料904外部的導電材料電耦合。如圖9中所示，暴露在模塑料904外部的導電材料可以是錫球907，其中設備封裝件900是BGA封裝件。在一個實施方式中，導電接線柱902可通過扇出型RDL結(jié)構906與錫球907電連接。在一個實施方式中，扇出型RDL結(jié)構906可包括聚合物層909以支撐導電接線柱902和錫球907所連接到的扇出型RDL結(jié)構906的導電跡線。圖10根據(jù)實施方式示出了具有連接盤柵格陣列的包封的四方扁平無引腳(QFN)封裝件1000。在一個實施方式中，封裝件1000包括半導體管芯單元1001和與管芯單元1001的接合焊盤1003電耦合的多個導電接線柱1002。在一個實施方式中，導電接線柱1002可通過扇入型RDL結(jié)構1005電連接到接合焊盤1003，扇入型RDL結(jié)構可包括支撐RDL結(jié)構1005的跡線的聚合物層1008。封裝件的外部由實質(zhì)上包圍半導體管芯單元1001的所有側(cè)面的模塑料1004形成。在一個實施方式中，導電接線柱1002與在模塑料1004表面處或外部暴露的導電材料電耦合。如圖10中所示，在模塑料1004外部暴露的導電材料可以是QFN設備封裝件1000的連接盤1007。在一個實施方式中，導電接線柱1002可通過扇出型RDL結(jié)構1006與連接盤1007電連接。在一個實施方式中，扇出型RDL結(jié)構1006可包括聚合物層1009以支撐導電接線柱1002和連接盤1007所連接到的扇出型RDL結(jié)構1006的導電跡線。本文描述的本發(fā)明的實施方式包括多種操作。這些操作可由硬件部件、軟件、固件或其組合執(zhí)行。如本文所使用的，術語“耦合到”可以指直接地或通過一個或多個中介部件間接耦合。通過本文所述的多種總線提供的任何信號可與其他信號一起被時分多路傳輸并通過一個或多個常用總線來提供。另外，電路部件或塊之間的相互連接可顯示為總線或單個信號線。每個總線可以可選地是一條或多條單獨的信號線，且每個單獨的信號線可以可選地是總線。某些實施方式可以被實現(xiàn)為可包括存儲在計算機可讀介質(zhì)上的指令的計算機程序產(chǎn)品。這些指令可用來對通用或?qū)Ｓ锰幚砥骶幊桃詧?zhí)行所述操作。計算機可讀介質(zhì)包括用于存儲或傳送以機器(例如計算機)可讀的形式(例如，軟件、處理應用)的信息的任何機制。計算機可讀存儲介質(zhì)可包括但不限于磁存儲介質(zhì)(例如，軟盤)；光學存儲介質(zhì)(例如，CD-ROM);磁-光存儲介質(zhì)；只讀存儲器(ROM);隨機存取存儲器(RAM);可擦可編程存儲器(例如，EPROM和EEPR0M);閃存或適合于存儲電子指令的另一類型的介質(zhì)。另外，一些實施方式可在分布式計算環(huán)境中實踐，其中計算機可讀介質(zhì)儲存在一個以上的計算機系統(tǒng)中和/或由一個以上的計算機系統(tǒng)執(zhí)行。另外，在計算機系統(tǒng)之間傳輸?shù)男畔⒖纱┻^連接計算機系統(tǒng)的傳輸介質(zhì)被拉出或推出。盡管本文以特定的順序示出并描述了方法的操作，每個方法的操作順序可改變，使得某些操作可按相反的順序執(zhí)行或使得某個操作可至少部分地與其他操作同時執(zhí)行。在另一個實施方式中，不同操作的指令或子操作可以用間歇和/或交替的方式。在前述說明書中，本發(fā)明已參考其具體示例性的實施方式被描述。然而，顯然，可對其進行各種修改和改變而不偏離如所附權利要求書中闡述的本發(fā)明的更廣的精神和范圍。因此應在例證性意義而非限制性意義上考慮說明書和附圖。
權利要求
1.一種方法，包括: 構建與半導體管芯單元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半導體管芯單元和載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及 將所述半導體管芯單元包封在模塑料內(nèi)，其中所述包封包括將所述模塑料引入所述空隙中。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括在將所述模塑料引入所述空隙中之前將所述隔板元件附接到所述載體。
3.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括: 在包封所述半導體管芯單元之前，使半導體晶片變薄，所述半導體管芯單元構建在所述半導體晶片上；以及 切割所述半導體晶片以將所述半導體管芯單元與多個其他半導體管芯單元分隔開。
4.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中將所述半導體管芯包封在所述模塑料內(nèi)還包括執(zhí)行壓縮成型工藝。
5.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中在所述半導體管芯單元的頂部上的所述模塑料的第一厚度小于在所述半導體管芯單元的底部下面的所述模塑料的第二厚度的三倍。
6.根據(jù)權利要求1所述的方法，其中所述隔板元件包括與所述半導體管芯單元的至少一個接合焊盤電耦合的至少一個導電接線柱。
7.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括在所述模塑料的外表面處暴露所述至少一個導電接線柱。
8.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括在將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料中之前構建與所述半導體管芯單元的多個接合焊盤電耦合的扇入型再分布層(RDL)結(jié)構，其中所述至少一個導電接線柱被電鍍到所述扇入型RDL結(jié)構上。
9.根據(jù)權利要求8所述的方法，還包括在所述模塑料的表面上構建扇出型再分布層(RDL)結(jié)構，其中所述扇出型RDL與所述至少一個導電接線柱電耦合。
10.根據(jù)權利要求6所述的方法，還包括將多個錫球貼到所述扇出型RDL結(jié)構以產(chǎn)生球柵陣列(BGA)封裝件。
11.根據(jù)權利要求1所述的方法，還包括在將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料中后，將所包封的半導體管芯單元與多個其他包封的半導體管芯單元分隔開。
12.—種半導體設備封裝件，包括: 半導體管芯單元； 多個導電接線柱，其與所述半導體管芯單元的有源表面上的一個或多個接合焊盤電耦合；以及 模塑料，其實質(zhì)上覆蓋所述半導體管芯單元的有源表面，其中所述導電接線柱通過再分布層(RDL)與在所述模塑料外部暴露的導電材料電耦合。
13.根據(jù)權利要求12所述的半導體設備封裝件，其中所述再分布層(RDL)結(jié)構是扇出型RDL并與所述多個導電接線柱電耦合。
14.根據(jù)權利要求12所述的半導體設備封裝件，其中在所述模塑料外部暴露的所述導電材料包括與所述扇出型RDL結(jié)構電耦合的多個錫球，其中所述半導體設備封裝件是球柵陣列(BGA)封裝件。
15.根據(jù)權利要求12所述的半導體設備封裝件，還包括將一個或多個接合焊盤連接到所述多個導電接線柱的扇入型再分布層(RDL)。
16.—種方法,包括: 通過將半導體管芯單元實質(zhì)上包封在模塑料內(nèi)來構建半導體設備封裝件；以及構建將所述半導體管芯單元的接合焊盤電連接到所述半導體設備封裝件的外表面處的導電材料的再分布層(RDL)結(jié)構。
17.根據(jù)權利要求16所述的方法，其中將所述半導體管芯單元包封在所述模塑料內(nèi)包括: 在所述半導體管芯單元和支撐所述半導體管芯單元的載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及 用所述模塑料填充所述空隙。
18.根據(jù)權利要求16所述的方法，還包括: 構建與所述半導體管芯單元的所述接合焊盤電耦合的多個導電接線柱； 將所述導電接線柱附接到載體的表面，其中所述多個導電接線柱被配置成維持所述半導體管芯單元和所述載體的所述表面之間的空隙。
19.根據(jù)權利要求18所述的方法，還包括在所述半導體管芯單元的表面上構建扇入型再分布層(RDL)結(jié)構，其中所述扇入型RDL被配置成將所述接合焊盤與所述多個導電接線柱電I禹合。
20.根據(jù)權利要求18所述的方法，還 包括在將所述半導體管芯單元實質(zhì)上包封在所述模塑料中后，將所述RDL結(jié)構與所述多個導電接線柱電耦合，其中所述RDL結(jié)構是扇出型RDL結(jié)構。
全文摘要
本發(fā)明涉及充分成型的扇出。一種用于制造設備封裝件的方法可包括構建與半導體管芯單元的表面耦合的隔板元件，其中所述隔板元件被配置成在所述半導體管芯單元和載體的表面之間產(chǎn)生空隙；以及將所述半導體管芯單元包封在模塑料內(nèi)，其中所述包封包括將所述模塑料引入所述空隙中。
文檔編號H01L21/56GK103187322SQ20121031179
公開日2013年7月3日 申請日期2012年8月29日 優(yōu)先權日2011年12月30日
發(fā)明者克里斯多佛·斯坎倫 申請人:賽普拉斯半導體公司